JP2015057785A - 光学装置 - Google Patents

光学装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015057785A
JP2015057785A JP2014220909A JP2014220909A JP2015057785A JP 2015057785 A JP2015057785 A JP 2015057785A JP 2014220909 A JP2014220909 A JP 2014220909A JP 2014220909 A JP2014220909 A JP 2014220909A JP 2015057785 A JP2015057785 A JP 2015057785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
solvent
polymer
electrode
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014220909A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015057785A5 (ja
Inventor
アーチャー，ロバート
Archer Robert
ベインズ，ニコラス
Nicholas Baynes
バトラー，ティモシー
Butler Timothy
シーナ，サルバトーレ
Sena Salvatore
フォデン，クレア
Clare Foden
フォーシーズ，ダニエル
Forsythe Daniel
リードビーター，マーク
Mark Leadbeater
マーフィー，クレイグ
Craig Murphy
パテル，ナリンクマー
Nalinkumar Patel
フィリップス，ネイザン
Phillips Nathan
ロバーツ，マシュー
Roberts Matthew
ダガル，アニル，ラジュ
Anil Raj Dahal
リュウ，ジエ
Jie Liu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambridge Display Technology Ltd
Original Assignee
Cambridge Display Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GBGB0220404.8A external-priority patent/GB0220404D0/en
Application filed by Cambridge Display Technology Ltd filed Critical Cambridge Display Technology Ltd
Publication of JP2015057785A publication Critical patent/JP2015057785A/ja
Publication of JP2015057785A5 publication Critical patent/JP2015057785A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Eyeglasses (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】改良されたパフォーマンスを有する複数層のポリマー光学装置及び同装置を製造するための方法を提供する。
【解決手段】次の各工程を含む光学装置の形成方法。すなわち、第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極２を含む基板１を提供し、第１電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基のない積層時に溶媒に溶解する第１の半導体材料を積層することによって、溶媒に少なくとも部分的に不溶な第１層４を形成、溶媒中の溶液から第２半導体材料を積層して、第１層に接触し第２の半導体材料を含む第２層５を形成し、第２層上に、第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極６を形成し、ここで、第１の半導体材料の積層に続いて、第１層が加熱乾燥処理、真空乾燥処理及び外気乾燥処理の１又は２以上によって、少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置の形成方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、不溶性有機材料層を含む有機光学装置及びその製造方法に関する。
電気活性ポリマーは、ＷＯ９０／１３１４８に開示されるポリマー発光ダイオード（Ｐ
ＬＥＤｓ）、ＷＯ９６／１６４４９に開示される光起電装置及びＵＳ５５２３５５５に開
示される光検出器のような多くの光学装置にしばしば使用されている。
典型的なＰＬＥＤは、基板を含み、基板上にアノード、カソード及びアノードとカソー
ドの間に少なくとも１つのポリマー電子冷光放射性材料を含む有機電子冷光放射層が支持
される。操作においては、正孔がアノードを通して装置に注入され、電子はカソードを通
じて装置に注入される。正孔と電子は有機電子冷光放射層で結合して励起子を形成し、放
射性崩壊によって光を放出する。他の層もＰＬＥＤに存在することができる。例えば、ポ
リ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンサルファネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）
は、正孔をアノードから有機電子冷光放射層に注入するのを促進するためにアノードと有
機電子冷光放射層の間に供給される。
典型的なＰＬＥＤにおいては、例えば、ＷＯ９９／４８１６０に記載されるように、電
子冷光放射性材料は、正孔輸送ポリマー、電子輸送ポリマー及び発光ポリマーの混合を含
む単一層として供給される。他の方法として、単一のポリマーが、正孔輸送、電子輸送及
び発光の複数の機能を提供することができる。電子冷光放射ポリマーまたはポリマー（po
lymera）は、それらの積層を容易にするように、好ましくは一般的な有機溶媒に可溶性で
ある。溶解ポリマーのそのような種類の１つは、良好な薄膜形成能を有し、合成されたポ
リマーの各部の規則性を高レベルでコントロールすることを可能とするスズキ又はヤマモ
ト重合によって容易に形成されるポリフルオレンである。
しかしながら、例えば、電子又は正孔輸送、発光、光誘導電荷生成及び電荷遮断又は貯
蔵の各機能の最大化を達成するため、単一基板表面上に異なるポリマーの多層、すなわち
、ラミネートを成型するのが好ましい場合もある。さらに、ＰＥＤＴ／ＰＳＳは冷光放射
層に悪影響を及ぼすかもしれない。例えば、プロトン又はスルフォン酸基のＰＳＳから電
子冷光放射層への侵入によって、発光の消光をもたらす。したがって、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ
と電子冷光放射性層の間に保護層を供給することが好ましい。しかしながら、ポリマーラ
ミネートの準備は、最初の成型又はこれに続く層に使用される溶媒中への積層層（deposi
ted layers）の溶解性のために問題がある。
電子冷光放射ポリマー層は、溶解性ポリマー前駆体を積層し、次いで、不溶性の電子冷
光放射性層に化学的に変換させることにより形成される。例えば、ＷＯ９４／０３０３０
は、不溶性の電子冷光放射性ポリ（フェニレンビニレン）が溶解性の前駆体から形成され
、次いで、さらに他の層が溶液からこの不溶層上に積層される。しかしながら、化学的変
換プロセスは極端なプロセス上の条件及び最終製品のパフォーマンスを害しうる反応副生
成物を含む。したがって、一般的な有機溶媒に溶解する電子冷光放射性ポリマーが好まし
い。このような材料の例は、例えば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０００ １２（２３）１７
３７−１７５０に開示され、溶解性基を有するポリフルオレン、ポリフェニレン及びポリ
（アリーレンビニレン）のような完全に又は少なくとも部分的に共役された主鎖を有する
ポリマー、並びにポリ（ビニルカルバゾール）のような非共役主鎖を有するポリマーを含
む。
ＷＯ９８／０５１８７は、ポリ（ビニルピリジン）層をＰＥＤＴ／ＰＳＳに積層する工
程及びＰＰＶ前駆体をポリ（ビニルピリジン）層に積層する工程を含む複数層装置を形成
する方法を開示する。上述したように、この前駆体は半導体材料に変換するために厳しい
プロセス上の条件を要求する。
ＵＳ６１０７４５２は、末端ビニル基を含むオリゴマー含有フルオレンが溶液から積層
され、他の追加の層が積層される不溶性ポリマーを形成するために架橋される複数層の装
置を形成する方法を開示している。同様に、Ｋｉｍ ｅｔ ａｌ，Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ
Ｍｅｔａｌｓ １２２（２００１），３６３−３６８は、ポリマーの積層に続いて架橋さ
れるトリアリールアミン基及びエチニル基を含むポリマーを開示している。両者の例にお
けるポリマーの選択は複数のビニル又はエチニル部位が存在するという要求によって決ま
る。
ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４
（８），１２６３−１２６８，１９９７は、ポリ（ビニルカルバゾール）ＰＶＫ及びピリ
ジン含有共役ポリマーの２層の形成を開示している。ピリジン含有共役ポリマーを積層す
るための溶媒はＰＶＫの下層を溶解しないので、これは可能である。
Ｊ．Ｌｉｕ，Ｚ．Ｆ．Ｇｕｏ及びＹ．Ｙａｎｇ，Ｊ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ．９１，１５
９５−１６００，２００２は、半導体ポリマーを積層し、加熱し、次いで、同ポリマーの
他の層を積層することによって複数層の装置を形成することを開示している。
ＷＯ９９／４８１６０は、正孔輸送材料層がＰＥＤＴ／ＰＳＳと冷光放射性材料層との
間に供給されるＰＬＥＤｓを開示している。
国際公開９９／４８１６０号パンフレット 米国特許第６１０７４５２号明細書
ＰＬＥＤｓを含む複数層のポリマー光学装置の形成のために多くの努力がなされてきた
にもかかわらず、改良されたパフォーマンスを有する複数層のポリマー光学装置及び同装
置を製造するための方法を継続して提供する必要性が依然として存在する。
第１の側面において、本発明は次の工程を含む光学装置の形成方法を提供する。
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供
し、
第１電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基のない積層時に溶媒に溶解する第１の半
導体材料を積層して、溶媒に少なくとも部分的に不溶な第１層を形成し、
溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層して、第１層に接触し第２の半導体材料を含
む第２層を形成し、
第２層上に、第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極を形
成する。
ここで、第１層は、第１の半導体材料の積層後、熱、真空及び外気乾燥処理の１又は２
以上によって少なくとも部分的に不溶性にされる。
好ましくは、第１及び第２の半導体材料の少なくとも１つはポリマーである。より好ま
しくは、第１及び第２の半導体材料のどちらもポリマーである。
好ましくは、本発明の方法は、第２層の形成前に第１層を加熱する工程を含む。より好
ましくは、第１層は第１の半導体材料のガラス転移温度より高い温度で加熱される。
ここで使用される「外気乾燥処理」とは、熱又は真空を含まずに第１層から溶媒を蒸発
することを可能にする処理を意味する。特に、外気乾燥処理は外気環境、選択的に不活性
ガス流の存在において第１層から溶媒を蒸発させることを可能にする。
好ましくは、本発明の方法は、第２層の形成前に、第１の半導体材料が溶解する洗浄溶
媒を用いて第１層を洗浄する工程を含む。
好ましくは、第１層は溶媒中の溶液から積層される。
好ましくは、溶媒は、芳香族炭化水素であり、より好ましくはアルキレートベンゼン及
びより好ましくはトルエン又はキシレンである。
好ましくは、第１の半導体材料はビニル又はエチニル基以外の架橋基の無い半導体材料
である。
第１及び第２の半導体材料の一方又は両方がポリマーである場合、第１及び第２の半導
体ポリマーの繰り返し単位は少なくとも部分的に共役されたポリマー主鎖を形成するため
に隣接する繰返し単位に共役されることが好ましい。
このようなポリマーは好ましくは９−置換又は９，９'−二置換フルオレン−２，７−
ジイル繰返し単位、最も好ましくは選択的に置換された次式（Ｉ）の単位である。
Figure 2015057785
 ここで、Ｒ及びＲ'は水素又は選択的に置換されたアルキル、アルコキシ、アリール、
アリールアルキル、ヘテロアリール及びヘテロアリールアルキルから独立して選択され、
Ｒ及びＲ'の少なくとも１つは水素ではない。より好ましくは、Ｒ及びＲ'の少なくとも１
つは選択的に置換されたＣ4−Ｃ20アルキル基を含む。
本発明の方法によって作製される装置の第１の好ましい実施例においては、第１電極は
正孔を注入又は取得することが可能であり、第２電極は電子を注入又は取得することが可
能である。この実施例において、導電性有機材料層は好ましくは第１電極及び第１層の間
に供給される。導電性有機材料は、典型的には、荷電種、特に電荷バランスドープ剤を有
する帯電ポリマーを含む。導電性ポリマーの例は、電荷バランスポリ酸を有するＰＥＤＴ
又はポリアニリンの導電型である。好ましくは、導電性有機材料層はＰＥＤＴ／ＰＳＳで
ある。
この実施例において、第１の半導体材料は好ましくは正孔輸送材料、より好ましくはト
リアリールアミン繰返し単位を含むポリマーを含む。特に好ましいトリアリールアミン繰
返し単位は、式１−６で表される選択的に置換された繰返し単位から選ばれる。
Figure 2015057785
ここで、Ｘ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤは、Ｈ又は置換基から独立して選択される。より好
ましくは、１又は２以上のＸ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤはアルキル、アリール、ペルフルオ
ロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリール及
びアリールアルキル基である。
また、特に好ましいトリアリールアミン繰返し単位は式７の選択的に置換された繰返し
単位である。
ここで、Ｈｅｔはヘテロアリールである。最も好ましくは、Ｈｅｔは４−ピリジルであ
る。
Figure 2015057785
好ましくは、第１の半導体材料は、フルオレン繰返し単位とトリアリールアミン繰返し
単位の１：１の規則的な交互共重合体を含む。
本発明の方法により製造される装置の第２の好ましい実施態様において、第１電極は電
子を注入又は取得することができ、第２電極は正孔を注入又は取得することができる。こ
の実施態様において、第１の半導体材料は好ましくは電子輸送材料、好ましくは選択的に
置換された９，９−ジアルキルフルオレン−２，７−ジイルのホモポリマーを含む。
好ましくは、第１層は２０ｎｍ以下の厚さを有し、より好ましくは１０ｎｍ以下の厚さ
を有し、最も好ましくは３−１０ｎｍの範囲である。
好ましくは、第２の半導体ポリマーは複数の領域を含み、正孔輸送領域、電子輸送領域
