JP2013251894A - プログラマブルロジックデバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】動的コンフィギュレーションに対応でき、かつ、低消費電力で、起動時間が短いPLDを提供する。
【解決手段】アレイ状の複数のプログラマブルロジックエレメント(PLE)と、PLE間の電気的接続を選択するスイッチと、を有し、スイッチは、チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、第1のトランジスタがオフ状態となることでフローティングとなるノードと、ノードに格納されたコンフィギュレーションデータに基づいてソースとドレイン間の導通状態が決定される第2のトランジスタと、を有する組を複数有し、組がそれぞれ有する第2のトランジスタは、電気的に並列接続され、組のいずれか一を選択することにより、前記スイッチの導通状態が設定され、PLE間の電気的接続が設定されるPLD。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体装置に関する。特に、プログラマブルロジックデバイスやそれを用いた半導体装置に関する。また、その半導体装置を用いた電子機器に関する。
プログラマブルロジックデバイス(Programmable Logic Device:PLD)は、製造時に全ての回路が固定される通常の集積回路に対し、出荷後にユーザが現場で所望の回路構成を設定して機能させることができるデバイスである。このようにユーザがプログラム可能なデバイスとして、小規模なPAL(Programmable Array Logic)やGAL(Generic Array Logic)、規模の大きなCPLD(Complex Programmable Logic Device)、FPGA(Field Programmable Gate Array)が挙げられるが、本明細書においてはこれらを含めてプログラマブルロジックデバイス(以下、PLDという。)とよぶ。
従来のASIC(Application Specific Integrated Circuit)に比べ、PLDは開発期間の短縮や設計仕様の変更に対する柔軟性などの利点を有している。そのため、近年、半導体装置への利用が進んでいる。
PLDは、例えば、複数のプログラマブルロジックエレメント(論理ブロックともいう。)と、プログラマブルロジックエレメント間の配線と、で構成される。各プログラマブルロジックエレメントの機能を変更することで、PLDの機能を変更することができる。また、プログラマブルロジックエレメント間の電気的な接続関係を変更することで、PLDの機能を変更することができる。
プログラマブルロジックエレメントは、例えば、ルックアップテーブル(LUT)やマルチプレクサなどで構成されている。このルックアップテーブルのデータを記憶する記憶素子に、特定の値を設定することでプログラマブルロジックエレメントの機能を特定することができる。また、このマルチプレクサの入力信号の選択情報を記憶する記憶素子に、特定の値を設定することでプログラマブルロジックエレメントの機能を特定することができる。
プログラマブルロジックエレメント間の配線は、例えば多数対多数の接続スイッチなどで構成されている。プログラマブルロジックエレメント間の配線の電気的な接続関係は、当該接続スイッチの導通・非導通のデータを記憶する記憶素子に、特定の値を設定することで特定することができる。
上記のルックアップテーブルのデータ、マルチプレクサの入力信号の選択情報、接続スイッチの導通・非導通のデータ等をコンフィギュレーションデータとよび、コンフィギュレーションデータを記憶する記憶素子をコンフィギュレーションメモリとよび、コンフィギュレーションデータをコンフィギュレーションメモリに設定することをコンフィギュレーションとよぶ。特に、コンフィギュレーションデータをコンフィギュレーションメモリに新たに設定(更新)することをリコンフィギュレーションとよぶ。PLDをユーザの目的に応じた回路構成に変更することは、所望のコンフィギュレーションデータを作成(プログラム)し、コンフィギュレーションを行うことで実現することができる。
PLDは、一般には、PLDを有する半導体装置の動作を停止した状態でコンフィギュレーションを行う(静的コンフィギュレーション)。一方、PLDの特徴をより活かすため、半導体装置の動作中にコンフィギュレーションを行う(動的コンフィギュレーション)ことが注目されている。より具体的には、複数の回路構成(コンテキスト)に対応して各々設定されたコンフィギュレーションデータを複数用意しておき、これらの回路機能を入れ替える。このようなPLDをマルチ・コンテキスト型のPLDとよぶことがある。
動的コンフィギュレーションの方法として、特許文献1では、DRAM(Dynamic Random Access Memory)に複数の回路構成に対応した各々のコンフィギュレーションデータを各々異なるアドレスに格納しておき、コンフィギュレーションメモリをSRAM(Static Random Access Memory)で構成する。所望の回路構成のコンフィギュレーションデータをDRAMの当該アドレスから読み出し、コンフィギュレーションメモリであるSRAMに書き込むことで、短時間でコンフィギュレーションを行う方法を提案している。
特開平10−285014号公報
ところが、上記特許文献1の構成では、コンフィギュレーションデータをDRAMに保持するため、定期的なリフレッシュ動作が必要になり、消費電力の増大を招く。また、DRAMは揮発性メモリのため、PLDの電源を投入するたびに、DRAMへのデータの格納が必要になる。したがって、コンフィギュレーションデータを保存するために、さらに別の不揮発性メモリが必要になる。さらに、電源投入の度に、当該不揮発性メモリからDRAMへの大規模なデータ転送などの手順が必要になるため、起動時間の遅れが生じる。
また、コンフィギュレーションメモリにSRAMを用いた場合、少なくともトランジスタが4つ必要となる。このためPLD全体として素子数が著しく増大し、回路面積の増大を招く。
そこで、本発明の一態様では、動的コンフィギュレーションにも対応できる高速なコンフィギュレーションを可能とし、低消費電力で、起動時間が高速なPLDを提供することを課題とする。
また、コンフィギュレーションメモリにSRAMを用いた場合と比べ、回路面積の小さなPLDを提供することを課題とする。
上記課題に鑑み本発明の一態様は、複数のコンフィギュレーションデータを記憶することができる不揮発性メモリを有するPLDにおいて、1ビット当たりのトランジスタ数を削減し、また、コンフィギュレーションデータの切り替えに要する時間を短縮することで、PLDの動作中におけるリコンフィギュレーションを可能とし、したがって、高性能なPLDを提供する。
上記不揮発性メモリは、オフ電流の極めて低いトランジスタを介して記憶ノードの電荷量を制御することで、コンフィギュレーションデータを格納し記憶させる。このような構成とすることで、電荷を保持することが可能となり、不揮発性メモリを容易に実現できる。
具体的には、上記不揮発性メモリを構成するトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を、チャネル形成領域に含むことを特徴とする。このような特性を有する半導体材料をチャネル形成領域に含むことで、オフ電流が極めて低いトランジスタを実現することができる。このような半導体材料としては、例えば、シリコンの約3倍程度の大きなバンドギャップを有する、酸化物半導体、炭化シリコン、窒化ガリウムなどが挙げられる。上記半導体材料を有するトランジスタは、通常のシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料で形成されたトランジスタに比べて、オフ電流を極めて低くすることができる。
本発明の一態様は、アレイ状の複数のプログラマブルロジックエレメントと、プログラマブルロジックエレメント間の電気的接続を選択するスイッチと、を有し、スイッチは、チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、第1のトランジスタがオフ状態となることでフローティングとなるノードと、ノードに格納されたコンフィギュレーションデータに基づいてソースとドレイン間の導通状態が決定される第2のトランジスタと、を有する組を複数有し、組がそれぞれ有する第2のトランジスタは、電気的に並列接続され、組のいずれか一を選択することにより、スイッチの導通状態が設定され、プログラマブルロジックエレメント間の電気的接続が設定されるプログラマブルロジックデバイスである。
上記の本発明の一態様において、具体的な回路構成としては、例えば、組の複数はそれぞれ、第1のトランジスタのゲートは第1の配線と電気的に接続され、第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は第2の配線と電気的に接続され、第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は第2のトランジスタのゲート及び容量素子の一対の電極のうち一方と電気的に接続され、第2のトランジスタのソース及びドレインの一方はスイッチの入力端子と電気的に接続され、第2のトランジスタのソース及びドレインの他方はスイッチの出力端子と電気的に接続され、容量素子の一対の電極のうち他方は第3の配線と電気的に接続されている。
また、本発明の一態様において、プログラマブルロジックエレメントは、その出力端子にイネーブル信号を入力する回路を有していてもよい。
本発明の一態様により、動的コンフィギュレーションにも対応できる高速なコンフィギュレーションを可能とし、低消費電力で、起動時間が高速なPLDを提供することができる。
また、コンフィギュレーションメモリにSRAMを用いた場合と比べ、トランジスタ数の少ない、あるいは、回路面積の小さなPLDを提供することができる。
半導体装置の一形態を説明する回路図。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 回路動作の一形態を説明するタイミングチャート。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 回路動作の一形態を説明するタイミングチャート。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 回路動作の一形態を説明するタイミングチャート。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 半導体装置の一形態を説明する回路図。 半導体装置の一形態を示す断面図。 電子機器を説明する図。 セルの回路図と、タイミングチャート。 オーバードライブ電圧と、遅延時間の関係を示す図。
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
「電気的に接続」や「電気的接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限はない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。
なお、本発明の半導体装置は、マイクロプロセッサ、画像処理回路、半導体表示装置用のコントローラ、DSP(Digital Signal Processor)、マイクロコントローラなどの、半導体素子を用いた各種半導体集積回路をその範疇に含む。また、本発明の半導体装置は、上記半導体集積回路を用いたRFタグ、半導体表示装置などの各種装置も、その範疇に含む。半導体表示装置には、液晶表示装置、有機発光素子(OLED)に代表される発光素子を各画素に備えた発光装置、電子ペーパー、DMD(Digital Micromirror Device)、PDP(Plasma Display Panel)、FED(Field Emission Display)等や、半導体素子を駆動回路に有しているその他の半導体表示装置が、その範疇に含まれる。
(実施の形態1)
本実施の形態では、PLDの一形態を、図1乃至図4を用いて説明する。
図1(A)はPLDにおけるロジックアレイの一部を概念的に示したものである。ロジックアレイ101は、アレイ状の複数のプログラマブルロジックエレメント102(図1(A)においてはPLEと記す。)を有する。ここでアレイ状とは、プログラマブルロジックエレメントが周期的に配列していることを指し、配列は図1(A)の配列に限られない。
また、プログラマブルロジックエレメント102を囲むように、複数の配線が形成されている。図1(A)においては、これらの配線は複数の水平な配線群103aと複数の垂直な配線群103bとにより構成される。配線群とは図1(A)のように、例えば4本等の複数の配線からなる配線の束である。水平な配線群103aと垂直な配線群103bとが交わる部分にはスイッチボックス104が設けられている。また、水平な配線群103a及び垂直な配線群103bは出力端子105と電気的に接続され、ロジックアレイ101の外部回路と信号の授受を行う。
複数のプログラマブルロジックエレメント102の入力端子、出力端子は、それぞれ周囲に設けられた水平な配線群103aや垂直な配線群103bと電気的に接続している。例えば、プログラマブルロジックエレメント102の入出力端子は図1(A)においてそれぞれ上下左右の側に4ピンあり、上側及び左側を入力端子とし、右側及び下側を出力端子とすることができる。この入出力端子を用いることで、プログラマブルロジックエレメント102は他のプログラマブルロジックエレメント102と電気的に接続することができる。
任意のプログラマブルロジックエレメント102と、これと異なるプログラマブルロジックエレメント102との電気的な接続関係は、スイッチボックス104内に設けられたプログラム可能なスイッチによって決定される。図1(B)に、スイッチボックス104の拡大図を示す。例えば、水平な配線群103aと垂直な配線群103bとが4本の配線で構成されている場合、水平な配線群103aと垂直な配線群103bそれぞれの交点は16個生じる。しかし交点全てにスイッチ群106を設けた場合、信号の遅延、チップ面積の増大、コストの増大等のデメリットが顕著である。そこで、例えば図1(B)に示すように16個の交点のうち斜めの交点のみにスイッチ群106を設ける。換言すると、1個のスイッチボックス104の中では、1本の水平な配線はスイッチ群106を1個のみ有し、このスイッチ群106は1本の垂直な配線とのみ共有される。
スイッチ群106は、複数のスイッチにより構成される。スイッチ群106の構成を図2に示す。スイッチ群106は、図1(B)で示した水平な配線群103aに含まれる1本の配線111と、垂直な配線群103bに含まれる1本の配線110との交点に設けられている。スイッチ群106は、配線111と配線110の接続を制御する機能を有する。具体的に、スイッチ群106は、スイッチ112乃至スイッチ117を有する。スイッチ112は、配線110におけるPointAと、配線111におけるPointCとの電気的な接続を制御する機能を有する。スイッチ113は、配線110におけるPointBと、配線111におけるPointCの電気的な接続を制御する機能を有する。スイッチ115は、配線110におけるPointAと、配線111におけるPointDの電気的な接続を制御する機能を有する。スイッチ114は、配線110におけるPointBと、配線111におけるPointDの電気的な接続を制御する機能を有する。スイッチ116は、配線110におけるPointAとPointBの電気的な接続を制御する機能を有する。スイッチ117は、配線111におけるPointCとPointDの電気的な接続を制御する機能を有する。
スイッチ112乃至スイッチ117のそれぞれにはコンフィギュレーションデータが記憶され、該コンフィギュレーションデータに従って、スイッチ112乃至スイッチ117のオンまたはオフの選択を行う。
(スイッチ200の回路構成)
図3に、本実施の形態に係るスイッチ200を示す。スイッチ200は、図2における各スイッチ112乃至スイッチ117に対応し、PLDにおけるプログラマブルロジックエレメント212(図3においてはPLE1と記す。)とプログラマブルロジックエレメント218(図3においてはPLE2と記す。)との接続を制御する。各プログラマブルロジックエレメント212、プログラマブルロジックエレメント218は図1における複数のプログラマブルロジックエレメント102のうちの1つに対応し、それぞれ、組み合わせ回路、フリップフロップ、論理素子などから構成される。また組み合わせ回路は、ルックアップテーブル、AND−OR回路等により構成され、コンフィギュレーションデータに従って回路構成を変更することができる。例えば、図3においては、プログラマブルロジックエレメント212、プログラマブルロジックエレメント218はそれぞれ、ルックアップテーブル213、219、フリップフロップ214、220、AND回路215、221により構成される。フリップフロップ214、220には配線216から同一のクロック信号が入力され、プログラマブルロジックエレメント212、プログラマブルロジックエレメント218の同期に用いられる。また、AND回路215、221には配線217から同一のイネーブル信号が入力される。
スイッチ200は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子の組を3組有する回路により構成される。第1のトランジスタにはシリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を用いる。このような材料として例えば酸化物半導体があげられる。図3においては、酸化物半導体を用いたトランジスタの記号の下に酸化物半導体を意味するOSの文字を記載している。第1のトランジスタとして酸化物半導体をチャネル形成領域に用いる。一方第2のトランジスタは、例えばシリコンなどの半導体材料をチャネル形成領域に用いた第1のトランジスタよりも高速にスイッチングが可能なトランジスタを用いるとよい。特に、本実施の形態においては、第2のトランジスタはn型のトランジスタを用いる。
図3に示すように、スイッチ200は具体的には、第1のトランジスタ201a、201b、201cと、第2のトランジスタ202a、202b、202cと、容量素子204a、204b、204cとを有する。第1のトランジスタ201a、201b、201cのゲートは、それぞれ配線206a、206b、206cと電気的に接続している。配線206a、206b、206cには書き込み信号が入力される。また、第1のトランジスタ201a、201b、201cのソースは共通の配線207と電気的に接続されている。配線207には書き込みデータ信号が入力される。また、第1のトランジスタ201a、201b、201cのドレインはそれぞれ第2のトランジスタ202a、202b、202cのゲート、及び容量素子204a、204b、204cの一対の電極のうちの一方と電気的に接続されている。第2のトランジスタ202a、202b、202cは互いに電気的に並列接続されている。すなわち、第2のトランジスタ202a、202b、202cのソースは互いに接続され、第2のトランジスタ202a、202b、202cのドレインは互いに接続されている。また第2のトランジスタ202a、202b、202cのソースは配線210を介して、プログラマブルロジックエレメント212の出力端子に電気的に接続され、第2のトランジスタ202a、202b、202cのドレインは配線211を介して、プログラマブルロジックエレメント218の入力端子に電気的に接続されている。また、容量素子204a、204b、204cの一対の電極のうちの他方は、それぞれ選択信号が入力される配線205a、205b、205cと電気的に接続されている。ここで、第1のトランジスタ201a、201b、201cのドレインと、第2のトランジスタ202a、202b、202cのゲートと、容量素子204a、204b、204cの一対の電極との電気的な接続部位をそれぞれノード203a、203b、203cとする。該ノード203a、203b、203cにコンフィギュレーションデータを記憶させる。
このようにして、本実施の形態に係るスイッチ200は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子の組230、231、232の3組によって構成される。
プログラマブルロジックエレメント212の出力信号は配線210に出力され、スイッチ200を介して配線211に供給され、プログラマブルロジックエレメント218の入力信号となる。
