JP2012069959A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. ｐ型窒化物層と、
   前記ｐ型窒化物層の上の不連続な金属オーミックコンタクトであって、５Å未満の平均厚さと１０ ^−３ Ωｃｍ ^２ 未満の比接触抵抗率とを備える不連続な金属オーミックコンタクトと
   を備えることを特徴とする半導体ベースの発光デバイス（ＬＥＤ）。
2. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、３Å未満の平均厚さを備え、前記不連続な金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定される前記ｐ型窒化物層の３０％未満を覆っていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
3. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、ニッケルを備えることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
4. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、あるいは酸化ニッケル／白金を備えることを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ。
5. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、前記ｐ型窒化物層の直ぐ上にあることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
6. 前記不連続な金属オーミックコンタクトの直ぐ上のボンディングパッドをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
7. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、前記不連続な金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定される前記ｐ型窒化物層の４７％未満を覆っていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
8. 前記不連続な金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、３５０ｎｍの測定波長で少なくとも９２％を備えることを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤ。
9. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、前記ｐ型窒化物層の一部を覆い、前記ｐ型窒化物層の残りの部分は、前記不連続な金属オーミックコンタクトによって覆われていないことを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤ。
10. 前記ｐ型窒化物層は、ｎ型半導体基板の上のｎ型ＧａＮエピ層の上のｐ型ＧａＮエピ層を備え、
    ボンディングパッドが前記不連続な金属オーミックコンタクトの直ぐ上にあることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
11. 前記不連続な金属オーミックコンタクトを横切って延びる、前記ボンディングパッド上の電流拡散指状部をさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ。
12. 前記電流拡散指状部は、直線の指状部または曲がった指状部を備えることを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤ。
13. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、前記ｐ型窒化物層の５０％未満を覆っていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
14. 基板の上のｎ型ＧａＮエピ層と、
    前記ｎ型ＧａＮエピ層の上のｐ型ＧａＮエピ層と、
    前記ｐ型ＧａＮエピ層の上の金属オーミックコンタクトであって、５Å未満の平均厚さと１０ ^−３ Ωｃｍ ^２ 未満の比接触抵抗率とを備える金属オーミックコンタクトと、
    前記金属オーミックコンタクトの上の反射材と、
    前記反射材の上の金属スタックと
    を備えることを特徴とする半導体ベースのフリップチップ型発光デバイス（ＬＥＤ）。
15. 前記金属オーミックコンタクトは、不連続な金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定される前記ｐ型ＧａＮエピ層の５０％未満を覆っている不連続な金属オーミックコンタクトを備えることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤ。
16. 前記金属オーミックコンタクトは、ニッケル、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、あるいは酸化ニッケル／白金を備えることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤ。
17. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、３Å未満の平均厚さを備え、前記不連続な金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定される前記ｐ型ＧａＮエピ層の３０％未満を覆っていることを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤ。
18. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、前記ｐ型ＧａＮエピ層の２８％未満を覆っていることを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ。
19. 前記不連続な金属オーミックコンタクトは、１Åの平均厚さを備えることを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤ。
20. 前記反射材は、３００Åを超える厚さを備えることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤ。
21. 前記反射材は、アルミニウムおよび／または銀を備えることを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤ。