JP2017537584A5 - - Google Patents

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  1. ハーフブリッジトポロジで配置された電気回路であって、
    ハイサイドトランジスタと、
    ローサイドトランジスタと、
    前記ハイサイドトランジスタのゲートに電気的に結合された第1ゲートドライバ及びレベルシフタと、
    前記ローサイドトランジスタのゲートに電気的に結合された第2ゲートドライバと、
    前記第1ゲートドライバ及び前記レベルシフタと並列に電気的に結合されたキャパシタと、
    前記第1ゲートドライバ及び前記レベルシフタの入力と前記第2ゲートドライバの入力とに電気的に結合された電圧源と、
    前記電圧源と前記キャパシタとの間に電気的に結合されたブートストラップデバイスと、
    を備え、
    前記ブートストラップデバイスは、前記ローサイドトランジスタと同期してスイッチングされるGaN電界効果トランジスタである、電気回路。
  2. 前記ブートストラップデバイスは、デプレション形トランジスタであり、前記デプレション形トランジスタのゲートは、前記第2ゲートドライバの出力に電気的に結合されている、請求項1に記載の電気回路。
  3. 前記デプレション形トランジスタは、前記第1ゲートドライバ及び前記レベルシフタの前記入力に電気的に結合されている、請求項2に記載の電気回路。
  4. 前記ブートストラップデバイスは、エンハンスメント形トランジスタである、請求項1に記載の電気回路。
  5. 前記エンハンスメント形トランジスタはクランプされていない、請求項に記載の電気回路。
  6. 前記エンハンスメント形トランジスタは、前記キャパシタと並列なツェナーダイオードでクランプされている、請求項に記載の電気回路。
  7. 前記第1ゲートドライバ及び/又は前記第2ゲートドライバに供給されるよりも高い電圧が、前記エンハンスメント形トランジスタに供給される、請求項に記載の電気回路。
  8. さらに、前記第1ゲートドライバ及び/又は前記第2ゲートドライバと電気的に通信するレギュレータを備える、請求項に記載の電気回路。
  9. さらに、前記エンハンスメント形トランジスタのドレインと前記ツェナーダイオードとの間に直列に抵抗を備える、請求項に記載の電気回路。
  10. 前記抵抗は、前記エンハンスメント形トランジスタ内に集積化されている、請求項に記載の電気回路。
  11. 前記エンハンスメント形トランジスタは、それぞれのソースに短絡された各ゲートに直列に結合された、2つのエンハンスメント形GaN電界効果トランジスタでクランプされている、請求項に記載の電気回路。
  12. さらに、前記のブートストラップデバイスであるトランジスタのゲートと前記電圧源との間に電気的に結合されたダイオードと、前記のブートストラップデバイスであるトランジスタのゲートと前記第2ゲートドライバの出力との間に結合された第2のキャパシタと、を備える、請求項1に記載の電気回路。
  13. 前記ブートストラップデバイスは、前記ハイサイドトランジスタ及び前記ローサイドトランジスタと集積化されている、請求項1に記載の電気回路。
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