JP2012256009A5 - 光センサ、及び、入出力装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の光電変換素子と、第２の光電変換素子と、第３の光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、を有し、
   前記第１の光電変換素子、前記第２の光電変換素子、又は、前記第３の光電変換素子に照射された光に対応する信号を前記第５のトランジスタを介して出力する機能を有し、
   前記第４のトランジスタと前記第５のトランジスタとは、直列に電気的に接続され、
   前記第１の光電変換素子は、前記第１のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第２の光電変換素子は、前記第２のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３の光電変換素子は、前記第３のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲート、前記第２のトランジスタのゲート、及び、前記第３のトランジスタのゲートには、互いに異なる信号が入力され、
   前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び、前記第３のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成され、
   前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の被形成面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸配向した複数の領域を有し、
   前記複数の領域では、ａ軸又はｂ軸の向きが異なることを特徴とする光センサ。
2. 第１の光電変換素子と、第２の光電変換素子と、第３の光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し、
   前記第１の光電変換素子、前記第２の光電変換素子、又は、前記第３の光電変換素子に照射された光に対応する信号を前記第５のトランジスタを介して出力する機能を有し、
   前記第４のトランジスタと前記第５のトランジスタとは、直列に電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第１の光電変換素子は、前記第１のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第２の光電変換素子は、前記第２のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第３の光電変換素子は、前記第３のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲート、前記第２のトランジスタのゲート、及び、前記第３のトランジスタのゲートには、互いに異なる信号が入力され、
   前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び、前記第３のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成され、
   前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の被形成面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸配向した複数の領域を有し、
   前記複数の領域では、ａ軸又はｂ軸の向きが異なることを特徴とする光センサ。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び、前記第３のトランジスタは、１５０℃において、オフ電流が１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする光センサ。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第４のトランジスタは、チャネルがシリコンに形成されることを特徴とする光センサ。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の光センサと、表示素子と、を有することを特徴とする入出力装置。