JP2017537584A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017537584A5 JP2017537584A5 JP2017519239A JP2017519239A JP2017537584A5 JP 2017537584 A5 JP2017537584 A5 JP 2017537584A5 JP 2017519239 A JP2017519239 A JP 2017519239A JP 2017519239 A JP2017519239 A JP 2017519239A JP 2017537584 A5 JP2017537584 A5 JP 2017537584A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrical circuit
- transistor
- gate driver
- gate
- electrically coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
Claims (13)
- ハーフブリッジトポロジで配置された電気回路であって、
ハイサイドトランジスタと、
ローサイドトランジスタと、
前記ハイサイドトランジスタのゲートに電気的に結合された第1ゲートドライバ及びレベルシフタと、
前記ローサイドトランジスタのゲートに電気的に結合された第2ゲートドライバと、
前記第1ゲートドライバ及び前記レベルシフタと並列に電気的に結合されたキャパシタと、
前記第1ゲートドライバ及び前記レベルシフタの入力と前記第2ゲートドライバの入力とに電気的に結合された電圧源と、
前記電圧源と前記キャパシタとの間に電気的に結合されたブートストラップデバイスと、
を備え、
前記ブートストラップデバイスは、前記ローサイドトランジスタと同期してスイッチングされるGaN電界効果トランジスタである、電気回路。 - 前記ブートストラップデバイスは、デプレション形トランジスタであり、前記デプレション形トランジスタのゲートは、前記第2ゲートドライバの出力に電気的に結合されている、請求項1に記載の電気回路。
- 前記デプレション形トランジスタは、前記第1ゲートドライバ及び前記レベルシフタの前記入力に電気的に結合されている、請求項2に記載の電気回路。
- 前記ブートストラップデバイスは、エンハンスメント形トランジスタである、請求項1に記載の電気回路。
- 前記エンハンスメント形トランジスタはクランプされていない、請求項4に記載の電気回路。
- 前記エンハンスメント形トランジスタは、前記キャパシタと並列なツェナーダイオードでクランプされている、請求項4に記載の電気回路。
- 前記第1ゲートドライバ及び/又は前記第2ゲートドライバに供給されるよりも高い電圧が、前記エンハンスメント形トランジスタに供給される、請求項4に記載の電気回路。
- さらに、前記第1ゲートドライバ及び/又は前記第2ゲートドライバと電気的に通信するレギュレータを備える、請求項4に記載の電気回路。
- さらに、前記エンハンスメント形トランジスタのドレインと前記ツェナーダイオードとの間に直列に抵抗を備える、請求項6に記載の電気回路。
- 前記抵抗は、前記エンハンスメント形トランジスタ内に集積化されている、請求項9に記載の電気回路。
- 前記エンハンスメント形トランジスタは、それぞれのソースに短絡された各ゲートに直列に結合された、2つのエンハンスメント形GaN電界効果トランジスタでクランプされている、請求項4に記載の電気回路。
- さらに、前記のブートストラップデバイスであるトランジスタのゲートと前記電圧源との間に電気的に結合されたダイオードと、前記のブートストラップデバイスであるトランジスタのゲートと前記第2ゲートドライバの出力との間に結合された第2のキャパシタと、を備える、請求項1に記載の電気回路。
- 前記ブートストラップデバイスは、前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタと集積化されている、請求項1に記載の電気回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462062445P | 2014-10-10 | 2014-10-10 | |
US62/062,445 | 2014-10-10 | ||
PCT/US2015/054851 WO2016057878A1 (en) | 2014-10-10 | 2015-10-09 | High voltage zero qrr bootstrap supply |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017537584A JP2017537584A (ja) | 2017-12-14 |
JP2017537584A5 true JP2017537584A5 (ja) | 2018-11-15 |
JP6703983B2 JP6703983B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=55653829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017519239A Active JP6703983B2 (ja) | 2014-10-10 | 2015-10-09 | 高電圧ゼロqrrブートスタート電源 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9667245B2 (ja) |
EP (1) | EP3205021B1 (ja) |
JP (1) | JP6703983B2 (ja) |
KR (1) | KR102458233B1 (ja) |
CN (1) | CN107078736B (ja) |
TW (1) | TWI607626B (ja) |
WO (1) | WO2016057878A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI566328B (zh) | 2013-07-29 | 2017-01-11 | 高效電源轉換公司 | 具有用於產生附加構件之多晶矽層的氮化鎵電晶體 |
JP6378003B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-08-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置、電池監視システム、及び半導体装置の起動方法 |
CN109155627B (zh) | 2016-05-25 | 2023-04-11 | 宜普电源转换公司 | 增强型fet栅极驱动器集成电路 |
US10394260B2 (en) * | 2016-06-30 | 2019-08-27 | Synaptics Incorporated | Gate boosting circuit and method for an integrated power stage |
JP6828296B2 (ja) * | 2016-08-09 | 2021-02-10 | 株式会社Gsユアサ | 蓄電装置および蓄電装置の充電制御方法 |
CN110024290B (zh) * | 2016-12-01 | 2021-04-13 | 宜普电源转换公司 | 用于基于GaN晶体管的功率转换器的自举电容器过电压管理电路 |
US10103629B2 (en) * | 2017-02-14 | 2018-10-16 | Nxp B.V. | High side driver without dedicated supply in high voltage applications |
WO2018191154A1 (en) * | 2017-04-10 | 2018-10-18 | Microchip Technology Incorporated | Slew control for high-side switch |
US10637456B2 (en) | 2017-07-20 | 2020-04-28 | Efficient Power Conversion Corporation | Low voltage drop cascaded synchronous bootstrap supply circuit |
