JP2013242858A5 - 電源回路 - Google Patents

Claims (6)

1. 第１スイッチと、第２スイッチと、第３スイッチと、第１回路と、第２回路と、を有し、
   前記第１回路は、前記第１スイッチを介して前記第１回路に供給される第１電圧を調整し、第２電圧を生成する機能を有し、
   前記第２回路は、前記第２電圧に応じた電圧を用いて第３電圧を生成する機能と、前記第２電圧に応じた電圧を用いて第４電圧を生成する機能と、を有し、
   前記第２スイッチは、前記第１スイッチに前記第３電圧を供給する機能を有し、
   前記第３スイッチは、前記第１スイッチに前記第４電圧を供給する機能を有し、
   前記第１スイッチは、前記第３電圧に従って非導通状態になる機能と、前記第４電圧に従って導通状態になる機能と、を有する電源回路。
2. 第１スイッチと、第２スイッチと、第３スイッチと、第１回路と、第２回路と、入力装置と、を有し、
   前記第１回路は、前記第１スイッチを介して前記第１回路に供給される第１電圧を調整し、第２電圧を生成する機能を有し、
   前記第２回路は、前記第２電圧に応じた電圧を用いて第３電圧を生成する機能と、前記第２電圧に応じた電圧を用いて第４電圧を生成する機能と、を有し、
   前記第２スイッチは、前記第１スイッチに前記第３電圧を供給する機能を有し、
   前記第３スイッチは、前記第１スイッチに前記第４電圧を供給する機能を有し、
   前記第１スイッチは、前記第３電圧に従って非導通状態になる機能と、前記第４電圧に従って導通状態になる機能と、を有し、
   前記入力装置は、前記第２スイッチのスイッチングを制御する機能と、前記第３スイッチのスイッチングを制御する機能と、を有する電源回路。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１スイッチは、バンドギャップがシリコンの２倍以上である半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いている電源回路。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
   前記第１スイッチは、酸化ガリウムをチャネル形成領域に含むトランジスタを用いている電源回路。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
   前記第２スイッチまたは前記第３スイッチは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いている電源回路。
6. 請求項５において、
   前記酸化物半導体はＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む電源回路。