JP2013091835A - 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法 - Google Patents
銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013091835A JP2013091835A JP2011235605A JP2011235605A JP2013091835A JP 2013091835 A JP2013091835 A JP 2013091835A JP 2011235605 A JP2011235605 A JP 2011235605A JP 2011235605 A JP2011235605 A JP 2011235605A JP 2013091835 A JP2013091835 A JP 2013091835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- particle size
- bonding material
- sinterable
- copper nanoparticles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
- B22F1/056—Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0263—Details about a collection of particles
- H05K2201/0266—Size distribution
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
Abstract
【解決手段】粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む液又はペーストであって、銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークは、粒径が1〜35nmの区間、及び、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、銅ナノ粒子は、単一粒子155(一次粒子)と、単一粒子155の融合体156である二次粒子とを含む焼結性接合材料を用いる。
【選択図】図2C
Description
図1は、銅ナノ粒子の製造方法の一例を示すフローチャートである。
本発明においては、焼結性接合材料は、粒径1〜35nmの一次粒子と、この一次粒子の融合体であって粒径が35nmより大きく1000nm以下の二次粒子とを含み、一次粒子及び二次粒子を合わせた粒子全体の比表面積が3〜10m2/gの範囲にあることが必須である。ここで、当該粒子全体の比表面積を「銅ナノ粒子の比表面積」ということにする。
焼結性接合材料に対する焼結熱処理は、還元雰囲気中において100〜500℃の温度で行うことが好ましい。また、還元雰囲気としては特段に限定されるものではないが、例えば、水素雰囲気、ギ酸雰囲気、エタノール雰囲気などが好適である。
銅の原料化合物としては、Cu(NO3)2・3H2O粉末を用いた。溶媒としては、水を用いた。酸化第二銅ナノ粒子の析出剤としては、NaOHを用いた。容積1000mLのビーカーにて30分間の窒素バブリングを行った蒸留水784.8mLに対し、Cu(NO3)2・3H2O粉末を1.932g加え、20℃及び80℃のウォーターバス中で均一に溶解させた。その後、1.0MのNaOH水溶液を15.2mL滴下することにより、酸化第二銅ナノ粒子コロイド分散液を作製した。
作製した銅ナノ粒子(試料1〜2)に対し、透過型電子顕微鏡(日本電子株式会社製、JEM-2000FX II)を用いて得た画像から粒子サイズを測定した。
表1に示すように、試料1〜2(反応温度20℃及び80℃で作製した粒子)においては、銅ナノ粒子のXRD回折パターンにおいて酸化銅のピークが現れなかった。一方、比較例1及び2の粒子においては、酸化銅のピークが観測された。これは、試料1〜2の粒子の比表面積は4.1〜6.5m2/gと小さく、比較例1及び2においては比表面積が11m2/g、13.45m2/gと大きかったためである。
電子部材同士の接合を模擬して接合強度試験を実施した。試験方法は次のとおりである。
試料1〜2と比較例1〜3における接合強度の結果を表1に併記し、比表面積と接合強度との関係を図5に示す。
Niに対する接合性を評価することで35nm以下の銅ナノ粒子を含有することの有用性を確認した。試験には直径10mm、厚さ5mmの下側試験片と、直径5mm、厚さ2mmの上側試験片の銅試験片に1μmのNiめっきが施されたものを使用した。接合条件は(焼結性接合材料の接合強度試験)の項で記載した方法と同様である。表1にこの実験結果も併記した。表1に示すように、35nm以下の粒子を含有している試料1〜2を用いた場合、25MPa以上の非常に高い接合強度が得られた。一方で比較例1~3では低強度であった。比較例1では粒子の酸化が抑制できていなかったため、比較例2では粒子が50nmと若干大きかったため、比較例3では粒子が1μmと非常に大きかったためと考えられる。以上のように異種金属との接合では粒径35nmの粒子が接合に重要であることが示された。これは異種金属との接合を達成するには表面エネルギーの大きな粒子でなければならないからである。
半導体パワーモジュールのピンフィン冷却ユニットのピン接続に本発明の焼結性接合材料を適用する例について説明する。
図7Aは、本発明を適用した絶縁型半導体装置を示す平面図であり、図7Bは、図7AのA−A断面図である。図8は、図7Aの絶縁型半導体装置を示す斜視図である。図9は、図8の半導体素子の設置部分を示す拡大断面図である。
本実施例では、部品内蔵型の多層配線基板への適用について説明する。
本実施例では、積層チップへの適用について説明する。
Claims (17)
- 粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む液又はペーストであって、前記銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークは、粒径が1〜35nmの区間、及び、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、前記銅ナノ粒子は、一次粒子と、前記一次粒子の融合体である二次粒子とを含むことを特徴とする焼結性接合材料。
- 前記銅ナノ粒子の比表面積は、3〜10m2/gであることを特徴とする請求項1記載の焼結性接合材料。
- 前記液は、水、又は水とアルコール系溶媒との混合溶液であることを特徴とする請求項1又は2に記載の焼結性接合材料。
- 前記銅ナノ粒子の含有量は80質量%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の焼結性接合材料。
- さらに、分散安定剤を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の焼結性接合材料。
- 前記分散安定剤の含有量は、前記銅ナノ粒子を構成する銅100質量部に対して30質量部以下であることを特徴とする請求項5記載の焼結性接合材料。