配線206a、206b、206cの電位を「H(High)」とし、配線207に「H」又は「L(Low)」に対応する電位を供給すると、ノード203a、203b、203cに、配線207の電位に対応した電荷量を蓄積することができる。なお、このとき配線210、配線211の少なくとも一方は、「L」とすることが好ましい。
ここで第1のトランジスタ201a、201b、201cにオフ電流が極めて低いトランジスタを用いることで、配線206a、206b、206cを「L」としている間はノード203a、203b、203cに蓄積された電荷量を一定に保つことができる。すなわち、入力されたデータを記憶させることができる。また、配線206a、206b、206cを「L」とし、配線205a、205b、205cを「H」とすることで、ノード203a、203b、203cに蓄積された電荷量に応じて、第2のトランジスタ202a、202b、202cの導通状態が変化する。すなわち、配線205a、205b、205cのいずれか一を選択することで、ノード203a、203b、203cに蓄積された電荷量に応じてスイッチ200の導通状態を瞬時に切り換えることができる。
ここで、ノード203a、203b、203cに蓄積された電荷量をそれぞれ第1のコンフィギュレーションデータ、第2のコンフィギュレーションデータ、第3のコンフィギュレーションデータに対応させることで、配線205a、205b、205cの切り換えによりコンフィギュレーションデータの切り換えが可能となる。
このような構成とすることで、複数のコンフィギュレーションデータを格納する記憶装置からの読み出しに要する時間を削減することができる。従って、高速なコンフィギュレーションデータの切り替えが可能なPLDを提供することができる。
なお、スイッチ200を経由することで、スイッチの抵抗に応じて信号の電位が低下する場合があるため、配線211にラッチを設ける構成とすることが好ましい。ラッチは、インバータとプルアップ用のトランジスタを用いて構成することができる。
また、図3においてはプログラマブルロジックエレメント間のスイッチが1個の場合を示したが、複数個のスイッチが直列に接続された形態とすることが可能である。また、複数の配線対複数の配線の接続を制御するクロススイッチとすることができる。複数のスイッチを経由する場合には、スイッチの抵抗に応じて信号の電位が低下する場合がある。
一例として、図12(A)においてプログラマブルロジックエレメント間のスイッチが複数となる場合を示す。コンフィギュレーションデータを設定することで、例えば左上のプログラマブルロジックエレメント102と右下のプログラマブルロジックエレメント102を電気的に接続することができる。この場合、スイッチボックス104を3つ介して上記のプログラマブルロジックエレメント102どうしが電気的に接続される。従って、少なくとも直列接続された3つのスイッチを経由することとなる。これにより、スイッチ抵抗に応じて電位の低下が生じるのを防止するため、特定個数のスイッチを経由するごとにラッチを設ける構成とすることが好ましい。
ラッチは図12(B)に示すように、プルアップ用のトランジスタ51の入力端子にインバータ52の出力端子を電気的に接続させて構成することができる。また図12(C)に示すようにインバータ53の入力端子にインバータ54の出力端子を接続させ、インバータ53の出力端子にインバータ54の入力端子を接続させることで構成することができる。
(スイッチ200の回路動作)
次に、図3で示したスイッチ200の回路の動作方法について、図4に示すタイミングチャートを用いてその一例を説明する。
ここで、一例として、配線206a、206b、206cが「H」の場合の電位を+V、「L」の場合の電位を−Vとする。また、配線205a、205b、205cが「H」の場合の電位を+V、「L」の場合の電位を0とする。配線207が「H」の場合の電位を+Vとし、「L」の場合の電位を0とする。また、配線216、217、210、211がそれぞれ「H」の場合の電位を+Vとし、「L」の場合の電位を0とする。
初期状態として、配線205cが「H」、ノード203cの電位が+Vの場合を考える。すなわち、第3のコンフィギュレーションデータにしたがって、スイッチ200の導通が決められており、さらに、スイッチ200が導通している状態を初期状態とする。また、初期状態で、ノード203a、ノード203bの電位が−Vとする。
まず、コンフィギュレーションデータの書き込み(時刻T1〜T6)について説明する。
時刻T2に、配線206a、配線205aを「H」、配線217を「L」、配線207を「L」とする。このとき、ノード203aの電位は0となる。これは、スイッチ200を非導通とする電位に相当する。すなわち、第1のコンフィギュレーションデータとして、「L」を格納したことに相当する。なお、プログラマブルロジックエレメント212の出力は「L」である。
時刻T3に、配線206a、配線205aを「L」とする。このとき、ノード203aの電位は−Vとなる。
時刻T5に、配線206b、配線205bを「H」、配線217を「L」、配線207を「H」とする。このとき、ノード203bの電位は+Vとなる。これは、スイッチ200を導通とする電位に相当する。すなわち、第2のコンフィギュレーションデータとして、「H」を格納したことに相当する。なお、プログラマブルロジックエレメント212の出力は「L」である。
時刻T6に、配線206b、配線205bを「L」とする。このとき、ノード203bの電位は0となる。
なお、コンフィギュレーションデータの書き込みは、配線216に入力されるクロック信号のポジティブエッジの時刻T1、T4よりも後で、極力早い時刻から極力短時間で終了する構成が好ましい。より具体的には、時刻T1、T4からフリップフロップのホールド時間だけ経過した後に始める構成が好ましい。このような構成とすることで、PLDの動作を損なうことなく、コンフィギュレーションデータの書き換えが行える。
次に、コンフィギュレーションデータの切り替え(時刻T7〜T10)について説明する。
時刻T8に、配線205aを「H」、配線205cを「L」とする。このとき、ノード203aの電位は0、ノード203cの電位は0となる。従って、スイッチ200は非導通となる。これは、第1のコンフィギュレーションデータに切り替わったことになる。
時刻T10に、配線205aを「L」、配線205bを「H」とする。このとき、ノード203aの電位は−V、ノード203bの電位は+Vとなる。従って、スイッチ200は導通となる。これは、第2のコンフィギュレーションデータに切り替わったことになる。
なお、コンフィギュレーションデータの切り替えは、配線216に入力されるクロック信号のポジティブエッジの時刻T7、T9以降で、極力早い時刻に行う構成が好ましい。より具体的には、時刻T7、T9からフリップフロップのホールド時間だけ経過した後に行う構成が好ましい。このような構成とすることで、PLDの動作を損なうことなく、コンフィギュレーションデータの切り替えが行える。
以上のような構成とすることで、動的コンフィギュレーションにも対応することができる高速なコンフィギュレーションを可能とし、低消費電力で、起動時間が高速なPLDを提供することができる。
なお、図4で示したスイッチ200の動作方法においては、ノード203a、203b、203cへのコンフィギュレーションデータの書き込みのために、配線205a、205b、205cの電位を変化させている。しかし、第2のトランジスタ202a、202b、202cのゲート容量がソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合、または第2のトランジスタ202a、202b、202cのゲートに保持容量を別途電気的接続させ、ゲート容量と保持容量とがソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合には、配線205a、205b、205cの電位を変化させずにコンフィギュレーションデータを書き込むことができる。
また、図4で示したスイッチ200の動作方法においては、ノード203a、203b、203cへのコンフィギュレーションデータの書き込みのために、配線217にイネーブル信号0を入力している(プログラマブルロジックエレメント212の出力を0としている)。しかし、第2のトランジスタ202a、202b、202cのゲート容量がソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合、または第2のトランジスタ202a、202b、202cのゲートに保持容量を別途電気的接続させ、ゲート容量と保持容量とがソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合には、配線217に入力するイネーブル信号を1としたままで(プログラマブルロジックエレメント212の出力を0とせずに)、コンフィギュレーションデータを書き込むことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1で示したスイッチ200に用いたn型の第2のトランジスタをp型の第2のトランジスタに代えたスイッチ300について、図5及び図6を用いて説明する。
(スイッチ300の回路構成)
図5に、本実施の形態に係るスイッチ300を示す。スイッチ300は図2における各スイッチ112乃至スイッチ117に対応し、その回路構成は、実施の形態1で説明したスイッチ200におけるn型の第2のトランジスタ202a、202b、202cを、極性の異なるp型の第2のトランジスタ302a、302b、302cに代えたものであり、他の回路構成については同様である。
すなわち、スイッチ300はPLDにおけるプログラマブルロジックエレメント312とプログラマブルロジックエレメント318との接続を制御する。各プログラマブルロジックエレメント312、プログラマブルロジックエレメント318は図1における複数のプログラマブルロジックエレメント102のうちの1つに対応する。例えば、図5においては、プログラマブルロジックエレメント312、プログラマブルロジックエレメント318はそれぞれ、ルックアップテーブル313、319、フリップフロップ314、320、AND回路315、321により構成することができる。
スイッチ300は、実施の形態1に記載のスイッチ200と同様に、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子の組を3組有する回路により構成される。第1のトランジスタにはシリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を用いる。第1のトランジスタとして酸化物半導体をチャネル形成領域に用いる。一方第2のトランジスタは、例えばシリコンなどの半導体材料をチャネル形成領域に用いた第1のトランジスタよりも高速にスイッチングが可能なトランジスタを用いるとよい。特に、本実施の形態においては、第2のトランジスタはp型のトランジスタを用いる。
図5に示すように、スイッチ300は具体的には、第1のトランジスタ301a、301b、301cと、第2のトランジスタ302a、302b、302cと、容量素子304a、304b、304cとを有する。第1のトランジスタ301a、301b、301cのゲートは、それぞれ配線306a、306b、306cと電気的に接続している。配線306a、306b、306cには書き込み信号が入力される。また、第1のトランジスタ301a、301b、301cのソースは共通の配線307と電気的に接続されている。配線307には書き込みデータ信号が入力される。また、第1のトランジスタ301a、301b、301cのドレインはそれぞれ第2のトランジスタ302a、302b、302cのゲート、及び容量素子304a、304b、304cの一対の電極のうちの一方と電気的に接続されている。p型の第2のトランジスタ302a、302b、302cは互いに電気的に並列接続されている。すなわち、第2のトランジスタ302a、302b、302cのソースは互いに接続され、第2のトランジスタ302a、302b、302cのドレインは互いに接続されている。また第2のトランジスタ302a、302b、302cのソースは配線310を介して、プログラマブルロジックエレメント312の出力端子に電気的に接続され、第2のトランジスタ302a、302b、302cのドレインは配線311を介して、プログラマブルロジックエレメント318の入力端子に電気的に接続されている。また、容量素子304a、304b、304cの一対の電極のうちの他方は、それぞれ選択信号が入力される配線305a、305b、305cと電気的に接続されている。ここで、第1のトランジスタ301a、301b、301cのドレインと、第2のトランジスタ302a、302b、302cのゲートと、容量素子304a、304b、304cの一対の電極との電気的な接続部位をそれぞれノード303a、303b、303cとする。該ノード303a、303b、303cにコンフィギュレーションデータを記憶させる。
このようにして、本実施の形態に係るスイッチ300は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子の組330、331、332の3組によって構成される。
プログラマブルロジックエレメント312の出力信号は配線310に出力され、スイッチ300を介して配線311に供給され、プログラマブルロジックエレメント318の入力信号となる。
配線306a、306b、306cの電位を「H(High)」とし、配線307に「H」又は「L(Low)」に対応する電位を供給すると、ノード303a、303b、303cに、配線307の電位に対応した電荷量を蓄積することができる。なお、このとき配線310、配線311の少なくとも一方は、「L」とすることが好ましい。
ここで第1のトランジスタ301a、301b、301cにオフ電流が極めて低いトランジスタを用いることで、配線306a、306b、306cを「L」としている間はノード303a、303b、303cに蓄積された電荷量を一定に保つことができる。すなわち、入力されたデータを記憶させることができる。また、配線306a、306b、306cを「L」とし、配線305a、305b、305cを「L」とすることで、ノード303a、303b、303cに蓄積された電荷量に応じて、第2のトランジスタ302a、302b、302cの導通状態が変化する。すなわち、配線305a、305b、305cのいずれか一を選択することで、ノード303a、303b、303cに蓄積された電荷量に応じてスイッチ300の導通状態を瞬時に切り換えることができる。
ここで、ノード303a、303b、303cに蓄積された電荷量をそれぞれ第1のコンフィギュレーションデータ、第2のコンフィギュレーションデータ、第3のコンフィギュレーションデータに対応させることで、配線305a、305b、305cの切り換えによりコンフィギュレーションデータの切り換えが可能となる。
このような構成とすることで、複数のコンフィギュレーションデータを格納する記憶装置からの読み出しに要する時間を削減することができる。従って、高速なコンフィギュレーションデータの切り替えが可能なPLDを提供することができる。
なお、スイッチ300を経由することによりスイッチの抵抗に応じた信号の電位の低下が生ずる場合がある。これを防止するためのラッチの配置については、実施の形態1で説明した構成に準ずる。
(スイッチ300の回路動作)
次に、図5で示したスイッチ300の回路の動作方法について、図6に示すタイミングチャートを用いてその一例を説明する。
ここで、一例として、配線306a、306b、306cが「H」の場合の電位を+V、「L」の場合の電位を0とする。また、配線305a、305b、305cが「H」の場合の電位を+V、「L」の場合の電位を0とする。配線307が「H」の場合の電位を+Vとし、「L」の場合の電位を0とする。また、配線316、317、310、311がそれぞれ「H」の場合の電位を+Vとし、「L」の場合の電位を0とする。
初期状態として、配線305cが「L」、ノード303cの電位が0の場合を考える。すなわち、第3のコンフィギュレーションデータにしたがって、スイッチ300の導通が決められており、さらに、スイッチ300が導通している状態を初期状態とする。また、初期状態で、ノード303a、ノード303bの電位が+2Vとする。
まず、コンフィギュレーションデータの書き込み(時刻T1〜T6)について説明する。
時刻T2に、配線306aを「H」、配線305aを「L」、配線317を「L」、配線307を「H」とする。このとき、ノード303aの電位は+Vとなる。これは、スイッチ300を非導通とする電位に相当する。すなわち、第1のコンフィギュレーションデータとして、「H」を格納したことに相当する。なお、プログラマブルロジックエレメント312の出力は「L」である。
時刻T3に、配線306aを「L」、配線305aを「H」とする。このとき、ノード303aの電位は+2Vとなる。
時刻T5に、配線306bを「H」、配線305bを「L」、配線317を「L」、配線307を「L」とする。このとき、ノード303bの電位は0となる。これは、スイッチ300を導通とする電位に相当する。すなわち、第2のコンフィギュレーションデータとして、「H」を格納したことに相当する。なお、プログラマブルロジックエレメント312の出力は「L」である。
時刻T6に、配線306bを「L」、配線305bを「H」とする。このとき、ノード303bの電位は+Vとなる。
なお、コンフィギュレーションデータの書き込みは、配線316に入力されるクロック信号のポジティブエッジの時刻T1、T4よりも後で、極力早い時刻から極力短時間で終了する構成が好ましい。より具体的には、時刻T1、T4からフリップフロップのホールド時間だけ経過した後に始める構成が好ましい。このような構成とすることで、PLDの動作を損なうことなく、コンフィギュレーションデータの書き換えが行える。
次に、コンフィギュレーションデータの切り替え(時刻T7〜T10)について説明する。
時刻T8に、配線305aを「L」、配線305cを「H」とする。このとき、ノード303aの電位は+V、ノード303cの電位は+Vとなる。従って、スイッチ300は非導通となる。これは、第1のコンフィギュレーションデータに切り替わったことになる。
時刻T10に、配線305aを「H」、配線305bを「L」とする。このとき、ノード303aの電位は+2V、ノード303bの電位は0となる。従って、スイッチ300は導通となる。これは、第2のコンフィギュレーションデータに切り替わったことになる。
なお、コンフィギュレーションデータの切り替えは、配線316に入力されるクロック信号のポジティブエッジの時刻T7、T9以降で、極力早い時刻に行う構成が好ましい。より具体的には、時刻T7、T9からフリップフロップのホールド時間だけ経過した後に行う構成が好ましい。このような構成とすることで、PLDの動作を損なうことなく、コンフィギュレーションデータの切り替えが行える。
以上のような構成とすることで、動的コンフィギュレーションにも対応することができる高速なコンフィギュレーションを可能とし、低消費電力で、起動時間が高速なPLDを提供することができる。
特に本実施の形態に係るスイッチ300は、第2のトランジスタにp型のトランジスタを用いたことで、「−V」の電位を用いる必要がない。このため、実施の形態1で説明したスイッチ200に比べ、電源電圧の数を削減することができる。一方で、スイッチ300は第2のトランジスタにp型のトランジスタを用いているため、第2のトランジスタとしてn型のトランジスタを用いた実施の形態1に記載のスイッチ200に比べ、一般にスイッチング速度が小さくなるおそれがある。そこで、用途に合わせてスイッチ200又はスイッチ300を適宜選択して用いるとよい。
なお、図6で示したスイッチ300の動作方法においては、ノード303a、303b、303cへのコンフィギュレーションデータの書き込みのために、配線305a、305b、305cの電位を変化させている。しかし、第2のトランジスタ302a、302b、302cのゲート容量がソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合、または第2のトランジスタ302a、302b、302cのゲートに保持容量を別途電気的接続させ、ゲート容量と保持容量とがソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合には、配線305a、305b、305cの電位を変化させずにコンフィギュレーションデータを書き込むことができる。
