JP2016139781A - エンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、
前記基板の上に位置するチャネル層と、
前記チャネル層の上に位置し、前記チャネル層とヘテロ接合構造を形成し、前記チャネル層との界面に二次元電子ガスが形成されるバリア層と、
前記バリア層内に位置し、その下方のバリア層とチャネル層との界面における二次元電子ガスが部分的または全部に空乏化される溝と、
前記溝の上に位置するディオーキシー成長半導体エピタキシャル層と、
前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上に位置するインサイチュ誘電体層と、
前記インサイチュ誘電体層の上に位置するゲートと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するソースと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するドレインと、を含む。
基板の上に、核形成層、バッファ層、チャネル層、およびバリア層を順次に形成し、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、ドライエッチングまたはウェットエッチングの方法を用いて、前記バリア層内に溝を形成し、
ウェハーを成長チャンバー内に置き、前記溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層、インサイチュ誘電体層を順次に形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、ことを含む。
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記バリア層の上にインサイチュマスク層を形成する、ことをさらに含み、
前記バリア層内に溝を形成することは、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記インサイチュマスク層をエッチングして、ウィンドウを形成し、
ウェハーを有機金属化学気相成長の成長チャンバー内に置き、成長チャンバー内に水素ガスを導入し、かつ、基板の温度を700〜1200摂氏度に維持し、前記バリア層の上にエッチングして、溝を形成する、ことを含み、
前記バリア層内に溝を形成した後に、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記溝の上にディオーキシー成長半導体エピタキシャル層を形成し、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上にインサイチュ誘電体層を形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、ことを含む。
図1は、本発明の実施例1で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図1に示すように、本発明の実施例1で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタは、
基板1と、
基板1の上に位置する核形成層2と、
核形成層2の上に位置するバッファ層3と、
バッファ層3の上に位置するチャネル層4と、
チャネル層4の上に位置し、チャネル層4とヘテロ接合構造を形成し、チャネル層4との界面に二次元電子ガス6が形成されるバリア層5と、
バリア層5内に位置し、深さがバリア層5の厚さより小さい溝と、
溝の上に位置するディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7と、
ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7の上に位置するインサイチュ誘電体層8と、
インサイチュ誘電体層8の上に位置するゲート9と、
バリア層5の上に位置し、バリア層5とオーム接触を形成するソース10と、
バリア層5の上に位置し、バリア層5とオーム接触を形成するドレイン11と、を含む。
ここで、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、n型窒化ガリウム、p型窒化ガリウム、または他のIII−V族化合物であってもよい。
本実施例において、ソースは、単層のソース金属、または多層のソース金属の積層であってよく、ソース金属は、チタン、アルミニウム、ニッケルや金のうちのいずれか1つまたは少なくとも2つの組み合わせであってもよい。
好ましくは、ステップ202は、以下のステップを含む。
ステップ212で、バリア層5の上にマスクウィンドウを形成する。
図2B2に示すように、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いて、バリア層5をエッチングして、溝を形成する。
ステップ213で、ウェハーの表面に対してクリーニング処理を行う。
本ステップにおいて、ウェハーの表面に対してクリーニング処理を行って、表面の吸着ガスを除去する。
図2C1に示すように、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7を形成する。
図2C1に示すように、ウェハーを空気中に暴露せず、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7の上に、インサイチュ誘電体層8を形成する。
図3は、本発明の実施例2で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図3に示すように、本発明の実施例1と異なる点は、本発明の実施例2で提供されたエンハンスメント高移動度トランジスタにおいて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7がドレイン11の方向へ拡張し、接合終端構造が導入されることであり、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7におけるAl成分がバリア層5におけるAl成分より小さい場合、接合終端下の二次元電子ガスに対して一定の空乏化の作用があるため、ゲート9のエッジにおける電界スパイクを低下させ、デバイスの破壊電圧を向上させることができる。
好ましくは、ステップ402は、以下のステップを含む。
ステップ412で、バリア層5の上にマスクウィンドウを形成する。
図4B2に示すように、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いて、バリア層5をエッチングして、溝を形成する。
好ましくは、ステップ404は、以下のステップを含む。
本ステップにおいて、ウェハーの表面に対してクリーニング処理を行って、表面の吸着ガスを除去する。
図4D1に示すように、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7を形成する。
図5は、本発明の実施例3で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図5に示すように、本発明の実施例2と異なる点は、本発明の実施例3で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタにおいて、バリア層5の上に位置するインサイチュマスク層12をさらに含み、インサイチュ誘電体層8がディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7およびインサイチュマスク層12の上に位置することである。
好ましくは、ステップ602は、以下のステップを含む。
図6B1に示すように、ウェハーを成長チャンバー外に置き、フォトエッチングプロセスを用いて、バリア層5の上にマスクウィンドウを形成する。
図6B2に示すように、有機金属化学気相成長法を用いて、バリア層5をエッチングして、溝を形成する。本ステップにおいて、有機金属化学気相成長法を用いて、成長チャンバー内に水素ガス、塩素ガス、アンモニアガス、または他のガスを導入することにより、バリア層5に対するエッチングを完成し、ここで、基板の温度は、700〜1200摂氏度であり、溝の深さは、エッチングの時間によって制御することができる。
ステップ613で、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7を形成する。
図7は、本発明の実施例4で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図7に示すように、本発明の実施例3と異なる点は、溝がバリア層5を貫通し、ゲート9下の溝の底部がチャネル層4の上面まで延びることである。
