JP2000077185A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子

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JP2000077185A
JP2000077185A JP10243450A JP24345098A JP2000077185A JP 2000077185 A JP2000077185 A JP 2000077185A JP 10243450 A JP10243450 A JP 10243450A JP 24345098 A JP24345098 A JP 24345098A JP 2000077185 A JP2000077185 A JP 2000077185A
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organic
cathode
anode
polymer
organic electroluminescent
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Shinji Funakoshi
真二 船越
Tomoya Watanabe
智也 渡辺
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布法を用いながら積層が容易であり、発光
効率および安定性に優れた有機エレクトロルミネッセン
ス素子を提供する。 【解決手段】 正孔を注入する陽極と電子を注入する陰
極とを有し、該陽極と該陰極間に二以上の層を有し、該
二以上の層の少なくとも一に有機物を含み、かつ該陽極
もしくは該陰極の少なくとも一方が透明である有機エレ
クトロルミネッセンス素子であって、該有機物にシロキ
サン骨格を有する有機高分子を含む有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、面発光素子、情報
表示素子として有用な有機エレクトロルミネッセンス素
子に関し、詳しくは発光効率と安定性に優れた有機エレ
クトロルミネッセンス素子に関する。
【0002】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子は、
有機発光体を対向電極で挟んで構成されており、一方の
電極からは電子が注入され、もう一方の電極からは正孔
が注入され、注入された電子と正孔が発光層内で再結合
するときに発光するものである。
【0003】有機エレクトロルミネッセンス素子研究の
歴史の中で、初期においてはアントラセンなどの有機蛍
光体の単結晶あるいは蒸着膜を、陽極と陰極の間に設け
た構造の素子が検討された。ところが、蛍光体単層では
上述した電子と正孔の再結合が効率よく行えず、実用性
のある素子は得られていなかった。これに対し、正孔輸
送性化合物の低分子芳香族アミンと電子輸送性発光化合
物のアルミキレート錯体とを真空蒸着によって積層させ
ることによって、有機エレクトロルミネッセンス素子は
飛躍的に発光効率が向上することが報告された(C.
W.Tang,Appl.Phys.Lett.,5
1,p.913(1987))。この報告によって、素
子の高効率化には正孔輸送性有機化合物層と電子輸送性
有機化合物層とを積層する素子構造、即ち、機能分離を
行った素子構造が有効であることが明らかになった。
【0004】以来、真空蒸着法による積層構造を有する
有機エレクトロルミネッセンス素子の研究が活発に行わ
るようになった。しかし、真空蒸着を行うため、用いら
れる有機化合物は低分子量のものに限られ、低分子有機
化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いては、経時的に有機層の結晶化や凝集が起こり素子が
劣化し素子寿命に多大な影響を与える。そこで、用いる
有機化合物の分子量を蒸着可能な範囲内で大きくし、ガ
ラス転移点を上げ有機層の結晶化や凝集を抑制する方法
などが提案されているが本質的な問題解決にはなり得て
いない。さらに、素子の大面積化を図る場合、真空蒸着
法は製造上、素子面内組成や膜厚などの均質性が低い、
また製造コストが高いなどの問題がある。
【0005】また一方、低分子有機層から高分子有機層
への転換も提案されており、今までに、不活性なポリマ
ーバインダー中にキャリヤ輸送性低分子有機化合物や発
光性化合物を分散させたもの、キャリヤ輸送性低分子有
機化合物にビニル基を導入し重合することで高分子化を
行うものなどが提案されているが、いずれも溶媒を用い
る湿式法で製膜しており、積層型素子を形成し発光効率
の向上を図る場合、後から塗布する高分子の溶媒が下地
の有機層を溶かさないような溶媒を選択する必要があ
り、用いることのできる材料の選択が制限されるなど高
分子同士の積層を行うにはかなり制約があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決するものであり、その目的とするとこ
ろは、塗布法を用いながら積層が容易であり、発光効率
および安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素
子を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等はこの様な状
況に鑑み鋭意検討を加えた結果、陽極と陰極の間の層と
して、シロキサン骨格を有する有機高分子を含む層を塗
布して層を形成することにより優れた性能の有機エレク
トロルミネッセンス素子を得ることができることを見出
した。また、その際、特に反応性ポリシロキサンの架橋
反応を温和な条件下で起こさせて塗膜を架橋不溶化する
ことによって、容易に高分子同士を積層することがで
き、しかもこのようにして得た有機エレクトロルミネッ
センス素子は、さらに発光効率および安定性に優れるこ
とを見出した。
【0008】また、シロキサン骨格を有する有機高分子
と、これと相溶性が低い炭素を主成分とする骨格を有す
る有機高分子との混合溶液を塗布することによって、塗
布層内で二相分離がおこり、高分子同士が積層された構
造を形成することができ、この方法により形成した層を
含む有機エレクトロルミネッセンス素子は、同様に発光
効率および安定性に優れることを見出した。
【0009】即ち、本発明は、[1]正孔を注入する陽
極と電子を注入する陰極とを有し、該陽極と該陰極間に
二以上の層を有し、該二以上の層の少なくとも一に有機
物を含み、かつ該陽極もしくは該陰極の少なくとも一方
が透明である有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
て、該有機物にシロキサン骨格を有する有機高分子を含
む有機エレクトロルミネッセンス素子であり、また、本
発明は、[2]シロキサン骨格を有する有機高分子が、
架橋されたものである[1]に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子であり、また、本発明は、[3]有機
物が、反応性有機ポリシロキサンと多官能の電子輸送性
有機化合物とからなる架橋物である[1]に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子であり、また、本発明
は、[4]有機物が、反応性有機ポリシロキサンと多官
能の正孔輸送性有機化合物とからなる架橋物である
[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であ
り、さらに、本発明は、[5]有機物が、シロキサン骨
格を有する有機高分子と、該有機高分子と相溶性の低い
炭素を主成分とする骨格を有する有機高分子とを含むも
のである[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
【0010】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
有機エレクトロルミネッセンス素子で用いられるシロキ
サン骨格を有する有機高分子としては、官能基を導入し
たキャリア輸送性有機化合物を反応性シリコーン類より
選択した一種ないしは二種以上と反応せしめ、シロキサ
ン骨格にたいし側鎖として該キャリア輸送性有機化合物
を導入したものが挙げられる。
【0011】ここでいう反応性シリコーンとはハイドロ
ジェンシリコーンやビニル基を持つシリコーン、エポキ
シ基を持つシリコーン等が好ましく挙げられる。また、
ここでいうハイドロジェンシリコーンとはポリメチルハ
イドロジェンシリコーン、ポリフェニルハイドロジェン
シリコーン、およびこれらの共重合物、さらにはこれら
ハイドロジェンシリコーンのSi−H基の一部をメチル
基やフェニル基で置換した構造を持つシリコーンなどで
あり、これら単独あるいは2種以上が用いられる。
【0012】さらに、ここでいうキャリア輸送性有機化
合物とは正孔輸送性有機化合物、電子輸送性有機化合物
を指し、たとえば、電子写真感光体や低分子積層型有機
エレクトロルミネッセンス素子の作成において一般に用
いられている有機化合物などである。また、反応性シリ
コーン類と多官能の電子輸送性有機化合物との架橋反応
を用いた場合、他に架橋剤を添加する必要がなくなり、
その分、電子輸送層に占める電子輸送性有機化合物の比
率を大きくすることができ、電子を輸送するのにより有
利となる。ただし、この場合、一官能の電子輸送性有機
化合物を併用することによって架橋度を制御することも
可能である。
【0013】電子輸送性有機化合物としては、従来公知
の電子輸送性有機化合物および該電子輸送性有機化合物
に官能基を導入したものが制限なく使用でき、具体的に
は、下記式(1)で示される2,5−ビス(1−ナフチ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール(以下、BNDと
称す)、下記式(2)で示される2−(4−t−ブチル
フェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,3,4−
オキサジアゾール、下記式(3)で示される2,5−ビ
ス(1−(2−オキサ−ペンテニル)ナフチル)−1,
3,4−オキサジアゾール(以下、A−BNDと称
す)、下記式(4)で示される2−(4−(2−オキサ
−4−ペンテニル)フェニル)−5−(1−ナフチル)
−1,3,4−オキサジアゾール等が例示される。
【0014】
【化1】
【0015】
【化2】
【0016】
【化3】
【0017】
【化4】
【0018】同様に、反応性シリコーン類と多官能の正
孔輸送性有機化合物との架橋反応を用いた場合、他に架
橋剤を添加する必要がなくなり、その分、正孔輸送層に
占める正孔輸送性有機化合物の比率を大きくすることが
でき、正孔を輸送するのにより有利となる。ただし、こ
の場合、一官能の孔子輸送性有機化合物を併用すること
によって架橋度を制御することも可能である。
【0019】正孔輸送性有機化合物としては、従来公知
の正孔輸送性有機化合物および該正孔輸送性有機化合物
に官能基を導入したものが制限なく使用でき、具体的に
は、下記式(5)で示されるN,N’−ジフェニル−
