JP2012256009A - 入出力装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示データ信号のデータに応じた表示状態になる表示回路と、それぞれ入射する光の照度に応じた光データを生成する複数の光検出回路と、を含み、光検出回路は、X個(Xは2以上の自然数)の光電変換素子131と、ソース及びドレインの一方がX個の光電変換素子のうちの一つの光電変換素子の第2の電流端子に電気的に接続され、ゲートに光検出回路制御部からX個の電荷蓄積制御信号うち一つの電荷蓄積制御信号が入力されるX個の電荷蓄積制御トランジスタTXと、ゲートがX個の電荷蓄積制御トランジスタのソース及びドレインの一方のそれぞれに電気的に接続される増幅トランジスタ132と、を備える。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、画像を表示することにより情報の出力が可能であり、且つ入射する光により情報の入力が可能な入出力装置の例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態の入出力装置における光検出回路の他の例について説明する。なお、本実施の形態における光検出回路の例において、上記実施の形態の入出力装置における光検出回路と同じ部分については、上記実施の形態の入出力装置における光検出回路の説明を適宜援用する。
上記実施の形態の入出力装置における光検出回路の他の例について説明する。なお、本実施の形態における光検出回路の例において、上記実施の形態の入出力装置における光検出回路と同じ部分については、上記実施の形態の入出力装置における光検出回路の説明を適宜援用する。
本実施の形態では、上記実施の形態の入出力装置における表示回路の例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態を用いて説明した入出力装置におけるトランジスタに適用可能なトランジスタについて説明する。
上式の両辺をVgで割り、さらに両辺の対数をとると、以下の式のようになる。
試料1及び試料2のいずれも、BT試験前後における閾値電圧の変動が小さく、信頼性が高いことがわかる。
本実施の形態では、上記実施の形態における入出力装置の構造例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態における入出力装置を備えた電子機器の例について説明する。
101b 光検出回路制御部
101c 光源部
101d 画素部
111 表示駆動回路
112 表示データ信号出力回路
113 光検出駆動回路
114 ライトユニット
115d 表示回路
115p 光検出回路
116 読み出し回路
131 光電変換素子
132 トランジスタ
133 トランジスタ
134 トランジスタ
135 トランジスタ
161a トランジスタ
161b トランジスタ
162a 液晶素子
162b 液晶素子
163a 容量素子
163b 容量素子
164 容量素子
165 トランジスタ
166 トランジスタ
400a 基板
400b 基板
400c 基板
401a 導電層
401b 導電層
401c 導電層
402a 絶縁層
402b 絶縁層
402c 絶縁層
403a 酸化物半導体層
403b 酸化物半導体層
403c 酸化物半導体層
405a 導電層
405b 導電層
405c 導電層
406a 導電層
406b 導電層
406c 導電層
407a 絶縁層
407b 絶縁層
408a 導電層
408b 導電層
447 絶縁層
500 基板
501a 導電層
501b 導電層
501c 導電層
501d 導電層
501e 導電層
501f 導電層
501g 導電層
501h 導電層
501i 導電層
501j 導電層
501k 導電層
502 絶縁層
503a 半導体層
503b 半導体層
503c 半導体層
503d 半導体層
503e 半導体層
503j 半導体層
504a 導電層
504b 導電層
504c 導電層
504d 導電層
504e 導電層
504f 導電層
504g 導電層
504h 導電層
504i 導電層
504j 導電層
504k 導電層
504l 導電層
504m 導電層
504n 導電層
505 絶縁層
506 半導体層
506a 半導体層
506b 半導体層
507a 半導体層
507b 半導体層
508 半導体層
508a 半導体層
508b 半導体層
509 絶縁層
510 導電層
510a 導電層
510b 導電層
510c 導電層
512 基板
513 遮光層
516 絶縁層
517 導電層
518 液晶層
600 基板
602 下地絶縁層
606 酸化物半導体層
608 ゲート絶縁層
610 ゲート電極
614 電極
616 層間絶縁層
618 配線
620 保護膜
701 下地絶縁層
702 絶縁物
703a 半導体領域
703b 半導体領域
703c 半導体領域
704 ゲート絶縁層
705 ゲート電極
706a 側壁絶縁物
706b 側壁絶縁物
707 絶縁物
708a ソース電極
708b ドレイン電極
750 基板
752 下地絶縁層
754 保護絶縁層
756 酸化物半導体層
756a 高抵抗領域
756b 低抵抗領域
758 ゲート絶縁層
760 ゲート電極
762 側壁絶縁物
764 電極
766 層間絶縁層
768 配線
801 測定系
811 トランジスタ
812 トランジスタ
813 容量素子
814 トランジスタ
815 トランジスタ
900 基板
901 導電層
902 絶縁層
903 酸化物半導体層
905 導電層
906 導電層
907 絶縁層
908 平坦化層
909 導電層
910 導電層
927 絶縁層
1001a 筐体
1001b 筐体
1001c 筐体
1001d 筐体
1002a 表示部
1002b 表示部
1002c 表示部
1002d 表示部
1003a 側面
1003b 側面
1003c 側面
1003d 側面
1004 筐体
1005 表示部
1006 軸部
1007 側面
1008 甲板部
Claims (5)
- 表示回路制御部、光検出回路制御部、及び画素部を含み、
前記画素部は、
前記表示回路制御部から表示選択信号が入力され、前記表示選択信号に従って前記表示回路制御部から表示データ信号が入力され、入力される表示データ信号のデータに応じた表示状態になる表示回路と、
それぞれ入射する光の照度に応じた光データを生成する複数の光検出回路と、を含み、
前記光検出回路は、
それぞれ第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子にX個の光検出リセット信号のうち一つの光検出リセット信号が入力されるX個(Xは2以上の自然数)の光電変換素子と、
それぞれソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が前記X個の光電変換素子のうち、一つの光電変換素子の第2の電流端子に電気的に接続され、前記ゲートに前記光検出回路制御部からX個の電荷蓄積制御信号のうち一つの電荷蓄積制御信号が入力されるX個の電荷蓄積制御トランジスタと、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方に単位電圧が入力され、前記ゲートが前記X個の電荷蓄積制御トランジスタのソース及びドレインの一方のそれぞれに電気的に接続される増幅トランジスタと、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が前記増幅トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続され、前記ソース及び前記ドレインを介して前記光データが光データ信号として出力される出力選択トランジスタと、を備える入出力装置。 - 表示回路制御部、光検出回路制御部、及び画素部を含み、
前記画素部は、
前記表示回路制御部から表示選択信号が入力され、前記表示選択信号に従って前記表示回路制御部から表示データ信号が入力され、入力される表示データ信号のデータに応じた表示状態になる表示回路と、
それぞれ入射する光の照度に応じた光データを生成する複数の光検出回路と、を含み、
前記光検出回路は、
それぞれ第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子に第1の電圧が入力されるX個(Xは2以上の自然数)の光電変換素子と、
それぞれソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が前記X個の光電変換素子のうち一つの光電変換素子の第2の電流端子に電気的に接続され、前記ゲートに前記光検出回路制御部からX個の電荷蓄積制御信号のうち一つの電荷蓄積制御信号が入力されるX個の電荷蓄積制御トランジスタと、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方に第2の電圧が入力され、前記ゲートが前記X個の電荷蓄積制御トランジスタのソース及びドレインの一方のそれぞれに電気的に接続される増幅トランジスタと、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が前記増幅トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続され、前記ソース及び前記ドレインを介して前記光データが光データ信号として出力される出力選択トランジスタと、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方に第3の電圧が入力され、前記ソース及び前記ドレインの他方が前記増幅トランジスタの前記ゲートに電気的に接続され、前記ゲートに光検出リセット信号が入力される光検出リセットトランジスタと、を備える入出力装置。 - 表示回路制御部、光検出回路制御部、及び画素部を含み、
前記画素部は、
前記表示回路制御部から表示選択信号が入力され、前記表示選択信号に従って前記表示回路制御部から表示データ信号が入力され、入力される表示データ信号のデータに応じた表示状態になる表示回路と、
それぞれ入射する光の照度に応じた光データを生成する複数の光検出回路と、を含み、
前記光検出回路は、
それぞれ第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子に第1の電圧が入力されるX個(Xは2以上の自然数)の光電変換素子と、
それぞれソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が前記X個の光電変換素子のうち一つの光電変換素子の第2の電流端子に電気的に接続され、前記ゲートに前記光検出回路制御部からX個の電荷蓄積制御信号のうち一つの電荷蓄積制御信号が入力されるX個の電荷蓄積制御トランジスタと、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方に第2の電圧が入力され、前記ゲートが前記X個の電荷蓄積制御トランジスタのソース及びドレインの一方のそれぞれに電気的に接続される増幅トランジスタと、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方にリセット電圧信号が入力され、前記ソース及び前記ドレインの他方が前記増幅トランジスタの前記ゲートに電気的に接続され、前記ゲートに光検出リセット信号が入力される光検出リセットトランジスタと、を備える入出力装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記X個の電荷蓄積制御トランジスタのそれぞれは、
チャネルが形成され、キャリア濃度が1×1014/cm3未満である酸化物半導体層を含む入出力装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記増幅トランジスタは、
チャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体を含有する半導体層を含む入出力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011182218A JP5763474B2 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010190239 | 2010-08-27 | ||
JP2010190239 | 2010-08-27 | ||
JP2011107813 | 2011-05-13 | ||
JP2011107813 | 2011-05-13 | ||
JP2011182218A JP5763474B2 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | 光センサ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015117169A Division JP6153966B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-06-10 | 光センサ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012256009A true JP2012256009A (ja) | 2012-12-27 |
JP2012256009A5 JP2012256009A5 (ja) | 2014-07-31 |
JP5763474B2 JP5763474B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=45696506
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011182218A Expired - Fee Related JP5763474B2 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | 光センサ |
JP2015117169A Expired - Fee Related JP6153966B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-06-10 | 光センサ |
JP2017107335A Withdrawn JP2017216453A (ja) | 2010-08-27 | 2017-05-31 | 光センサ |
JP2019222826A Active JP6771083B2 (ja) | 2010-08-27 | 2019-12-10 | 半導体装置 |
JP2020009893A Active JP6871443B2 (ja) | 2010-08-27 | 2020-01-24 | 半導体装置 |
JP2020161687A Active JP6829790B2 (ja) | 2010-08-27 | 2020-09-28 | 半導体装置 |
JP2021008392A Active JP7174784B2 (ja) | 2010-08-27 | 2021-01-22 | 半導体装置 |
JP2021077350A Active JP6934124B2 (ja) | 2010-08-27 | 2021-04-30 | 半導体装置、電子機器、携帯型情報端末 |
JP2022177828A Active JP7407891B2 (ja) | 2010-08-27 | 2022-11-07 | 半導体装置 |
JP2023213829A Pending JP2024028273A (ja) | 2010-08-27 | 2023-12-19 | 半導体装置、電子機器及び携帯型情報端末 |
Family Applications After (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015117169A Expired - Fee Related JP6153966B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-06-10 | 光センサ |
JP2017107335A Withdrawn JP2017216453A (ja) | 2010-08-27 | 2017-05-31 | 光センサ |
JP2019222826A Active JP6771083B2 (ja) | 2010-08-27 | 2019-12-10 | 半導体装置 |
JP2020009893A Active JP6871443B2 (ja) | 2010-08-27 | 2020-01-24 | 半導体装置 |
JP2020161687A Active JP6829790B2 (ja) | 2010-08-27 | 2020-09-28 | 半導体装置 |
JP2021008392A Active JP7174784B2 (ja) | 2010-08-27 | 2021-01-22 | 半導体装置 |
JP2021077350A Active JP6934124B2 (ja) | 2010-08-27 | 2021-04-30 | 半導体装置、電子機器、携帯型情報端末 |
JP2022177828A Active JP7407891B2 (ja) | 2010-08-27 | 2022-11-07 | 半導体装置 |
JP2023213829A Pending JP2024028273A (ja) | 2010-08-27 | 2023-12-19 | 半導体装置、電子機器及び携帯型情報端末 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8928053B2 (ja) |
JP (10) | JP5763474B2 (ja) |
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-
2011
- 2011-08-24 JP JP2011182218A patent/JP5763474B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-25 US US13/217,553 patent/US8928053B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-10 JP JP2015117169A patent/JP6153966B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-31 JP JP2017107335A patent/JP2017216453A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-12-10 JP JP2019222826A patent/JP6771083B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-24 JP JP2020009893A patent/JP6871443B2/ja active Active
- 2020-09-28 JP JP2020161687A patent/JP6829790B2/ja active Active
-
2021
- 2021-01-22 JP JP2021008392A patent/JP7174784B2/ja active Active
- 2021-04-30 JP JP2021077350A patent/JP6934124B2/ja active Active
-
2022
- 2022-11-07 JP JP2022177828A patent/JP7407891B2/ja active Active
-
2023
- 2023-12-19 JP JP2023213829A patent/JP2024028273A/ja active Pending
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---|---|
JP2021073711A (ja) | 2021-05-13 |
JP2015201656A (ja) | 2015-11-12 |
JP2021119628A (ja) | 2021-08-12 |
US8928053B2 (en) | 2015-01-06 |
JP2020047942A (ja) | 2020-03-26 |
JP6871443B2 (ja) | 2021-05-12 |
JP2024028273A (ja) | 2024-03-04 |
JP6829790B2 (ja) | 2021-02-10 |
JP6934124B2 (ja) | 2021-09-08 |
JP2021002678A (ja) | 2021-01-07 |
JP2017216453A (ja) | 2017-12-07 |
US20120050196A1 (en) | 2012-03-01 |
JP5763474B2 (ja) | 2015-08-12 |
JP7407891B2 (ja) | 2024-01-04 |
JP2020077879A (ja) | 2020-05-21 |
JP6153966B2 (ja) | 2017-06-28 |
JP6771083B2 (ja) | 2020-10-21 |
JP2023014111A (ja) | 2023-01-26 |
JP7174784B2 (ja) | 2022-11-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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