JP2013191867A - 有機導体および半導体と架橋したポリマーからなる中間バッファー層とを備えた電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性のドープされたポリマーと有機半導体層との間に少なくとも1つの架橋可能なポリマーバッファー層、好ましくはカチオン架橋可能なポリマーバッファー層を挿入することにより、さらに架橋が熱的に誘起されるバッファー層により、特に良好な特性が得られる。代わりに、フォトアシッドを添加することにより、架橋を放射により誘起することができる。さらに、このようなバッファー層は、印刷法、特にインクジェット印刷により好都合に塗布することができる。熱処理のための理想的な温度が材料のガラス転移温度から独立しているからである。次の層(有機半導体層)も異なる印刷法、特にインクジェット印刷により塗布することができる。バッファー層が架橋プロセスにより不溶にされ、このため、その後にバッファー層が溶解するのを防止するからである。
【選択図】なし
Description
(2)電極、しばしば金属または無機であるが有機またはポリマーの導電材料でもよい (3)電荷注入層、または電極の凹凸を平坦にするための中間層(「平坦化層」)、しばしば導電性のドープされたポリマーからなる
(4)有機半導体
(5)任意に絶縁層
(6)第2の電極、(2)で言及した材料
(7)回路
(8)封止材。
1)電子リッチなオレフィン誘導体、
2)ヘテロ原子またはヘテロ基を有するヘテロ核多重結合および
3)カチオン開環重合により反応するヘテロ原子(たとえば、O、S、N、P、Siなど)を含む環である。
R1はそれぞれの場合に、同一または異なり、水素、1個から20個のC原子を有する直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、4個から24個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族の環構造、または2個から10個のC原子を有するアルケニル基であり、これらにおいて、1以上の水素原子はハロゲンたとえばClおよびF、またはCNで置換されていてもよく、1以上の非隣接C原子は−O−、−S−、−CO−、−COO−または−O−CO−で置換されていてもよく;複数の基R1は互いにまたはR2、R3および/またはR4とともに単環式または多環式の脂肪族または芳香族の環構造を形成してもよく、
R2はそれぞれの場合に、同一または異なり、水素、1個から20個のC原子を有する直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、4個から24個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族の環構造、または2個から10個のC原子を有するアルケニル基であり、これらにおいて、1以上の水素原子はハロゲンたとえばClおよびF、またはCNで置換されていてもよく、1以上の非隣接C原子は、−O−、−S−、−CO−、−COO−または−O−CO−で置換されていてもよく;複数の基R2は互いにまたはR1、R3および/またはR4とともに単環式または多環式の脂肪族または芳香族の環構造を形成していてもよく、
Xはそれぞれの場合に、同一または異なり、−O−、−S−、−CO−、−COO−、−O−CO−または二価の基−(CR3R4)n−であり、
Zはそれぞれの場合に、同一または異なり、二価の基−(CR3R4)n−であり、
R3、R4はそれぞれの場合に、同一または異なり、水素、1個から20個のC原子を有する直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキルもしくはチオアルコキシ基、4個から24個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族の環構造、または2個から10個のC原子を有するアルケニル基であり、これらにおいて、1個以上の水素原子はハロゲンたとえばClもしくはF、またはCNで置換されていてもよく;2以上の基R3またはR4は互いにまたはR1もしくはR2とともに環構造を形成していてもよく、
nはそれぞれの場合に、同一または異なり、0ないし20、好ましくは1ないし10、特に1ないし6の整数であり;
ただし、式(I)または式(II)または式(III)のこれらの基の数は利用可能なすなわち置換可能なH原子の最大数によって制限される)。
例1:架橋可能なバッファー層の層厚
60nmの厚さを有する架橋可能なバッファー層Aの層(構造Aを有するポリマー)を、以下の層構造を有するデバイスにスピンコーティングにより塗布した:ガラス//150nmITO//80nmPEDOT(200℃で10分間アニーリングした)。続いて、デバイスを、180℃で1時間加熱した。PEDOTはポリチオフェン誘導体である(ゴスラーのH.C.StarckからのBaytron P4083)。デバイスをスピニングによりトルエンで洗浄し、得られた層厚を測定した。バッファー層について60nm(±2nm)の層厚が測定された。
60nmの厚さを有する架橋不能なバッファー層B(構造Bを有するポリマー)の層を、以下の層構造を有するデバイスにスピンコーティングにより塗布した:ガラス//150nmITO//80nmPEDOT(10分間200℃でアニーリングした)。続いて、デバイスを180℃で1時間加熱した。デバイスをスピニングによりトルエンで洗浄し、得られた層厚さを測定した。バッファー層について10nm(±1nm)の層厚が測定された。
80nmの青色発光ポリマーCを、60nmバッファー層Aを有するデバイスに、スピンコーティングにより塗布した。測定された全体(PEDOT+バッファー層+発光ポリマー)の層厚は、220nm(±4nm)であった。用いたカソードは、すべての場合に、アルドリッチからのBaおよびアルドリッチからのAgであった。PLEDを一般的に製造できる方法は、たとえば、WO04/037887およびその中に引用されている文献に詳細に記載されている。
80nmの青色発光ポリマーCを、60nmバッファー層B(トルエンでリンスしていない)を有するデバイスに、スピンコーティングにより塗布した。測定された全体(PEDOT+バッファー層+発光ポリマー)の層厚は、170nm(±3nm)であった。
80nmの青色発光ポリマーCを、ガラス//150nmITO//80nmPEDOT(200℃で10分間アニーリングした)からなるデバイスに、スピンコーティングにより塗布した。測定された全体(PEDOT+バッファー層+発光ポリマー)の層厚は、160nm(±3nm)であった。
Claims (21)
- カソードと、アノードと、少なくとも1層の導電性のドープされたポリマーと、少なくとも1層の有機半導体とを備えた有機電子デバイスであって、少なくとも1層の導電性または半導体性の架橋可能なポリマーバッファー層が、ドープされたポリマーと有機半導体との間に導入されていることを特徴とする有機電子デバイス。
- 有機またはポリマー発光ダイオード(OLED、PLED)、有機太陽電池(O−SC)、有機電界効果トランジスタ(O−FET)、有機薄膜トランジスタ(O−TFT)、有機集積回路(O−IC)、有機電界クエンチ素子(FQD)、有機光増幅器または有機レーザーダイオード(O−レーザー)であることを特徴とする請求項1記載の有機電子デバイス。