- 前記分散安定剤は、ドデシル硫酸ナトリウム、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸、ビス(2−エチルへキシル)スルホン酸ナトリウム、セチルトリメチルアンモニウムブロミド、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール又はポリエチレングリコールであることを特徴とする請求項5又は6に記載の焼結性接合材料。
- 粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む液であって、前記銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークは、粒径が1〜35nmの区間、及び、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、前記銅ナノ粒子の比表面積は3〜10m2/gであり、前記銅ナノ粒子は、前記液の中に分散している焼結性接合材料の製造方法であって、前記液の中に銅化合物を溶解させて銅イオンを生成する工程の後に、前記銅イオンを含有する液の中に不活性ガスを流しながらアルカリ性溶液を加えて酸化第二銅コロイドを生成し、その後、前記酸化第二銅コロイドを含有する液の中に分散安定剤を混合した状態で還元剤を加えて前記銅ナノ粒子を生成する工程を含むことを特徴とする焼結性接合材料の製造方法。
- 前記銅化合物は、硝酸銅水和物、銅酸化物及びカルボン酸銅塩のうちの少なくとも一種であることを特徴とする請求項8記載の焼結性接合材料の製造方法。
- 前記銅ナノ粒子を含む前記液を乾燥した後、前記銅ナノ粒子を分散媒に分散してペースト状とする工程を含むことを特徴とする請求項8又は9に記載の焼結性接合材料の製造方法。
- 複数個の電子部材を接合する際、請求項1〜7のいずれか一項に記載の焼結性接合材料を接合部位の片面または両面に塗布する工程の後に、還元雰囲気中で100〜500℃の焼結熱処理を施す工程を含むことを特徴とする電子部材の接合方法。
- 前記還元雰囲気は、水素、ギ酸又はエタノールの雰囲気であることを特徴とする請求項11記載の電子部材の接合方法。
- 前記電子部材を接合する方向に加圧しながら前記焼結熱処理を施すことを特徴とする請求項11又は12に記載の電子部材の接合方法。
- 前記電子部材は、半導体装置のチップ及び配線基板であることを特徴とする請求項13記載の電子部材の接合方法。
- 前記電子部材は、冷却ユニットの冷却フィン及び金属支持板であることを特徴とする請求項13記載の電子部材の接合方法。
- 銅又は銅合金で構成される接続用端子と、電極を有する半導体素子と、を備えた半導体装置であって、前記電極の表面は、ニッケルメッキ層で覆われ、前記接続用端子と前記電極との間には、粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む焼結性接合材料で構成された接合層を有し、前記焼結性接合材料は、前記銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークは、粒径が1〜35nmの区間、及び、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、前記銅ナノ粒子は、一次粒子と、前記一次粒子の融合体である二次粒子とを含むことを特徴とする半導体装置。
- 前記接合層は、多孔質構造を有し、かつ、接合強度が25MPa以上であることを特徴とする請求項16記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011235605A JP5606421B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法 |
US13/659,466 US20130105980A1 (en) | 2011-10-27 | 2012-10-24 | Sinterable bonding material using copper nanoparticles, process for producing same, and method of bonding electronic component |
EP12190163.1A EP2587899B1 (en) | 2011-10-27 | 2012-10-26 | Sinterable bonding material using copper nanoparticles, process for producing same, and method of bonding electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011235605A JP5606421B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013091835A true JP2013091835A (ja) | 2013-05-16 |
JP5606421B2 JP5606421B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=47088722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011235605A Active JP5606421B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130105980A1 (ja) |
EP (1) | EP2587899B1 (ja) |
JP (1) | JP5606421B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015011900A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペースト、及びその製造方法 |
WO2015118982A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法 |
JP2016014181A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 銅微粒子およびその製造方法 |
WO2016088554A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | 株式会社日立製作所 | 接合用金属酸化物粒子、これを含む焼結接合剤、接合用金属酸化物粒子の製造方法、及び電子部品の接合方法 |
JP2016156045A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 古河電気工業株式会社 | 加熱接合材料、接合構造体、並びに加熱接合材料の製造方法及び該加熱接合材料を用いた接合方法 |
JP2016160456A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 日立化成株式会社 | 銅含有粒子、導体形成組成物、導体の製造方法、導体及び装置 |
JP2017186656A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 古河電気工業株式会社 | 銅微粒子集合体の分散溶液、焼結導電体の製造方法、及び焼結導電接合部材の製造方法 |