また、図6で示したスイッチ300の動作方法においては、ノード303a、303b、303cへのコンフィギュレーションデータの書き込みのために、配線317にイネーブル信号0を入力している(プログラマブルロジックエレメント312の出力を0としている)。しかし、第2のトランジスタ302a、302b、302cのゲート容量がソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合、または第2のトランジスタ302a、302b、302cのゲートに保持容量を別途電気的接続させ、ゲート容量と保持容量とがソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合には、配線317に入力するイネーブル信号を1としたままで(プログラマブルロジックエレメント312の出力を0とせずに)、コンフィギュレーションデータを書き込むことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態1で示したスイッチ200が第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子からなる組を3組用いているのに対し、3組以上の複数組(以下N組という。ここでNは3以上の整数である。)用いたスイッチ400について、図7を用いて説明する。
すなわち、スイッチ400は図2における各スイッチ112乃至スイッチ117に対応し、PLDにおけるプログラマブルロジックエレメント412とプログラマブルロジックエレメント418との接続を制御する。各プログラマブルロジックエレメント412、プログラマブルロジックエレメント418は図1における複数のプログラマブルロジックエレメント102のうちの1つに対応し、例えば、図7においては、プログラマブルロジックエレメント412、プログラマブルロジックエレメント418はそれぞれ、ルックアップテーブル413、419、フリップフロップ414、420、AND回路415、421により構成することができる。
スイッチ400は、実施の形態1に記載のスイッチ200と同様に、第1のトランジスタにはシリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を用いる。第1のトランジスタとして酸化物半導体をチャネル形成領域に用いる。一方第2のトランジスタは、例えばシリコンなどの半導体材料をチャネル形成領域に用いた第1のトランジスタよりも高速にスイッチングが可能なトランジスタを用いるとよい。特に、本実施の形態においては、第2のトランジスタはn型のトランジスタを用いる。
図7に示すように、スイッチ400は具体的には、一組目の第1のトランジスタ401a、二組目の第1のトランジスタ401b、N組目の第1のトランジスタ401n(三組目からN−1組目までの第1のトランジスタは記載を省略。)と、一組目の第2のトランジスタ402a、二組目の第2のトランジスタ402b、N組目の第2のトランジスタ402n(三組目からN−1組目までの第2のトランジスタは記載を省略。)と、一組目の容量素子404a、二組目の容量素子404b、N組目の容量素子404n(三組目からN−1組目までの容量素子は記載を省略。)と、を有する。
第1のトランジスタ401a、401b、401nのゲートは、それぞれ配線406a、406b、406nと電気的に接続している。配線406a、406b、406nには書き込み信号が入力される。また、第1のトランジスタ401a、401b、401nのソースは共通の配線407と電気的に接続されている。配線407には書き込みデータ信号が入力される。また、第1のトランジスタ401a、401b、401nのドレインはそれぞれ第2のトランジスタ402a、402b、402nのゲート、及び容量素子404a、404b、404nの一対の電極のうちの一方と電気的に接続されている。p型の第2のトランジスタ402a、402b、402nは互いに電気的に並列接続されている。すなわち、第2のトランジスタ402a、402b、402nのソースは互いに接続され、第2のトランジスタ402a、402b、402nのドレインは互いに接続されている。また第2のトランジスタ402a、402b、402nのソースは配線410を介して、プログラマブルロジックエレメント412の出力端子に電気的に接続され、第2のトランジスタ402a、402b、402nのドレインは配線411を介して、プログラマブルロジックエレメント418の入力端子に電気的に接続されている。また、容量素子404a、404b、404nの一対の電極のうちの他方は、それぞれ読み出し信号が入力される配線405a、405b、405nと電気的に接続されている。ここで、第1のトランジスタ401a、401b、401nのドレインと、第2のトランジスタ402a、402b、402nのゲートと、容量素子404a、404b、404nの一対の電極との電気的な接続部位をそれぞれノード403a、403b、403nとする。該ノード403a、403b、403nにコンフィギュレーションデータを記憶させる。
このようにして、本実施の形態に係るスイッチ400は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子の組430、431から第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子の組432までのN組によって構成される。
プログラマブルロジックエレメント412の出力信号は配線410に出力され、スイッチ400を介して配線411に供給され、プログラマブルロジックエレメント418の入力信号となる。
なお、スイッチ400の回路動作については、実施の形態1で説明した動作に準じて適宜行うことができる。
このような構成とすることで、複数のコンフィギュレーションデータを格納する記憶装置からの読み出しに要する時間を削減することができる。従って、高速なコンフィギュレーションデータの切り替えが可能なPLDを提供することができる。
特に本実施の形態に示すスイッチ400は、同時に複数のコンフィギュレーションデータをスイッチに記憶させておくことができるため、PLDの回路構成を短時間の間に多数変更する場合に有効である。なお、スイッチ400を構成する組の数は、用途に応じて適宜最適な数を選択すればよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、実施の形態1で示したスイッチ200が第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子からなる組を3組用いているのに対し、これらを2組のみとしたスイッチ500について、図8を用いて説明する。
すなわち、スイッチ500はPLDにおけるプログラマブルロジックエレメント512とプログラマブルロジックエレメント518との接続を制御する。各プログラマブルロジックエレメント512、プログラマブルロジックエレメント518は図1における複数のプログラマブルロジックエレメント102のうちの1つに対応する。例えば、図8においては、プログラマブルロジックエレメント512、プログラマブルロジックエレメント518はそれぞれ、ルックアップテーブル513、519、フリップフロップ514、520、AND回路515、521により構成することができる。
スイッチ500は、実施の形態1に記載のスイッチ200と同様に、第1のトランジスタにはシリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を用いる。第1のトランジスタとして酸化物半導体をチャネル形成領域に用いる。一方第2のトランジスタは、例えばシリコンなどの半導体材料をチャネル形成領域に用いた第1のトランジスタよりも高速にスイッチングが可能なトランジスタを用いるとよい。特に、本実施の形態においては、第2のトランジスタはn型のトランジスタを用いる。
図8に示すように、スイッチ500は具体的には、第1のトランジスタ501a、501bと、第2のトランジスタ502a、502bと、容量素子504a、504bとを有する。第1のトランジスタ501a、501bのゲートは、それぞれ配線506a、506bと電気的に接続している。配線506a、506bには書き込み信号が入力される。また、第1のトランジスタ501a、501bのソースは共通の配線507と電気的に接続されている。配線507には書き込みデータ信号が入力される。また、第1のトランジスタ501a、501bのドレインはそれぞれ第2のトランジスタ502a、502bのゲート、及び容量素子504a、504bの一対の電極のうちの一方と電気的に接続されている。第2のトランジスタ502a、502bは互いに電気的に並列接続されている。すなわち、第2のトランジスタ502a、502bのソースは互いに接続され、第2のトランジスタ502a、502bのドレインは互いに接続されている。また第2のトランジスタ502a、502bのソースは配線510を介して、プログラマブルロジックエレメント512の出力端子に電気的に接続され、第2のトランジスタ502a、502bのドレインは配線511を介して、プログラマブルロジックエレメント518の入力端子に電気的に接続されている。また、容量素子504a、504bの一対の電極のうちの他方は、それぞれ読み出し信号が入力される配線505a、505bと電気的に接続されている。ここで、第1のトランジスタ501a、501bのドレインと、第2のトランジスタ502a、502bのゲートと、容量素子504a、504bの一対の電極との電気的な接続部位をそれぞれノード503a、503bとする。該ノード503a、503bにコンフィギュレーションデータを記憶させる。
このようにして、本実施の形態に係るスイッチ500は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子の組530、531の2組によって構成される。
プログラマブルロジックエレメント512の出力信号は配線510に出力され、スイッチ500を介して配線511に供給され、プログラマブルロジックエレメント518の入力信号となる。
このような構成とすることで、複数のコンフィギュレーションデータを格納する記憶装置からの読み出しに要する時間を削減することができる。従って、高速なコンフィギュレーションデータの切り替えが可能なPLDを提供することができる。
特に本実施の形態に示すスイッチ500は、その回路動作については、実施の形態1で説明した動作に準じて適宜行うことができるが、組530及び531のうち、選択されていない方の組のコンフィギュレーションデータを、他方が選択されている期間に変更することができる。このため、選択されていない他方の組のコンフィギュレーションデータを順次設定し直すことで、スイッチが2組からなる構成であってもPLDを実現させることが可能となる。
なお、本実施の形態に示すスイッチ500において、図8に示すように、配線510と配線511との間にトランジスタ540を設け、コンフィギュレーションデータをノード503a、503bに書き込む際に、プログラマブルロジックエレメント512とプログラマブルロジックエレメント518とを短絡させておいてもよい。このような構成とすることで、ノード503a、503bは安定してコンフィギュレーションデータを記憶することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、実施の形態1で示したスイッチ200に用いた容量素子を用いず、また第3のトランジスタを用いたスイッチ600について、図9及び図10を用いて説明する。
(スイッチ600の回路構成)
図9に、本実施の形態に係るスイッチ600を示す。すなわち、スイッチ600は図2における各スイッチ112乃至スイッチ117に対応し、PLDにおけるプログラマブルロジックエレメント612とプログラマブルロジックエレメント618との接続を制御する。各プログラマブルロジックエレメント612、プログラマブルロジックエレメント618は、図1における複数のプログラマブルロジックエレメント102のうちの1つに対応し、例えば、図9においては、それぞれ、ルックアップテーブル613、619、フリップフロップ614、620、AND回路615、621により構成することができる。
スイッチ600は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び第3のトランジスタの組を3組有する回路により構成される。第1のトランジスタにはシリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を用いる。第1のトランジスタとして酸化物半導体をチャネル形成領域に用いる。一方第2のトランジスタ及び第3のトランジスタは、例えばシリコンなどの半導体材料をチャネル形成領域に用いた第1のトランジスタよりも高速にスイッチングが可能なトランジスタを用いるとよい。特に、本実施の形態においては、第2のトランジスタ及び第3のトランジスタにはn型のトランジスタを用いる。
図9に示すように、スイッチ600は具体的には、第1のトランジスタ601a、601b、601cと、第2のトランジスタ602a、602b、602cと、第3のトランジスタ608a、608b、608cとを有する。第1のトランジスタ601a、601b、601cのゲートは、それぞれ配線606a、606b、606cと電気的に接続している。配線606a、606b、606cには書き込み信号が入力される。また、第1のトランジスタ601a、601b、601cのソースは共通の配線607と電気的に接続されている。配線607には書き込みデータ信号が入力される。また、第1のトランジスタ601a、601b、601cのドレインはそれぞれ第2のトランジスタ602a、602b、602cのゲートと電気的に接続されている。さらに第2のトランジスタ602a、602b、602cのドレインは、第3のトランジスタ608a、608b、608cのソースとそれぞれ電気的に接続している。よって、第2のトランジスタ602a、602b、602cと第3のトランジスタ608a、608b、608cは、それぞれ電気的に直列接続している。また、第3のトランジスタ608a、608b、608cのドレインは、互いに接続されている。また第2のトランジスタ602a、602b、602cのソースは配線610を介して、プログラマブルロジックエレメント612の出力端子に電気的に接続され、第3のトランジスタ608a、608b、608cのドレインは配線611を介して、プログラマブルロジックエレメント618の入力端子に電気的に接続されている。第3のトランジスタ608a、608b、608cのゲートはそれぞれ配線605a、605b、605cに電気的に接続されている。ここで、第1のトランジスタ601a、601b、601cのドレインと、第2のトランジスタ602a、602b、602cのゲートとの電気的な接続部位をそれぞれノード603a、603b、603cとする。該ノード603a、603b、603cにコンフィギュレーションデータを記憶させる。
このようにして、本実施の形態に係るスイッチ600は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び第3のトランジスタの組630、631、632の3組によって構成される。
プログラマブルロジックエレメント612の出力信号は配線610に出力され、スイッチ600を介して配線611に供給され、プログラマブルロジックエレメント618の入力信号となる。
配線606a、606b、606cの電位を「H(High)」とし、配線607に「H」又は「L(Low)」に対応する電位を供給すると、ノード603a、603b、603cに、配線607の電位に対応した電荷量を蓄積することができる。なお、このとき配線610、配線611の少なくとも一方は、「L」とすることが好ましい。
ここで第1のトランジスタ601a、601b、601cにオフ電流が極めて低いトランジスタを用いることで、配線606a、606b、606cを「L」としている間はノード603a、603b、603cに蓄積された電荷量を一定に保つことができる。すなわち、入力されたデータを記憶させることができる。また、配線606a、606b、606cを「L」とし、配線605a、605b、605cを「H」として第3のトランジスタ608a、608b、608cを導通状態とすることで、ノード603a、603b、603cに蓄積された電荷量に応じた第2のトランジスタ602a、602b、602cの導通状態がスイッチ600の導通状態を決定する。すなわち、配線605a、605b、605cのいずれか一を選択することで、ノード603a、603b、603cに蓄積された電荷量に応じてスイッチ600の導通状態を瞬時に切り換えることができる。
ここで、ノード603a、603b、603cに蓄積された電荷量をそれぞれ第1のコンフィギュレーションデータ、第2のコンフィギュレーションデータ、第3のコンフィギュレーションデータに対応させることで、配線605a、605b、605cの切り換えによりコンフィギュレーションデータの切り換えが可能となる。
このような構成とすることで、複数のコンフィギュレーションデータを格納する記憶装置からの読み出しに要する時間を削減することができる。従って、高速なコンフィギュレーションデータの切り替えが可能なPLDを提供することができる。
なお、スイッチ600を経由することによりスイッチの抵抗に応じた信号の電位の低下が生ずる場合がある。これを防止するためのラッチの配置については、実施の形態1で説明した構成に準ずる。
(スイッチ600の回路動作)
次に、図9で示したスイッチ600の回路の動作方法について、図10に示すタイミングチャートを用いてその一例を説明する。
ここで、一例として、配線606a、606b、606cが「H」の場合の電位を+V、「L」の場合の電位を0とする。また、配線605a、605b、605cが「H」の場合の電位を+V、「L」の場合の電位を0とする。配線607が「H」の場合の電位を+Vとし、「L」の場合の電位を0とする。また、配線616、617、610、611がそれぞれ「H」の場合の電位を+Vとし、「L」の場合の電位を0とする。
初期状態として、配線605cが「H」、ノード603cの電位が+Vの場合を考える。すなわち、第3のコンフィギュレーションデータにしたがって、スイッチ600の導通が決められており、さらに、スイッチ600が導通している状態を初期状態とする。また、初期状態で、ノード603a、ノード603bの電位が0とする。
まず、コンフィギュレーションデータの書き込み(時刻T1〜T6)について説明する。
時刻T2に、配線606aを「H」、配線617を「L」、配線607を「L」とする。このとき、ノード603aの電位は0となる。これは、スイッチ600を非導通とする電位に相当する。すなわち、第1のコンフィギュレーションデータとして、「L」を格納したことに相当する。なお、プログラマブルロジックエレメント612の出力は「L」である。
時刻T3に、配線606aを「L」とする。このとき、ノード603aの電位は0となる。
時刻T5に、配線606bを「H」、配線617を「L」、配線607を「H」とする。このとき、ノード603bの電位は+Vとなる。これは、スイッチ600を導通とする電位に相当する。すなわち、第2のコンフィギュレーションデータとして、「H」を格納したことに相当する。なお、プログラマブルロジックエレメント612の出力は「L」である。
時刻T6に、配線606bを「L」とする。このとき、ノード603bの電位は+Vである。
なお、コンフィギュレーションデータの書き込みは、配線616に入力されるクロック信号のポジティブエッジの時刻T1、T4以降で、極力早い時刻から極力短時間で終了する構成が好ましい。より具体的には、時刻T1、T4からフリップフロップのホールド時間だけ経過した後に始める構成が好ましい。このような構成とすることで、PLDの動作を損なうことなく、コンフィギュレーションデータの書き換えが行える。
次に、コンフィギュレーションデータの切り替え(時刻T7〜T10)について説明する。
時刻T8に、配線605aを「H」、配線605cを「L」とする。このとき、ノード603aの電位は0、ノード603cの電位は+Vである。従って、スイッチ600は非導通となる。これは、第1のコンフィギュレーションデータに切り替わったことになる。
時刻T10に、配線605aを「L」、配線605bを「H」とする。このとき、ノード603aの電位は0、ノード603bの電位は+Vである。従って、スイッチ600は導通となる。これは、第2のコンフィギュレーションデータに切り替わったことになる。
なお、コンフィギュレーションデータの切り替えは、配線616に入力されるクロック信号のポジティブエッジの時刻T7、T9よりも後で、極力早い時刻に行う構成が好ましい。より具体的には、時刻T7、T9からフリップフロップのホールド時間だけ経過した後に行う構成が好ましい。このような構成とすることで、PLDの動作を損なうことなく、コンフィギュレーションデータの切り替えが行える。
以上のような構成とすることで、動的コンフィギュレーションにも対応することができる高速なコンフィギュレーションを可能とし、低消費電力で、起動時間が高速なPLDを提供することができる。