N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェ
ニル−4,4’−ジアミンン(以下、TPDと称す)、
下記式(6)で示される9−カルバゾール、下記式
(7)で示されるN,N'−ジフェニル−N,N'−(3
−(2−オキサ−4−ペンテニル)フェニル)−1,
1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン(以下、A−TP
Dと称す)、下記式(8)で示される9−(2−プロペ
ニルカルバゾール)等が例示される。
【0020】
【化5】
【0021】
【化6】
【0022】
【化7】
【0023】
【化8】
【0024】また、シロキサン骨格を有する有機高分子
と、これと相溶性が低い炭素を主成分とする骨格を有す
る有機高分子との組み合わせは、塗布後相分離するもの
であればよく特に制限はないが、具体例をあげると、シ
ロキサン骨格を有する有機高分子としては上記式(3)
及び(4)に示したような電子輸送性有機化合物とハイ
ドロジェンシリコーンとの反応物などがあり、炭素を主
成分とする骨格を有する有機高分子としてはポリ(N−
ビニルカルバゾール)、下記式(9)に示すポリ{2−
(1−ナフチル)−5−(4−ビニルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール}などが挙げられる。
【0025】
【化9】
【0026】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明を更
に詳細に説明する。
【0027】
【実施例1】陽極基板としては、よく洗浄したインジウ
ム錫酸化物(ITO)コートガラス(HOYA(株)
製)を用い、ガラス基板上のITO層は王水により2m
m幅の短冊状にエッチングした。正孔輸送性化合物であ
るA−TPDとポリメチルハイドロジェンシリコーン
[信越化学工業(株)製、商品名:KF−99]とを重
量比で60対40になるようにTHFに溶解、混合した
後、固形分に対し10ppmの白金触媒(ヘキサクロロ
白金酸六水和物)を添加し、該陽極基板上にスピンコー
トした。徐々に基板を加熱し80℃で十分に架橋反応せ
しめ、40nmの厚さの層が得られた。つぎに、電子輸
送性化合物であるA−BND、下記式(6)で示される
蛍光物質である3−(2’−ベンゾチアゾリル)−7−
ジエチルアミノクマリン(以下、クマリン6と称す)、
【0028】
【化10】
【0029】A−TPDとポリメチルハイドロジェンシ
リコーン[信越化学工業(株)製、商品名:KF−9
9)]とを重量比で20対2対48対30になるように
THFに溶解、混合した後、固形分に対し10ppmの
白金触媒を添加し、先に形成した高分子層の上にスピン
コートした。徐々に基板を加熱し80℃で十分に架橋反
応せしめ、30nmの厚さの層が得られ、二層の合計が7
0nmとなった。さらに、A−BNDとポリメチルハイ
ドロジェンシリコーン[信越化学工業(株)製、商品
名:KF−99)]とを重量比で70対30になるよう
にTHFに溶解、混合した後固形分に対し10ppmの
白金触媒を添加し、先に形成した高分子層の上にスピン
コートした。徐々に基板を加熱し80℃で十分に架橋反
応せしめ、30nmの厚さの層が得られ、三層の合計が
100nmとなった。最後に、シャドウマスクを用いて
陰極を2mm幅でITO電極と交差する形状にして、M
gとAgとを速度比10対1の割合で共蒸着した。素子
の発光面積は2×2mm2 である。
【0030】素子の発光特性の測定は、クライオスタッ
ト中0.1Paの真空下、室温で行った。ITO電極を
プラス、MgAg電極をマイナスとして定電流電源装置
により直流電流を流して素子を発光させ、発光強度の測
定を行った。その結果、10mA/cm2 時の電流量子
効率は3.0、寿命はおよそ1万時間であった。
【0031】ここで、電流量子効率とは電流として観測
される注入キャリヤー数に対する素子外部で観測できる
出力光子数から計算した外部効率と定義し、寿命は10
mA/cm2 の一定電流を流しつづけたときに発光強度
が初期の値の二分の一に低下した時間と定義する。
【0032】
【実施例2】実施例1と同様のITOコートガラスを陽
極基板として用いた。電子輸送性化合物であるA−OX
Dとポリメチルハイドロジェンシリコーン[信越化学工
業(株)製、商品名:KF−99)]とを重量比で70
対30になるようにTHFに溶解、混合した後、固形分
に対し10ppmの白金触媒(ヘキサクロロ白金酸六水
和物)を添加し反応させて得られた高分子と正孔輸送性
化合物であるポリ(N−ビニルカルバゾール)およびク
マリン6とを重量比で49対49対2となるようTHF
に溶解、混合した後、該陽極基板上にスピンコートし
た。徐々に基板を加熱し80℃で十分にTHFを揮発せ
しめ、100nmの厚さの層が得られた。つぎに、シャ
ドウマスクを用い陰極を2mm幅でITO電極と交差する
形状にして、MgとAgとを速度比10対1の割合で共
蒸着した。素子の発光面積は2×2mm2 である。素子
の発光特性は、実施例1と同様の条件下同様の測定を行
った。
【0033】その結果、10mA/cm2 時の電流量子
効率は2.0、寿命はおよそ8千時間であった。
【0034】
【比較例1】実施例1と同様のITOコートガラスを陽
極基板として用い、正孔輸送性化合物であるTPDを蒸
着法にて40nmの厚みの層とした後、続けてTPDと
クマリン6とを共蒸着法にて重量比で98対2の組成と
なるよう制御して30nmの厚みの層とした後、さらに
続けて電子輸送性化合物であるBNDを蒸着法にて30
nmの厚みの層とし、合計で100nmの厚さの層が得