WO2019092960A1 (ja) * | 2017-11-13 | 2019-05-16 | 日東電工株式会社 | 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ |
JP2020097774A (ja) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | キョン ドン ウォン コーポレーションKyung Dong One Corporation | 電力半導体接合用焼結ペースト組成物 |
US10898956B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-01-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing method of copper bonded part |
JP2021168408A (ja) * | 2015-08-28 | 2021-10-21 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2022030327A1 (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | 石原ケミカル株式会社 | 接合方法、銅焼結体及び銅ペースト |
US11257779B2 (en) | 2017-05-26 | 2022-02-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer wiring board, electronic device and method for producing multilayer wiring board |
WO2022186262A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 三菱マテリアル株式会社 | プリフォーム層付きの接合用シート、接合体の製造方法、及びプリフォーム層付きの被接合部材 |
US11569169B2 (en) | 2017-03-24 | 2023-01-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device comprising electronic components electrically joined to each other via metal nanoparticle sintered layer and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5656907B2 (ja) * | 2012-04-11 | 2015-01-21 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
KR20150002077A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 삼성전자주식회사 | 파워 반도체 모듈 |
EP3111451A4 (en) * | 2014-02-24 | 2018-02-14 | Henkel AG & Co. KGaA | Sinterable metal particles and the use thereof in electronics applications |
CN103871540B (zh) * | 2014-03-17 | 2016-05-25 | 杨福河 | 一种导电橡胶用镍包玻璃导电粉体及其制备方法 |
US9505058B2 (en) * | 2014-05-16 | 2016-11-29 | Xerox Corporation | Stabilized metallic nanoparticles for 3D printing |
JP5941588B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-06-29 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材およびそれを用いた接合方法 |
MY182241A (en) * | 2014-09-01 | 2021-01-18 | Dowa Electronics Materials Co | Bonding material and bonding method using same |
US10357943B2 (en) * | 2015-01-14 | 2019-07-23 | Lockheed Martin Corporation | Articles having an exposed surface coating formed from copper nanoparticles |
US9589864B2 (en) | 2015-05-14 | 2017-03-07 | Qorvo Us, Inc. | Substrate with embedded sintered heat spreader and process for making the same |
DE102015216047A1 (de) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | Continental Automotive Gmbh | Schaltungsträger, Leistungselektronikanordnung mit einem Schaltungsträger |
JP6626572B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2019-12-25 | 株式会社日立製作所 | 金属接合材料及びその製造方法、並びにそれを使用した金属接合体の製造方法 |
US10595417B2 (en) | 2016-07-18 | 2020-03-17 | Verily Life Sciences Llc | Method of manufacturing flexible electronic circuits having conformal material coatings |
JP6958434B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2021-11-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属粒子凝集体及びその製造方法並びにペースト状金属粒子凝集体組成物及びこれを用いた接合体の製造方法 |
CN109483092B (zh) * | 2018-12-12 | 2020-03-13 | 中国矿业大学 | 一种基于铜纳米颗粒焊接材料的制备方法 |
WO2020202971A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 接合材料及び接合構造 |
CN110369911A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-25 | 上海三一重机股份有限公司 | 一种铜纳米焊接材料及其制备方法 |
US11626340B2 (en) | 2019-12-12 | 2023-04-11 | Qorvo Us, Inc. | Integrated circuit (IC) package with embedded heat spreader in a redistribution layer (RDL) |
CN111092049B (zh) * | 2019-12-19 | 2022-07-15 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种陶瓷基板覆铜及高功率电子芯片全铜互联封装方案 |
CN116072558B (zh) * | 2023-02-20 | 2023-09-29 | 纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司 | 一种新型嵌入式封装结构及其制备方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60223680A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Mazda Motor Corp | 低温焼結性粉末シ−ト |
JPH10330801A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅微粉末及びその製造方法 |
US20040221685A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-11-11 | In-Bum Jeong | Method for manufacturing nano-scaled copper powder by wet reduction process |
JP2006517260A (ja) * | 2003-01-31 | 2006-07-20 | ブルース,ラルフ,ダブリュー. | ポリオールプロセスを用いた、ナノ結晶性粉末およびコーティングのマイクロ波補助連続合成 |
JP2008161907A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 低温接合用材料及び接合方法 |
JP2009076703A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010077520A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Toray Ind Inc | 銅微粒子の製造方法および銅微粒子 |
JP2010189681A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | 耐酸化性銅微粒子の作製方法、及び、それを用いた接合方法 |
JP2010283105A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Metals Ltd | 配線基板冷却機構、その製造方法、接合構造体、およびその製造方法 |
JP2011095244A (ja) * | 2009-04-16 | 2011-05-12 | Nippon Handa Kk | 有機物被覆金属粒子の加熱焼結性の評価方法、加熱焼結性金属ペーストの製造方法、および金属製部材接合体の製造方法 |
JP2011094223A (ja) * | 2008-11-26 | 2011-05-12 | Mitsuboshi Belting Ltd | 無機素材用接合剤及び無機素材の接合体 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5180523A (en) * | 1989-11-14 | 1993-01-19 | Poly-Flex Circuits, Inc. | Electrically conductive cement containing agglomerate, flake and powder metal fillers |
JP4378513B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2009-12-09 | 独立行政法人理化学研究所 | 支持体付金属ナノ粒子、金属ナノ粒子連続体およびそれらの製造方法 |
JP4164008B2 (ja) | 2003-08-13 | 2008-10-08 | 石原産業株式会社 | 銅粉末及びその製造方法並びにそれを用いた銅ペースト・塗料、電極 |
JP4164009B2 (ja) | 2003-08-13 | 2008-10-08 | 石原産業株式会社 | 銅粉末及びそれを用いた銅ペースト・塗料、電極 |
CN101237952B (zh) * | 2005-04-20 | 2012-08-15 | 法布罗技术有限公司 | 微粒铜粉的制备 |
JP4821396B2 (ja) | 2006-03-27 | 2011-11-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性組成物及び導電膜形成方法 |
JP5151150B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-02-27 | 株式会社日立製作所 | 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法 |
US8506849B2 (en) * | 2008-03-05 | 2013-08-13 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks |
US8017044B2 (en) * | 2008-07-08 | 2011-09-13 | Xerox Corporation | Bimodal metal nanoparticle ink and applications therefor |
US8221791B1 (en) * | 2008-12-10 | 2012-07-17 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Silica-based antibacterial and antifungal nanoformulation |
WO2010107822A2 (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-23 | University Of Massachusetts | Methods for the fabrication of nanostructures |
US9072185B2 (en) * | 2009-07-30 | 2015-06-30 | Lockheed Martin Corporation | Copper nanoparticle application processes for low temperature printable, flexible/conformal electronics and antennas |
-
2011
- 2011-10-27 JP JP2011235605A patent/JP5606421B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-24 US US13/659,466 patent/US20130105980A1/en not_active Abandoned
