JP5774571B2 - 光学装置 - Google Patents
光学装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5774571B2 JP5774571B2 JP2012242269A JP2012242269A JP5774571B2 JP 5774571 B2 JP5774571 B2 JP 5774571B2 JP 2012242269 A JP2012242269 A JP 2012242269A JP 2012242269 A JP2012242269 A JP 2012242269A JP 5774571 B2 JP5774571 B2 JP 5774571B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solvent
- semiconductor material
- polymer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims abstract description 11
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 11
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 128
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 18
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 claims description 18
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 16
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000007605 air drying Methods 0.000 claims description 8
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 125000000339 4-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 146
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 13
- -1 poly (phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- LCQBBRJXUBTPCQ-UHFFFAOYSA-N C1=CSC([S+]2N=C(C=CC=C3)C3=N2)=C1 Chemical group C1=CSC([S+]2N=C(C=CC=C3)C3=N2)=C1 LCQBBRJXUBTPCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229920001746 electroactive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 239000002650 laminated plastic Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005258 radioactive decay Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Eyeglasses (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基のない積層時に溶媒に溶解する第1の半導体材料を積層して、溶媒に少なくとも部分的に不溶な第1層を形成し、
溶媒中の溶液から第2の半導体材料を積層して、第1層に接触し第2の半導体材料を含む第2層を形成し、
第2層上に、第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成する。
ここで、Hetはヘテロアリールである。最も好ましくは、Hetは4−ピリジルである。
基板、
第1のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第1電極、
溶媒に不溶な第1の半導体ポリマーを含む20nm以下の厚さを有する第1層、
溶媒に溶解可能な第2の半導体ポリマーを含む第1層に接触する第2層、
第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極、
を含む装置。
プロトンを取得することができる半導体材料を積層することによって、導電性有機材料の上にこれに接して、第1層を形成する。ここで、半導体ポリマーは積層時に溶媒に溶解性を有し、
第1層に加熱、真空又は外気乾燥処理の1又は2以上の処理を施し、
第1層の上にこれと接触して、溶媒中の溶液から第2の半導体材料を積層することによって第2層を形成し、
第2層の上に、電子を注入又は取得することができる第2電極を形成する方法。
フルオレン繰返し単位を含む第1の半導体ポリマーを第1電極上に積層することによって第1層を形成する。ここで、第1の半導体ポリマーは架橋性ビニル又はエチニル基であり、積層時に溶媒に可溶性を有し、
第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基のない第1の半導体材料を積層することによって、溶媒に少なくとも部分的に不溶な第1層を形成し、
第1層に加熱処理を施し、
第1層に接触し、溶媒中の溶液から第2の半導体材料を積層することによって第2の半導体材料を含む第2層を形成し、及び
第2層上に、第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成する。
フルオレン繰返し単位を含む第1の半導体ポリマーを積層することによって第1の電極上に第1層を形成する。ここで、第1の半導体ポリマーは架橋性ビニル又はエチニル基を含まず、積層時に溶媒に可溶であり、
第1層に加熱、真空又は外気乾燥処理の1又は2以上を施し、
溶媒中の溶液から第2の半導体ポリマーを積層することにより、第1層に接触して第2の半導体ポリマーを含む第2層を形成し、
第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を第2層上に形成する。
本発明は、実施例を用いて、添付の図面を参照して、より詳細に記載される。
不溶性層4は、第1の半導体ポリマーの積層に続いて形成される。層は、積層時、完全に不溶性でも、部分的に不溶性でもよい。第1の層が部分的にのみ不溶性である場合、層中の不溶性フラクションは、積層時、層を加熱することによって増大してもよい。任意の可溶性の第1の半導体ポリマーは、完全に不溶性の層にしておくため、適切な溶媒中でリンスすることにより、層から除去されうる。
本発明は、第1の半導体ポリマーとして、下記に示すWO99/54385に開示されるポリマーF8−TFBを使用して具体化される。
白色光を発光できる装置を提供するために、Applied Physics Letters 80(19),3470−3472,2002に記載されるように、例1(青色ポリマー)の装置の基板の外表面にダウンコンバータ粒子が付着された。
Claims (34)
- 次の各工程を含む光学装置の形成方法であって、
第1のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第1電極を含む基板を提供し、
第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基がなく、積層時に第1の溶媒に可溶性である第1の半導体材料を第1の溶媒中の溶液から積層して、第1層を形成し、
