JP2014512765A5

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Publication number: JP2014512765A5
Application number: JP2014505149A
Authority: JP
Filing date: 2012-03-22
Publication date: 2015-05-07

Claims

ゲート、ソースおよびドレインを含む第１のノーマリーオン半導体装置と、
ゲート、ソースおよびドレインを含む第１のノーマリーオフ半導体装置と、
第１のコンデンサと、
第１のダイオードと、を備え、
前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ソースが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートが、第１のコンデンサを介して、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続され、
前記第１のダイオードが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートと前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースとの間で、前記第１のコンデンサと並列に接続され、前記第１のダイオードのカソードが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続され、前記第１のダイオードのアノードが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続されている、
スイッチであって、
オフ切替えにおいて、前記第１のノーマリーオフ半導体装置はオフ切替えし、前記第１のノーマリーオン半導体装置は導通し、該第１のノーマリーオン半導体装置の導通により前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインを引き上げ、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインと前記ゲートとの間の容量が前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートと前記第１のコンデンサを引き上げる、
ように結合されている、前記スチッチ。
前記第１のダイオードが、第１のツェナーダイオードであり、前記第１のツェナーダイオードが前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートの最大電圧をクランプする、
請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと前記ソースとの間で逆向きに直列接続された第２のツェナーダイオードおよび第３のツェナーダイオードをさらに備える、
請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインと前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースとの間で互いに並列接続された第１および第２のダイオードをさらに備え、前記第１および第２のダイオードのそれぞれのカソードが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続されている、
請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと前記前記第１のコンデンサおよび前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートの間の電気接続部との間で直列接続されたダイオードおよび抵抗器をさらに備え、前記ダイオードのアノードが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートと前記第１のコンデンサとの間で、互いに並列に配置され、さらに、前記第１のコンデンサと直列に配置された抵抗器およびダイオードをさらに備える、
請求項１のスイッチ。
前記ダイオードのカソードが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項６のスイッチ。
前記ダイオードのアノードが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項６のスイッチ。
前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインとの間で直列に配置された抵抗器および第２のコンデンサをさらに備える、請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオン半導体装置が、高電圧装置であり、
前記第１のノーマリーオフ半導体装置が、低電圧装置である、
請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオン半導体装置が、接合型電界効果トランジスタである、請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオフ半導体装置が、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである、請求項１のスイッチ。
前記スイッチが、１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置を更に備え、
前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ドレインが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートが、前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ゲートに接続されて共通ゲートを形成し、前記共通ゲートが、前記第１のコンデンサを介して前記第２のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続されている、
請求項１のスイッチ。
前記回路が、１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置を更に備え、
前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ドレインが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置の前記ゲートのそれぞれが、コンデンサを介して前記第２のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続されている、
請求項１のスイッチ。
前記回路が、１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置と１以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置と、を更に備え、
前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ドレインが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ゲートが、前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートに接続されて共通ゲートを形成し、前記共通ゲートが、前記第１のコンデンサを介して前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続され、
前記１以上の付加的なノーマリーオン半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記１以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置のうちの個別の１の付加的なノーマリーオフ半導体装置の前記ドレインに接続され、
前記１以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置のそれぞれの前記ソースが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ソースに接続され、前記１以上の付加的なノーマリーオフ半導体装置のそれぞれの前記ゲートが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項１のスイッチ。
前記第１のノーマリーオン半導体装置が、禁止帯の幅が広い接合型電界効果トランジスタである、
請求項１のスイッチ。
直流電圧源をさらに備え、
前記直流電圧源が、前記第１のコンデンサに直流バイアスを供給することに適合している、
請求項１のスイッチ。
前記直流電圧源と前記第１のコンデンサおよび前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートの間の前記接続部との間で直列接続されたダイオードおよび抵抗器をさらに備え、前記ダイオードのアノードが、前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続されている、
請求項１７のスイッチ。
前記ノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに接続された直流電圧源をさらに備え、
前記直流電圧源が、
前記第１のノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートと、前記第１のコンデンサおよび前記第１のノーマリーオン半導体装置の前記ゲートの間の前記接続部と、の間で直列接続された前記ダイオードおよび前記抵抗器を介して、前記第１のコンデンサに、および、
前記ノーマリーオフ半導体装置の前記ゲートに、
直流バイアスを供給することに適合している、
請求項５のスイッチ。