なお、図10で示したスイッチ600の動作方法においては、ノード603a、603b、603cへのコンフィギュレーションデータの書き込みのために、配線617にイネーブル信号0を入力している(プログラマブルロジックエレメント612の出力を0としている)。しかし、第2のトランジスタ602a、602b、602cのゲート容量がソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合、または第2のトランジスタ602a、602b、602cのゲートに保持容量を別途電気的接続させ、ゲート容量と保持容量とがソース−ゲート間及びドレイン−ゲート間の容量よりも十分に大きい場合には、配線617に入力するイネーブル信号を1としたままで(プログラマブルロジックエレメント612の出力を0とせずに)、コンフィギュレーションデータを書き込むことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態6)
本実施の形態では、PLDが有するロジックアレイにおける、複数のスイッチの電気的な接続態様についてその一例を、図11を用いて説明する。
実施の形態1で説明したように、ロジックアレイは複数のプログラマブルロジックエレメントや配線、スイッチの配列により構成されている。スイッチは縦方向と横方向に配置され、マトリックスを形成する。図11は、ロジックアレイにおいて、このうちスイッチ60のみを抽出した概念図である。スイッチ60は、例えば実施の形態1で説明したスイッチ200のように第1のトランジスタ61a、61b、61c、第2のトランジスタ62a、62b、62c、容量素子66a、66b、66cを有している。
ここで、スイッチ60の各第1のトランジスタ61a、61b、61cのソースに電気的に接続する配線63_1は、垂直方向に配列するスイッチ60と共通の配線である。配線63_2についても同様に、垂直方向に配列するスイッチ60との電気的接続において共有する。
一方、スイッチ60の第1のトランジスタ61a、61b、61cのゲートに接続する配線64_1a、64_1b、64_1c、64_2a、64_2b、64_2cは、水平方向に配列するスイッチ60どうしで共有する。
本実施の形態におけるスイッチの電気的接続関係においては、それぞれのスイッチ60における第1のトランジスタ61a、61b、61cを介したコンフィギュレーションデータの書き込みは、配線64_1c、64_1b、64_1a、64_2c、64_2b、64_2aの順に配線を選択することで、上の行の第1のトランジスタから順次導通状態にし、配線63_1、63_2を用いてコンフィギュレーションデータを書き込んでいく。
また、容量素子66a、66b、66cの一方の電極とそれぞれ電気的に接続する配線65_1a、65_1b、65_1c、65_2a、65_2b、65_2cは、水平方向のスイッチ60と共有され、さらに配線65a、65b、65cにより垂直方向のスイッチ60とも共有されている。従って、スイッチ60が有する3組の組ごとに、それぞれ容量素子の電極の一方が電気的に接続されているため、配線65a、65b、65cのいずれかを選択することで、選択された配線を共有する一組に記憶されたコンフィギュレーションデータを同時に読み出すことができる。
なお、上記のような構成をブロック単位に分割し、ブロックごとに読み出し、書き込み等の処理を行ってもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態7)
本実施の形態では、他の実施の形態におけるプログラマブルロジックエレメントが有するルックアップテーブル(LUT)の構成例について説明する。LUTは複数のマルチプレクサを用いて構成することができる。そして、複数のマルチプレクサの入力端子及び制御端子のうちのいずれかにコンフィギュレーションデータが入力される構成とすることができる。
図13(A)に、プログラマブルロジックエレメントが有するLUT30の一態様を示す。
図13(A)において、LUT30は、2入力のマルチプレクサを7つ(マルチプレクサ31、マルチプレクサ32、マルチプレクサ33、マルチプレクサ34、マルチプレクサ35、マルチプレクサ36、マルチプレクサ37)用いて構成されている。マルチプレクサ31乃至マルチプレクサ34の各入力端子が、LUT30の入力端子M1乃至M8に相当する。
マルチプレクサ31乃至マルチプレクサ34の各制御端子は電気的に接続されており、上記制御端子が、LUT30の入力端子IN3に相当する。マルチプレクサ31の出力端子、及びマルチプレクサ32の出力端子は、マルチプレクサ35の2つの入力端子と電気的に接続され、マルチプレクサ33の出力端子、及びマルチプレクサ34の出力端子は、マルチプレクサ36の2つの入力端子と電気的に接続されている。マルチプレクサ35及びマルチプレクサ36の各制御端子は電気的に接続されており、上記制御端子が、LUT30の入力端子IN2に相当する。マルチプレクサ35の出力端子、及びマルチプレクサ36の出力端子は、マルチプレクサ37の2つの入力端子と電気的に接続されている。マルチプレクサ37の制御端子は、LUT30の入力端子IN1に相当する。マルチプレクサ37の出力端子がLUT30の出力端子OUTに相当する。
入力端子M1乃至入力端子M8に、コンフィギュレーションメモリからコンフィギュレーションデータを入力することによって、LUT30によって行われる論理演算の種類を定めることができる。
例えば、図13(A)のLUT30において、入力端子M1乃至入力端子M8に、デジタル値が”0”、”1”、”0”、”1”、”0”、”1”、”1”、”1”であるコンフィギュレーションデータをそれぞれ入力した場合、図13(C)に示す等価回路の機能を実現することができる。
図13(B)に、プログラマブルロジックエレメントが有するLUT40の一態様を示す。
図13(B)において、LUT40は、2入力のマルチプレクサを3つ(マルチプレクサ41、マルチプレクサ42、マルチプレクサ43)と、2入力のOR回路44とを用いて構成されている。
マルチプレクサ41の出力端子、及びマルチプレクサ42の出力端子は、マルチプレクサ43の2つの入力端子と電気的に接続されている。OR回路44の出力端子はマルチプレクサ43の制御端子に電気的に接続されている。マルチプレクサ43の出力端子がLUT40の出力端子OUTに相当する。
そして、マルチプレクサ41の制御端子A1、入力端子A2及び入力端子A3、マルチプレクサ42の制御端子A6、入力端子A4及び入力端子A5、OR回路44の入力端子A7及び入力端子A8のいずれかに、コンフィギュレーションメモリから、当該コンフィギュレーションメモリに格納されたコンフィギュレーションデータに対応した出力信号を入力することによって、LUT40によって行われる論理演算の種類を定めることができる。
例えば、図13(B)のLUT40において、入力端子A2、入力端子A4、入力端子A5、制御端子A6、入力端子A8に、コンフィギュレーションメモリから、デジタル値が”0”、”1”、”0”、”0”、”0”である当該コンフィギュレーションメモリに格納されたコンフィギュレーションデータに対応した出力信号をそれぞれ入力した場合、図13(C)に示す等価回路の機能を実現することができる。なお、上記構成の場合、制御端子A1、入力端子A3、入力端子A7がそれぞれ入力端子IN1、入力端子IN2、入力端子IN3に相当する。
なお、図13(A)及び図13(B)では、2入力のマルチプレクサを用いて構成したLUT30、LUT40の例を示したが、より多くの入力のマルチプレクサを用いて構成したLUT30、LUT40であっても良い。
また、LUT30、LUT40は、マルチプレクサの他に、ダイオード、抵抗素子、論理回路(あるいは論理素子)、スイッチのいずれかまたは全てを更に有していても良い。論理回路(あるいは論理素子)としては、バッファ、インバータ、NAND回路、NOR回路、スリーステートバッファ、クロックドインバータ等を用いることができる。スイッチとしては、例えばアナログスイッチ、トランジスタ等を用いることができる。
また、図13(A)や図13(B)に示したLUT30、LUT40を用いて、図13(C)の様な3入力1出力の論理演算を行う場合について示したがこれに限定されない。LUT30、LUT40及び入力するコンフィギュレーションデータを適宜定めることによって、より多くの入力、多くの出力の論理演算を実現することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態8)
本実施の形態では、先の実施の形態で説明したスイッチに、第1のトランジスタ902としてチャネル形成領域に酸化物半導体を用い、第2のトランジスタ901としてチャネル形成領域に単結晶シリコンウェハを用いた場合の断面構造の例、及びその作製方法の例について、図14を用いて説明する。
ただし、スイッチが有する第2のトランジスタ901は、シリコンの他、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、単結晶炭化シリコンなどの半導体材料を用いていても良い。また、例えば、シリコンを用いたトランジスタは、SOI法により作製されたシリコン薄膜、気相成長法により作製されたシリコン薄膜などを用いて形成することができる。この場合、基板にはフュージョン法やフロート法で作製されるガラス基板、石英基板、半導体基板、セラミック基板等を用いることができる。ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いると良い。
図14は、スイッチにおいて一のコンフィギュレーションデータを記憶させる一組の回路構成を断面構造として具現したものを示す図である。この場合、単結晶シリコンウェハを用いて形成された第2のトランジスタ901と、その上階層に酸化物半導体を用いて形成された第1のトランジスタ902、及び容量素子903が形成されている。すなわち、本実施の形態で示すスイッチは、シリコンウェハを基板として、その上層に第1のトランジスタ層が設けられた三次元の積層構造を有する半導体装置であり、また、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタと酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタとを有するハイブリッド型の半導体装置である。
なお、本実施の形態においては、スイッチの一部の構造についてのみ断面を示すが、この積層構造を用いてプログラマブルロジックエレメント等その他の回路構成を作製することができる。したがって、PLD全体を一つの積層構造体として作製することができる。
半導体材料を含む基板900を用いて作製された第2のトランジスタ901は、nチャネル型トランジスタ(NMOSFET)、pチャネル型トランジスタ(PMOSFET)のいずれも用いることができる。図14に示す例においては、第2のトランジスタ901は、STI(Shallow Trench Isolation)905によって他の素子と絶縁分離されている。STI905を用いることにより、LOCOSによる素子分離法で発生した素子分離部のバーズビークを抑制することができ、素子分離部の縮小等が可能となる。一方で、構造の微細化小型化が要求されない半導体装置においてはSTI905の形成は必ずしも必要ではなく、LOCOS等の素子分離手段を用いることもできる。第2のトランジスタ901が形成される基板900には、ボロンやリン、ヒ素等の導電性を付与する不純物が添加されたウェル904が形成されている。
図14における第2のトランジスタ901は、基板900中に設けられたチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域906(ソース領域及びドレイン領域ともいう)と、チャネル形成領域上に設けられたゲート絶縁膜907と、ゲート絶縁膜907上にチャネル形成領域と重畳するように設けられたゲート電極層908とを有する。ゲート電極層は、加工精度を高めるための第1の材料からなるゲート電極層と、配線として低抵抗化を目的とした第2の材料からなるゲート電極層を積層した構造とすることができる。例えば導電性を付与するリン等の不純物を添加した結晶性シリコンとニッケルシリサイドとの積層構造などが挙げられる。しかし、この構造に限らず、適宜要求される仕様に応じて材料、積層数、形状等を調整することができる。
なお、図14に示す第2のトランジスタ901を、フィン型構造のトランジスタとしてもよい。フィン型構造とは、半導体基板の一部を板状の突起形状に加工し、突起形状の長尺方向を交差するようにゲート電極層を設けた構造である。ゲート電極層は、ゲート絶縁膜を介して突起構造の上面及び側面を覆う。第2のトランジスタをフィン型構造のトランジスタとすることで、チャネル幅を縮小してトランジスタの集積化を図ることができる。また、電流を多く流すことができ、加えて制御効率を向上させることができるため、トランジスタのオフ時の電流及び閾値電圧を低減することができる。
また、基板900中に設けられた不純物領域906には、コンタクトプラグ913、915が接続されている。ここでコンタクトプラグ913、915は、第2のトランジスタ901のソース電極やドレイン電極としても機能する。また、不純物領域906とチャネル形成領域の間には、不純物領域906と異なる不純物領域が設けられている。該不純物領域は、導入された不純物の濃度によって、LDD領域やエクステンション領域としてチャネル形成領域近傍の電界分布を制御する機能を果たす。ゲート電極層908の側壁には絶縁膜を介してサイドウォール絶縁膜909を有する。この絶縁膜やサイドウォール絶縁膜909を用いることで、LDD領域やエクステンション領域を形成することができる。
また、第2のトランジスタ901は、絶縁膜910により被覆されている。絶縁膜910には保護膜としての機能を持たせることができ、外部からチャネル形成領域への不純物の侵入を防止することができる。また、絶縁膜910をCVD法による窒化シリコン等の材料とすることで、チャネル形成領域に単結晶シリコンを用いた場合には加熱処理によって水素化を行うことができる。また、絶縁膜910に引張応力又は圧縮応力を有する絶縁膜を用いることで、チャネル形成領域を構成する半導体材料に歪みを与えることができる。nチャネル型のトランジスタの場合にはチャネル形成領域となるシリコン材料に引張応力を、pチャネル型のトランジスタの場合にはチャネル形成領域となるシリコン材料に圧縮応力を付加することで、各トランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。
さらに、絶縁膜910上に絶縁膜911が設けられ、その表面はCMPによる平坦化処理が施されている。これにより、第2のトランジスタ901を含む階層よりも上の階層に高い精度で素子層を積層していくことができる。
第2のトランジスタ901を含む階層よりも上層に、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いた第1のトランジスタ902及び容量素子903を含む階層を形成する。第1のトランジスタ902はトップゲート構造のトランジスタであり、酸化物半導体膜926の側面及び上面に接してソース電極層927及びドレイン電極層928を有し、これらの上のゲート絶縁膜929上にゲート電極層930を有している。また、第1のトランジスタ902を覆うように絶縁膜932が形成されている。ここで第1のトランジスタ902の作製方法について、以下に説明する。
絶縁膜924上に酸化物半導体膜926を形成する。絶縁膜924は、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの無機の絶縁膜を用いることができる。特に、誘電率の低い(low−k)材料を用いることで、各種電極や配線の重なりに起因する容量を十分に低減することが可能になるため好ましい。なお、絶縁膜924に上記材料を用いた多孔性の絶縁膜を適用しても良い。多孔性の絶縁膜では、密度の高い絶縁膜と比較して誘電率が低下するため、電極や配線に起因する寄生容量を更に低減することが可能である。本実施の形態では、膜厚50nmの酸化アルミニウム膜上に膜厚300nm程度の酸化珪素膜を積層させて、絶縁膜924として用いる。
酸化物半導体膜926は、絶縁膜924上に形成した酸化物半導体膜を所望の形状に加工することで、形成することができる。上記酸化物半導体膜の膜厚は、2nm以上200nm以下、好ましくは3nm以上50nm以下、更に好ましくは3nm以上20nm以下とする。酸化物半導体膜は、酸化物半導体をターゲットとして用い、スパッタ法により成膜する。また、酸化物半導体膜は、希ガス(例えばアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス(例えばアルゴン)及び酸素混合雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。
なお、酸化物半導体膜をスパッタ法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜924の表面に付着している塵埃を除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを用いてもよい。また、アルゴン雰囲気に酸素、亜酸化窒素などを加えた雰囲気で行ってもよい。また、アルゴン雰囲気に塩素、四フッ化炭素などを加えた雰囲気で行ってもよい。
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用いることができる。また、上記酸化物半導体は、珪素を含んでいてもよい。
本実施の形態では、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、及びZn(亜鉛)を含むターゲットを用いたスパッタ法により得られる膜厚30nmのIn−Ga−Zn系酸化物半導体の薄膜を、酸化物半導体膜として用いる。上記ターゲットとして、好ましくは、原子数比がIn:Ga:Zn=1:1:1、4:2:3、3:1:2、1:1:2、2:1:3、または3:1:4で示されるターゲットを用いる。また、In、Ga、及びZnを含むターゲットの充填率は90%以上100%以下、好ましくは95%以上100%未満である。充填率の高いターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
なお、酸化物半導体膜としてIn−Zn系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成は、原子数比で、In:Zn=50:1〜1:2(モル数比に換算するとIn:ZnO=25:1〜1:4)、好ましくはIn:Zn=20:1〜1:1(モル数比に換算するとIn:ZnO=10:1〜1:2)、さらに好ましくはIn:Zn=15:1〜1.5:1(モル数比に換算するとIn:ZnO=15:2〜3:4)とする。例えば、In−Zn系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5X+Yとする。Znの比率を上記範囲に収めることで、移動度の向上を実現することができる。
また、酸化物半導体膜としてIn−Sn−Zn系酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜する場合、好ましくは、原子数比がIn:Sn:Zn=1:1:1、2:1:3、1:2:2、または20:45:35で示されるIn−Sn−Zn−Oターゲットを用いる。
本実施の形態では、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて酸化物半導体膜を成膜する。成膜時に、基板温度を100℃以上600℃以下、好ましくは200℃以上400℃以下としても良い。基板を加熱しながら成膜することにより、成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて処理室を排気すると、例えば、水素原子、水(HO)など水素原子を含む化合物等が排気されるため、当該処理室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.6Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、成膜時に発生する塵埃が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
また、スパッタリング装置の処理室のリークレートを1×10−10Pa・m/秒以下とすることで、スパッタリング法による成膜途中における酸化物半導体膜への、アルカリ金属、水素化物等の不純物の混入を低減することができる。また、排気系として上述した吸着型の真空ポンプを用いることで、排気系からのアルカリ金属、水素原子、水素分子、水、または水素化物等の不純物の逆流を低減することができる。
また、ターゲットの純度を、99.99%以上とすることで、酸化物半導体膜に混入するアルカリ金属、水素原子、水素分子、水、水酸基、または水素化物等を低減することができる。また、当該ターゲットを用いることで、酸化物半導体膜において、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属の濃度を低減することができる。
なお、酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないようにするために、成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で絶縁膜924までが形成された基板900を予備加熱し、基板900に吸着した水分又は水素などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱の温度は、100℃以上400℃以下、好ましくは150℃以上300℃以下である。また、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。
なお、酸化物半導体膜926を形成するためのエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス(塩素系ガス、例えば塩素(Cl)、三塩化硼素(BCl)、四塩化珪素(SiCl)、四塩化炭素(CCl)など)が好ましい。また、フッ素を含むガス(フッ素系ガス、例えば四弗化炭素(CF)、六弗化硫黄(SF)、三弗化窒素(NF)、トリフルオロメタン(CHF)など)、臭化水素(HBr)、酸素(O)、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。
ドライエッチング法としては、平行平板型RIE(Reactive Ion Etching)法や、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用いることができる。所望の形状にエッチングできるように、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
ウェットエッチングに用いるエッチング液として、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、クエン酸やシュウ酸などの有機酸を用いることができる。本実施の形態では、ITO−07N(関東化学社製)を用いる。
酸化物半導体膜926を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
なお、次工程の導電膜を形成する前に逆スパッタを行い、酸化物半導体膜926及び絶縁膜924の表面に付着しているレジスト残渣などを除去することが好ましい。
なお、スパッタ等で成膜された酸化物半導体膜中には、不純物としての水分又は水素(水酸基を含む)が多量に含まれていることがある。水分又は水素はドナー準位を形成しやすいため、酸化物半導体にとっては不純物である。そこで、本発明の一態様では、酸化物半導体膜中の水分又は水素などの不純物を低減(脱水化または脱水素化)するために、酸化物半導体膜926に対して、減圧雰囲気下、窒素や希ガスなどの不活性ガス雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、又は超乾燥エア(CRDS(キャビティリングダウンレーザー分光法)方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が20ppm(露点換算で−55℃)以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気)雰囲気下で、酸化物半導体膜926に加熱処理を施す。
酸化物半導体膜926に加熱処理を施すことで、酸化物半導体膜926中の水分又は水素を脱離させることができる。具体的には、250℃以上750℃以下、好ましくは400℃以上基板の歪み点未満の温度で加熱処理を行えば良い。例えば、500℃、3分間以上6分間以下程度で行えばよい。加熱処理にRTA(Rapid Thermal Anneal)法を用いれば、短時間に脱水化又は脱水素化が行えるため、ガラス基板の歪点を超える温度でも処理することができる。
本実施の形態では、加熱処理装置の一つである電気炉を用いる。
なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導又は熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTA(Gas Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal)装置等のRTA装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、アルゴンなどの希ガス、又は窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。
加熱処理においては、窒素、又はヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水分又は水素などが含まれないことが好ましい。又は、加熱処理装置に導入する窒素、又はヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
以上の工程により、酸化物半導体膜926中の水素の濃度を低減し、高純度化することができる。それにより酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。また、当該水素濃度が低減され高純度化された酸化物半導体膜を用いることで、耐圧性が高く、オフ電流の著しく低いトランジスタを作製することができる。上記加熱処理は、酸化物半導体膜の成膜以降であれば、いつでも行うことができる。
また、酸素雰囲気下で酸化物半導体膜926に加熱処理を施すことで、酸化物半導体に酸素を添加し、酸化物半導体膜926中においてドナーとなる酸素欠損を低減させても良い。加熱処理の温度は、例えば100℃以上350℃未満、好ましくは150℃以上250℃未満で行う。上記酸素雰囲気下の加熱処理に用いられる酸素ガスには、水、水素などが含まれないことが好ましい。又は、加熱処理装置に導入する酸素ガスの純度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち酸素中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
あるいは、イオン注入法又はイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜926に酸素を添加することで、ドナーとなる酸素欠損を低減させても良い。例えば、2.45GHzのマイクロ波でプラズマ化した酸素を酸化物半導体膜926に添加すれば良い。
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
酸化物半導体膜は、単結晶酸化物半導体膜と非単結晶酸化物半導体膜に大別される。非単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸化物半導体膜、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)膜などをいう。
非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶成分を有さない酸化物半導体膜である。微小領域においても結晶部を有さず、膜全体が完全な非晶質構造の酸化物半導体膜が典型である。
微結晶酸化物半導体膜は、例えば、1nm以上10nm未満の大きさの微結晶(ナノ結晶ともいう。)を含む。従って、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも原子配列の規則性が高い。そのため、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低いという特徴がある。
CAAC−OS膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つであり、ほとんどの結晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。従って、CAAC−OS膜に含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方体内に収まる大きさの場合も含まれる。CAAC−OS膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低いという特徴がある。以下、CAAC−OS膜について詳細な説明を行う。
CAAC−OS膜を透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CAAC−OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
CAAC−OS膜を、試料面と概略平行な方向からTEMによって観察(断面TEM観察)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、CAAC−OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸を反映した形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
なお、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、85°以上95°以下の場合も含まれる。
一方、CAAC−OS膜を、試料面と概略垂直な方向からTEMによって観察(平面TEM観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
断面TEM観察および平面TEM観察より、CAAC−OS膜の結晶部は配向性を有していることがわかる。
CAAC−OS膜に対し、X線回折(XRD:X−Ray Diffraction)装置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnOの結晶を有するCAAC−OS膜のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、InGaZnOの結晶の(009)面に帰属されることから、CAAC−OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概略垂直な方向を向いていることが確認できる。
一方、CAAC−OS膜に対し、c軸に概略垂直な方向からX線を入射させるin−plane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、InGaZnOの結晶の(110)面に帰属される。InGaZnOの単結晶酸化物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)として試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面に帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OS膜の場合は、2θを56°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
以上のことから、CAAC−OS膜では、異なる結晶部間ではa軸およびb軸の配向は不規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面TEM観察で確認された層状に配列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
なお、結晶部は、CAAC−OS膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を行った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OS膜の被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC−OS膜の形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OS膜の被形成面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
また、CAAC−OS膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、CAAC−OS膜の結晶部が、CAAC−OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAAC−OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
なお、InGaZnOの結晶を有するCAAC−OS膜のout−of−plane法による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れる場合がある。2θが36°近傍のピークは、ZnGaの結晶の(311)面に帰属されることから、InGaZnOの結晶を有するCAAC−OS膜中の一部に、ZnGaの結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍にピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
CAAC−OS膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気的特性の変動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、CAAC−OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
CAAC−OS膜は、例えば、多結晶である金属酸化物ターゲットを用い、スパッタリング法によって成膜する。当該ターゲットにイオンが衝突すると、ターゲットに含まれる結晶領域がa−b面から劈開し、a−b面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達することで、CAAC−OS膜を成膜することができる。
また、CAAC−OS膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制できる。例えば、処理室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素および窒素など)を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が−80℃以下、好ましくは−100℃以下である成膜ガスを用いる。
また、成膜時の基板温度を高めることで、基板到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、基板温度を100℃以上740℃以下、好ましくは200℃以上500℃以下として成膜する。成膜時の基板温度を高めることで、平板状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100体積%とする。
ターゲットの一例として、In−Ga−Zn系酸化物ターゲットについて以下に示す。
InO粉末、GaO粉末およびZnO粉末を混合し、加圧処理後、1000℃以上1500℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるIn−Ga−Zn系酸化物ターゲットとする。なお、X、YおよびZは正数である。ここで、InO、GaOおよびZnOのmol比は、例えば、2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3または3:1:2である。なお、粉末のモルフォロジー、およびそのmol比は、作製するターゲットによって適宜変更すればよい。
なお、アルカリ金属は酸化物半導体を構成する元素ではないため、不純物である。アルカリ土類金属も、酸化物半導体を構成する元素ではない場合において、不純物となる。特に、アルカリ金属のうちNaは、酸化物半導体膜に接する絶縁膜が酸化物である場合、当該絶縁膜中にNaとして容易に拡散する。また、Naは、酸化物半導体膜内において、酸化物半導体を構成する金属と酸素の結合を分断する、或いは、その結合中に割り込む。その結果、例えば、閾値電圧がマイナス方向にシフトすることによるノーマリオン化、移動度の低下等の、トランジスタの電気的特性の劣化が起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。具体的に、二次イオン質量分析法で求めるNa濃度は、5×1016/cm以下、好ましくは1×1016/cm以下、更に好ましくは1×1015/cm以下とするとよい。同様に、Li濃度は、5×1015/cm以下、好ましくは1×1015/cm以下とするとよい。同様に、K濃度は、5×1015/cm以下、好ましくは1×1015/cm以下とするとよい。
次いで、フォトリソグラフィ工程を用いて、ソース電極層927及びドレイン電極層928を形成する。具体的には、ソース電極層927及びドレイン電極層928は、スパッタ法や真空蒸着法で絶縁膜924上に導電膜を形成した後、当該導電膜を所定の形状に加工(パターニング)することで、形成することができる。
ソース電極層927及びドレイン電極層928は単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよく、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素、又は上述した元素を含有する合金膜等を用いて形成される。また、アルミニウム、銅などの金属膜の下側もしくは上側にクロム、タンタル、チタン、モリブデン、ネオジム、スカンジウム、イットリウム、タングステンなどの高融点金属膜を積層させた構成としても良い。また、アルミニウム又は銅は、耐熱性や腐食性の問題を回避するために、高融点金属材料と組み合わせて用いると良い。
例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する2層構造、チタン膜と、そのチタン膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、更にその上にチタン膜を成膜する3層構造などが挙げられる。また、Cu−Mg−Al合金、Mo−Ti合金、Ti、Mo、は、酸化膜との密着性が高い。よって、下層にCu−Mg−Al合金、Mo−Ti合金、Ti、あるいはMoで構成される導電膜、上層にCuで構成される導電膜を積層し、上記積層された導電膜をソース電極層927及びドレイン電極層928に用いることで、絶縁膜924と、ソース電極層927及びドレイン電極層928との密着性を高めることができる。
また、ソース電極層927及びドレイン電極層928は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化スズ混合物、酸化インジウム酸化亜鉛混合物又は前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
導電膜形成後に加熱処理を行う場合には、この加熱処理に耐える耐熱性を導電膜に持たせることが好ましい。
本実施の形態では、ソース電極層927及びドレイン電極層928として、膜厚100nmのタングステン膜を用いる。
なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体膜926がなるべく除去されないようにそれぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する。エッチング条件によっては、酸化物半導体膜926の露出した部分が一部エッチングされることで、溝部(凹部)が形成されることもある。
本実施の形態では、ソース電極層927及びドレイン電極層928となる導電膜に、タングステン膜を用いる。そのため、アンモニアと過酸化水素水を含む溶液(アンモニア過水)を用いて、選択的に上記導電膜をウェットエッチングすることができる。具体的には、31重量%の過酸化水素水と、28重量%のアンモニア水と、水とを、体積比5:2:2で混合したアンモニア過水を用いる。あるいは、四弗化炭素(CF)、塩素(Cl)、酸素を含むガスを用いて、上記導電膜をドライエッチングしても良い。
なお、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過した光に多段階の強度をもたせる多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマスクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことで更に形状を変形することができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。
また、酸化物半導体膜926と、ソース電極層927及びドレイン電極層928との間に、ソース領域及びドレイン領域として機能する酸化物導電膜を設けるようにしても良い。酸化物導電膜の材料としては、酸化亜鉛を成分として含むものが好ましく、酸化インジウムを含まないものであることが好ましい。そのような酸化物導電膜として、酸化亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、酸窒化亜鉛アルミニウム、酸化亜鉛ガリウムなどを適用することができる。
例えば、酸化物導電膜を形成する場合、酸化物導電膜を形成するためのパターニングと、ソース電極層927及びドレイン電極層928を形成するためのパターニングとを一括で行うようにしても良い。
ソース領域及びドレイン領域として機能する酸化物導電膜を設けることで、酸化物半導体膜926とソース電極層927及びドレイン電極層928の間の抵抗を下げることができるので、トランジスタの高速動作を実現させることができる。また、ソース領域及びドレイン領域として機能する酸化物導電膜を設けることで、トランジスタの耐圧を高めることができる。
次いで、NO、N、又はArなどのガスを用いたプラズマ処理を行うようにしても良い。このプラズマ処理によって露出している酸化物半導体膜の表面に付着した水などを除去する。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。
なお、プラズマ処理を行った後、ソース電極層927及びドレイン電極層928と、酸化物半導体膜926とを覆うように、ゲート絶縁膜929を形成する。そして、ゲート絶縁膜929上において、酸化物半導体膜926と重なる位置にゲート電極層930を形成し、あわせて容量素子の上部電極層931となる導電膜を形成する。
ゲート絶縁膜929は、例えば酸化窒化珪素膜を用いて形成することができる。なお、ゲート絶縁膜929は、水分や、水素などの不純物を極力含まないことが望ましく、単層の絶縁膜であっても良いし、積層された複数の絶縁膜で構成されていても良い。ゲート絶縁膜929に水素が含まれると、その水素が酸化物半導体膜926へ侵入し、又は水素が酸化物半導体膜926中の酸素を引き抜き、酸化物半導体膜926が低抵抗化(n型化)してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、ゲート絶縁膜929はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。上記ゲート絶縁膜929には、バリア性の高い材料を用いるのが望ましい。例えば、バリア性の高い絶縁膜として、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜などを用いることができる。複数の積層された絶縁膜を用いる場合、窒素の含有比率が低い酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を、上記バリア性の高い絶縁膜よりも、酸化物半導体膜926に近い側に形成する。そして、窒素の含有比率が低い絶縁膜を間に挟んで、ソース電極層927、ドレイン電極層928及び酸化物半導体膜926と重なるように、バリア性の高い絶縁膜を形成する。バリア性の高い絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜926内、ゲート絶縁膜929内、あるいは、酸化物半導体膜926と他の絶縁膜の界面とその近傍に、水分又は水素などの不純物が入り込むのを防ぐことができる。また、酸化物半導体膜926に接するように窒素の比率が低い酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を形成することで、バリア性の高い絶縁膜が酸化物半導体膜926に直接接するのを防ぐことができる。
本実施の形態では、スパッタ法で形成された膜厚20nmの酸化窒化珪素膜をゲート絶縁膜929として用いる。成膜時の基板温度は、室温以上400℃以下とすればよく、本実施の形態では300℃とする。
なお、ゲート絶縁膜929を形成した後に、加熱処理を施しても良い。加熱処理は、窒素、超乾燥空気、又は希ガス(アルゴン、ヘリウムなど)の雰囲気下において、好ましくは200℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下で行う。上記ガスは、水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、より好ましくは10ppb以下であることが望ましい。本実施の形態では、例えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。酸素を含むゲート絶縁膜929が設けられた後に、加熱処理が施されることによって、酸化物半導体膜926に対して行った先の加熱処理により、酸化物半導体膜926に酸素欠損が発生していたとしても、ゲート絶縁膜929から酸化物半導体膜926に酸素が供与される。そして、酸化物半導体膜926に酸素が供与されることで、酸化物半導体膜926において、ドナーとなる酸素欠損を低減し、化学量論的組成を満たすことが可能である。その結果、酸化物半導体膜926をi型に近づけることができ、酸素欠損によるトランジスタの電気特性のばらつきを軽減し、電気特性の向上を実現することができる。この加熱処理を行うタイミングは、ゲート絶縁膜929の形成後であれば特に限定されず、他の工程と兼ねることで、工程数を増やすことなく酸化物半導体膜926をi型に近づけることができる。
ゲート電極層930及び上部電極層931は、10nm〜400nm、好ましくは100nm〜300nmとする。本実施の形態では、スパッタ法により膜厚30nmの窒化タンタル上に膜厚135nmのタングステンを積層させてゲート電極用の導電膜を形成した後、該導電膜をエッチングにより所望の形状に加工(パターニング)することで、ゲート電極層930及び上部電極層931を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
以上の工程により、第1のトランジスタ902が形成される。
なお、第1のトランジスタ902はシングルゲート構造のトランジスタを用いて説明したが、必要に応じて、電気的に接続された複数のゲート電極を有することで、チャネル形成領域を複数有する、マルチゲート構造のトランジスタも形成することができる。
また、上記作製方法では、ソース電極層927及びドレイン電極層928が、酸化物半導体膜926の後に形成されている。よって、図14に示すように、ソース電極層927及びドレイン電極層928が、酸化物半導体膜926の上に形成されている。しかし、ソース電極層927及びドレイン電極層928が、酸化物半導体膜926の下、すなわち、酸化物半導体膜926と絶縁膜924の間に設けられていても良い。
また、酸化物半導体膜926に接する絶縁膜、すなわち、絶縁膜924やゲート絶縁膜929は、第13族元素及び酸素を含む絶縁材料を用いるようにしても良い。酸化物半導体材料には第13族元素を含むものが多く、第13族元素を含む絶縁材料は酸化物半導体との相性が良く、これを酸化物半導体膜に接する絶縁膜に用いることで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができる。
第13族元素を含む絶縁材料としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムガリウム、酸化ガリウムアルミニウムなどがある。ここで、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量(原子%)よりアルミニウムの含有量(原子%)が多いものを示し、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量(原子%)がアルミニウムの含有量(原子%)以上のものを示す。
例えば、ガリウムを含有する酸化物半導体膜に接するように、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成する。これにより、界面における水素のパイルアップを低減することができる。また、酸化アルミニウムを含む材料を用いて絶縁膜を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体膜への水の侵入防止という点においても好ましい。
また、酸素雰囲気下による熱処理や、酸素ドープなどにより、酸化物半導体膜926に接する絶縁膜の表面のみでなく内部にも酸素を添加して、化学量論的組成より酸素が多い状態とすることが好ましい。酸素ドープには、プラズマ化した酸素をバルクに添加する酸素プラズマドープが含まれる。また、酸素ドープは、イオン注入法又はイオンドーピング法を用いて行ってもよい。
酸素ドープ処理を行うことにより、化学量論的組成より酸素が多い領域を有する絶縁膜を形成することができる。このような領域を備える絶縁膜と酸化物半導体膜が接することにより、絶縁膜中の過剰な酸素が酸化物半導体膜に供給され、酸化物半導体膜中、又は酸化物半導体膜と絶縁膜の界面における酸素欠陥を低減し、酸化物半導体膜をi型化又はi型に限りなく近くすることができる。
なお、化学量論的組成より酸素が多い領域を有する絶縁膜は、酸化物半導体膜926に接する絶縁膜のうち、上層に位置する絶縁膜又は下層に位置する絶縁膜のうち、どちらか一方のみに用いても良いが、両方の絶縁膜に用いる方が好ましい。化学量論的組成より酸素が多い領域を有する絶縁膜を、酸化物半導体膜926に接する絶縁膜の、上層及び下層に位置する絶縁膜に用い、酸化物半導体膜926を挟む構成とすることで、上記効果をより高めることができる。
また、酸化物半導体膜926の上層又は下層に用いる絶縁膜は、上層と下層で同じ構成元素を有する絶縁膜としても良いし、異なる構成元素を有する絶縁膜としても良い。また、酸化物半導体膜926に接する絶縁膜は、化学量論的組成より酸素が多い領域を有する絶縁膜の積層としても良い。
なお、本実施の形態においては、第1のトランジスタ902はトップゲート構造としている。また、第1のトランジスタ902にはバックゲート電極層923が設けられている。バックゲート電極層を設けた場合、第1のトランジスタ902のノーマリオフ化をさらに容易に実現することができる。例えば、バックゲート電極層923の電位をGNDや固定電位とすることで第1のトランジスタ902の閾値電圧をよりプラスとし、さらにノーマリオフのトランジスタとすることができる。
このような第2のトランジスタ901、第1のトランジスタ902及び容量素子903を電気的に接続して電気回路を形成するために、各階層間及び上層に接続のための配線層を単層又は多層積層する。
図14においては、例えば図3のスイッチの一組分を形成するために、第2のトランジスタ901のソース又はドレインの一方は、コンタクトプラグ913を介して配線層914と電気的に接続している。配線層914は、プログラマブルロジックエレメントの出力端子に電気的に接続する。一方、第2のトランジスタ901のソース又はドレインの他方はコンタクトプラグ915を介して配線層916と電気的に接続している。配線層916は、他のプログラマブルロジックエレメントの入力端子に電気的に接続する。また、第2のトランジスタ901のゲートは、コンタクトプラグ917、配線層918、コンタクトプラグ921、配線層922、コンタクトプラグ925を介して第1のトランジスタ902のドレイン電極層928と電気的に接続する。このドレイン電極層928は、図14において右方向に延び、容量素子903の下部電極層として機能する。ドレイン電極層928上には第1のトランジスタ902のゲート絶縁膜929が設けられている。このゲート絶縁膜929が、容量素子903が形成される領域においては容量素子903の電極間誘電体膜として機能する。この電極間誘電体膜上に上部電極層931が設けられ、上部電極層931は、コンタクトプラグ935を介して配線層936と電気的に接続している。配線層936は、スイッチにおける一のコンフィギュレーションデータを記憶した組を選択するための配線である。
配線層914、918、916、922、936、及びバックゲート電極層923は、絶縁膜中に埋め込まれている。これらの配線層等は、例えば銅、アルミニウム等の低抵抗な導電性材料を用いることが好ましい。また、CVD法により形成したグラフェンを導電性材料として用いて配線層を形成することもできる。グラフェンとは、sp結合を有する1原子層の炭素分子のシートのこと、または2乃至100層の炭素分子のシートが積み重なっているものをいう。このようなグラフェンを作製する方法として、金属触媒の上にグラフェンを形成する熱CVD法や、紫外光を照射して局所的にプラズマを発生させることで触媒を用いずにメタンからグラフェンを形成するプラズマCVD法などがある。
このような低抵抗な導電性材料を用いることで、配線層を伝播する信号のRC遅延を低減することができる。配線層に銅を用いる場合には、銅のチャネル形成領域への拡散を防止するため、バリア膜を形成する。バリア膜として、例えば窒化タンタル、窒化タンタルとタンタルとの積層、窒化チタン、窒化チタンとチタンとの積層等による膜を用いることができるが、配線材料の拡散防止機能、及び配線材料や絶縁膜等との密着性が確保される程度においてこれらの材料からなる膜に限られない。バリア膜は配線層とは別個の層として形成してもよく、バリア膜となる材料を配線材料中に含有させ、加熱処理によって絶縁膜に設けられた開口の内壁に析出させて形成しても良い。
絶縁膜911、912、919、920、933、934には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)、PSG(Phosphorus Silicate Glass)、炭素を添加した酸化シリコン(SiOC)、フッ素を添加した酸化シリコン(SiOF)、Si(OCを原料とした酸化シリコンであるTEOS(Tetraethyl orthosilicate)、HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)、MSQ(MethylSilsesquioxane)、OSG(Organo Silicate Glass)、有機ポリマー系の材料等の絶縁体を用いることができる。半導体装置の微細化を進める場合には、配線間の寄生容量が顕著になり信号遅延が増大するため酸化シリコンの比誘電率(k=4.0〜4.5)では高く、kが3.0以下の材料を用いることが好ましい。また該絶縁膜に配線を埋め込んだ後にCMP処理を行うため、絶縁膜には機械的強度が要求される。この機械的強度が確保できる限りにおいて、これらを多孔質(ポーラス)化させて低誘電率化することができる。絶縁膜は、スパッタリング法、CVD法、スピンコート法(Spin On Glass:SOGともいう)を含む塗布法等により形成する。
絶縁膜911、912、919、920、933、934には、配線材料をこれら絶縁膜中に埋め込んだ後、CMP等による平坦化処理を行う際のエッチングストッパとして機能させるための絶縁膜を別途設けてもよい。
配線層914、918、916、922、936、及びバックゲート電極層923上には、バリア膜が設けられており、バリア膜上に保護膜が設けられている。バリア膜は銅等の配線材料の拡散を防止することを目的とした膜である。バリア膜は、窒化シリコンやSiC、SiBON等の絶縁性材料で形成することができる。但し、バリア膜の膜厚が厚い場合には配線間容量を増加させる要因となるため、バリア性を有し、かつ低誘電率の材料を選択することが好ましい。
コンタクトプラグ913、915、917、921、925、935は、絶縁膜に高アスペクト比の開口(ビアホール)を形成し、タングステン等の導電材料で埋め込むことで作製する。開口は、異方性の高いドライエッチングを行うことが好ましい。特に、反応性イオンエッチング法(RIE法)を用いることが好ましい。開口の内壁にはチタン膜、窒化チタン膜又はこれらの積層膜等からなるバリア膜(拡散防止膜)が設けられ、バリア膜の内部にタングステンやリン等をドープしたポリシリコン等の材料が充填される。例えばブランケットCVD法により、ビアホール内にタングステンを埋め込むことができ、CMPによりコンタクトプラグの上面は平坦化されている。
また最上層には保護絶縁膜937が設けられ、外部から水分や汚染物が半導体装置へ侵入するのを防止する。保護絶縁膜937は、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン等の材料を用いて形成することができ、単層でも積層でもよい。
半導体装置を以上のような構成とすることで、高速動作性能を有する第1の半導体材料を用いたトランジスタと、オフ電流が極めて小さい第2の半導体材料を用いたトランジスタとを組み合わせ、低消費電力化が可能な高速動作の論理回路を有するPLDなどの半導体装置を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態9)
本発明の一態様に係る半導体装置又はPLDは、デジタル信号処理装置、ソフトウェア無線装置、アビオニクス(通信機器、航法システム、自動操縦装置、飛行管理システム等の航空に関する電子機器)、医療用画像処理装置、音声認識装置、暗号装置、機械装置のエミュレータ、電波天文学における電波望遠鏡等、幅広い分野の電子機器に用いることができる。また、ASICのプロトタイピングや、バイオインフォマティクス(生物情報科学)の領域において応用することも可能である。
例えば民生機器としては、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(DVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示するディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレーヤ等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機等が挙げられる。これら電子機器の具体例を図15に示す。
図15(A)は携帯型ゲーム機であり、筐体5001、筐体5002、表示部5003、表示部5004、マイクロホン5005、スピーカ5006、操作キー5007、スタイラス5008等を有する。なお、図15(A)に示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部5003と表示部5004とを有しているが、表示部の数は、これに限定されない。
図15(B)は携帯情報端末であり、第1の筐体5601、第2の筐体5602、第1の表示部5603、第2の表示部5604、接続部5605、操作キー5606等を有する。第1の表示部5603は第1の筐体5601に設けられており、第2の表示部5604は第2の筐体5602に設けられている。そして、第1の筐体5601と第2の筐体5602とは、接続部5605により接続されており、第1の筐体5601と第2の筐体5602の間の角度は、接続部5605により変更が可能となっている。第1の表示部5603における映像を、第1の筐体5601と第2の筐体5602との間の角度に従って、切り替える構成としても良い。また、第1の表示部5603及び第2表示部5604の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしても良い。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。
図15(C)はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体5401、表示部5402、キーボード5403、ポインティングデバイス5404等を有する。
図15(D)は電気冷凍冷蔵庫であり、筐体5301、冷蔵室用扉5302、冷凍室用扉5303等を有する。
図15(E)はビデオカメラであり、第1の筐体5801、第2の筐体5802、表示部5803、操作キー5804、レンズ5805、接続部5806等を有する。操作キー5804及びレンズ5805は第1の筐体5801に設けられており、表示部5803は第2の筐体5802に設けられている。そして、第1の筐体5801と第2筐体5802とは、接続部5806により接続されており、第1の筐体5801と第2筐体5802の間の角度は、接続部5806により変更が可能となっている。表示部5803における映像の切り替えを、第1の筐体5801と第2の筐体5802との間の角度に従って行う構成としても良い。