第2層の形成前に第1層を加熱し、ここで第1層は第1の半導体材料のガラス転移温度より高い温度で加熱されて、第2の半導体材料の第2層を第1の溶媒中の溶液から形成できるように、第1の溶媒に対して不溶性に変えられ、
第1の溶媒中の溶液から第2の半導体材料を積層して、第1層に接触し第2の半導体材料から構成される第2層を形成し、
第2層上に、第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成し、
ここで、第1及び第2の半導体材料の少なくとも1つが、ポリビニルカルバゾール(PVK)または式(I)の置換されていてもよい繰返し単位を含むポリフルオレンであり、
ここで、R及びR'は、水素、又は置換されていてもよいアルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリール及びヘテロアリールアルキルから独立して選ばれ、並びにR及びR'の少なくとも1つは水素ではない、
ことを特徴とする光学装置の形成方法。 - 第2層を形成する前に、第1の半導体材料が溶解する洗浄溶媒で第1層を洗浄する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 第1の溶媒が芳香族炭化水素である請求項1または2に記載の方法。
- 第1の溶媒がアルキレートベンゼンである請求項3に記載の方法。
- 第1の溶媒がトルエン又はキシレンである請求項4に記載の方法。
- R及びR'の少なくとも1つは置換されていてもよいC4−C20アルキル基を含む請求項1ないし5のいずれかに記載の方法。
- 第1の半導体材料がトリアリールアミン繰返し単位を含む請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。
- トリアリールアミン繰返し単位が式1〜6の置換されていてもよい繰返し単位から選ばれ、
ここで、X,Y,A,B,C及びDは、H又は置換基から独立に選ばれる請求項7に記載の方法。 - X,Y,A,B,C及びDの1または2以上は、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリール及びアリールアルキル基からなる群から独立して選ばれる請求項8に記載の方法。
- トリアリールアミン繰返し単位が式7の置換されていてもよい繰返し単位である、
ここで、Hetはヘテロアリールである、
請求項7に記載の方法。 - Hetが4-ピリジルである、請求項10に記載の方法。
- 第1の半導体材料が、1:1の請求項1に規定されるフルオレン繰返し単位と請求項8ないし11のいずれかに規定されるトリアリールアミン繰返し単位との規則的な交互共重合体を含む請求項1ないし11のいずれかに記載の方法。
- 導電性有機材料の層が第1電極と第1層の間に設けられる請求項1ないし12のいずれかに記載の方法。
- 導電性有機材料の層がPEDT/PSSである、請求項13に記載の方法。
- 第1層が20nm以下の厚さを有する請求項1ないし14のいずれかに記載の方法。
- 第1層が3〜10nmの範囲の厚さを有する請求項15に記載の方法。
- 第2の半導体材料が複数の領域を含み、正孔輸送領域、電子輸送領域及び発光領域のうち少なくとも2つを含む、請求項1ないし16のいずれかに記載の方法。
- 第2の半導体材料が正孔輸送領域、電子輸送領域及び発光領域を含む、請求項17に記載の方法。
- 次の各工程を含む光学装置の形成方法であって、
第1のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第1電極を含む基板を提供し、
第1電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基がなく、積層時に第1の溶媒に可溶性である第1の半導体材料を第1の溶媒中の溶液から積層して、第1の半導体材料から構成される第1層を形成し、
第1層を加熱乾燥処理、真空乾燥処理及び外気乾燥処理の1又は2以上に付し、第1層は、第2の半導体材料の第2層を第1の溶媒中の溶液から形成できるように、第1の溶媒に対して不溶性に変えられ、
第1の溶媒中の溶液から第2の半導体材料を積層して、第1層に接触し第2の半導体材料から構成される第2層を形成し、
第2層上に、第2のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第2電極を形成し、
ここで、第1層が20nm以下の厚さを有し、第1及び第2の半導体材料の少なくとも1つが、ポリビニルカルバゾール(PVK)または式(I)の置換されていてもよい繰返し単位を含むポリフルオレンであり、
ここで、R及びR'は、水素、又は置換されていてもよいアルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリール及びヘテロアリールアルキルから独立して選ばれ、並びにR及びR'の少なくとも1つは水素ではない、
ことを特徴とする光学装置の形成方法。 - 第2層を形成する前に、第1の半導体材料が溶解する洗浄溶媒で第1層を洗浄する工程を含む、請求項19に記載の方法。
- 第1の溶媒が芳香族炭化水素である請求項19または20に記載の方法。
- 第1の溶媒がアルキレートベンゼンである請求項21に記載の方法。
- 第1の溶媒がトルエン又はキシレンである請求項22に記載の方法。
- R及びR'の少なくとも1つは置換されていてもよいC4−C20アルキル基を含む請求項19ないし23のいずれかに記載の方法。
- 第1の半導体ポリマーがトリアリールアミン繰返し単位を含む請求項19ないし24のいずれかに記載の方法。
- トリアリールアミン繰返し単位が式1〜6の置換されていてもよい繰返し単位から選ばれ、
ここで、X,Y,A,B,C及びDは、H又は置換基から独立に選ばれる請求項25に記載の方法。 - X,Y,A,B,C及びDの1または2以上は、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリール及びアリールアルキル基からなる群から独立して選ばれる請求項26に記載の方法。
- トリアリールアミン繰返し単位が式7の置換されていてもよい繰返し単位である、
ここで、Hetはヘテロアリールである、
請求項25に記載の方法。 - Hetが4-ピリジルである、請求項28に記載の方法。
- 第1の半導体材料が、1:1の請求項19に規定されるフルオレン繰返し単位と請求項26ないし29のいずれかに規定されるトリアリールアミン繰返し単位との規則的な交互共重合体を含む、請求項19ないし29のいずれかに記載の方法。
- 導電性有機材料の層が第1電極と第1層の間に設けられる、請求項19ないし30のいずれかに記載の方法。
- 導電性有機材料の層がPEDT/PSSである、請求項31に記載の方法。
- 第1層が10nm以下の厚さを有する請求項19ないし32のいずれかに記載の方法。
- 第1層が3〜10nmの範囲の厚さを有する請求項33に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0220404.8A GB0220404D0 (en) | 2002-09-03 | 2002-09-03 | Optical device |
GB0220404.8 | 2002-09-03 | ||
US48050203P | 2003-06-20 | 2003-06-20 | |
US60/480,502 | 2003-06-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004533677A Division JP5247975B2 (ja) | 2002-09-03 | 2003-09-03 | 光学装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014220909A Division JP2015057785A (ja) | 2002-09-03 | 2014-10-30 | 光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013065564A JP2013065564A (ja) | 2013-04-11 |
JP5774571B2 true JP5774571B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=31980008
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004533677A Expired - Fee Related JP5247975B2 (ja) | 2002-09-03 | 2003-09-03 | 光学装置 |
JP2012242269A Expired - Fee Related JP5774571B2 (ja) | 2002-09-03 | 2012-11-02 | 光学装置 |
JP2014220909A Pending JP2015057785A (ja) | 2002-09-03 | 2014-10-30 | 光学装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004533677A Expired - Fee Related JP5247975B2 (ja) | 2002-09-03 | 2003-09-03 | 光学装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014220909A Pending JP2015057785A (ja) | 2002-09-03 | 2014-10-30 | 光学装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7531377B2 (ja) |
EP (1) | EP1537612B1 (ja) |
JP (3) | JP5247975B2 (ja) |
KR (1) | KR100694364B1 (ja) |
AT (1) | ATE468618T1 (ja) |
AU (1) | AU2003263360A1 (ja) |
DE (1) | DE60332638D1 (ja) |
HK (1) | HK1077921A1 (ja) |
WO (1) | WO2004023573A2 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE468618T1 (de) * | 2002-09-03 | 2010-06-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Verfahren zur herstellung eines optischen gerätes |
GB0306414D0 (en) * | 2003-03-20 | 2003-04-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymers,their preparations and uses |
DE10340711A1 (de) † | 2003-09-04 | 2005-04-07 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Elektronische Vorrichtung enthaltend organische Halbleiter |
US7652126B2 (en) * | 2003-10-07 | 2010-01-26 | General Electric Company | Monomers and polymers comprising conjugated groups and methods for making thereof |
GB0422391D0 (en) | 2004-10-08 | 2004-11-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Light emitting device |
US8173996B2 (en) | 2004-10-11 | 2012-05-08 | Cambridge Display Technology Limited | Polar semiconductor hole transporting material |
GB0423006D0 (en) | 2004-10-15 | 2004-11-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic transistor |
ITMI20050051A1 (it) * | 2005-01-18 | 2006-07-19 | Milano Politecnico | Fotodiodio organico di poli-9,9-diottil-fluorene |
GB2425654B (en) * | 2005-04-29 | 2010-03-17 | Seiko Epson Corp | A method of fabricating a heterojunction of organic semiconducting polymers |
GB0526185D0 (en) | 2005-12-22 | 2006-02-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic device |
GB2433509A (en) | 2005-12-22 | 2007-06-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Arylamine polymer |
GB2433833A (en) | 2005-12-28 | 2007-07-04 | Cdt Oxford Ltd | Micro-cavity OLED layer structure with transparent electrode |
GB2440934B (en) | 2006-04-28 | 2009-12-16 | Cdt Oxford Ltd | Opto-electrical polymers and devices |
GB2454890B (en) * | 2007-11-21 | 2010-08-25 | Limited Cambridge Display Technology | Light-emitting device and materials therefor |
GB0803950D0 (en) | 2008-03-03 | 2008-04-09 | Cambridge Display Technology O | Solvent for printing composition |
GB2461527B (en) * | 2008-07-01 | 2011-08-03 | Limited Cambridge Display Technology | Organic electronic device |
EP2311894A4 (en) * | 2008-08-07 | 2011-06-22 | Mitsubishi Chem Corp | POLYMER, MATERIAL FOR A LUMINESCENT LAYER, MATERIAL FOR AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ITEM, COMPOSITION FOR AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ITEM, OR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ITEM, SOLAR CELL ELEMENT, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC EL LIGHTING THEREWITH |
KR20120052356A (ko) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 고분자 발광 소자 |
US20110077373A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | General Electric Company | Polymer and optoelectronic device comprising the same |
US9373822B2 (en) | 2011-01-19 | 2016-06-21 | Joled Inc. | Method for producing organic light-emitting element, organic display panel, organic light-emitting device, method for forming functional layer, ink, substrate, organic light-emitting element, organic display device, and inkjet device |
JPWO2012098580A1 (ja) * | 2011-01-19 | 2014-06-09 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機発光装置、機能層の形成方法、インク、基板、有機発光素子、有機表示装置、および、インクジェット装置 |
JPWO2012098578A1 (ja) | 2011-01-19 | 2014-06-09 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機発光装置、機能層の形成方法、インク、基板、有機発光素子、有機表示装置、および、インクジェット装置 |
WO2012098576A1 (ja) * | 2011-01-19 | 2012-07-26 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機発光装置、機能層の形成方法、インク、基板、有機発光素子、有機表示装置、および、インクジェット装置 |
GB201108865D0 (en) * | 2011-05-26 | 2011-07-06 | Ct For Process Innovation The Ltd | Semiconductor compounds |
GB201108864D0 (en) | 2011-05-26 | 2011-07-06 | Ct For Process Innovation The Ltd | Transistors and methods of making them |
GB2524747B (en) * | 2014-03-31 | 2017-03-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Amine/fluorene copolymers and organic electronic devices comprising said copolymers |
JP6382781B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法および製造装置 |
KR102087511B1 (ko) | 2017-07-28 | 2020-03-10 | 주식회사 엘지화학 | 플루오렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
KR20240004364A (ko) | 2021-04-28 | 2024-01-11 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1182583A (en) | 1966-03-28 | 1970-02-25 | Secr Defence | Improvements in Teaching Devices |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
GB9215928D0 (en) | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Manufacture of electroluminescent devices |
US5723873A (en) * | 1994-03-03 | 1998-03-03 | Yang; Yang | Bilayer composite electrodes for diodes |
US5523555A (en) * | 1994-09-14 | 1996-06-04 | Cambridge Display Technology | Photodetector device having a semiconductive conjugated polymer |
GB9423692D0 (en) | 1994-11-23 | 1995-01-11 | Philips Electronics Uk Ltd | A photoresponsive device |
WO1997005184A1 (en) | 1995-07-28 | 1997-02-13 | The Dow Chemical Company | 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers |
JPH09148066A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Pioneer Electron Corp | 有機el素子 |
US5929194A (en) * | 1996-02-23 | 1999-07-27 | The Dow Chemical Company | Crosslinkable or chain extendable polyarylpolyamines and films thereof |
US5798170A (en) * | 1996-02-29 | 1998-08-25 | Uniax Corporation | Long operating life for polymer light-emitting diodes |
CN1130956C (zh) | 1996-07-29 | 2003-12-10 | 剑桥显示技术有限公司 | 具有电极保护的场致发光元件 |
US6255774B1 (en) | 1996-09-04 | 2001-07-03 | Cambridge Display Technology, Ltd. | Multilayer cathode for organic light-emitting device |
JPH1077467A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
KR100195175B1 (ko) | 1996-12-23 | 1999-06-15 | 손욱 | 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자 |
US6309763B1 (en) * | 1997-05-21 | 2001-10-30 | The Dow Chemical Company | Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom |
GB9718393D0 (en) | 1997-08-29 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent Device |
GB9718516D0 (en) | 1997-09-01 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices |
GB9805476D0 (en) * | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
KR100697861B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2007-03-22 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 전장 발광 디바이스들 |
GB2335884A (en) | 1998-04-02 | 1999-10-06 | Cambridge Display Tech Ltd | Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices |
JPH11307254A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
US6107452A (en) * | 1998-10-09 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Thermally and/or photochemically crosslinked electroactive polymers in the manufacture of opto-electronic devices |
US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
GB2346316B (en) | 1999-02-03 | 2002-08-07 | Richard Martin Massey | Food binder and holder |
EP1155096B1 (en) | 1999-02-04 | 2005-03-09 | Dow Global Technologies Inc. | Fluorene copolymers and devices made therefrom |
GB9903251D0 (en) | 1999-02-12 | 1999-04-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Opto-electric devices |
GB2347013A (en) | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
ATE370176T1 (de) | 1999-03-05 | 2007-09-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymerherstellung |
EP1083775B1 (en) * | 1999-03-29 | 2010-10-13 | Seiko Epson Corporation | Composition comprising an organic electroluminescent material |
WO2001019142A1 (en) | 1999-09-03 | 2001-03-15 | Uniax Corporation | Encapsulation of organic electronic devices |
JP3895077B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | 有機ledディスプレイの製造方法 |
TW468283B (en) | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
JP2001203081A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜el素子およびその製造方法 |
JP2001151868A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-05 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 機能性共重合高分子及びそれを使用した有機電界発光素子、光メモリ、正孔移動素子 |
EP1246860B1 (en) * | 2000-01-05 | 2004-12-15 | Cambridge Display Technology Limited | Polymers, their preparation and uses |
WO2001049768A2 (en) | 2000-01-05 | 2001-07-12 | Cambridge Display Technology Limited | Luminescent polymer |
GB0004541D0 (en) | 2000-02-25 | 2000-04-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Luminescent polymer |
JP2001284049A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 色変換膜及びそれを用いた発光装置 |
JP4796685B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2011-10-19 | ケミプロ化成株式会社 | 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子 |
KR100360308B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2002-11-18 | 한국화학연구원 | 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자 |
US6517958B1 (en) * | 2000-07-14 | 2003-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic-inorganic hybrid light emitting devices (HLED) |
JP2002203674A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-07-19 | Fuji Name Plate Kk | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2002215065A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-07-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2002208481A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Canon Inc | 有機発光素子およびその製造方法 |
JP3953776B2 (ja) | 2001-01-15 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 材料の吐出装置、及び吐出方法、カラーフィルタの製造装置及び製造方法、液晶装置の製造装置及び製造方法、el装置の製造装置及び製造方法 |
