JP2020533927A - 高電圧高速スイッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (33)
- 高電圧電源をスイッチングするための装置であり、
第1のスイッチング素子から始まり最後のスイッチング素子で終端する直列接続の複数のスイッチング素子であって、前記装置により前記高電圧電源と前記スイッチング素子のうちの選択された1つとの結合が可能になる、スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に結合された電圧リミッタと、
スイッチング時間同期装置と
を備える装置であって、
前記第1のスイッチング素子は、前記装置のスイッチング状態を変更するための制御信号を直接受信するように構成され、前記第1のスイッチング素子は、前記直列接続の連続する前記スイッチング素子のスイッチング状態のカスケード式遷移を容易にするように構成され、前記スイッチング時間同期装置は、連続する前記スイッチング素子の前記スイッチング状態への遷移が有効になる時間を同期させるように構成され、前記電圧リミッタは、前記遷移中に前記スイッチング素子に対する過電圧条件を制限するように構成される、前記装置。 - 前記スイッチング素子は、トランジスタである、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチング素子は、前記スイッチング素子間で前記高電圧電源の印加電圧を均等に分配するように構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のスイッチング素子は、前記装置の前記スイッチング状態の前記変更を可能にするための前記制御信号を送信するように構成されたコントローラに結合するように構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチング素子の個々のスイッチング素子のそれぞれの阻止電圧は、前記高電圧電源の印加電圧より低い、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチング時間同期装置は、個々の前記スイッチング素子の前記スイッチング状態間の遷移時間を最小限にするようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記電圧リミッタは、前記スイッチング素子間での前記高電圧電源の印加電圧の均一な分配を容易にするようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記電圧リミッタは、前記スイッチング素子の各々の電圧降下をそれぞれの降伏電圧未満に制限するように構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチング素子は、高速スイッチングトランジスタである、請求項1に記載の装置。
- 前記電圧リミッタおよび前記スイッチング時間同期装置は、2つの連続する前記スイッチング素子を結合する結合点で前記スイッチング素子と結合される、請求項1に記載の装置。
- 前記電圧リミッタは、前記スイッチング素子間での前記高電圧電源の印加電圧の均一な分配を維持するように構成される、請求項10に記載の装置。
- 前記スイッチング時間同期装置は、前記スイッチング素子の前記スイッチング状態の時間同期を可能にするための少なくとも1つの基準時間信号を生成するように構成される、請求項10に記載の装置。
- 前記直列接続の前記スイッチング素子のそれぞれに並列に接続された少なくとも1つの並列接続スイッチング素子をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチング素子の各々は、少なくとも1つの前記並列接続スイッチング素子に並列に接続される、請求項13に記載の装置。
- 前記スイッチング素子は、
電界効果トランジスタ(FET)、
接合ゲート電界効果トランジスタ(JFET)、および
窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)
から成るリストから選択される、請求項1に記載の装置。 - 前記高速スイッチングトランジスタの各々は、ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子を含み、前記直列接続の結合は、前記スイッチング素子のうちの1つの前記ドレイン端子を、前記直列接続の前記高速スイッチングトランジスタのうちの別の連続するトランジスタの前記ソース端子に順次接続することを含む、請求項9に記載の装置。
- 前記高速スイッチングトランジスタは、ノーマリーオン型である、請求項9に記載の装置。
- 前記電圧リミッタは、前記直列接続の第2のスイッチング素子の前記ゲート端子に接続された少なくとも1つの逆バイアスダイオードを含む、請求項16に記載の装置。
- 前記スイッチング時間同期装置は、前記直列接続の前記第2のスイッチング素子の前記ゲート端子に接続された少なくとも1つのコンデンサを含む、請求項18に記載の装置。
- 前記逆バイアスダイオードと前記コンデンサは、並列に接続される、請求項19に記載の装置。
- 前記電圧リミッタは、前記逆バイアスダイオードとのダイオード・抵抗器直列接続を形成する抵抗器をさらに含み、前記ダイオード・抵抗器直列接続の一方の分岐は、2つの連続する前記スイッチング素子間の結合点に接続される、請求項19に記載の装置。
- 前記逆バイアスダイオードの逆降伏電圧は、前記高電圧電源の印加電圧を前記2つの連続する前記スイッチング素子間で等しく分圧するように選択される、請求項21に記載の装置。
- 前記スイッチング時間同期装置は、前記ダイオード・抵抗器直列接続の結合点で結合されたゲート端子と、前記コンデンサと並列に接続されたドレイン端子およびソース端子とを含むスイッチングトランジスタをさらに含む、請求項21に記載の装置。
- 前記スイッチング時間同期装置は、前記スイッチング素子の前記スイッチング状態の前記遷移が同時に発生するように前記遷移を同期させるように構成される、請求項1に記載の装置。
- それぞれの前記高速スイッチングトランジスタのそれぞれの前記ゲート端子に直列接続された電流制限抵抗器をさらに備える、請求項23に記載の装置。
- 前記スイッチング時間同期装置は、コンデンサを含み、前記電圧リミッタは、前記コンデンサに並列接続された逆バイアスダイオードを含み、そのことにより、一方の分岐が2つの連続する前記スイッチング素子間の結合点で結合されたダイオード・コンデンサ並列回路が形成される、請求項16に記載の装置。
- 前記ダイオード・コンデンサ並列回路の他方の分岐は、抵抗器と結合される、請求項26に記載の装置。
- 前記逆バイアスダイオードは、ツェナーダイオード、および過渡電圧抑制(TVS)ダイオードから選択されたタイプのダイオードである、請求項18に記載の装置。
- 前記スイッチングトランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、およびバイポーラ接合トランジスタ(BJT)から選択されたタイプのトランジスタである、請求項23に記載の装置。
- 前記装置は、前記高電圧電源および負荷を含む直列接続の対のスイッチングを可能にし、前記直列接続の対の一方の分岐は前記スイッチング素子のうちの1つと結合することができ、他方の分岐は前記装置の共通接地と結合することができ、そのことにより、前記スイッチング素子の各々は前記スイッチング素子の数の逆数に等しい前記高電圧電源の印加電圧を維持する、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチング素子は、ドレイン端子、ソース端子、基板の上のバッファ層の上にあるチャネル層の上の2次元電子ガス(2DEG)領域の上にあるバリア層の上のゲート端子を含む物理的構造を有する窒化ガリウム(GaN)トランジスタである、請求項1に記載の装置。
- 前記バッファ層は、(1)GaN/AlGaN層、(2)GaN/AlGaN炭素ドープGaN層および非意図的にドープされている(UID)GaNチャネルのいずれかから構成される、請求項33に記載の装置。
- 前記物理的構造は、前記スイッチング素子間の電圧降下の均等化を可能にする、請求項33に記載の装置。
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