- 用いられる導電性のドープされたポリマーは、ポリチオフェンまたはポリアニリンの誘導体であり、ポリマーに結合した酸によりまたはオキシダントによりドーピングが行われることを特徴とする請求項1または2記載の有機電子デバイス。
- 有機半導体が少なくとも1つのポリマー化合物を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- ポリマー化合物が共役ポリマーであることを特徴とする請求項4記載の有機電子デバイス。
- 用いられる有機半導体が、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレン、ポリスピロビフルオレン、ポリジヒドロフェナントレン、ポリインデノフルオレン、最も広い意味でのポリ−p−フェニレン(PPP)をベースとする系、およびこれらの構造の誘導体の集合からの共役ポリマーである請求項5記載の有機電子デバイス。
- 前記有機半導体が印刷法により塗布されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- ポリマーの架橋可能なバッファー層が、架橋前に、50から500kg/molの範囲の分子量を有することを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記ポリマーの架橋可能なバッファー層が印刷法、特にインクジェット印刷により塗布されることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記ポリマーの架橋可能なバッファー層の層厚が1ないし300nmの範囲にあることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記バッファー層が共役ポリマーにより構築されていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記バッファー層の材料が、トリアリールアミン、チオフェンもしくはトリアリールホスフィンのポリマーまたはこれらの系の組み合わせであることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記バッファー層の材料が、トリアリールアミン、チオフェンおよび/またはトリアリールホスフィンの誘導体と、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレンおよび/またはインデノフルオレンとのコポリマーであることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記バッファー層がカチオン架橋可能であることを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 架橋可能な基が、電子リッチのオレフィン誘導体、ヘテロ原子またはヘテロ基を有するヘテロ核多重結合、またはカチオン開環重合により反応するヘテロ原子を含む環から選択されることを特徴とする請求項14記載の有機電子デバイス。
- 前記バッファー層の材料の少なくとも1つのH原子がカチオン開環重合により反応するヘテロ環化合物で置換されていることを特徴とする請求項15記載の有機電子デバイス。
- 前記バッファー層の材料の少なくとも1つのH原子が式(I)、式(II)または式(III)の基
R1はそれぞれの場合に、同一または異なり、水素、1個から20個のC原子を有する直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、4個から24個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族の環構造、または2個から10個のC原子を有するアルケニル基であり、これらにおいて、1以上の水素原子はハロゲンたとえばClおよびF、またはCNで置換されていてもよく、1以上の非隣接C原子は−O−、−S−、−CO−、−COO−または−O−CO−で置換されていてもよく;複数の基R1は互いにまたはR2、R3および/またはR4とともに単環式または多環式の脂肪族または芳香族の環構造を形成してもよく、
R2はそれぞれの場合に、同一または異なり、水素、1個から20個のC原子を有する直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル基、4個から24個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族の環構造、または2個から10個のC原子を有するアルケニル基であり、これらにおいて、1以上の水素原子はハロゲンたとえばClおよびF、またはCNで置換されていてもよく、1以上の非隣接C原子は、−O−、−S−、−CO−、−COO−または−O−CO−で置換されていてもよく;複数の基R2は互いにまたはR1、R3および/またはR4とともに単環式または多環式の脂肪族または芳香族の環構造を形成していてもよく、
Xはそれぞれの場合に、同一または異なり、−O−、−S−、−CO−、−COO−、−O−CO−または二価の基−(CR3R4)n−であり、
Zはそれぞれの場合に、同一または異なり、二価の基−(CR3R4)n−であり、
R3、R4はそれぞれの場合に、同一または異なり、水素、1個から20個のC原子を有する直鎖、分枝鎖もしくは環状のアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキルもしくはチオアルコキシ基、4個から24個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族の環構造、または2個から10個のC原子を有するアルケニル基であり、これらにおいて、1個以上の水素原子はハロゲンたとえばClもしくはF、またはCNで置換されていてもよく;2以上の基R3またはR4は互いにまたはR1もしくはR2とともに環構造を形成していてもよく、
nはそれぞれの場合に、同一または異なり、0ないし20、好ましくは1ないし10、特に1ないし6の整数であり;
ただし、式(I)または式(II)または式(III)のこれらの基の数は利用可能なすなわち置換可能なH原子の最大数によって制限される。)
によって置換されていることを特徴とする請求項16記載の有機電子デバイス。 - 前記バッファー層の架橋がフォトアシッドの添加によって開始されることを特徴とする請求項1ないし17のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記バッファー層の架橋がフォトアシッドの添加なしに熱処理により行われることを特徴とする請求項1ないし17のいずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記架橋が不活性雰囲気中において80から200℃の温度で0.1から60分の期間のあいだ行われることを特徴とする請求項19記載の有機電子デバイス。
- 請求項1ないし20の1以上で規定された、バッファー層の製造のための架橋可能なポリマーの使用方法。
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