US7681032B2 (en) * | 2001-03-12 | 2010-03-16 | Portauthority Technologies Inc. | System and method for monitoring unauthorized transport of digital content |
JP2002324670A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法 |
US6649433B2 (en) * | 2001-06-26 | 2003-11-18 | Sigma Technologies International, Inc. | Self-healing flexible photonic composites for light sources |
GB0118258D0 (en) | 2001-07-26 | 2001-09-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrode compositions |
US7049757B2 (en) * | 2002-08-05 | 2006-05-23 | General Electric Company | Series connected OLED structure and fabrication method |
ATE468618T1 (de) * | 2002-09-03 | 2010-06-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Verfahren zur herstellung eines optischen gerätes |
JP5319732B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2013-10-16 | Eizo株式会社 | 光センサユニット及び画像表示装置。 |
-
2003
- 2003-09-03 AT AT03793923T patent/ATE468618T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-09-03 KR KR1020057003713A patent/KR100694364B1/ko active IP Right Grant
- 2003-09-03 EP EP03793923A patent/EP1537612B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-03 WO PCT/GB2003/003960 patent/WO2004023573A2/en active Application Filing
- 2003-09-03 JP JP2004533677A patent/JP5247975B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-03 US US10/526,804 patent/US7531377B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-03 AU AU2003263360A patent/AU2003263360A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-03 DE DE60332638T patent/DE60332638D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-07 HK HK05111167.9A patent/HK1077921A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-05-12 US US12/464,622 patent/US7989255B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-11-02 JP JP2012242269A patent/JP5774571B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-10-30 JP JP2014220909A patent/JP2015057785A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7989255B2 (en) | 2011-08-02 |
US20090227052A1 (en) | 2009-09-10 |
WO2004023573A2 (en) | 2004-03-18 |
DE60332638D1 (de) | 2010-07-01 |
JP2015057785A (ja) | 2015-03-26 |
JP5247975B2 (ja) | 2013-07-24 |
HK1077921A1 (en) | 2006-02-24 |
US20060154384A1 (en) | 2006-07-13 |
AU2003263360A8 (en) | 2004-03-29 |
US7531377B2 (en) | 2009-05-12 |
JP2005537628A (ja) | 2005-12-08 |
AU2003263360A1 (en) | 2004-03-29 |
KR100694364B1 (ko) | 2007-03-12 |
KR20050059166A (ko) | 2005-06-17 |
WO2004023573A3 (en) | 2004-09-16 |
EP1537612B1 (en) | 2010-05-19 |
JP2013065564A (ja) | 2013-04-11 |
ATE468618T1 (de) | 2010-06-15 |
EP1537612A2 (en) | 2005-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5774571B2 (ja) | 光学装置 | |
US7531831B2 (en) | Electroluminescent device comprising a cross-linked hole transporting and electron blocking material | |
JP2005537628A5 (ja) | ||
US9660212B2 (en) | Optical device comprising a charge transport layer of insoluble organic material and method for the production thereof | |
KR101657319B1 (ko) | 인쇄 조성물용 용매 | |
JP5355857B2 (ja) | 有機導体および半導体と架橋したポリマーからなる中間バッファー層とを備えた電子デバイス | |
JP2011018922A (ja) | 光学装置 | |
CN100583486C (zh) | 光学器件 | |
WO2006046186A1 (en) | Light-emitting diode with luminescent charge transport layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140701 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141001 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141205 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5774571 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |