JP2007287845A5 - - Google Patents
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- ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に設けられた透光性電極とを備え、
前記透光性電極が、Ｘ線回析によりＩｎ ２ Ｏ ３ からなるピークの検出されるＩＺＯ膜を含むものであることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記ＩＺＯ膜の厚さが３５ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
- 前記ＩＺＯ膜の厚さが１００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
- 前記ＩＺＯ膜上に保護層が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記ＩＺＯ膜中のＺｎＯ濃度が５〜１５質量％の範囲であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光素子が用いられていることを特徴とするランプ。
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