及び発光領域の少なくとも２つ、より好ましくはこれら３つの領域を含む。
第２の側面において、本発明は、本発明の方法に従って作製される光学装置を提供する
。好ましくは、光学装置は電子冷光放射性装置であり、特に、青色発光電子冷光放射装置
である。青色発光電子冷光放射装置の一部は、白色発光電子冷光放射装置を提供するため
に青色光のダウンコンバート（downconvert）により赤色光及び緑色光を作ることができ
る蛍光体によってダウンコンバートされる。
本発明の方法は第１層が特に薄いポリマーラミネートの形成を可能にする。したがって
、第３の側面において、本発明は、次のものを順番に含む光学装置を提供する。
基板、
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極、
溶媒に不溶な第１の半導体ポリマーを含む２０ｎｍ以下の厚さを有する第１層、
溶媒に溶解可能な第２の半導体ポリマーを含む第１層に接触する第２層、
第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極、
を含む装置。
第４の側面において、本発明は次の各工程を含む光学装置の形成方法を提供する。
正孔を注入又は取得することができ、プロトンを提供することができる導電性有機材料
を支持する基板を提供し、
プロトンを取得することができる半導体材料を積層することによって、導電性有機材料
の上にこれに接して、第１層を形成する。ここで、半導体ポリマーは積層時に溶媒に溶解
性を有し、
第１層に加熱、真空又は外気乾燥処理の１又は２以上の処理を施し、
第１層の上にこれと接触して、溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層することによ
って第２層を形成し、
第２層の上に、電子を注入又は取得することができる第２電極を形成する方法。
好ましくは、第１の半導体ポリマーはトリアリールアミン繰返し単位を含む。より好ま
しくは、トリアリールアミン繰返し単位は上記の繰返し単位１−７から選ばれる。
好ましくは、第１の半導体ポリマーは、フルオレン繰返し単位とトリアリールアミン繰
返し単位の１：１の規則的な交互共重合体である。
好ましくは、正孔を注入又は取得することができる無機材料層が基板と導電性有機材料
の間に供給される。最も好ましくは、正孔を注入又は取得することができる無機材料はイ
ンジウム錫酸化物である。
好ましくは、導電性有機材料はＰＥＤＴ／ＰＳＳである。
第５の側面において、本発明は次の工程を含む光学装置の形成方法を提供する。
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供
し、
フルオレン繰返し単位を含む第１の半導体ポリマーを第１電極上に積層することによっ
て第１層を形成する。ここで、第１の半導体ポリマーは架橋性ビニル又はエチニル基であ
り、積層時に溶媒に可溶性を有し、
第１電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基のない第１の半導体材料を積層すること
によって、溶媒に少なくとも部分的に不溶な第１層を形成し、
第１層に加熱処理を施し、
第１層に接触し、溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層することによって第２の半
導体材料を含む第２層を形成し、及び
第２層上に、第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極を形
成する。
好ましくは、本発明の第５の側面の第１及び第２の半導体材料の少なくとも１つ、より
好ましくは両方がポリマーである。
第５の側面の第１の半導体材料は、第２の半導体ポリマーの積層に使用される溶媒に可
溶であっても可溶でなくてもよい。
第６の側面において、本発明は次の工程を含む光学装置を形成する方法を提供する。
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１の電極を含む基板を提
供し、
フルオレン繰返し単位を含む第１の半導体ポリマーを積層することによって第１の電極
上に第１層を形成する。ここで、第１の半導体ポリマーは架橋性ビニル又はエチニル基を
含まず、積層時に溶媒に可溶であり、
第１層に加熱、真空又は外気乾燥処理の１又は２以上を施し、
溶媒中の溶液から第２の半導体ポリマーを積層することにより、第１層に接触して第２
の半導体ポリマーを含む第２層を形成し、
第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極を第２層上に形成
する。
本発明のいずれの側面における第１及び第２の半導体ポリマーは異なる。例えば、第１
及び第２のポリマーは２つのポリマーの分子量において異なってもよい。或いは、または
これに加えて、第１及び第２のポリマーは、ポリマー内の繰返し単位の部位の規則性にお
いて異なってもよい。最も好ましくは、第１及び第２のポリマーの一方が、他のポリマー
において存在しない繰返し単位の少なくとも一つの型を含む点で異なる。したがって、例
えば、繰返し単位の部位の規則性及び／又は化学的同一性に関する第１および第２のポリ
マー間の違いによって、第１のポリマーは積層時に正孔輸送層を形成してもよく、第２の
ポリマーは積層時に電子冷光放射層を形成してもよい。第２層は第２の半導体ポリマーか
らのみからなってもよいし、又は第２の半導体ポリマーを含む混合物であってもよい。
「赤色光」は６００〜７５０ｎｍ、好ましくは６００〜７００ｎｍ、より好ましくは６
１０〜６５０ｎｍの範囲の波長を有し、最も好ましくは約６５０〜６６０ｎｍに発光ピー
クを有する放射線を意味する。
「緑色光」は５１０〜５８０ｎｍ、好ましくは５１０〜５７０ｎｍの範囲の波長を有す
る放射線を意味する。
「青色有機光」は４００〜５００ｎｍ、より好ましくは４３０〜５００ｎｍの範囲の波
長を有する放射線を意味する。
本明細書で使用される「正孔輸送」、「電子輸送」及び「発光」は、例えば、ＷＯ００
／５５９２７及びＷＯ００／４６３２１において説明され、これらは当業者にとって自明
であろう。
本発明は、実施例を用いて、添付の図面を参照して、より詳細に記載される。
図１を参照すると、本発明の方法により製造される光起電装置は、基板１、インジウム
錫酸化物のアノード２、有機正孔輸送材料層３、第１の溶解性半導体ポリマーの積層によ
って作成される不溶性材料層４、第２の半導体ポリマーの積層によって作成される層５及
びカソード６を含む。
光学装置は湿気及び酸素によって影響を受けやすい。したがって、基板は好ましくは湿
気や酸素が装置に侵入するのを防止するための良好な障壁特性を有する。基板は、一般的
にはガラスであり、しかしながら、特に装置の柔軟性が望まれる場合は代替の基板も使用
することができる。例えば、基板は、プラスチック層および障壁層が交互になっている基
板を開示するＵＳ６２６８６９５にあるようなプラスチック又はＥＰ０９４９８５０に開
示されるような薄いガラスとプラスチックのラミネートを含む。
本質的ではないが、正孔注入材料の層３の存在は、アノードから半導体ポリマー層への
正孔の注入を助けるので望ましい。有機正孔注入材料の例は、ＥＰ０９０１１７６および
ＥＰ０９４７１２３に開示されるＰＥＤＴ／ＰＳＳ、またはＵＳ５７２３８７３及びＵＳ
５７９８１７０に開示されるポリアニリンを含む。
カソード６は電子が効率よく装置に注入されるように選ばれ、そのようなものとしてア
ルミニウム層のような単一導電性材料を含んでもよい。あるいは、それは複数の金属、例
えば、ＷＯ９８／１０６２１に開示されるカルシウム及びアルミニウムの２層、又は、例
えば、ＷＯ００／４８２５８に開示されるような電子注入を促進するフッ化リチウムのよ
うな誘電体材料の薄膜である。
本装置は好ましくは湿気及び酸素の侵入を防止するため封止材（示していない）によっ
て封止されることが好ましい。適切な封止材はガラスのシート、例えばＷＯ０１／８１６
４９に開示されているようなポリマーと誘電体との交互スタックのような適切な障壁特性
を有する薄膜、又は例えばＷＯ０１／１９１４２に開示される機密性容器を含む。
実用的装置においては、光が吸収され（光応答装置の場合）又は放射され（ＰＬＥＤ装
置の場合）るように、電極の少なくとも１つは半透明である。アノードが透明であるとき
、典型的にはインジウム錫酸化物を含む。透明カソードの例は、例えば、ＧＢ２３４８３
１６に開示されている。
不溶性層４は、好ましくはフルオレン繰返し単位を含むポリマーを含む。図１の実施例
のように不溶性層がアノードと層５の間に位置するとき、それは好ましくは正孔を輸送す
ることができる半導体ポリマー、例えば、ＷＯ９９／５４３８５に開示されるようなフル
オレン繰返し単位及びトリアリールアミン繰返し単位のコポリマーから形成される。ある
いは、不溶性層はカソード上に積層される。この例においては、不溶性層は好ましくは電
子を輸送することができる半導体ポリマー、例えば、ＥＰ０８４２２０８に開示されるよ
うなフルオレンのホモポリマーから形成される。
不溶性層４は、第１の半導体ポリマーの積層に続いて形成される。層は、積層時、完全
に不溶性でも、部分的に不溶性でもよい。第１の層が部分的にのみ不溶性である場合、層
中の不溶性フラクションは、積層時、層を加熱することによって増大してもよい。任意の
可溶性の第１の半導体ポリマーは、完全に不溶性の層にしておくため、適切な溶媒中でリ
ンスすることにより、層から除去されうる。
層５を形成するために使用される本発明の第２の半導体ポリマーは、不溶性層４を形成
するために使用される第１の半導体ポリマーと同じ溶媒に溶解することができる半導体材
料であり得る。適切な第２の半導体ポリマーの例は、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０００ １
２（２３） １７３７−１７５０及びこれの引用刊行物に開示される溶解性ポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）、ポリフェニレン及びポリフルオレンを含む。単一ポリマー又は複数
のポリマーが層５を形成するために溶液から積層されうる。複数のポリマーが積層される
とき、これらは好ましくは、正孔輸送ポリマー、電子輸送ポリマー、及び装置がＰＬＥＤ
の場合、ＷＯ９９／４８１６０に開示されるような発光ポリマーの少なくとも２つの混合
物を含む。あるいは、層５は、正孔輸送領域、電子輸送領域及び例えばＷＯ００／５５９
２７及びＵＳ６３５３０８３に開示される発光領域の２又はそれ以上を含む単一の第２の
半導体ポリマーから形成することができる。正孔輸送、電子輸送及び発光の各機能は、分
離されたポリマー又は単一ポリマーの分離された領域によって供給されうる。あるいは、
２以上の機能が単一の領域又はポリマーによって達成されうる。特に、単一のポリマー又
は領域は電荷輸送及び発光の両方ができる領域であり得る。各領域は単一の繰返し単位を
含むことができ、例えば、トリアリールアミン繰返し単位は正孔輸送領域であり得る。あ
るいは、各領域は、電子輸送領域としてポリフルオレン単位の鎖のような繰返し単位の鎖
であり得る。そのようなポリマー内の異なる領域は、ＵＳ６３５３０８３のようにポリマ
ーの主鎖に沿って、又はＷＯ０１／６２８６９のようにポリマーの主鎖からの分岐基とし
て供給される。不溶性層４が正孔又は電子輸送特性を有する場合、この特性を有するポリ
マー又はポリマー領域は層５を含むポリマーから選択的に除外されうる。
本発明の第１及び第２のポリマーは共に半導体である。いずれかのポリマーの主鎖は少
なくとも部分的に共役されていてもよいし、共役されていなくてもよい。少なくとも部分
的に共役された主鎖を有する半導体ポリマーの例としては、上記のポリフルオレン及びポ
リフェニレン並びにポリ（アリーレンビニレン）のようなポリアリーレンを含む。本発明
は、また、例えば、ポリ（ビニルカルバゾール）のような共役された主鎖を有しない第１
及び第２の半導体ポリマーを包含する。
本発明の方法によって製造される光学装置は、第１及び第２電極が電荷輸送体を注入す
る場合、好ましくはＰＬＥＤである。この場合、層５は発光層である。
光学装置は、第１及び第２電極が電荷輸送体を取得する場合、好ましくは光起電装置又
は光検出器である。この場合、第２層は好ましくは正孔及び電子を輸送することができる
ポリマーを含む。
本発明の発明者は、驚くべきことに、半導体ポリマーの複数層を提供することによって
製造されれば、ポリマー光学装置の性能が向上することを発見した。第１層と第２層の実
質的な混合を防ぐために、本発明の発明者は、驚くべきことに、第１層の適切な処理、特
に加熱処理は第１層を不溶性にすることを発見した。
本発明の発明者は、驚くべきことに、架橋（例えば、ビニル又はエチニル）部位を有し
ないフルオレン繰返し単位を含む半導体ポリマーは、不溶層４を形成するために積層され
るとき部分的に不溶性となることを発見した。本発明の発明者は、この不溶層は（ａ）Ｐ
ＥＤＴ／ＰＳＳ層の使用如何に関わらず、（ｂ）空気又は窒素のみの雰囲気中で形成する
ことを発見した。しかしながら、本発明の発明者は、装置特性を最大化するためにこの不
溶層に熱、真空又は外気乾燥処理を施し、続いてポリフルオレンを積層すること、及び特
に第１層の不溶性を高めることによって第２層と第１層が混合するのを最低にすることが
必要であることを発見した。理論に拘束されないで言うならば、第１層の形成による溶解
性の低下の可能性のあるメカニズムは、第１の半導体ポリマー内のフルオレン繰返し単位
の９位に結合する溶解性基の喪失、又はポリマーからの溶媒の除去に続いて第１の半導体
ポリマーが積層される表面への固着を含む。
本発明の発明者は、他の半導体ポリマー、例えば、ポリ（ビニルカルバゾール）（ＰＶ
Ｋ）が本発明の条件下で不溶層を形成できることを発見した。
上記に概説したように、層４は、本発明の方法におけるポリマーの積層及び溶媒の蒸発
に典型的に採用される条件下において、層５の積層に使用される溶媒への溶解に抵抗性が
ある。さらに、層４は上記溶媒で洗浄される時、溶解に抵抗性があることが発見された。
層４の溶解は強制的な条件下前記溶媒中へ可能であるが、層４は、本発明の方法に従って
、前記溶媒中の半導体ポリマーの積層に典型的に採用される条件下で、複数の電気活性有
機層の形成を可能にするのに十分な程度に不溶性であることが望ましい。「不溶性」とい
う用語は、したがってこのように解釈されるべきである。
記載の処理はＰＬＥＤの効率及び寿命を改善することがわかった。理論に拘束されない
で言うならば、次の事実が増加要因として働きうる。
第１層は、アノードと第２層の間に位置するとき、正孔輸送、電子遮断層として働きう
る。
ＰＥＤＴ／ＰＳＳ層が使用される場合、不溶層はプロトンが酸性のＰＳＳ材料から第２
層に侵入するのを防ぐことができる。これは、プロトンを取得することができるピリジル
のような、ポリマーが式１−６のアミン又は式７の範囲内のＨｅｔ基のような塩基性単位
を含むときに特に適用されうる。
特にスピン洗浄（spin-rinsing）工程の採用によって達成される層の薄さは、高い稼動
電圧のようにより厚い層が原因で生じうる装置特性の損害を生ずることなく、電荷の遮断
を可能にしうる。
一般的手続き
本発明は、第１の半導体ポリマーとして、下記に示すＷＯ９９／５４３８５に開示され
るポリマーＦ８−ＴＦＢを使用して具体化される。
Figure 2015057785
一般的な工程は次のとおりである。
１）Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ（登録商標）としてＢａｙｅｒ社から入手可能なＰＥＤＴ／Ｐ
ＳＳをガラス基板（米国コロラド州のＡｐｐｌｉｅｄ Ｆｉｌｍｓ社から入手可能）に支
持されたインジウム錫酸化物上にスピンコートにより積層する。
２）濃度２％ｗ／ｖを有するキシレン溶液からスピンコートによって正孔輸送ポリマー
の層を積層する。
３）正孔輸送材料の層を不活性（窒素）雰囲気中で加熱する。
４）残留溶解性正孔輸送材料を除去するためにキシレン中で基板を任意にスピン洗浄す
る。
５）キシレン溶液からスピンコートによって第２の半導体ポリマーを積層する。
６）ＷＯ０３／０１２８９１に開示されるプロセスにしたがって第２の半導体ポリマー
上にＮａＦ／Ａｌカソードを積層し、Ｓａｅｓ Ｇｅｔｔｅｒｓ ＳｐＡから入手可能な
気密性の金属封止を用いて装置を密閉する。
この一般的プロセス内のパラメータは変化し得る。特に、Ｆ８−ＴＦＢは濃度約３％ｗ
／ｖまで上げてもよく、０．５％ｗ／ｖの濃度は特に薄い膜を提供するために使用するこ
とができる。選択的な加熱工程は約２時間までの適当な長さで続けることができる。選択
的な加熱工程は約２２０℃までの適当な温度で行なうことができるが、好ましくは積層ポ
リマーのガラス転移温度以上がよい。当業者にとって自明なことであるが、第１及び／又
は第２のポリマー、並びにＰＥＤＴ／ＰＳＳのような他の装置要素は加熱温度が過剰であ
ると熱劣化が起きてしまうので、過熱温度はそれに応じて選択されなければならない。最
後に、本発明の発明者は第１層の厚さは第１の半導体ポリマーの分子量（Ｍｗ）の適切な
選択によって改変できることを発見した。このように、Ｍｗが５０，０００を有するＦ８
−ＴＦＢは約２ｎｍと同じくらいまで薄くでき、Ｍｗが約２５０，０００〜３００，００
０では約１５ｎｍまで厚くすることができる。
図１は、本発明の方法に従って作製されたＰＬＥＤまたは光起電装置を示す 。 図２は、第１の青色電子冷光放射装置および２つのコントロール装置につい て、効率対バイアスの比較プロットを示す。 図３は、赤色電子冷光放射装置について、効率対バイアスのプロットを示す 。 図４は、スピン洗浄ありまたはなしの青色電子冷光放射装置について、効率 対バイアスのプロットを示す。 図５は、第２の青色電子冷光放射装置およびコントロール装置について、効 率対バイアスの比較プロットを示す。
以下、実施例に基づいて、本発明の態様を詳細に説明する。
第１の半導体ポリマーとしてＦ８−ＴＦＢ、並びに第２の半導体ポリマー（Ｆ８−ＴＦ
Ｂポリマー、ＴＦＢ及びＰＦＢ繰返し単位は下記に示されているとおりであり、例えば、
ＷＯ９９／５４３８５に開示されている）として、７０％の９，９−ジオクチルフルオレ
ン−２，７−ジイル、１０％の９，９−ジフェニルフルオレン−２，７−ジイル、１０％
のＴＦＢ繰返し単位及び１０％のＰＦＢ繰返し単位を含む青色電子冷光放射性ポリマーを
使用して上記の一般的手順が実行された。第１および第２の半導体ポリマーは、例えばＷ
Ｏ００／５３８５８に記載されているように、スズキ重合により調製された。
Ｆ８−ＴＦＢの第１の半導体層は、第２の半導体ポリマーの積層の前に１８０℃で１時
間加熱処理された。
Figure 2015057785
Figure 2015057785
図２は本発明の加熱処理の効率性の影響を示す。３つの装置について比較を行なう。例
１の装置（Ｆ８−ＴＦＢ第１層は１８０℃まで加熱される）；Ｆ８−ＴＦＢの第１層が供
給されない第１のコントロール装置（つまり、工程２−４の省略）；加熱工程３を施さな
いＦ８−ＴＦＢの第１層を有する第２のコントロール装置。第１及び第２のコントロール
装置の結果を比較してわかるように、Ｆ８−ＴＦＢ層の挿入は効率の改善をもたらす（Ｗ
Ｏ９９／４８１６０に報告されるように）が、最も重要な改良は、本発明の装置、すなわ
ちＦ８−ＴＦＢ層が加熱される装置から得られる。
３％の４，７−ビス（２−チオフェン−５−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾー
ル繰返し単位（ＷＯ０１／４９７６８に開示される）、８０％の９，９−ジオクチルフル
オレン−２，７−ジイル、３０％の２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル
繰返し単位及び１７％のＴＦＢ繰返し単位を含む赤色冷光放射ポリマーが第２の半導体ポ
リマー（以下、「赤色ポリマー」という）として使用される点を除いて、実施例１の手順
が行なわれた。
図３は、この装置の効率−バイアス曲線及びＦ８−ＴＦＢの不溶層が供給されない（す
なわち、工程２−４の省略）赤色ポリマーを含むコントロール装置との比較を示す。
第１の半導体ポリマーとしてポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）（Ａｌｄｒｉ
ｃｈｃａｔａｌｏｇｕｅ ｎｕｍｂｅｒ １８２６０−５；平均Ｍｗ ｃ．ａ．１，１０
０，０００）及びＡｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ，Ｉｎｃから購入した青色発
光ポリマーのポリ（９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）（ＰＦＯ）（カ
タログＮｏ．ＡＤＳ１３０ＢＥ；平均Ｍｗ ｃａ．３００，０００）を使用して上記の一
般的手順が行なわれた。
ＰＶＫ層はＰＦＯ層の積層の前に２００℃で１時間加熱された。
図５は、ＰＶＫ層を有しないコントロール装置に比較して、中間ＰＶＫ層に加熱処理又
は外気乾燥処理を施したときに効率が改善されることを示している。
引用図からわかるように、本発明の不溶層の含有は装置特性の実質的な向上をもたらす
。さらに、装置の寿命（すなわち、固定電流において装置の輝度が当初の半分に低下する
までの時間）及び輝度は、不溶層の含有によって、少なくとも害されることはなく、いく
つかの例においては改善されている。
不溶層はＦ８−ＴＦＢ層を加熱し、又はしないで形成されるが、不溶層の厚さはＦ８−
ＴＦＢが加熱されるときにより厚い。
第２の半導体ポリマーは第１層のスピン洗浄なしに積層されうる。これは、第１の半導
体ポリマーが、完全に不溶性に変わるのに十分に薄い第１層を形成するために希薄な溶液
からスピンコートにより積層される場合に好ましく行なわれるが、本発明は、さらに、第
１層が部分的にだけ不溶性に変わり溶解性部分が除去されていない場合の第２の半導体ポ
リマーの積層も包含する。この例においては、第１及び第２の半導体ポリマーの第２層に
おいてある混合が生じる。図４は、スピン洗浄をした場合としない場合の青色ポリマーを
使用した本発明の方法により作成された２つの装置についての効率−バイアス曲線を示す
。この図は、スピン洗浄の省略は装置特性にほとんど影響がないことを示している。
上記の例は、スピンコートによる第１及び第２層の積層について述べているが、本発明
の第１及び第２層は他の技術、特に、ＥＰ０８８０３０３に開示されるインクジェットプ
リント、ＥＰ０８５１７１４に開示されるレーザー転移、フレキソ印刷、スクリーン印刷
及びドクターブレードコートのようなフルカラーディスプレイを作成するのに適した技術
によって積層されてもよい。第２の半導体材料がインクジェットプリントにより積層され
る場合、スピン洗浄の使用は、インクジェットプリントではより少ない量の溶媒及び半導
体材料が使用されるので対応するスピンコート積層より有利でありうる。
応用例
白色光を発光できる装置を提供するために、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ ８０（１９），３４７０−３４７２，２００２に記載されるように、例１（青
色ポリマー）の装置の基板の外表面にダウンコンバータ粒子が付着された。
本発明は特定の典型的な実施例によって記載されてきたが、特許請求の範囲で規定する
本発明の範囲を逸脱しない限り、本明細書に開示される特徴の多くの変形、変更及び／又
は組合せは当業者にとって自明であることがわかる。

Claims (40)

  1. 次の各工程を含む光学装置の形成方法であって、
    第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供
    し、
    第１電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基がなく、積層時に溶媒に可溶性の第１の
    半導体材料を積層することによって、溶媒に少なくとも部分的に不溶な第１層を形成し、
    溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層して、第１層に接触し第２の半導体材料を含
    む第２層を形成し、
    第２層上に、第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極を形
    成し、
    ここで、第１の半導体材料の積層に続いて、第１層が加熱乾燥処理、真空乾燥処理及び
    外気乾燥処理の１又は２以上によって、少なくとも部分的に不溶性に変えられる光学装置
    の形成方法。
  2. 第１及び第２の半導体材料の少なくとも１つがポリマーである請求項１に記載の方法。
  3. 第２層の積層前に第１層を加熱する工程を含む請求項１又は２に記載の方法。
  4. 第２層の積層前に第１の半導体材料が溶解することができる洗浄溶媒を用いて第１層を洗
    浄する工程を含む請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
  5. 第１層が溶媒中の溶液から積層される請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
  6. 溶媒が芳香族炭化水素である請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
  7. 溶媒がアルキレートベンゼンである請求項６に記載の方法。
  8. 溶媒がトルエン又はキシレンである請求項７に記載の方法。
  9. ポリマーが式（Ｉ）の選択的に置換された繰返し単位を含むポリフルオレンであり、
    Figure 2015057785
    ここで、Ｒ及びＲ'は、水素、又は選択的に置換されたアルキル、アルコキシ、アリー
    ル、アリールアルキル、ヘテロアリール及びヘテロアリールアルキルから独立して選ばれ
    、並びにＲ及びＲ'の少なくとも１つは水素ではない請求項２に記載の方法。
  10. Ｒ及びＲ'の少なくとも１つは選択的に置換されたＣ4−Ｃ20アルキル基を含む請求項９に
    記載の方法。
  11. 第１電極は正孔を注入することができ、第２電極は電子を注入することができる請求項１
    ないし１０のいずれかに記載の方法。
  12. 第１の半導体ポリマーがトリアリールアミン繰返し単位を含む請求項１１に記載の方法。
  13. トリアリールアミン繰返し単位が式１〜６の選択的に置換された繰返し単位から選ばれ、
    Figure 2015057785
    ここで、Ｘ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤは、Ｈ又は置換基から選ばれる請求項１２に記載の
    方法。
  14. Ｘ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤの１または２以上は、アルキル、アリール、ペルフルオロアル
    キル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリール及びアリ
    ールアルキル基からなる群から独立して選ばれる請求項１３に記載の方法。
  15. トリアリールアミン繰返し単位は式７の選択的に置換された繰返し単位であり、
    Figure 2015057785
    ここで、Ｈｅｔはヘテロアリールである請求項１２に記載の方法。
  16. Ｈｅｔが４−ピリジルである請求項１５に記載の方法。
  17. 第１の半導体ポリマーが、１：１の請求項９又は１０に規定されるフルオレン繰返し単位
    と請求項１２ないし１６のいずれかに規定されるトリアリールアミン繰返し単位の規則的
    な交互共重合体を含む請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法。
  18. 導電性有機材料層が第１電極と第１層の間に供給される請求項１１ないし１７のいずれか
    に記載の方法。
  19. 導電性有機材料層がＰＥＤＴ／ＰＳＳである請求項１８に記載の方法。
  20. 第１層が２０ｎｍ以下の厚さを有する請求項１ないし１９のいずれかに記載の方法。
  21. 第１層が１０ｎｍ以下、好ましくは３〜１０ｎｍの範囲の厚さを有する請求項２０に記載
    の方法。
  22. 第２の半導体ポリマーが複数の領域を含み、正孔輸送領域、電子輸送領域及び発光領域の
    少なくとも２つを含む請求項１ないし２１のいずれかに記載の方法。
  23. 第２の半導体ポリマーが、正孔輸送領域、電子輸送領域及び発光領域を含む請求項２２に
    記載の方法。
  24. 図面を参照して実質的に本明細書に記載されている方法。
  25. 請求項１ないし２３のいずれかの方法で作製される光学装置。
  26. 請求項１ないし２３のいずれかの方法で作製される有機電子冷光放射ディスプレイ。
  27. 請求項１ないし２３のいずれかの方法で作製される青色冷光放射ディスプレイ。
  28. 請求項１ないし２３のいずれかの方法で作製される白色冷光放射ディスプレイ。
  29. 基板、
    第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極、
    溶媒に不溶な第１の半導体ポリマーを含む厚さ２０ｎｍ以下の第１層、
    溶媒に可溶な第２の半導体ポリマーを含む第１層と接触する第２層、
    第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極
    を順番に含む光学装置。
  30. 正孔を注入又は取得することができ、プロトンを提供することができる導電性有機材料を
    載せている基板を提供し、
    プロトンを取得することができる第１の半導体ポリマーを積層することによって、導電
    性有機材料の上に第１層を形成し、ここで、半導体ポリマーは積層時において溶媒に可溶
    であり、
    第１層に、加熱乾燥処理、真空乾燥処理、又は外気乾燥処理の１又は２以上を施し、
    第１層上に、第１層と接触して、溶媒中の溶液から第２の半導体ポリマーを積層するこ
    とによって第２層を形成し、
    第２層上に、電子を注入又は取得することができる第２電極を形成する
    各工程を含む光学装置の形成方法。
  31. 第１の半導体ポリマーがトリアリールアミン繰返し単位を含む請求項３０に記載の方法。
  32. トリアリールアミン繰返し単位が繰返し単位１ないし６から選ばれ、
    Figure 2015057785
    ここで、Ｘ、Ｙ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはＨ又は置換基から独立して選ばれる請求項３１に
    記載の方法。
  33. Ｘ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤの１又は２以上は、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキ
    ル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール及びアリールアルキル基から独
    立して選ばれる請求項３２に記載の方法。
  34. トリアリールアミン繰返し単位が、式７の選択的に置換された繰返し単位であり、
    Figure 2015057785
    ここで、Ｈｅｔはヘテロアリールである請求項３１に記載の方法。
  35. Ｈｅｔが４−ピリジルである請求項３４に記載の方法。
  36. 第１の半導体ポリマーが１：１のフルオレン繰返し単位とトリアリールアミン繰返し単位
    の規則的な交互共重合体を含む請求項３０に記載の方法。
  37. 正孔を注入又は取得することができる無機材料層が基板と導電性有機材料の間に提供され
    る請求項３０に記載の方法。
  38. 導電性有機材料がＰＥＤＴ／ＰＳＳである請求項３０に記載の方法。
  39. 第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供し
    、
    架橋性ビニル又はエチニル基の存在しない第１の半導体材料を積層することによって、
    溶媒に少なくとも部分的に不溶な第１層を第１電極上に形成し、
    第１層に加熱処理を施し、
    溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層することにより、第１層に接触し、第２の半
    導体ポリマーを含む第２層を形成し、
    第２層上に第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２の電極を形
    成する、
    各工程を含む光学装置の形成方法。
  40. 第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供し
    、
    フルオレン繰返し単位を含む第１の半導体ポリマーを積層することによって、第１層を
    第１電極上に形成し、ここで第１の半導体ポリマーは架橋性ビニル又はエチニル基が存在
    せず、積層時に溶媒に可溶性であり、
    第１層に加熱乾燥処理、真空乾燥処理又は外気乾燥処理の１又は２以上を施し、
    溶媒中の溶液から第２の半導体ポリマーを積層することにより、第１層に接触し、第２
    の半導体ポリマーを含む第２層を形成し、
    第２層上に第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２の電極を形
    成する、
    各工程を含む光学装置の形成方法。
JP2014220909A 2002-09-03 2014-10-30 光学装置 Pending JP2015057785A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB0220404.8A GB0220404D0 (en) 2002-09-03 2002-09-03 Optical device
GB0220404.8 2002-09-03
US48050203P 2003-06-20 2003-06-20
US60/480,502 2003-06-20

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012242269A Division JP5774571B2 (ja) 2002-09-03 2012-11-02 光学装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015057785A true JP2015057785A (ja) 2015-03-26
JP2015057785A5 JP2015057785A5 (ja) 2015-08-20

Family

ID=31980008

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004533677A Expired - Fee Related JP5247975B2 (ja) 2002-09-03 2003-09-03 光学装置
JP2012242269A Expired - Fee Related JP5774571B2 (ja) 2002-09-03 2012-11-02 光学装置
JP2014220909A Pending JP2015057785A (ja) 2002-09-03 2014-10-30 光学装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004533677A Expired - Fee Related JP5247975B2 (ja) 2002-09-03 2003-09-03 光学装置
JP2012242269A Expired - Fee Related JP5774571B2 (ja) 2002-09-03 2012-11-02 光学装置

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7531377B2 (ja)
EP (1) EP1537612B1 (ja)
JP (3) JP5247975B2 (ja)
KR (1) KR100694364B1 (ja)
AT (1) ATE468618T1 (ja)
AU (1) AU2003263360A1 (ja)
DE (1) DE60332638D1 (ja)
HK (1) HK1077921A1 (ja)
WO (1) WO2004023573A2 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004023573A2 (en) * 2002-09-03 2004-03-18 Cambridge Display Technology Limited Optical device
GB0306414D0 (en) * 2003-03-20 2003-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Polymers,their preparations and uses
DE10340711A1 (de) † 2003-09-04 2005-04-07 Covion Organic Semiconductors Gmbh Elektronische Vorrichtung enthaltend organische Halbleiter
US7652126B2 (en) * 2003-10-07 2010-01-26 General Electric Company Monomers and polymers comprising conjugated groups and methods for making thereof
GB0422391D0 (en) 2004-10-08 2004-11-10 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting device
GB2433512B (en) 2004-10-11 2009-06-03 Cambridge Display Tech Ltd Polar semiconductive hole transporting material
GB0423006D0 (en) 2004-10-15 2004-11-17 Cambridge Display Tech Ltd Organic transistor
ITMI20050051A1 (it) * 2005-01-18 2006-07-19 Milano Politecnico Fotodiodio organico di poli-9,9-diottil-fluorene
GB2425654B (en) * 2005-04-29 2010-03-17 Seiko Epson Corp A method of fabricating a heterojunction of organic semiconducting polymers
GB0526185D0 (en) 2005-12-22 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Electronic device
GB2433509A (en) 2005-12-22 2007-06-27 Cambridge Display Tech Ltd Arylamine polymer
GB2433833A (en) 2005-12-28 2007-07-04 Cdt Oxford Ltd Micro-cavity OLED layer structure with transparent electrode
GB2440934B (en) 2006-04-28 2009-12-16 Cdt Oxford Ltd Opto-electrical polymers and devices
GB2454890B (en) 2007-11-21 2010-08-25 Limited Cambridge Display Technology Light-emitting device and materials therefor
GB0803950D0 (en) 2008-03-03 2008-04-09 Cambridge Display Technology O Solvent for printing composition
GB2461527B (en) * 2008-07-01 2011-08-03 Limited Cambridge Display Technology Organic electronic device
TWI443127B (zh) 2008-08-07 2014-07-01 Mitsubishi Chem Corp 聚合體，有機電致發光元件用組成物，利用其等之有機電致發光元件，太陽電池元件，有機ｅｌ顯示裝置及有機ｅｌ照明
US20120211729A1 (en) * 2009-07-31 2012-08-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer light-emitting device
US20110077373A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 General Electric Company Polymer and optoelectronic device comprising the same
US9153782B2 (en) 2011-01-19 2015-10-06 Joled Inc. Method for producing organic light-emitting element, organic display panel, organic light-emitting device, method for forming functional layer, ink, substrate, organic light-emitting element, organic display device, and inkjet device
JPWO2012098578A1 (ja) 2011-01-19 2014-06-09 パナソニック株式会社 有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機発光装置、機能層の形成方法、インク、基板、有機発光素子、有機表示装置、および、インクジェット装置
US9318722B2 (en) 2011-01-19 2016-04-19 Joled Inc. Method for producing organic light-emitting element, organic display panel, organic light-emitting device, method for forming functional layer, ink, substrate, organic light-emitting element, organic display device, and inkjet device
JPWO2012098577A1 (ja) 2011-01-19 2014-06-09 パナソニック株式会社 有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機発光装置、機能層の形成方法、インク、基板、有機発光素子、有機表示装置、および、インクジェット装置
GB201108864D0 (en) 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Transistors and methods of making them
GB201108865D0 (en) * 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Semiconductor compounds
GB2524747B (en) * 2014-03-31 2017-03-01 Cambridge Display Tech Ltd Amine/fluorene copolymers and organic electronic devices comprising said copolymers
JP6382781B2 (ja) * 2015-09-15 2018-08-29 株式会社東芝 半導体素子の製造方法および製造装置
KR102087511B1 (ko) 2017-07-28 2020-03-10 주식회사 엘지화학 플루오렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JPWO2022230821A1 (ja) 2021-04-28 2022-11-03

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5929194A (en) * 1996-02-23 1999-07-27 The Dow Chemical Company Crosslinkable or chain extendable polyarylpolyamines and films thereof
JP2001085161A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp 有機ｌｅｄディスプレイの製造方法
WO2001049769A1 (en) * 2000-01-05 2001-07-12 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
JP2001323137A (ja) * 2000-05-12 2001-11-20 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
JP2002506481A (ja) * 1998-04-21 2002-02-26 ザ ダウ ケミカル カンパニー フッ素含有ポリマー及びエレクトロルミネッセンスデバイス
JP2002507825A (ja) * 1998-03-13 2002-03-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネッセンス素子
JP2002203674A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Fuji Name Plate Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2002208481A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Canon Inc 有機発光素子およびその製造方法
JP2004533677A (ja) * 2001-03-12 2004-11-04 ヴィディウス インコーポレイテッド デジタルコンテンツの無許可トランスポートを監視するためのシステムおよび方法
JP2012242269A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Nanao Corp 光センサユニット及び画像表示装置。