図8は、本発明の実施例5で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図8に示すように、本発明の実施例3と異なる点は、バリア層が、チャネル層4から、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層7の方向へ、第1バリア層51および第2バリア層52に分けられ、溝の底部が、第1バリア層51と第2バリア層52との界面に位置し、第1バリア層51と第2バリア層52との成分が異なる。
本発明の実施例3に比べると、本発明の実施例5で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法は、バリア層の溝のエッチング過程において、溝の底部が、第2バリア層52と第1バリア層51との界面に停止する。
2 核形成層
3 バッファ層
4 チャネル層
5 バリア層
6 二次元電子ガス
7 ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層
8 インサイチュ誘電体層
9 ゲート
10 ソース
11 ドレイン
12 インサイチュマスク層
21 マスク層
51 第1バリア層
52 第2バリア層
Claims (12)
- エンハンスメント型高電子移動度トランジスタであって、
基板と、
前記基板の上に位置するチャネル層と、
前記チャネル層の上に位置し、前記チャネル層とヘテロ接合構造を形成し、前記チャネル層との界面に二次元電子ガスが形成されるバリア層と、
前記バリア層内に位置し、その下方のバリア層とチャネル層との界面における二次元電子ガスが部分的または全部に空乏化される溝と、
前記溝の上に位置するディオーキシー成長半導体エピタキシャル層と、
前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上に位置するインサイチュ誘電体層と、
前記インサイチュ誘電体層の上に位置するゲートと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するソースと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するドレインと、
を含むことを特徴とするエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。 - 前記インサイチュ誘電体層の調製過程は、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の成長が完成した上で、同一のチャンバー内で行われ、かつ、前記インサイチュ誘電体層の成長過程では、外界の雰囲気に接触しないことを特徴とする請求項1に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記溝の深さは、前記バリア層の厚さより小さく、または前記バリア層の厚さ以上であり、前記溝の形状は、矩形、U型、V型、または台形であることを特徴とする請求項1に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記溝の形成方法は、水素ガス、塩素ガス、またはアンモニアガスを用いて、有機金属化学気相成長システムにおいて前記バリア層をエッチングし、または前記バリア層をドライエッチングし、または前記バリア層をウェットエッチングすることであることを特徴とする請求項1に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記バリア層の上に位置するインサイチュマスク層をさらに含み、前記インサイチュ誘電体層が前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層および前記インサイチュマスク層の上に位置することを特徴とする請求項1に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記インサイチュマスク層の調製過程は、前記バリア層の成長が完成した上で、同一のチャンバー内で行われ、かつ、前記インサイチュマスク層の成長過程では、外界の雰囲気に接触しなく、前記インサイチュマスク層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物であることを特徴とする請求項5に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層および前記インサイチュ誘電体層が前記ドレイン側に延びることを特徴とする請求項6に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記バリア層が、チャネル層から、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の方向へ、第1バリア層および第2バリア層に分けられることを特徴とする請求項1に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記第1バリア層と前記第2バリア層との成分が異なり、前記溝のエッチング過程は、前記第1バリア層と前記第2バリア層との界面に停止することを特徴とする請求項8に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- 前記基板の材料は、シリコン、窒化ガリウム、炭化ケイ素、またはサファイアであり、前記チャネル層の材料は、窒化ガリウム、または他のIII−V族化合物であり、前記バリア層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、または他のIII−V族化合物であり、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、n型窒化ガリウム、p型窒化ガリウム、または他のIII−V族化合物であり、前記インサイチュ誘電体層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
- エンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法であって、
基板の上に、核形成層、バッファ層、チャネル層、およびバリア層を順次に形成し、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、ドライエッチングまたはウェットエッチングの方法を用いて、前記バリア層内に溝を形成し、
ウェハーを成長チャンバー内に置き、前記溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層、インサイチュ誘電体層を順次に形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、
ことを含むことを特徴とするエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法。 - 前記基板の上に、核形成層、バッファ層、チャネル層、およびバリア層を順次に形成した後に、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記バリア層の上にインサイチュマスク層を形成する、ことをさらに含み、
前記バリア層内に溝を形成することは、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記インサイチュマスク層をエッチングして、ウィンドウを形成し、
ウェハーを有機金属化学気相成長の成長チャンバー内に置き、成長チャンバー内に水素ガスを導入し、かつ、基板の温度を700〜1200摂氏度に維持し、前記バリア層の上にエッチングして、溝を形成する、ことを含み、
前記バリア層内に溝を形成した後に、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記溝の上にディオーキシー成長半導体エピタキシャル層を形成し、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上にインサイチュ誘電体層を形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、ことを含む、
ことを特徴とする請求項11に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法。
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