US10193554B1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-01-29 | Navitas Semiconductor, Inc. | Capacitively coupled level shifter |
US10778219B2 (en) | 2017-11-15 | 2020-09-15 | Navitas Semiconductor, Inc. | Level shifting in a GaN half bridge circuit |
TWI663821B (zh) * | 2018-01-11 | 2019-06-21 | 晶豪科技股份有限公司 | 自舉式電路以及使用該自舉式電路之關聯的直流轉直流轉換器 |
US11070203B2 (en) * | 2018-02-19 | 2021-07-20 | Cirrus Logic, Inc. | Dual bootstrapping for an open-loop pulse width modulation driver |
CN108494234B (zh) * | 2018-04-09 | 2020-05-01 | 电子科技大学 | 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨 |
US10742121B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-08-11 | Dialog Semiconductor Inc. | Boot strap capacitor charging for switching power converters |
WO2020017008A1 (ja) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置、モータ駆動装置及び空気調和機 |
US10536070B1 (en) * | 2018-08-01 | 2020-01-14 | Infineon Technologies Ag | Driver for switching gallium nitride (GaN) devices |
TWI732280B (zh) * | 2018-08-28 | 2021-07-01 | 美商高效電源轉換公司 | 串級自舉式GaN功率開關及驅動器 |
US11303116B2 (en) * | 2018-08-29 | 2022-04-12 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for electrical overstress protection |
US10574229B1 (en) | 2019-01-23 | 2020-02-25 | Tagore Technology, Inc. | System and device for high-side supply |
US10601302B1 (en) * | 2019-04-04 | 2020-03-24 | Navitas Semiconductor, Inc. | Bootstrap power supply circuit |
CN109995235B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-03-08 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块和电器设备 |
DE112020005368T5 (de) | 2020-01-14 | 2022-08-18 | Rohm Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
KR102230129B1 (ko) * | 2020-01-31 | 2021-03-22 | 청주대학교 산학협력단 | 부트스트랩 회로 및 이를 포함하는 전원 공급 장치 |
JP7232208B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-03-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
IT202000016072A1 (it) | 2020-07-02 | 2022-01-02 | St Microelectronics Srl | Circuito di pilotaggio, dispositivo e procedimento di funzionamento corrispondenti |
CN113890526A (zh) | 2020-07-02 | 2022-01-04 | 意法半导体股份有限公司 | 驱动器电路、对应的设备及操作方法 |
CN113054831B (zh) * | 2021-04-30 | 2022-03-29 | 杰华特微电子股份有限公司 | 一种三电平开关电路 |
CN113746305B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-04-25 | 深圳数马电子技术有限公司 | 栅极驱动电路和多相智能功率模块 |
TWI778854B (zh) * | 2021-11-03 | 2022-09-21 | 新唐科技股份有限公司 | 電子系統及晶片 |
WO2023107885A1 (en) | 2021-12-08 | 2023-06-15 | Efficient Power Conversion Corporation | Active bootstrapping drivers |
CN114421946B (zh) * | 2022-01-19 | 2024-07-02 | 科能芯(深圳)半导体有限公司 | 一种低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路 |
TW202401962A (zh) | 2022-06-29 | 2024-01-01 | 美商高效電源轉換公司 | 通用功率場效電晶體(fet)驅動器積體電路(ic)架構 |
CN117767711B (zh) * | 2024-02-22 | 2024-05-24 | 杰华特微电子股份有限公司 | 单向导通电路、桥式驱动电路及开关电源 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5182468A (en) * | 1989-02-13 | 1993-01-26 | Ibm Corporation | Current limiting clamp circuit |
US5373435A (en) * | 1993-05-07 | 1994-12-13 | Philips Electronics North America Corporation | High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a bootstrap diode emulator |
JP3219019B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2001-10-15 | 関西日本電気株式会社 | 異常電流検出回路およびそれを用いた負荷駆動回路 |
US7456658B2 (en) | 2006-04-07 | 2008-11-25 | International Rectifier Corporation | Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator |
JP2007318891A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Toyota Industries Corp | スイッチング素子駆動用電源回路 |
TW200835125A (en) | 2007-02-08 | 2008-08-16 | Richtek Techohnology Corp | Circuit for charging the boot-strap capacitor of voltage converter |
US20080290841A1 (en) | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Richtek Technology Corporation | Charging Circuit for Bootstrap Capacitor and Integrated Driver Circuit Using Same |
US7839131B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-11-23 | International Rectifier Corporation | Gate driving scheme for depletion mode devices in buck converters |
US8063616B2 (en) | 2008-01-11 | 2011-11-22 | International Rectifier Corporation | Integrated III-nitride power converter circuit |
US8659275B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-02-25 | International Rectifier Corporation | Highly efficient III-nitride power conversion circuit |
US8154334B2 (en) | 2009-07-21 | 2012-04-10 | Intersil America Inc. | System and method for pre-charging a bootstrap capacitor in a switching regulator with high pre-bias voltage |
JP5457826B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-04-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | レベルシフト回路、信号駆動回路、表示装置および電子機器 |
JP4968487B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2012-07-04 | サンケン電気株式会社 | ゲートドライブ回路 |
EP2599205B1 (en) * | 2010-07-30 | 2022-03-30 | Otis Elevator Company | Regulated bootstrap power supply |
JP2013062717A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP5236822B1 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | ドライバ回路 |
US9209793B2 (en) * | 2012-02-17 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Austria Ag | Bootstrap circuitry for an IGBT |
US8593211B2 (en) * | 2012-03-16 | 2013-11-26 | Texas Instruments Incorporated | System and apparatus for driver circuit for protection of gates of GaN FETs |
CN103683872A (zh) * | 2012-09-11 | 2014-03-26 | 深圳市海洋王照明工程有限公司 | 一种半桥驱动电路 |
US9171738B2 (en) * | 2012-12-18 | 2015-10-27 | Infineon Technologies Austria Ag | Systems and methods for integrating bootstrap circuit elements in power transistors and other devices |
-
2015
- 2015-10-07 US US14/877,613 patent/US9667245B2/en active Active
- 2015-10-08 TW TW104133258A patent/TWI607626B/zh active
- 2015-10-09 WO PCT/US2015/054851 patent/WO2016057878A1/en active Application Filing
- 2015-10-09 JP JP2017519239A patent/JP6703983B2/ja active Active
- 2015-10-09 KR KR1020177012061A patent/KR102458233B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-09 CN CN201580056930.1A patent/CN107078736B/zh active Active
- 2015-10-09 EP EP15848411.3A patent/EP3205021B1/en active Active
-
2017
- 2017-04-26 US US15/497,637 patent/US10084445B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017537584A5 (ja) | ||
JP2008161044A5 (ja) | ||
US9935551B2 (en) | Switching circuit including serially connected transistors for reducing transient current at time of turning off, and power supply circuit provided therewith | |
JP2013137830A5 (ja) | ||
JP2014512765A5 (ja) | ||
WO2013052833A3 (en) | High power semiconductor electronic components with increased reliability | |
JP2016129394A5 (ja) | ||
JP2017116927A5 (ja) | ||
GB2527447A (en) | Efficient gate drivers for switched capacitor converters | |
JP2013211839A5 (ja) | ||
JP2013232898A5 (ja) | ||
JP2015129903A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016072982A5 (ja) | ロジック回路 | |
JP2015527039A5 (ja) | ||
EP2477220A3 (en) | Stacked half-bridge package with a common conductive clip | |
EP2822366A3 (en) | Semiconductor device | |
JP2019106880A5 (ja) | クランプ回路及び半導体集積回路 | |
JP2013214958A5 (ja) | ||
JP2014241589A5 (ja) | ||
GB2559423A8 (en) | An isolated high side driver | |
JP2017055542A5 (ja) | ||
JP2017225100A5 (ja) | ||
JP2013009368A5 (ja) | ||
EP2442446A3 (en) | High voltage output driver | |
JP2014197973A5 (ja) |