られた。
【0035】最後に、シャドウマスクを用いて陰極を2
mm幅でITO電極と交差する形状にして、MgとAg
とを速度比10対1の割合で共蒸着した。素子の発光面
積は2×2mm2 である。素子の発光特性は、実施例1
と同様の条件下同様の測定を行った。その結果、10m
A/cm2 時の電流量子効率は3.3、寿命はおよそ5
5時間であった。
【0036】
【比較例2】実施例1と同様のITOコートガラスを陽
極基板として用いた。TPDとBNDとクマリン6とを
重量比で49対49対2とし、これら3種の化合物の合
計重量の1/2量のポリ(N−ビニルカルバゾール)と
ともにTHFに溶解、混合した後、該陽極基板上にスピ
ンコートした。徐々に基板を加熱し80℃で十分にTH
Fを揮発せしめ、100nmの厚さの層が得られた。つ
ぎに、シャドウマスクを用い陰極を2mm幅でITO電
極と交差する形状にして、MgとAgとを速度比10対
1の割合で共蒸着した。素子の発光面積は2×2mm2
である。素子の発光特性は、実施例1と同様の条件下同
様の測定を行った。その結果、10mA/cm2 時の電
流量子効率は0.1、寿命はおよそ700時間であっ
た。
【0037】
【発明の効果】本発明の素子は、一般に高分子の製膜に
用いられているスピンコート法やディップコート法など
により非常に容易に均質な層を得ることができ、工業的
生産が容易である。しかも優れた動作安定性と、積層構
造による優れた発光効率の双方の利点を併せ持つ物性的
に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 正孔を注入する陽極と電子を注入する陰
    極とを有し、該陽極と該陰極間に二以上の層を有し、該
    二以上の層の少なくとも一に有機物を含み、かつ該陽極
    もしくは該陰極の少なくとも一方が透明である有機エレ
    クトロルミネッセンス素子であって、該有機物にシロキ
    サン骨格を有する有機高分子を含む有機エレクトロルミ
    ネッセンス素子。
  2. 【請求項2】 シロキサン骨格を有する有機高分子が、
    架橋されたものである請求項1に記載の有機エレクトロ
    ルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】 有機物が、反応性有機ポリシロキサンと
    多官能の電子輸送性有機化合物とからなる架橋物である
    請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 【請求項4】 有機物が、反応性有機ポリシロキサンと
    多官能の正孔輸送性有機化合物とからなる架橋物である
    請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 【請求項5】 有機物が、シロキサン骨格を有する有機
    高分子と、該有機高分子と相溶性の低い炭素を主成分と
    する骨格を有する有機高分子とを含むものである請求項
    1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000215986A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2002079343A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Element luminescent
US6821649B2 (en) 2001-08-20 2004-11-23 Tdk Corporation Organic EL device and preparation method
JP2005519429A (ja) * 2002-03-04 2005-06-30 シーディーティー オックスフォード リミテッド 燐光体組成物及びそれを含む有機発光装置
JP2007504657A (ja) * 2003-09-04 2007-03-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機導体および半導体と架橋したポリマーからなる中間バッファー層とを備えた電子デバイス
US7775845B2 (en) 2006-06-28 2010-08-17 Seiko Epson Corporation Organic semiconductor device, method for producing organic semiconductor device, organic electroluminescent device, and method for producing organic electroluminescent device
WO2010104183A1 (ja) * 2009-03-13 2010-09-16 三菱化学株式会社 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明
JP2012015339A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Fujifilm Corp 組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法
US8101230B2 (en) 2006-12-04 2012-01-24 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Method for producing electronic device and coating solutions suitable for the production method
JP2015030668A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 Jnc株式会社 含酸素五員環を有する重合性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
WO2023181737A1 (ja) * 2022-03-25 2023-09-28 住友化学株式会社 組成物及びそれを用いた発光素子の製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000215986A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4581152B2 (ja) * 1999-01-25 2010-11-17 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7504161B2 (en) 2001-03-30 2009-03-17 Fujifilm Corporation Luminescent element
WO2002079343A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Element luminescent
US6821649B2 (en) 2001-08-20 2004-11-23 Tdk Corporation Organic EL device and preparation method
US7018724B2 (en) 2001-08-20 2006-03-28 Tdk Corporaiton Organic EL device and preparation method
JP2005519429A (ja) * 2002-03-04 2005-06-30 シーディーティー オックスフォード リミテッド 燐光体組成物及びそれを含む有機発光装置
KR101071034B1 (ko) 2003-09-04 2011-10-06 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도체를 포함하는 전자 디바이스
JP2007504656A (ja) * 2003-09-04 2007-03-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機半導体を含む電子デバイス
US7901766B2 (en) 2003-09-04 2011-03-08 Merck Patent Gmbh Electronic devices comprising an organic conductor and semiconductor as well as an intermediate buffer layer made of a crosslinked polymer
JP2007504657A (ja) * 2003-09-04 2007-03-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機導体および半導体と架橋したポリマーからなる中間バッファー層とを備えた電子デバイス
US7775845B2 (en) 2006-06-28 2010-08-17 Seiko Epson Corporation Organic semiconductor device, method for producing organic semiconductor device, organic electroluminescent device, and method for producing organic electroluminescent device
US8101230B2 (en) 2006-12-04 2012-01-24 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Method for producing electronic device and coating solutions suitable for the production method
WO2010104183A1 (ja) * 2009-03-13 2010-09-16 三菱化学株式会社 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明
JP2012015339A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Fujifilm Corp 組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法
JP2015030668A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 Jnc株式会社 含酸素五員環を有する重合性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
WO2023181737A1 (ja) * 2022-03-25 2023-09-28 住友化学株式会社 組成物及びそれを用いた発光素子の製造方法
JP7439312B2 (ja) 2022-03-25 2024-02-27 住友化学株式会社 組成物及びそれを用いた発光素子の製造方法

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