図15(F)は普通自動車であり、車体5101、車輪5102、ダッシュボード5103、ライト5104等を有する。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態10)
次いで、酸化物半導体(OS)膜を用いたトランジスタを有するスイッチと、シリコン(Si)膜を用いたトランジスタと一対のインバータとを有するスイッチとの、動作上の違いについて説明する。
図16に、OS膜を用いたトランジスタを有する組720aと、シリコン(Si)膜を用いたトランジスタと一対のインバータとを有する組720bの回路図とを示す。また、図16には、組720a及び組720bにおけるノードFDの電位のタイミングチャートと、配線721に与えられる、コンフィギュレーションデータを含む信号INの電位のタイミングチャートとを示す。
組720a及び組720bでは、トランジスタ701の導通状態または非導通状態を配線722の電位で制御し、配線721より供給されるコンフィギュレーションデータに応じた電位をノードFDに保持し、トランジスタ702の導通状態または非導通状態を制御する。なお、図16に示すタイミングチャートは、トランジスタ702がnチャネル型である場合を例示している。
組720bでは、インバータ780及びインバータ781により、ノードFDの電位が保持される。一方、組720aでは、OS膜が用いられたトランジスタ701のオフ電流が極めて小さいことにより、ノードFDの電位が保持される。よって、組720aでは、トランジスタ701が非導通状態にあるとき、ノードFDが、他の電極や配線との間における絶縁性の極めて高い浮遊電極となる。そのため、組720bよりも組720aの方が、少ない数のトランジスタで、ノードFDの電位を保持することが可能である。
また、組720aでは、ノードFDが浮遊状態になることから、以下に述べるブースティング効果が期待できる。すなわち、組720aでは、ノードFDが浮遊状態にあると、信号INの電位がローレベルからハイレベルに変化するのに伴い、トランジスタ702の有する各種容量により、ノードFDの電位が上昇する。そして、組720aに書き込まれたコンフィギュレーションデータが”0”の場合、トランジスタ702は弱反転モードにあるため、ノードFDの電位の上昇にはソースとゲートの間に形成される容量Cgsが寄与する。一方、組720aに書き込まれたコンフィギュレーションデータが”1”の場合、トランジスタ702は強反転モードにあるため、ノードFDの電位の上昇には、容量Cgsに加えて、チャネル形成領域とゲートの間に形成される容量Coxが寄与する。したがって、コンフィギュレーションデータが”1”の場合、ノードFDの電位の上昇に寄与するトランジスタ702の容量が、コンフィギュレーションデータが”0”の場合よりも大きいこととなる。よって、組720aでは、コンフィギュレーションデータが”1”の場合の方が、コンフィギュレーションデータが”0”の場合よりも、信号INの電位の変化に伴い、ノードFDの電位をより高く上昇させるというブースティング効果を得ることができる。上述したブースティング効果により、組720aのスイッチ速度は、コンフィギュレーションデータが”1”の場合に向上し、コンフィギュレーションデータが”0”の場合には、トランジスタ702は非導通状態となる。
一般的なPLDの配線リソースに含まれるスイッチには、集積密度の向上を図るためにnチャネル型トランジスタが用いられている。しかし、上記スイッチでは、閾値電圧に起因してnチャネル型トランジスタのゲートを通過する信号の電位が降下することにより生じる、スイッチ速度の低下が課題である。スイッチ速度の向上を目的として、nチャネル型トランジスタのゲートに高い電位を印加するオーバードライブ駆動を用いた方法も提案されているが、この場合、スイッチに用いられるnチャネル型トランジスタの信頼性を落とす恐れがある。しかし、本発明の一態様では、上述したブースティング効果により、オーバードライブ駆動を用いなくとも、組720aのスイッチ速度を、コンフィギュレーションデータが”1”の場合に向上させることができるので、スイッチ速度を向上させるために信頼性を犠牲にする必要がない。
なお、組720bの場合でも、ブースティング効果によりノードFDの電位は上昇するが、インバータ780及びインバータ781により、ノードFDの電位は瞬時に元の電位に戻る。そのため、ブースティング効果によるスイッチ速度の向上の恩恵を受けることができない。
また、文献1(K.C.Chun, P.Jain, J.H.Lee, and C.H.Kim,”A 3T Gain Cell Embedded DRAM Utilizing Preferential Boosting for High Density and Low Power On−Die Caches”IEEE Journal of Solid−State Circuits, vol.46, no.6, pp.1495−1505, June. 2011)、文献2(F. Eslami and M. Sima,”Capacitive Boosting for FPGA Interconnection Networks” Int. Conf. on Field Programmable Logic and Applications, 2011, pp. 453−458.)とは異なり、組720aでは更なる効果が期待できる。
文献1の回路構成は、DRAMのデータ保持時間と読み出し速度の向上を目的としているので、メモリセルの数が多く、、メモリセルの出力に接続されている読み出し用のビット線(RBL)が、高い寄生容量を有することとなる。一方、組720aでは、信号OUTがCMOSのゲートに供給されるので、組720aの出力側の寄生容量は文献1の場合に比べて小さい。そのため、トランジスタ702の容量CgsによるノードFDの電位の上昇に伴い、さらに、ドレインとゲートの間に形成される容量Cgdによって、信号OUTの電位を上昇させるという副次的なブースティング効果も得られる。すなわち、組720aを配線間の接続を制御するスイッチ回路として用いる際には、上述した副次的なブースティング効果により、更なるスイッチ速度の向上が得られる。また、組720aの場合、文献2の場合に比べて、少ない数のトランジスタで、上昇したノードFDの電位を保持することが可能である。
上述したブースティング効果の検証を行うため、各段の出力に組720aもしくは、組720bを配置した、101段のリングオシレータ(RO)回路のTEGを2種類作成し、発振周波数から組720aまたは組720bの遅延時間を評価した。なお、RO回路のTEGを構成するインバータのnチャネル型トランジスタとpチャネル型トランジスタのチャネル幅Wは、それぞれ16μm、32μmとした。また、組720a及び組720bが有するトランジスタ702のチャネル幅Wは16μm、組720aが有するトランジスタ701のチャネル幅Wは4μm、組720bが有するトランジスタ701のチャネル幅Wは8μmとした。また、組720bのインバータ780及びインバータ781が有するnチャネル型トランジスタとpチャネル型トランジスタのチャネル幅Wは、それぞれ4μm、8μmとした。また、シリコン膜を用いたnチャネル型トランジスタ及びpチャネル型トランジスタは、全てチャネル長Lを0.5μmとした。また、組720aのトランジスタ701は、In−Ga−Zn系酸化物を含むCAAC−OS膜を用い、そのチャネル長Lは1μmとした。そして、トランジスタ701は、シリコン膜を用いたトランジスタ上に積層した。
次いで、RO回路のTEGにおける電源電圧(VDDRO)と、組720bのインバータ780及びインバータ781の電源電圧(VDDMEM)との差をオーバードライブ電圧(Overdrive Voltage)とし、オーバードライブ電圧に対するRO1段当たりの遅延時間を測定した。なお、配線722及び配線721に供給されるハイレベルの電位とローレベルの電位の電位差は、VDDMEMに相当する。
図17に、遅延時間の測定結果を示す。図17では、横軸がオーバードライブ電圧(mV)、縦軸がRO1段当たりの遅延時間を示す。なお、図17では、縦軸の遅延時間を、VDDROが2.00V、オーバードライブ電圧が0Vの時の遅延時間の測定値との相対値で示す。また、図17では、VDDROが2.00Vのときの遅延時間を実線で、2.25Vのときの遅延時間を一点鎖線で、2.50Vのときの遅延時間を鎖線で示す。
図17に示すように、組720aを付加したRO回路の方が、組720bを付加したRO回路よりも遅延時間が短く、遅延時間は組720aと組720bの構成によって異なることが確認された。
また、図17に示すように、組720bについては、オーバードライブ電圧を高めることによってスイッチ速度が向上するオーバードライブ効果が、VDDROが低いほど顕著であることが示唆された。しかし、組720bでは、VDDROの0.2倍以上のオーバードライブ電圧が供給されても、組720aのスイッチ速度には及ばなかった。なお、組720aでは、コンフィギュレーションデータが書き込まれる際に、トランジスタ701の閾値電圧に起因してノードFDの電位が降下するため、ノードFDの電位はVDDMEMよりも低くなる。それにもかかわらず、オーバードライブ電圧を供給しない組720aでは、オーバードライブ電圧を供給した組720bよりも、スイッチ速度が高いという結果が得られたことは、注目に値する。
また、オーバードライブ電圧が同じときに、組720aを付加したRO回路の方が、組720bを付加したRO回路よりも、消費電力が小さいことが確認された。
さらに、上記RO回路のTEGに対応したSPICEシミュレーションより、組720aを付加したRO回路において、信号INの電位の上昇に伴う、ノードFDの電位の上昇について検証した。シミュレーションでは、VDDROが2.5Vとした。シミュレーションの結果、信号INの電位の上昇に伴い、コンフィギュレーションデータが”1”の場合は0.75V、”0”の場合は0.07V、ノードFDの電位が上昇することが確認された。
よって、組720aを有する半導体装置では、オーバードライブ電圧を用いずに、単一の電源電圧を用いた場合でも、消費電力低減、スイッチ速度向上といった、高い性能を得られることが示された。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
30 LUT
31 マルチプレクサ
32 マルチプレクサ
33 マルチプレクサ
34 マルチプレクサ
35 マルチプレクサ
36 マルチプレクサ
37 マルチプレクサ
40 LUT
41 マルチプレクサ
42 マルチプレクサ
43 マルチプレクサ
44 OR回路
51 トランジスタ
52 インバータ
53 インバータ
54 インバータ
60 スイッチ
61a 第1のトランジスタ
61b 第1のトランジスタ
61c 第1のトランジスタ
62a 第2のトランジスタ
62b 第2のトランジスタ
62c 第2のトランジスタ
63_1 配線
63_2 配線
64_1a 配線
64_1b 配線
64_1c 配線
64_2a 配線
64_2b 配線
64_2c 配線
65a 配線
65b 配線
65c 配線
65_1a 配線
65_1b 配線
65_1c 配線
65_2a 配線
65_2b 配線
65_2c 配線
66a 容量素子
66b 容量素子
66c 容量素子
101 ロジックアレイ
102 プログラマブルロジックエレメント
103a 水平な配線群
103b 垂直な配線群
104 スイッチボックス
105 出力端子
106 スイッチ群
110 配線
111 配線
112 スイッチ
113 スイッチ
114 スイッチ
115 スイッチ
116 スイッチ
117 スイッチ
200 スイッチ
201a 第1のトランジスタ
201b 第1のトランジスタ
201c 第1のトランジスタ
202a 第2のトランジスタ
202b 第2のトランジスタ
202c 第2のトランジスタ
203a ノード
203b ノード
203c ノード
204a 容量素子
204b 容量素子
204c 容量素子
205a 配線
205b 配線
205c 配線
206a 配線
206b 配線
206c 配線
207 配線
210 配線
211 配線
212 プログラマブルロジックエレメント
213 ルックアップテーブル
214 フリップフロップ
215 AND回路
216 配線
217 配線
218 プログラマブルロジックエレメント
219 ルックアップテーブル
220 フリップフロップ
221 AND回路
230 組
231 組
232 組
300 スイッチ
301a 第1のトランジスタ
301b 第1のトランジスタ
301c 第1のトランジスタ
302a 第2のトランジスタ
302b 第2のトランジスタ
302c 第2のトランジスタ
303a ノード
303b ノード
303c ノード
304a 容量素子
304b 容量素子
304c 容量素子
305a 配線
305b 配線
305c 配線
306a 配線
306b 配線
306c 配線
307 配線
310 配線
311 配線
312 プログラマブルロジックエレメント
313 ルックアップテーブル
314 フリップフロップ
315 AND回路
316 配線
317 配線
318 プログラマブルロジックエレメント
319 ルックアップテーブル
320 フリップフロップ
321 AND回路
330 組
331 組
332 組
400 スイッチ
401a 第1のトランジスタ
401b 第1のトランジスタ
401n 第1のトランジスタ
402a 第2のトランジスタ
402b 第2のトランジスタ
402n 第2のトランジスタ
403a ノード
403b ノード
403n ノード
404a 容量素子
404b 容量素子
404n 容量素子
405a 配線
405b 配線
405n 配線
406a 配線
406b 配線
406n 配線
407 配線
410 配線
411 配線
412 プログラマブルロジックエレメント
413 ルックアップテーブル
414 フリップフロップ
415 AND回路
418 プログラマブルロジックエレメント
419 ルックアップテーブル
420 フリップフロップ
421 AND回路
430 組
431 組
432 組
500 スイッチ
501a 第1のトランジスタ
501b 第1のトランジスタ
502a 第2のトランジスタ
502b 第2のトランジスタ
503a ノード
503b ノード
504a 容量素子
504b 容量素子
505a 配線
505b 配線
506a 配線
506b 配線
507 配線
510 配線
511 配線
512 プログラマブルロジックエレメント
513 ルックアップテーブル
514 フリップフロップ
515 AND回路
518 プログラマブルロジックエレメント
519 ルックアップテーブル
520 フリップフロップ
521 AND回路
530 組
531 組
540 トランジスタ
600 スイッチ
601a 第1のトランジスタ
601b 第1のトランジスタ
601c 第1のトランジスタ
602a 第2のトランジスタ
602b 第2のトランジスタ
602c 第2のトランジスタ
603a ノード
603b ノード
603c ノード
605a 配線
605b 配線
605c 配線
606a 配線
606b 配線
606c 配線
607 配線
608a 第3のトランジスタ
608b 第3のトランジスタ
608c 第3のトランジスタ
610 配線
611 配線
612 プログラマブルロジックエレメント
613 ルックアップテーブル
614 フリップフロップ
615 AND回路
616 配線
617 配線
618 プログラマブルロジックエレメント
619 ルックアップテーブル
620 フリップフロップ
621 AND回路
630 組
631 組
632 組
701 トランジスタ
702 トランジスタ
720a 組
720b 組
721 配線
722 配線
780 インバータ
781 インバータ
900 基板
901 第2のトランジスタ
902 第1のトランジスタ
903 容量素子
904 ウェル
905 STI
906 不純物領域
907 ゲート絶縁膜
908 ゲート電極層
909 サイドウォール絶縁膜
910 絶縁膜
911 絶縁膜
912 絶縁膜
913 コンタクトプラグ
914 配線層
915 コンタクトプラグ
916 配線層
917 コンタクトプラグ
918 配線層
919 絶縁膜
920 絶縁膜
921 コンタクトプラグ
922 配線層
923 バックゲート電極層
924 絶縁膜
925 コンタクトプラグ
926 酸化物半導体膜
927 ソース電極層
928 ドレイン電極層
929 ゲート絶縁膜
930 ゲート電極層
931 上部電極層
932 絶縁膜
933 絶縁膜
934 絶縁膜
935 コンタクトプラグ
936 配線層
937 保護絶縁膜
5001 筐体
5002 筐体
5003 表示部
5004 表示部
5005 マイクロホン
5006 スピーカ
5007 操作キー
5008 スタイラス
5101 車体
5102 車輪
5103 ダッシュボード
5104 ライト
5301 筐体
5302 冷蔵室用扉
5303 冷凍室用扉
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5601 筐体
5602 筐体
5603 表示部
5604 表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5801 筐体
5802 筐体
5803 表示部
5804 操作キー
5805 レンズ
5806 接続部
IN1 入力端子
IN2 入力端子
IN3 入力端子
A1 制御端子
A2 入力端子
A3 入力端子
A4 入力端子
A5 入力端子
A6 制御端子
A7 入力端子
A8 入力端子
OUT 出力端子

Claims (3)

  1. アレイ状の複数のプログラマブルロジックエレメントと、
    前記プログラマブルロジックエレメント間の電気的接続を選択するスイッチと、を有し、
    前記スイッチは、
    チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタがオフ状態となることでフローティングとなるノードと、
    前記ノードに格納されたコンフィギュレーションデータに基づいてソースとドレイン間の導通状態が決定される第2のトランジスタと、を有する組を複数有し、
    前記組がそれぞれ有する第2のトランジスタは、電気的に並列接続され、
    前記組のいずれか一を選択することにより、前記スイッチの導通状態が設定され、前記プログラマブルロジックエレメント間の電気的接続が設定されることを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。
  2. 請求項1において、
    前記組の複数はそれぞれ、
    前記第1のトランジスタのゲートは第1の配線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は第2の配線と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第2のトランジスタのゲート及び容量素子の一対の電極のうち一方と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記スイッチの入力端子と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記スイッチの出力端子と電気的に接続され、
    前記容量素子の一対の電極のうち他方は第3の配線と電気的に接続されていることを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。
  3. 請求項1又は2において、
    前記プログラマブルロジックエレメントは、出力端子にイネーブル信号を入力する回路を有することを特徴とするプログラマブルロジックデバイス。
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WO (1) WO2013164958A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015156640A (ja) * 2014-01-17 2015-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置およびその駆動方法
KR20150105261A (ko) * 2014-03-06 2015-09-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2015180056A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015188213A (ja) * 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及びその駆動方法
JP2015188211A (ja) * 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP2015188210A (ja) * 2014-03-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016054475A (ja) * 2014-04-25 2016-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016115387A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、記憶装置及び電子機器
US9378776B2 (en) 2014-02-21 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9438207B2 (en) 2014-10-17 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP2017085565A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品および電子機器
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
JP2020010388A (ja) * 2014-03-07 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9654107B2 (en) 2012-04-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable LSI
KR102059218B1 (ko) 2012-05-25 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
JP6250955B2 (ja) * 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
KR102107591B1 (ko) * 2012-07-18 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자 및 프로그래머블 로직 디바이스
KR102102589B1 (ko) * 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
JP6254834B2 (ja) 2012-12-06 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
TWI621337B (zh) * 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
US9172369B2 (en) 2013-05-17 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
JP6352070B2 (ja) * 2013-07-05 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP6426437B2 (ja) * 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6541360B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9842842B2 (en) * 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI688211B (zh) 2015-01-29 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、電子組件及電子裝置
US9954531B2 (en) 2015-03-03 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
WO2017081591A1 (en) 2015-11-13 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR20170061602A (ko) * 2015-11-26 2017-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6917168B2 (ja) 2016-04-01 2021-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
DE102016107311B3 (de) * 2016-04-20 2017-08-31 Infineon Technologies Ag Elektronische schaltung mit halbleitervorrichtung mit transistorzelleinheiten mit verschiedenen schwellspannungen
CN106054675B (zh) * 2016-06-02 2018-09-04 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电器的语音控制方法、语音控制装置和电器
JP6962731B2 (ja) 2016-07-29 2021-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示システム及び電子機器
KR102420735B1 (ko) 2016-08-19 2022-07-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 전원 제어 방법
WO2018069787A1 (en) 2016-10-14 2018-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, broadcasting system, and electronic device
US10320390B1 (en) 2016-11-17 2019-06-11 X Development Llc Field programmable gate array including coupled lookup tables
CN110164861B (zh) * 2018-02-14 2023-04-18 成真股份有限公司 现场可编程闸极阵列集成电路芯片
KR102051850B1 (ko) * 2018-04-26 2019-12-04 한국타이어앤테크놀로지주식회사 불규칙 마모 억제 타이어
JP7037528B2 (ja) * 2019-09-12 2022-03-16 株式会社東芝 集積回路およびそのテスト方法ならびに電子機器
CN112073062B (zh) * 2020-07-29 2024-05-24 南京航空航天大学 一种基于fpga开关矩阵的可编程环形振荡器及puf结构
KR20220036139A (ko) * 2020-09-15 2022-03-22 삼성전자주식회사 유전체 박막, 이를 포함하는 집적 소자, 및 상기 유전체 박막의 제조방법
JP7364635B2 (ja) 2021-09-27 2023-10-18 矢崎総業株式会社 端子挿入方法及び端子挿入装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10173516A (ja) * 1996-01-17 1998-06-26 Hewlett Packard Co <Hp> Fpgaにおいてプログラム可能スイッチ素子の複数の構成設定間で時間多重化するためのメモリシステム
JP2002374165A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置および製造方法
JP2005323399A (ja) * 2005-07-11 2005-11-17 Fuji Xerox Co Ltd プログラマブル論理回路装置、情報処理システム、プログラマブル論理回路装置への回路の再構成方法、プログラマブル論理回路装置用の回路情報の圧縮方法。
JP2011129900A (ja) * 2009-11-20 2011-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011172214A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE34363E (en) * 1984-03-12 1993-08-31 Xilinx, Inc. Configurable electrical circuit having configurable logic elements and configurable interconnects
US4870302A (en) 1984-03-12 1989-09-26 Xilinx, Inc. Configurable electrical circuit having configurable logic elements and configurable interconnects
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
US4609986A (en) 1984-06-14 1986-09-02 Altera Corporation Programmable logic array device using EPROM technology
US4642487A (en) 1984-09-26 1987-02-10 Xilinx, Inc. Special interconnect for configurable logic array
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4103968B2 (ja) 1996-09-18 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
JP3106998B2 (ja) * 1997-04-11 2000-11-06 日本電気株式会社 メモリ付加型プログラマブルロジックlsi
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7088606B2 (en) 2004-03-10 2006-08-08 Altera Corporation Dynamic RAM storage techniques
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
AU2005302962B2 (en) 2004-11-10 2009-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7872259B2 (en) 2004-11-10 2011-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
TW200617703A (en) 2004-11-30 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd Dynamically reconfigurable processor
EP1836601A2 (en) 2004-11-30 2007-09-26 Tokyo Electron Limited Dynamically reconfigurable processor
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
US7277351B2 (en) 2005-11-17 2007-10-02 Altera Corporation Programmable logic device memory elements with elevated power supply levels
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
US7486111B2 (en) 2006-03-08 2009-02-03 Tier Logic, Inc. Programmable logic devices comprising time multiplexed programmable interconnect
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US7629812B2 (en) * 2007-08-03 2009-12-08 Dsm Solutions, Inc. Switching circuits and methods for programmable logic devices
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US9946667B2 (en) 2008-11-12 2018-04-17 Microchip Technology Incorporated Microcontroller with configurable logic array
JP5781720B2 (ja) 2008-12-15 2015-09-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR102281043B1 (ko) 2009-10-29 2021-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101899880B1 (ko) * 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 lsi
CN107316865B (zh) 2011-05-16 2021-02-02 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置
TWI571058B (zh) 2011-05-18 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置與驅動半導體裝置之方法
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9762246B2 (en) 2011-05-20 2017-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with a storage circuit having an oxide semiconductor
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9654107B2 (en) 2012-04-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable LSI
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10173516A (ja) * 1996-01-17 1998-06-26 Hewlett Packard Co <Hp> Fpgaにおいてプログラム可能スイッチ素子の複数の構成設定間で時間多重化するためのメモリシステム
JP2002374165A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置および製造方法
JP2005323399A (ja) * 2005-07-11 2005-11-17 Fuji Xerox Co Ltd プログラマブル論理回路装置、情報処理システム、プログラマブル論理回路装置への回路の再構成方法、プログラマブル論理回路装置用の回路情報の圧縮方法。
JP2011129900A (ja) * 2009-11-20 2011-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011172214A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015156640A (ja) * 2014-01-17 2015-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置およびその駆動方法
JP2020010354A (ja) * 2014-01-17 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
US9378776B2 (en) 2014-02-21 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP2015180056A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150105261A (ko) * 2014-03-06 2015-09-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102470104B1 (ko) * 2014-03-06 2022-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2015188206A (ja) * 2014-03-06 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015188210A (ja) * 2014-03-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020010388A (ja) * 2014-03-07 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015188211A (ja) * 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
US9509314B2 (en) 2014-03-13 2016-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for operating programmable logic device
US9385720B2 (en) 2014-03-13 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9722615B2 (en) 2014-03-13 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for operating programmable logic device
JP2015188213A (ja) * 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及びその駆動方法
JP2016054475A (ja) * 2014-04-25 2016-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9438207B2 (en) 2014-10-17 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9917572B2 (en) 2014-10-17 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP2016115387A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、記憶装置及び電子機器
JP2017085565A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20150171865A1 (en) 2015-06-18
SG11201505224PA (en) 2015-08-28
TW201403760A (zh) 2014-01-16
JP6161387B2 (ja) 2017-07-12
US20130293263A1 (en) 2013-11-07
DE112013002281T5 (de) 2015-03-05
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