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1182583A (en) 1966-03-28 1970-02-25 Secr Defence Improvements in Teaching Devices
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
GB9215928D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Manufacture of electroluminescent devices
US5723873A (en) * 1994-03-03 1998-03-03 Yang; Yang Bilayer composite electrodes for diodes
US5523555A (en) * 1994-09-14 1996-06-04 Cambridge Display Technology Photodetector device having a semiconductive conjugated polymer
GB9423692D0 (en) 1994-11-23 1995-01-11 Philips Electronics Uk Ltd A photoresponsive device
JP3865406B2 (ja) 1995-07-28 2007-01-10 住友化学株式会社 ２，７−アリール−９−置換フルオレン及び９−置換フルオレンオリゴマー及びポリマー
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
US5798170A (en) * 1996-02-29 1998-08-25 Uniax Corporation Long operating life for polymer light-emitting diodes
DE69710781T2 (de) 1996-07-29 2002-10-31 Cambridge Display Tech Ltd Elektrolumineszierende anordnungen mit elektrodenschutz
CN1108730C (zh) 1996-09-04 2003-05-14 剑桥显示技术有限公司 改进阴极的有机光发射器件
JPH1077467A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR100195175B1 (ko) 1996-12-23 1999-06-15 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
GB9718393D0 (en) 1997-08-29 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent Device
GB9718516D0 (en) 1997-09-01 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices
KR100697861B1 (ko) 1998-03-13 2007-03-22 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 전장 발광 디바이스들
GB2335884A (en) 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
JPH11307254A (ja) * 1998-04-17 1999-11-05 Oki Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US6107452A (en) * 1998-10-09 2000-08-22 International Business Machines Corporation Thermally and/or photochemically crosslinked electroactive polymers in the manufacture of opto-electronic devices
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
GB2346316B (en) 1999-02-03 2002-08-07 Richard Martin Massey Food binder and holder
JP4505146B2 (ja) * 1999-02-04 2010-07-21 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド フルオレンコポリマーおよびそれから作られる素子
GB9903251D0 (en) 1999-02-12 1999-04-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electric devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
EP1165648B1 (en) 1999-03-05 2007-08-15 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
DE60045092D1 (de) * 1999-03-29 2010-11-25 Cambridge Display Tech Ltd Zusammensetzung mit einem organischen elektrolumineszierenden Material
WO2001019142A1 (en) 1999-09-03 2001-03-15 Uniax Corporation Encapsulation of organic electronic devices
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
JP2001203081A (ja) * 1999-11-09 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法
JP2001151868A (ja) * 1999-11-24 2001-06-05 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 機能性共重合高分子及びそれを使用した有機電界発光素子、光メモリ、正孔移動素子
US20030186079A1 (en) 2000-01-05 2003-10-02 Carl Towns Luminescent polymer
GB0004541D0 (en) 2000-02-25 2000-04-19 Cambridge Display Tech Ltd Luminescent polymer
JP2001284049A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd 色変換膜及びそれを用いた発光装置
KR100360308B1 (ko) * 2000-07-03 2002-11-18 한국화학연구원 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자
US6517958B1 (en) * 2000-07-14 2003-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Organic-inorganic hybrid light emitting devices (HLED)
JP2002215065A (ja) * 2000-11-02 2002-07-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP3953776B2 (ja) 2001-01-15 2007-08-08 セイコーエプソン株式会社 材料の吐出装置、及び吐出方法、カラーフィルタの製造装置及び製造方法、液晶装置の製造装置及び製造方法、ｅｌ装置の製造装置及び製造方法
JP2002324670A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
US6649433B2 (en) * 2001-06-26 2003-11-18 Sigma Technologies International, Inc. Self-healing flexible photonic composites for light sources
GB0118258D0 (en) 2001-07-26 2001-09-19 Cambridge Display Tech Ltd Electrode compositions
US7049757B2 (en) * 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
WO2004023573A2 (en) * 2002-09-03 2004-03-18 Cambridge Display Technology Limited Optical device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5929194A (en) * 1996-02-23 1999-07-27 The Dow Chemical Company Crosslinkable or chain extendable polyarylpolyamines and films thereof
JP2002507825A (ja) * 1998-03-13 2002-03-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネッセンス素子
JP2002506481A (ja) * 1998-04-21 2002-02-26 ザ ダウ ケミカル カンパニー フッ素含有ポリマー及びエレクトロルミネッセンスデバイス
JP2001085161A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp 有機ｌｅｄディスプレイの製造方法
WO2001049769A1 (en) * 2000-01-05 2001-07-12 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
JP2004500455A (ja) * 2000-01-05 2004-01-08 ケンブリッジ　ディスプレイ　テクノロジー　リミテッド 高分子及びその製造方法と使用
JP2001323137A (ja) * 2000-05-12 2001-11-20 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
JP2002203674A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Fuji Name Plate Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2002208481A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Canon Inc 有機発光素子およびその製造方法
JP2004533677A (ja) * 2001-03-12 2004-11-04 ヴィディウス インコーポレイテッド デジタルコンテンツの無許可トランスポートを監視するためのシステムおよび方法
JP2012242269A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Nanao Corp 光センサユニット及び画像表示装置。

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004023573A3 (en) 2004-09-16
ATE468618T1 (de) 2010-06-15
HK1077921A1 (en) 2006-02-24
DE60332638D1 (de) 2010-07-01
EP1537612A2 (en) 2005-06-08
KR20050059166A (ko) 2005-06-17
AU2003263360A8 (en) 2004-03-29
JP5774571B2 (ja) 2015-09-09
US7531377B2 (en) 2009-05-12
US20060154384A1 (en) 2006-07-13
AU2003263360A1 (en) 2004-03-29
US20090227052A1 (en) 2009-09-10
JP5247975B2 (ja) 2013-07-24
KR100694364B1 (ko) 2007-03-12
WO2004023573A2 (en) 2004-03-18
EP1537612B1 (en) 2010-05-19
JP2013065564A (ja) 2013-04-11
JP2005537628A (ja) 2005-12-08
US7989255B2 (en) 2011-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5774571B2 (ja) 光学装置
US7531831B2 (en) Electroluminescent device comprising a cross-linked hole transporting and electron blocking material
US9660212B2 (en) Optical device comprising a charge transport layer of insoluble organic material and method for the production thereof
JP2005537628A5 (ja)
KR101657319B1 (ko) 인쇄 조성물용 용매
JP2011018922A (ja) 光学装置
CN100583486C (zh) 光学器件
US20090121616A1 (en) Light-emitting diode with luminescent charge transport layer
Khalifa et al. Multilayer fluorescent polymer light emitting diode with low voltage and high efficiency

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150701

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150818

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151117

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160719