- 2012-10-26 EP EP12190163.1A patent/EP2587899B1/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60223680A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Mazda Motor Corp | 低温焼結性粉末シ−ト |
JPH10330801A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅微粉末及びその製造方法 |
US20040221685A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-11-11 | In-Bum Jeong | Method for manufacturing nano-scaled copper powder by wet reduction process |
JP2006517260A (ja) * | 2003-01-31 | 2006-07-20 | ブルース,ラルフ,ダブリュー. | ポリオールプロセスを用いた、ナノ結晶性粉末およびコーティングのマイクロ波補助連続合成 |
JP2008161907A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 低温接合用材料及び接合方法 |
JP2009076703A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010077520A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Toray Ind Inc | 銅微粒子の製造方法および銅微粒子 |
JP2011094223A (ja) * | 2008-11-26 | 2011-05-12 | Mitsuboshi Belting Ltd | 無機素材用接合剤及び無機素材の接合体 |
JP2010189681A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | 耐酸化性銅微粒子の作製方法、及び、それを用いた接合方法 |
JP2011095244A (ja) * | 2009-04-16 | 2011-05-12 | Nippon Handa Kk | 有機物被覆金属粒子の加熱焼結性の評価方法、加熱焼結性金属ペーストの製造方法、および金属製部材接合体の製造方法 |
JP2010283105A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Metals Ltd | 配線基板冷却機構、その製造方法、接合構造体、およびその製造方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015011900A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペースト、及びその製造方法 |
US9860989B2 (en) | 2014-02-04 | 2018-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component module and method for manufacturing electronic component module |
WO2015118982A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法 |
JPWO2015118982A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、および電子部品モジュールの製造方法 |
JP2016014181A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 銅微粒子およびその製造方法 |
WO2016088554A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | 株式会社日立製作所 | 接合用金属酸化物粒子、これを含む焼結接合剤、接合用金属酸化物粒子の製造方法、及び電子部品の接合方法 |
JPWO2016088554A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2017-07-06 | 株式会社日立製作所 | 接合用金属酸化物粒子、これを含む焼結接合剤、接合用金属酸化物粒子の製造方法、及び電子部品の接合方法 |
JP2016156045A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 古河電気工業株式会社 | 加熱接合材料、接合構造体、並びに加熱接合材料の製造方法及び該加熱接合材料を用いた接合方法 |
JP2016160456A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 日立化成株式会社 | 銅含有粒子、導体形成組成物、導体の製造方法、導体及び装置 |
JP2021168408A (ja) * | 2015-08-28 | 2021-10-21 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7327601B2 (ja) | 2015-08-28 | 2023-08-16 | 株式会社レゾナック | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7120402B2 (ja) | 2015-08-28 | 2022-08-17 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US10898956B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-01-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing method of copper bonded part |
JP2017186656A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 古河電気工業株式会社 | 銅微粒子集合体の分散溶液、焼結導電体の製造方法、及び焼結導電接合部材の製造方法 |
US11569169B2 (en) | 2017-03-24 | 2023-01-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device comprising electronic components electrically joined to each other via metal nanoparticle sintered layer and method of manufacturing the same |
US11257779B2 (en) | 2017-05-26 | 2022-02-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer wiring board, electronic device and method for producing multilayer wiring board |
JPWO2019092960A1 (ja) * | 2017-11-13 | 2020-11-12 | 日東電工株式会社 | 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ |
US11352527B2 (en) | 2017-11-13 | 2022-06-07 | Nitto Denko Corporation | Sinter-bonding composition, sinter-bonding sheet and dicing tape with sinter-bonding sheet |
CN111328302B (zh) * | 2017-11-13 | 2022-09-20 | 日东电工株式会社 | 烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带 |
CN111328302A (zh) * | 2017-11-13 | 2020-06-23 | 日东电工株式会社 | 烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带 |
WO2019092960A1 (ja) * | 2017-11-13 | 2019-05-16 | 日東電工株式会社 | 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ |
JP7440598B2 (ja) | 2017-11-13 | 2024-02-28 | 日東電工株式会社 | 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ |
JP2020097774A (ja) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | キョン ドン ウォン コーポレーションKyung Dong One Corporation | 電力半導体接合用焼結ペースト組成物 |
WO2022030327A1 (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | 石原ケミカル株式会社 | 接合方法、銅焼結体及び銅ペースト |
JP2022029194A (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-17 | 石原ケミカル株式会社 | 接合方法、銅焼結体及び銅ペースト |
JP7026739B2 (ja) | 2020-08-04 | 2022-02-28 | 石原ケミカル株式会社 | 接合方法、銅焼結体及び銅ペースト |
WO2022186262A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 三菱マテリアル株式会社 | プリフォーム層付きの接合用シート、接合体の製造方法、及びプリフォーム層付きの被接合部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2587899A1 (en) | 2013-05-01 |
US20130105980A1 (en) | 2013-05-02 |
EP2587899B1 (en) | 2015-05-27 |
JP5606421B2 (ja) | 2014-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5606421B2 (ja) | 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法 | |
JP5557698B2 (ja) | 焼結接合剤、その製造方法およびそれを用いた接合方法 | |
Liu et al. | Highly conductive Cu–Cu joint formation by low-temperature sintering of formic acid-treated Cu nanoparticles | |
JP6352444B2 (ja) | 接合用金属酸化物粒子、これを含む焼結接合剤、接合用金属酸化物粒子の製造方法、及び電子部品の接合方法 | |
JP6153077B2 (ja) | 金属ナノ粒子ペースト、それを含有する接合材料、およびそれを用いた半導体装置 | |
CN108847395B (zh) | 一种用于低温快速连接的预烧结纳米网络银膜制备及封装方法 | |
JP6047276B2 (ja) | 焼結型導電性ペースト用銀粉 | |
JP2012084514A (ja) | 焼結される銀ペーストにおける溶媒としての、脂肪族炭化水素およびパラフィンの使用 | |
TWI578418B (zh) | 金屬芯錫球及利用它的半導體裝置的散熱連接結構 | |
CN109332939B (zh) | 一种单相纳米银铜合金固溶体焊膏及其制备方法 | |
JP4876979B2 (ja) | 接合部材および接合方法 | |
JP2010189681A (ja) | 耐酸化性銅微粒子の作製方法、及び、それを用いた接合方法 | |
JP6372978B2 (ja) | 導電性ペースト | |
CN109773212B (zh) | 一种适用于大功率封装抗氧化镀银铜焊膏的制备方法 | |
JP4144695B2 (ja) | 二層コート銅粉並びにその二層コート銅粉の製造方法及びその二層コート銅粉を用いた導電性ペースト | |
JPWO2015029152A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP6153076B2 (ja) | 金属ナノ粒子ペースト、それを含有する接合材料、及びそれを用いた半導体装置 | |
JP4624222B2 (ja) | 導電部形成用粒子 | |
JP6133149B2 (ja) | 導電性ペースト、及びその製造方法 | |
TWI808208B (zh) | 用於燒結黏晶及類似應用之奈米銅糊及膜及製造燒結粉末的方法 | |
JP2011029472A (ja) | 接合材料及びこれを用いた半導体の実装方法並びに半導体装置 | |
JP2014175372A (ja) | 接合材料およびそれを用いた半導体装置、ならびに配線材料およびそれを用いた電子素子用配線 | |
CN114654126B (zh) | 一种银包覆铜焊膏及其制备方法 | |
傅必成 et al. | Fluxless bonding with silver nanowires aerogel in die-attached interconnection | |
CN115194145A (zh) | 一种Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140826 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5606421 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |