JP6648692B2 - 電荷輸送性ワニス - Google Patents
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Description
この電荷輸送性薄膜の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別される。これらの方法は、形成する薄膜の面積や、薄膜化する物質の有機溶媒への溶解性に応じて、適宜使い分けられる。
一般的に、有機EL素子の陽極と発光層との間には、正孔注入層と言われる層と正孔輸送層と言われる層の2層がこの順序で陽極側から配置される。このような2層を設けることで効率的な電荷輸送を可能とし、高い輝度特性を有する有機EL素子を得ることができる(例えば非特許文献1参照)。
しかしその反面、有機EL素子の製造プロセスでは、通常、これら各層を形成するための独立した工程が必要となるという欠点もある。
特に、素子における複数の膜を多積層化した機能性多層膜を単一膜とすることで、製造プロセスを簡略化できるだけでなく、素子構造を直接的に単純化できる。そのため、様々な電子デバイスの分野において、既存の機能性多層膜に代替可能な機能性単一膜を製造できる材料が求められている。
そして、有機ELの分野においても、一般的な構造である正孔注入層と正孔輸送層とからなる機能性多層膜を、単一膜へと転換可能な材料への要求がますます高まっている。
1. フッ素原子を含有する電荷輸送性物質と、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質と、ヘテロポリ酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、前記フッ素原子を含有する電荷輸送性物質が、トリアリールアミン化合物およびN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも1種と、その少なくとも1つのアリール基がエーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基で置換されたN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物と、フッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、カルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られる重量平均分子量500〜200,000の重合体であり、前記フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質が、オリゴアニリン化合物であることを特徴とする電荷輸送性ワニス、
2. 前記フッ素原子を含有する電荷輸送性物質が、式(1)で示されるトリアリールアミン化合物および式(2)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも1種と、式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物と、式(4)で示されるフッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、式(5)または式(6)で示されるカルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られる重合体である1の電荷輸送性ワニス、
3. 前記トリアリールアミン化合物が、式(7)で示される2の電荷輸送性ワニス、
4. 前記式(2)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物が、式(8)で示される2の電荷輸送性ワニス、
5. 前記式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物が、式(9−1)で示される2の電荷輸送性ワニス、
6. 前記式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物が、式(9−2)で示される5の電荷輸送性ワニス、
7. 前記式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物が、式(10−1)〜(10−8)のいずれかで示される6の電荷輸送性ワニス、
9. 前記アリールアルデヒド化合物が、式(11)または式(12)で示される2〜8のいずれかの電荷輸送性ワニス、
10. 前記オリゴアニリン化合物が、式(13)で示される1〜9のいずれかの電荷輸送性ワニス、
11. 前記ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸である1〜10のいずれかの電荷輸送性ワニス、
12. 1〜11のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
13. 12の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
14. 陽極、陰極、発光層および12の電荷輸送性薄膜を少なくとも備えて構成され、前記陽極と発光層との間に、それら各層と接する態様で前記電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
15. 1〜11のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法、
16. 12の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、
17. 式(1)で示されるトリアリールアミン化合物および式(2)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも1種と、式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物と、式(4)で示されるフッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、式(5)または式(6)で示されるカルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られ、重量平均分子量が500〜200,000であることを特徴とする重合体、
18. 式(9−1)で示されるN,N,N′,N′−テトラフェニルベンジジン化合物
を提供する。
本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、素子中の機能性多層膜を単一膜化することができるため、製造プロセス条件の簡便化による高歩留化や低コスト化、あるいは素子の軽量化、コンパクト化等を図り得る。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法など、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも、電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機EL素子の分野における進展にも十分対応できる。
さらに、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等としても使用できる。
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質と、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質と、ヘテロポリ酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質が、トリアリールアミン化合物およびN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも1種と、その少なくとも1つのアリール基がエーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基で置換されたN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物と、フッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、カルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られる重量平均分子量500〜200,000の重合体であり、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質が、オリゴアニリン化合物であることを特徴とする。
本発明において、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。電荷輸送性物質とは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ドーパント物質と共に用いた際に電荷輸送性があるものでもよい。電荷輸送性ワニスとは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、それにより得られる固形膜が電荷輸送性を有するものでもよい。
炭素数6〜20のアリール基の具体例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基等が挙げられるが、好ましくは、Z1で置換されていてもよいフェニル基である。
置換基Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ5で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、Z5は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。
炭素数1〜20のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐鎖状アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数3〜20の環状アルキル基などが挙げられる。
中でも、置換基Z1としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、存在しないこと(すなわち、Ar1〜Ar3が非置換のアリール基であること)が最適である。
また、置換基Z5としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)が最適である。
R11〜R22としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
なお、アリール基としては、上記式(1)で例示した基と同様のものが挙げられるが、この場合も、Z1で置換されていてもよいフェニル基が好ましい。
また、Z1としても上記式(1)で例示した基と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、存在しないこと(すなわち、Ar4〜Ar7が非置換のアリール基であること)が最適であり、置換基Z5としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)が最適である。
R23〜R38としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
OCH2O(CH2)9CH3、OCH2O(CH2)10CH3、OCH2O(CH2)11CH3、OCH2O(CH2)12CH3、OCH2O(CH2)13CH3、OCH2O(CH2)14CH3、OCH2O(CH2)15CH3、OCH2O(CH2)16CH3、OCH2O(CH2)17CH3、OCH2O(CH2)18CH3、OCH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH3、OCH2CH2O(CH2)2CH3、OCH2CH2OCH(CH3)2、OCH2CH2O(CH2)3CH3、OCH2CH2OCH2CH(CH3)2、CH2CH2OC(CH3)3、OCH2CH2O(CH2)4CH3、OCH2CH2OCH(CH3)(CH2)2CH3、OCH2CH2OCH2CH(CH3)2、OCH2CH2O(CH2)2CH(CH3)2、OCH2CH2OC(CH3)3、OCH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3、OCH2CH2O(CH2)5CH3、OCH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3、OCH2CH2OCH2CH(CH3)(CH2)2CH3、OCH2CH2O(CH2)2CH(CH3)CH2CH3、OCH2CH2O(CH2)3CH(CH3)2、OCH2CH2OC(CH3)2(CH2)2CH3、OCH2CH2OCH(CH2CH3)(CH2)2CH3、OCH2CH2OC(CH3)2CH(CH3)2、OCH2CH2O(CH2)6CH3、OCH2CH2O(CH2)7CH3、OCH2CH2OCH2CH(CH2CH3)(CH2)3CH3、OCH2CH2O(CH2)8CH3、OCH2CH2O(CH2)9CH3、OCH2CH2O(CH2)10CH3、OCH2CH2O(CH2)11CH3、OCH2CH2O(CH2)12CH3、OCH2CH2O(CH2)13CH3、OCH2CH2O(CH2)14CH3、OCH2CH2O(CH2)15CH3、OCH2CH2O(CH2)16CH3、OCH2CH2O(CH2)17CH3、OCH2CH2CH2OCH3、OCH2CH2CH2OCH2CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)2CH3、OCH2CH2CH2OCH(CH3)2、OCH2CH2CH2O(CH2)3CH3、OCH2CH2CH2OCH2CH(CH3)2、OCH2CH2CH2OC(CH3)3、OCH2CH2CH2O(CH2)4CH3、OCH2CH2CH2OCH(CH3)
(CH2)2CH3、OCH2CH2CH2OCH2CH(CH3)2、OCH2CH2CH2O(CH2)2CH(CH3)2、OCH2CH2CH2OC(CH3)3、OCH2CH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3、CH2CH2CH2O(CH2)5CH3、OCH2CH2CH2OCH(CH3)(CH2)3CH3、OCH2CH2CH2OCH2CH(CH3)(CH2)2CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)2CH(CH3)CH2CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)3CH(CH3)2、OCH2CH2CH2OC(CH3)2(CH2)2CH3、OCH2CH2CH2OCH(CH2CH3)(CH2)2CH3、OCH2CH2CH2OC(CH3)2CH(CH3)2、OCH2CH2CH2O(CH2)6CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)7CH3、OCH2CH2CH2OCH2CH(CH2CH3)(CH2)3CH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH3、OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3、OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3、OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3、CH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3、OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH2CH2CH2OCH3、OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH3、OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH2OCH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3、OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)8CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)9CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)10CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)11CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)12CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)13CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)14CH3、CH2CH2CH2O(CH2)15CH3、OCH2CH2CH2O(CH2)16CH3基等が挙げられるが、中でも、エーテル結合を含んでいる炭素数2〜15のアルコキシ基が好ましく、エーテル結合を含んでいる炭素数5〜10のアルコキシ基がより好ましい。
特に、2個の場合、別々の窒素原子上のアリール基に当該アルコキシ基が存在することが好ましく、例えば、式(9−1)で示されるN,N,N′,N′−テトラフェニルベンジジン化合物が好適である。
置換基Z3は、フッ素原子、炭素数1〜20のフッ化アルキル基、または炭素数6〜20のフッ化アリール基を表し、Z4は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ6で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、Z6は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。
炭素数1〜20のフッ化アルキル基および炭素数6〜20のフッ化アリール基としては、例えば、上述した炭素数1〜20のアルキル基および炭素数6〜20のアリール基の炭素原子上の水素原子の少なくとも1つをフッ素原子に置換した基が挙げられる。
その他、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基としては、上記と同様のものが挙げられる。
中でも、Z3としては、フッ素原子、炭素数1〜10のフッ化アルキル基が好ましく、フッ素原子、炭素数1〜4のフッ化アルキル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基がより一層好ましい。
また、Z4としては、Z6で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、Z6で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、Z6で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基がより一層好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)がさらに好ましい。
そして、Z6としては、塩素原子、臭素原子が好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)がより好ましい。
フッ化アリール基の具体例としては、4−フルオロフェニル基、2,3−ジフルオロフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,5−ジフルオロフェニル基、2,6−ジフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、1−フルオロ−2−ナフチル基、1−フルオロ−3−ナフチル基、1−フルオロ−4−ナフチル基、1−フルオロ−5−ナフチル基、1−フルオロ−6−ナフチル基、1−フルオロ−7−ナフチル基、1−フルオロ−8−ナフチル基、2−フルオロ−1−ナフチル基、2−フルオロ−3−ナフチル基、2−フルオロ−4−ナフチル基、2−フルオロ−5−ナフチル基、2−フルオロ−6−ナフチル基、2−フルオロ−7−ナフチル基、2−フルオロ−8−ナフチル基、パーフルオロナフチル基等が挙げられる。
中でも、R39としては、フッ素原子、炭素数1〜10のフッ化アルキル基が好ましく、フッ素原子、炭素数1〜4のフッ化アルキル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基がより一層好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基がさらに好ましい。
また、R40〜R43としては、水素原子、非置換の炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、水素原子、非置換の炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、水素原子、非置換の炭素数1〜4のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、メチル基がさらに好ましく、全て水素原子が最適である。
中でも、R44〜R48としては、フッ素原子、炭素数1〜10のフッ化アルキル基が好ましく、フッ素原子、炭素数1〜4のフッ化アルキル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基がより一層好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基がさらに好ましく、全てフッ素原子が最適である。
中でも、R1〜R8としては、水素原子、フッ素原子、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
中でも、R1〜R7としては、水素原子、フッ素原子、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
また、R9およびR10としては、水素原子、Z5で置換されていてもよい、炭素数1〜10のアルキル基もしくは炭素数2〜10の(ポリ)エチレンオキシド基が好ましく、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、共に水素原子が最適である。
また、置換基Z5としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)が最適である。
この反応では、トリアリールアミン化合物またはテトラアリールベンジジン化合物のアリール基1当量に対して、アルコキシ基を有するテトラアリールベンジジン化合物、アルデヒド化合物およびフルオレン誘導体を合計で0.01〜10当量程度の割合で用いることができるが、0.05〜5当量が好ましく、0.1〜3当量がより好ましい。
この場合、アルデヒド化合物およびフルオレン誘導体の使用比率は、通常、アルデヒド化合物1当量に対して、フルオレン誘導体を0.1〜20当量程度の割合で用いることができるが、1〜15当量が好ましく、5〜10当量がより好ましい。
また、アルコキシ基を有するテトラアリールベンジジン化合物およびアルデヒド化合物の使用比率は、通常、アルデヒド化合物1当量に対して、アルコキシ基を有するテトラアリールベンジジン化合物を0.1〜20当量程度の割合で用いることができるが、1〜15当量が好ましく、5〜10当量がより好ましい。
酸触媒としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸などの鉱酸類;p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸一水和物などの有機スルホン酸類;ギ酸、シュウ酸などのカルボン酸類等を用いることができる。
酸触媒の使用量は、その種類によって種々選択されるが、通常、トリアリールアミン化合物またはテトラアリールベンジジン化合物1当量に対して、0.001〜10当量、好ましくは0.01〜5当量、より好ましくは0.1〜1当量である。
また、使用する酸触媒が、例えばギ酸のような液状のものであるならば、酸触媒に溶媒としての役割を兼ねさせることもできる。
以上のようにして得られる重合体の重量平均分子量Mwは、通常500〜200,000、好ましくは1,000〜200,000であり、より好ましくは1,000〜100,000であり、より一層好ましくは1,500〜50,000であり、さらに好ましくは2,000〜30,000である。
なお、ハロゲン原子としては、ヨウ素、臭素、塩素等が挙げられ、擬ハロゲンとしてはメタンスルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ等の(フルオロ)アルキルスルホニルオキシ;ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキシ等の芳香族スルホニルオキシなどが挙げられる。
また、式(9−2)で示されるN,N,N′,N′−テトラフェニルベンジジン化合物は、式(14)で表されるハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物として、式(14’)で表されるハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物を用いればよい。
これらの触媒は、1種単独で用いてもよく、2種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は公知の適切な配位子とともに使用してもよい。また、t−ブトキシナトリウム等の塩基をともに使用してもよい。
また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し0.5〜50当量とすることができるが、1〜10当量が好適である。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物を得ることができる。
オリゴアニリン化合物としては、特に限定されるものではなく、従来公知のオリゴアニリン化合物から適宜選択して用いることができるが、本発明においては、式(13)で示されるオリゴアニリン化合物を用いることが好ましい。
その他、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
R49〜R52としては、水素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、Z7で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z8で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基が好ましく、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
R53およびR54としては、水素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、Z7で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z8で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基、Y3およびY4がZ8で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基である−NY3Y4基が好ましく、水素原子、炭素数12〜24のジアリールアミノ基がより好ましく、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。
R55およびR56としては、水素原子、Z7で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、Z8で置換されていてもよい炭素数6〜10のアリール基が好ましく、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基がより好ましく、共に水素原子が最適である。
特に、R49〜R52が、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、R53およびR54が、水素原子、炭素数12〜24のジアリールアミノ基、X1が、−NY1−または単結合、かつ、Y1が、水素原子、メチル基の組み合わせが好ましく、R49〜R52が、全て水素原子、R53およびR54が、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基、X1が、−NY1−または単結合、Y1が、水素原子の組み合わせがより好ましい。
また、置換基Z8は、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Z9で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、塩素原子、臭素原子、Z9で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)が最適である。
そして、Z9は、塩素原子、臭素原子が好ましく、存在しないこと(すなわち、非置換であること)が最適である。
なお、本発明で用いられるオリゴアニリン化合物の合成法としては、特に限定されるものではないが、ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン(Bulletin of Chemical Society of Japan)(1994年、第67巻、p.1749−1752)、シンセティック・メタルズ(Synthetic Metals)(1997年、第84巻、p.119−120)、国際公開2008/032617号、国際公開2008/032616号、国際公開2008/129947号などに記載の方法が挙げられる。
ヘテロポリ酸とは、代表的に式(A)で示されるKeggin型あるいは式(B)で示されるDawson型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素(Si)、リン(P)、ヒ素(As)の酸素酸が挙げられる。
本発明においては、有機EL素子の輝度特性向上の点を考慮すると、リンモリブデン酸またはリンタングステン酸が好ましく、リンタングステン酸がより好ましい。
なお、本発明においては、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手し、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
すなわち、例えば、一般的には、リンタングステン酸は化学式H3(PW12O40)・nH2Oで、リンモリブデン酸は化学式H3(PMo12O40)・nH2Oでそれぞれ示されるが、定量分析において、この式中のP(リン)、O(酸素)またはW(タングステン)もしくはMo(モリブデン)の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量(リンタングステン酸含量)ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
すなわち、そのような電荷輸送性ワニスは、オリゴアニリン化合物の質量(WH)に対するヘテロポリ酸の質量(WD)の比が、2≦WD/WH≦10、好ましくは2.5≦WD/WH≦9.0を満たす。
このような硬化剤としては、特に限定されるものではなく、(メタ)アクリレート化合物、エポキシ化合物、ブロックイソシアネート基を有する化合物等の従来公知の種々の硬化剤が挙げられるが、(メタ)アクリレート化合物やそれを含む組成物などのアクリレート系硬化剤が好ましく、特に多官能(メタ)アクリレート化合物やそれを含む組成物などの多官能アクリレート系硬化剤がより好ましい。
アクリレート系硬化剤の具体例としては、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレートモノステアレート、ビスフェノールAエチレングリコール付加物(メタ)アクリレート、ビスフェノールFエチレングリコール付加物(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンメタノールジ(メタ)アクリレート、トリスヒドロキシエチルイソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンエチレングリコール付加物トリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレングリコール付加物トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリス(メタ)アクリロイルオキシエチルフォスフェート、トリスヒドロキシエチルイソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、変性ε−カプロラクトントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ(メタ)アクリレート、グリセリンプロピレングリコール付加物トリス(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールエチレングリコール付加物テトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、不飽和ポリエステル、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、オグソールEA−0200,同EA−F5003,同EA−F5503,同EA−F5510(以上、大阪ガスケミカル(株)製)、NKエステルA−BPEF,同A−BPEF/PGMAC70(以上、新中村化学工業(株)製)等が挙げられる。
なお、電荷輸送性物質およびドーパント物質は、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましい。
高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、1,3−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は1種単独で、または2種以上混合して用いることができる。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、5〜80質量%であることが好ましい。
このような溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、n−ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は1種単独で、または2種以上混合して用いることができる。
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、0.1〜10.0質量%程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは0.5〜5.0質量%、より好ましくは1.0〜3.0質量%である。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、スリットコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられるが、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にUVオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により焼成を行い、電極上に機能性単一膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してOLED素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
電子輸送材料としては、Alq3、BAlq、DPVBi、(2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)(PBD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、バソクプロイン(BCP)、シロール誘導体等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム(Li2O)、酸化マグネシウム(MgO)、アルミナ(Al2O3)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化ストロンチウム(SrF2)、Liq、Li(acac)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
上記OLED素子作製において、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、発光性高分子層を形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる機能性単一膜(正孔注入輸送層)を有するPLED素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により機能性単一膜を作製し、その上に発光性高分子層を形成し、さらに陰極電極を蒸着してPLED素子とする。
発光性高分子層の形成法としては、発光性高分子材料、またはそれにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、機能性単一膜の上に塗布した後、焼成することにより成膜する方法が挙げられる。
発光性高分子材料としては、ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)等のポリフルオレン誘導体、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキソキシ)−1,4−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVCz)等が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
焼成する方法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
(1)NMR:日本電子(株)製 ECX−300
(2)LC/MS:Waters(株)製 ZQ 2000
(3)基板洗浄:長州産業(株)製 基板洗浄装置(減圧プラズマ方式)
(4)ワニスの塗布:ミカサ(株)製 スピンコーターMS−A100
(5)膜厚測定:(株)小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダET−4000
(6)高分子分子量測定:(株)島津製作所製(カラム:SHODEX GPC KF−803L+GPC KF−804L,カラム温度:40℃,検出器:UV検出器(254nm)およびRI検出器,溶離液:THF,カラム流速:1.0ml/min.)
(7)EL素子の作製:長州産業(株)製 多機能蒸着装置システムC−E2L1G1−N
(8)EL素子の輝度等の測定:(有)テック・ワールド製 I−V−L測定システム
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ3.38(s,3H),3.53−3.58(m,2H),3.64−3.75(m,6H),3.84(app t,J=4.8Hz,2H),4.11(app t,J=4.8Hz,2H),6.83−6.87(m,1H),7.05−7.16(m,3H).
LC/MS(ESI+)m/z;319,321[M+1]+
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ3.36(s,6H),3.52−3.55(m,4H),3.62−3.73(m,12H),3.80(app t,J=4.8Hz,4H),4.04(app t,J=4.8Hz,4H),6.57−6.59(m,2H),6.68−6.71(m,4H),7.02(app t,J=7.2Hz,2H),7.11−7.17(m,10H),7.23−7.28(m,4H),7.44(d,J=8.7Hz,4H).
LC/MS(ESI+)m/z;813[M+1]+
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ3.38(s,3H),3.53−3.58(m,2H),3.63−3.75(m,6H),3.84(app t,J=4.8Hz,2H),4.09(app t,J=4.8Hz,2H),6.79(d,J=9.3Hz,2H),7.35(d,J=9.0Hz,2H).
LC/MS(ESI+)m/z;319,321[M+1]+
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ3.38(s,6H),3.54−3.57(m,4H),3.65−3.77(m,12H),3.86(app t,J=4.8Hz,4H),4.12(app t,J=4.8Hz,4H),6.86(d,J=9.0Hz,4H),6.96(t,J=7.2Hz,2H),7.04−7.10(m,12H),7.20−7.25(m,4H),7.40(d,J=8.7Hz,4H).
LC/MS(ESI+)m/z;813[M+1]+
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ3.39(s,3H),3.56−3.59(m,2H),3.70−3.74(m,2H),3.85(app t,J=4.8Hz,2H),4.12(app t,J=4.8Hz,2H),6.84(ddd,J=1.5,2.4,7.8Hz,2H),7.05−7.15(m,3H).
LC/MS(ESI+)m/z;275,277[M+1]+
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ3.37(s,6H),3.54−3.57(m,4H),3.67−3.70(m,4H),3.80(app t,J=4.8Hz,4H),4.05(app t,J=4.5Hz,4H),6.56−6.59(m,2H),6.68−6.71(m,4H),7.02(app t,J=7.2Hz,2H),7.10−7.17(m,10H),7.23−7.28(m,4H),7.44(d,J=8.7Hz,4H).
LC/MS(ESI+)m/z;725[M+1]+
Mw(GPC)=3,400
Mn(GPC)=1,400
Mw/Mn=2.4
Mw(GPC)=4,500
Mn(GPC)=2,900
Mw/Mn=1.6
Mw(GPC)=3,300
Mn(GPC)=2,200
Mw/Mn=1.6
Mw(GPC)=4,300
Mn(GPC)=2,200
Mw/Mn=2.0
[実施例1]電荷輸送性ワニスA
合成例7で得られたポリマー1(90mg)、国際公開2013/084664号記載の方法に従って合成したオリゴアニリン化合物1(20mg)およびリンタングステン酸(関東化学(株)製)(100mg)の混合物に、窒素循環型グローブボックス内で1,3−ジメチルイミダゾリジノン(2.5g)を加え、50℃で加熱撹拌して溶解させた。これにシクロヘキサノール(2.5g)を加えて撹拌し、緑色溶液を得た。この溶液を孔径0.2μmのシリンジフィルターでろ過して、電荷輸送性ワニスAを得た。
ポリマー1の代わりに、合成例8で得られたポリマー2を90mg用いた以外は、実施例1と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
ポリマー1の代わりに、合成例9で得られたポリマー3を90mg用いた以外は、実施例1と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
ポリマー1の代わりに、合成例10で得られたポリマー4を90mg用いた以外は、実施例1と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
ポリマー1を用いず、オリゴアニリン化合物1およびリンタングステン酸の使用量を20mgおよび100mgとした以外は、実施例1と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
電気特性を評価する際の基板には、インジウム錫酸化物が表面上に膜厚150nmでパターニングされた25mm×25mm×0.7tのガラス基板(以下、ITO基板と略す)を用いた。ITO基板は、O2プラズマ洗浄装置(150W、30秒間)を用いて、表面上の不純物を除去してから使用した。
実施例1で得られた電荷輸送性ワニスAを、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、80℃で1分間乾燥し、さらに230℃で15分間焼成し、ITO基板上に35nmの均一な薄膜を形成した。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、OLED素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度2ppm以下、露点−85℃以下の窒素雰囲気中で、有機EL素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材((株)MORESCO製、モレスコモイスチャーカット WB90US(P))により貼り合わせた。この際、捕水剤(ダイニック(株)製,HD−071010W−40)をOLED素子と共に封止基板内に収めた。
貼り合わせた封止基板に対し、UV光を照射(波長:365nm、照射量:6000mJ/cm2)した後、80℃で1時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
電荷輸送性ワニスAの代わりに実施例2で得られた電荷輸送性ワニスBを用いた以外は、実施例5と同様の方法でOLED素子を作製した。
電荷輸送性ワニスAの代わりに実施例3で得られた電荷輸送性ワニスCを用いた以外は、実施例5と同様の方法でOLED素子を作製した。
電荷輸送性ワニスAの代わりに実施例4で得られた電荷輸送性ワニスDを用いた以外は、実施例5と同様の方法でOLED素子を作製した。
電荷輸送性ワニスAの代わりに比較例1で得られた電荷輸送性ワニスEを用いた以外は、実施例5と同様の方法でOLED素子を作製した。
このように、ポリマー1〜4のいずれかを電荷輸送性ワニスに添加することにより、OLED素子の電流効率および輝度を向上させることができることがわかる。
Claims (17)
- フッ素原子を含有する電荷輸送性物質と、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質と、ヘテロポリ酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、
前記フッ素原子を含有する電荷輸送性物質が、トリアリールアミン化合物およびN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも1種と、その少なくとも1つのアリール基がエーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基で置換されたN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物と、フッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、カルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られる重量平均分子量500〜200,000の重合体であり、
前記フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質が、オリゴアニリン化合物であることを特徴とする電荷輸送性ワニス。 - 前記フッ素原子を含有する電荷輸送性物質が、式(1)で示されるトリアリールアミン化合物および式(2)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも1種と、式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物と、式(4)で示されるフッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、式(5)または式(6)で示されるカルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られる重合体である請求項1記載の電荷輸送性ワニス。
Ar8〜Ar11は、互いに独立して、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表すが、Ar8〜Ar11のうち少なくとも2つにおいて環を構成する炭素原子の少なくとも1つは非置換であるとともに、Ar8〜Ar11の少なくとも1つはZ2で置換されており、
Ar12は、少なくとも1つのZ3で置換されているとともに、Z4で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表し、
R1〜R8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ5で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、
R9およびR10は、互いに独立して、水素原子、Z5で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20の(ポリ)エチレンオキシド基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基、またはエテニル基もしくはエチニル基で置換されているとともに、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基を表し、
Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ5で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、
Z2は、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数1〜20のアルコキシ基を表し、
Z3は、フッ素原子、炭素数1〜20のフッ化アルキル基、または炭素数6〜20のフッ化アリール基を表し、
Z4は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ6で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、
Z5は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表し、
Z6は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。) - 前記式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物が、前記式(10−7)で示される請求項7記載の電荷輸送性ワニス。
- 前記オリゴアニリン化合物が、式(13)で示される請求項1〜9のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニス。
Y2〜Y13は、互いに独立して、Z7で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基、またはZ8で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、
X1は、−NY1−、−O−、−S−、−(CR55R56)l−または単結合を表し、R55およびR56は、前記R49と同じ意味を表し、
lは、1〜20の整数であり、
Y1は、互いに独立して、水素原子、Z7で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基、またはZ8で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、
Z7は、ハロゲン原子(ただし、フッ素原子を除く)、ニトロ基、シアノ基、またはZ9で置換されていてもよい、炭素数6〜20のアリール基もしくは炭素数2〜20のヘテロアリール基を表し、
Z8は、ハロゲン原子(ただし、フッ素原子を除く)、ニトロ基、シアノ基、またはZ9で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、
Z9は、ハロゲン原子(ただし、フッ素原子を除く)、ニトロ基、またはシアノ基を表し、
mおよびnは、互いに独立して、1〜10の整数であり、m+n≦10を満たす。) - 前記ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸である請求項1〜10のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニス。
- 請求項1〜11のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
- 請求項12記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 陽極、陰極、発光層および請求項12記載の電荷輸送性薄膜を少なくとも備えて構成され、
前記陽極と発光層との間に、それら各層と接する態様で前記電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項1〜11のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
- 請求項12記載の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 式(1)で示されるトリアリールアミン化合物および式(2)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも1種と、式(3)で示されるN,N,N′,N′−テトラアリールベンジジン化合物と、式(4)で示されるフッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、式(5)または式(6)で示されるカルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られ、重量平均分子量が500〜200,000であることを特徴とする重合体。
Ar8〜Ar11は、互いに独立して、Z2で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表すが、Ar8〜Ar11のうち少なくとも2つにおいて環を構成する炭素原子の少なくとも1つは非置換であるとともに、Ar8〜Ar11の少なくとも1つはZ2で置換されており、
Ar12は、少なくとも1つのZ3で置換されているとともに、Z4で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基を表し、
R1〜R8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ5で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、
R9およびR10は、互いに独立して、水素原子、Z5で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20の(ポリ)エチレンオキシド基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基、またはエテニル基もしくはエチニル基で置換されているとともに、Z5で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基を表し、
Z1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ5で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、
Z2は、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数1〜20のアルコキシ基を表し、
Z3は、フッ素原子、炭素数1〜20のフッ化アルキル基、または炭素数6〜20のフッ化アリール基を表し、
Z4は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、またはZ6で置換されていてもよい、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数2〜20のアルケニル基もしくは炭素数2〜20のアルキニル基を表し、
Z5は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表し、
Z6は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。)
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