JP2002164570A - 窒化ガリウム系化合物半導体装置 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体装置Info
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化ガリウム系発光素子において、光の取り
出し効率を向上させる。 【解決手段】 窒化ガリウム系発光素子は、サファイア
基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層
１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型
電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成され
る。ｐ型ＧａＮ層上でｐ型電極２２に隣接してＺｎＯ透
明電極２１を形成する。ＺｎＯ透明電極２１により電流
を発光層に均一に供給するとともに、発光層からの光を
透過して外部に取り出す。
出し効率を向上させる。 【解決手段】 窒化ガリウム系発光素子は、サファイア
基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層
１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型
電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成され
る。ｐ型ＧａＮ層上でｐ型電極２２に隣接してＺｎＯ透
明電極２１を形成する。ＺｎＯ透明電極２１により電流
を発光層に均一に供給するとともに、発光層からの光を
透過して外部に取り出す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化ガリウム系化合
物半導体装置、特に発光効率の向上に関する。
物半導体装置、特に発光効率の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、窒化ガリウム（ＧａＮ）系化
合物半導体を用いた発光素子が知られており、青色ＬＥ
Ｄなどへの適用が考えられている。
合物半導体を用いた発光素子が知られており、青色ＬＥ
Ｄなどへの適用が考えられている。
【０００３】図３には、ＧａＮ系化合物半導体を用いた
発光素子の構成が示されている。サファイア基板１０の
上にｎ型ＧａＮ層１２が形成され、ＧａＮ層１２の上に
薄いｎ型ＧａＮ層１４が形成される。そして、発光層と
して例えばＩｎＧａＮ発光層１６が形成され、さらにｐ
型ＧａＮ層１８を形成してＰＮ接合を構成する。ｐ型Ｇ
ａＮ層１８を形成した後、表面の一部をエッチングして
ｎ型ＧａＮバッファ層１２の表面を露出させ、ｎ型Ｇａ
Ｎバッファ層１２上にｎ型電極２０を形成し、またｐ型
ＧａＮ層１８の表面にｐ型電極２２を形成する。そし
て、ｐ型電極２２とｎ型電極２０に順方向電圧を印加す
ることで、キャリアがＩｎＧａＮ発光層１６に注入さ
れ、ＩｎＧａＮ発光層１６から所定波長の光（青色）が
射出する。
発光素子の構成が示されている。サファイア基板１０の
上にｎ型ＧａＮ層１２が形成され、ＧａＮ層１２の上に
薄いｎ型ＧａＮ層１４が形成される。そして、発光層と
して例えばＩｎＧａＮ発光層１６が形成され、さらにｐ
型ＧａＮ層１８を形成してＰＮ接合を構成する。ｐ型Ｇ
ａＮ層１８を形成した後、表面の一部をエッチングして
ｎ型ＧａＮバッファ層１２の表面を露出させ、ｎ型Ｇａ
Ｎバッファ層１２上にｎ型電極２０を形成し、またｐ型
ＧａＮ層１８の表面にｐ型電極２２を形成する。そし
て、ｐ型電極２２とｎ型電極２０に順方向電圧を印加す
ることで、キャリアがＩｎＧａＮ発光層１６に注入さ
れ、ＩｎＧａＮ発光層１６から所定波長の光（青色）が
射出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３の
構成では、ｐ型電極２２からｎ型電極２０に向けて電流
が流れ、特にｐ型電極２２の下部において電流が最も多
く流れるため、ｐ型電極２２の下部において発光が最も
強くなる。しかしながら、ＩｎＧａＮ発光層１６から射
出した光はｐ型電極２２に遮られてしまい、発光した光
を効率よく外部に取り出すことはできない。
構成では、ｐ型電極２２からｎ型電極２０に向けて電流
が流れ、特にｐ型電極２２の下部において電流が最も多
く流れるため、ｐ型電極２２の下部において発光が最も
強くなる。しかしながら、ＩｎＧａＮ発光層１６から射
出した光はｐ型電極２２に遮られてしまい、発光した光
を効率よく外部に取り出すことはできない。
【０００５】そこで、従来より、ｐ型ＧａＮ層１８上に
金属のｐ型電極２２を形成するとともに透明電極を形成
することが提案されている。透明電極を形成すること
で、ｐ型電極２２の下部のみに電流を流すのではなく、
ＩｎＧａＮ発光層１６のほぼ全面にわたって電流を均一
に流し、かつ透明電極から光を取り出すことで発光効率
を向上させることができる。
金属のｐ型電極２２を形成するとともに透明電極を形成
することが提案されている。透明電極を形成すること
で、ｐ型電極２２の下部のみに電流を流すのではなく、
ＩｎＧａＮ発光層１６のほぼ全面にわたって電流を均一
に流し、かつ透明電極から光を取り出すことで発光効率
を向上させることができる。
【０００６】ところが、従来においては透明電極として
Ｎｉ／ＡｕあるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）などが用いられており、Ｎｉ／Ａｕは金属で
あるため電極の厚さが厚いと電流広がりはよくなるもの
の光の透過率が悪くなり、電極の厚さが薄いと光はよく
透過するものの膜の横方向抵抗が高くなるため電流広が
りが生じにくいという問題がある。また、ＩＴＯでは、
光の透過率は波長４００ｎｍ以上では高いものの、ｎ型
の伝導特性を有し、抵抗率も金属ほど小さくないのでｐ
型ＧａＮ層１８とのオーミック接触がよくなく電流が均
一に流れにくい問題がある。さらに、ＩＴＯはエッチン
グが比較的困難で、エッチングしたパターンの端の形状
が崩れやすく、したがって電極として加工する場合に所
望の形状が得られない問題もある。
Ｎｉ／ＡｕあるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）などが用いられており、Ｎｉ／Ａｕは金属で
あるため電極の厚さが厚いと電流広がりはよくなるもの
の光の透過率が悪くなり、電極の厚さが薄いと光はよく
透過するものの膜の横方向抵抗が高くなるため電流広が
りが生じにくいという問題がある。また、ＩＴＯでは、
光の透過率は波長４００ｎｍ以上では高いものの、ｎ型
の伝導特性を有し、抵抗率も金属ほど小さくないのでｐ
型ＧａＮ層１８とのオーミック接触がよくなく電流が均
一に流れにくい問題がある。さらに、ＩＴＯはエッチン
グが比較的困難で、エッチングしたパターンの端の形状
が崩れやすく、したがって電極として加工する場合に所
望の形状が得られない問題もある。
【０００７】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みなされたものであり、その目的は、ＧａＮ系半導体を
用いた発光素子において、その発光効率を向上させるこ
とができる構造を提供することにある。
みなされたものであり、その目的は、ＧａＮ系半導体を
用いた発光素子において、その発光効率を向上させるこ
とができる構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体装置であっ
て、電極としてＺｎＯ透明電極を有することを特徴とす
る。ＺｎＯは、所定の波長（３５０ｎｍ）以上で透明と
なり、光を遮ることなく外部に取り出すことができる。
また、抵抗率も金属膜に比べて低く、ＧａＮ系層とのオ
ーミック接触に優れているので、均一に電流を流すこと
ができる。
に、本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体装置であっ
て、電極としてＺｎＯ透明電極を有することを特徴とす
る。ＺｎＯは、所定の波長（３５０ｎｍ）以上で透明と
なり、光を遮ることなく外部に取り出すことができる。
また、抵抗率も金属膜に比べて低く、ＧａＮ系層とのオ
ーミック接触に優れているので、均一に電流を流すこと
ができる。
【０００９】ここで、前記窒化ガリウム系化合物半導体
装置は、基板と、基板上に形成されたｎ型ＧａＮ系層
と、前記ｎ型ＧａＮ層上に形成されたＧａＮ系発光層
と、前記発光層上に形成されたｐ型ＧａＮ系層と、ｎ型
ＧａＮ層上に形成されたｎ型電極と、前記ｐ型ＧａＮ層
上に形成されたｐ型電極とを有し、前記ＺｎＯ透明電極
は、前記ｐ型ＧａＮ系層上であって前記ｐ型電極に隣接
して形成され、前記発光層からの光は前記ＺｎＯ透明電
極を透過して外部に射出することが好適である。
装置は、基板と、基板上に形成されたｎ型ＧａＮ系層
と、前記ｎ型ＧａＮ層上に形成されたＧａＮ系発光層
と、前記発光層上に形成されたｐ型ＧａＮ系層と、ｎ型
ＧａＮ層上に形成されたｎ型電極と、前記ｐ型ＧａＮ層
上に形成されたｐ型電極とを有し、前記ＺｎＯ透明電極
は、前記ｐ型ＧａＮ系層上であって前記ｐ型電極に隣接
して形成され、前記発光層からの光は前記ＺｎＯ透明電
極を透過して外部に射出することが好適である。
【００１０】また、前記ＺｎＯ透明電極はｐ型とするこ
とが好適である。ｐ型とすることで、ｐ型ＧａＮ系層上
に形成した場合の電気的接触を良好なものとすることが
できる。
とが好適である。ｐ型とすることで、ｐ型ＧａＮ系層上
に形成した場合の電気的接触を良好なものとすることが
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００１２】図１には、本実施形態に係るＧａＮ系半導
体装置の構成が示されている。図３に示された構成とほ
ぼ同様であるが、図３と異なり、ｐ型ＧａＮ層１８上に
ｐ型電極２２が形成されるとともに、ｐ型電極に隣接し
て透明電極２１が形成されており、電極としてｐ型電極
２２と透明電極２１は一体化されている。この透明電極
２１は、ＺｎＯで形成される。
体装置の構成が示されている。図３に示された構成とほ
ぼ同様であるが、図３と異なり、ｐ型ＧａＮ層１８上に
ｐ型電極２２が形成されるとともに、ｐ型電極に隣接し
て透明電極２１が形成されており、電極としてｐ型電極
２２と透明電極２１は一体化されている。この透明電極
２１は、ＺｎＯで形成される。
【００１３】図２には、図１に示された半導体装置の製
造フローチャートが示されている。まず、サファイア基
板１０上にＭＯＣＶＤ法などによりｎ型ＧａＮバッファ
層を形成する（Ｓ１０１）。ＧａＮバッファ層は比較的
低温で形成することが好適であり、またＧａＮバッファ
層を形成するに先だってまずＳｉＮを形成し、そのＳｉ
Ｎ上にＧａＮバッファ層１２を形成することも好適であ
る。次に、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮバッファ層上にｎ
型ＧａＮ層１２、１４を形成する（Ｓ１０２）。ｎ型Ｇ
ａＮ層１２、１４はその形成過程でシリコンなどをドー
プすることも好適である。ｎ型ＧａＮ層１２は例えば３
μｍ、ｎ型ＧａＮ層１４は０．１μｍ程度形成すること
ができる。ｎ型ＧａＮ層１２、１４を形成した後、ＭＯ
ＣＶＤ法によりｎ型ＩｎＧａＮ発光層１６を例えば２ｎ
ｍ程度形成する（Ｓ１０３）。発光層を形成した後、発
光層１６上にＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａＮ層１８を形
成する（Ｓ１０４）。ｐ型ＧａＮ層は例えば０．１μｍ
程度形成することができる。ｐ型ＧａＮ層１８を形成し
た後、その表面の一部を０．２μｍ程度の深さまでエッ
チングしてｎ型ＧａＮバッファ層１２の表面を露出する
（Ｓ１０５）。そして、露出したｎ型ＧａＮバッファ層
１２上にｎ型電極としてＡｌ電極を蒸着やスパッタリン
グなどにより形成する（Ｓ１０６）。また、ｐ型ＧａＮ
層１８上にＰｔ／Ａｕ電極２２を蒸着あるいはスパッタ
リングにより形成する（Ｓ１０７）。
造フローチャートが示されている。まず、サファイア基
板１０上にＭＯＣＶＤ法などによりｎ型ＧａＮバッファ
層を形成する（Ｓ１０１）。ＧａＮバッファ層は比較的
低温で形成することが好適であり、またＧａＮバッファ
層を形成するに先だってまずＳｉＮを形成し、そのＳｉ
Ｎ上にＧａＮバッファ層１２を形成することも好適であ
る。次に、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮバッファ層上にｎ
型ＧａＮ層１２、１４を形成する（Ｓ１０２）。ｎ型Ｇ
ａＮ層１２、１４はその形成過程でシリコンなどをドー
プすることも好適である。ｎ型ＧａＮ層１２は例えば３
μｍ、ｎ型ＧａＮ層１４は０．１μｍ程度形成すること
ができる。ｎ型ＧａＮ層１２、１４を形成した後、ＭＯ
ＣＶＤ法によりｎ型ＩｎＧａＮ発光層１６を例えば２ｎ
ｍ程度形成する（Ｓ１０３）。発光層を形成した後、発
光層１６上にＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａＮ層１８を形
成する（Ｓ１０４）。ｐ型ＧａＮ層は例えば０．１μｍ
程度形成することができる。ｐ型ＧａＮ層１８を形成し
た後、その表面の一部を０．２μｍ程度の深さまでエッ
チングしてｎ型ＧａＮバッファ層１２の表面を露出する
（Ｓ１０５）。そして、露出したｎ型ＧａＮバッファ層
１２上にｎ型電極としてＡｌ電極を蒸着やスパッタリン
グなどにより形成する（Ｓ１０６）。また、ｐ型ＧａＮ
層１８上にＰｔ／Ａｕ電極２２を蒸着あるいはスパッタ
リングにより形成する（Ｓ１０７）。
【００１４】以上のようにして、ｐ型電極２２及びｎ型
電極２０を形成した後、さらにｐ型ＧａＮ層１８上にｐ
型電極２２と接するようにｐ型ＺｎＯ透明電極２１をス
パッタリング法などを用いて形成する（Ｓ１０８）。Ｚ
ｎＯは波長３５０ｎｍ以上で透明になり、１０−３Ωｃ
ｍ程度の膜をスパッタリング法で形成できることが知ら
れている（Ｋ．Ｔｏｍｉｎａｇａ，ｅｔ ａｌ，Ｔｈｉ
ｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ２４３（１９９４）９−１
３）。そして、ＺｎＯとＧａＮは、格子定数（ＺｎＯ：
ａ＝３．２５２Å、ｃ＝５．２１３Å、ＧａＮ：ａ＝
３．１８９Å、ｃ＝５．１８５Å、ＩＴＯ：１０．１３
Å）、熱膨張係数（ＺｎＯ：ａ軸方向２．９×１０−６
Ｋ−１、Ｃ軸方向４．７５×１０−６Ｋ−１、ＧａＮ：
ａ軸方向５．５９×１０−６Ｋ−１、Ｃ軸方向３．１７
×１０−６ Ｋ−１）が共に近似しているため、ｐ型Ｇ
ａＮ層１８との密着性に優れ、さらにエッチング特性に
も優れている。さらに、ｐ型ＺｎＯの膜を作成すること
もできることが知られており（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）Ｌ１２０５−Ｌ１
２０７ Ｐａｒｔ２，Ｎｏ．１１Ａ．１ Ｎｏｖｅｍｂ
ｅｒ１９９９）、ｐ型ＧａＮ層１８との電気的接触も良
好なものとすることができる。
電極２０を形成した後、さらにｐ型ＧａＮ層１８上にｐ
型電極２２と接するようにｐ型ＺｎＯ透明電極２１をス
パッタリング法などを用いて形成する（Ｓ１０８）。Ｚ
ｎＯは波長３５０ｎｍ以上で透明になり、１０−３Ωｃ
ｍ程度の膜をスパッタリング法で形成できることが知ら
れている（Ｋ．Ｔｏｍｉｎａｇａ，ｅｔ ａｌ，Ｔｈｉ
ｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ２４３（１９９４）９−１
３）。そして、ＺｎＯとＧａＮは、格子定数（ＺｎＯ：
ａ＝３．２５２Å、ｃ＝５．２１３Å、ＧａＮ：ａ＝
３．１８９Å、ｃ＝５．１８５Å、ＩＴＯ：１０．１３
Å）、熱膨張係数（ＺｎＯ：ａ軸方向２．９×１０−６
Ｋ−１、Ｃ軸方向４．７５×１０−６Ｋ−１、ＧａＮ：
ａ軸方向５．５９×１０−６Ｋ−１、Ｃ軸方向３．１７
×１０−６ Ｋ−１）が共に近似しているため、ｐ型Ｇ
ａＮ層１８との密着性に優れ、さらにエッチング特性に
も優れている。さらに、ｐ型ＺｎＯの膜を作成すること
もできることが知られており（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）Ｌ１２０５−Ｌ１
２０７ Ｐａｒｔ２，Ｎｏ．１１Ａ．１ Ｎｏｖｅｍｂ
ｅｒ１９９９）、ｐ型ＧａＮ層１８との電気的接触も良
好なものとすることができる。
【００１５】このように、Ｎｉ／ＡｕあるいはＩＴＯで
透明電極を形成するのではなく、ＺｎＯ、特にｐ型Ｚｎ
Ｏで透明電極２１を形成することで、ｐ型ＧａＮ層１８
との電気的整合性を向上させて均一な電流が得られ、か
つ電極形状も所望の形状とでき、光を効率的に外部に取
り出すことが可能となる。
透明電極を形成するのではなく、ＺｎＯ、特にｐ型Ｚｎ
Ｏで透明電極２１を形成することで、ｐ型ＧａＮ層１８
との電気的整合性を向上させて均一な電流が得られ、か
つ電極形状も所望の形状とでき、光を効率的に外部に取
り出すことが可能となる。
【００１６】本願出願人は、透明電極２１の材料とし
て、Ｎｉ／Ａｕ、ＩＴＯ、ｎ型ＺｎＯ、ｐ型ＺｎＯを用
いて発光素子を形成し、その発光出力を測定した結果、
以下のような値を得ることができた。
て、Ｎｉ／Ａｕ、ＩＴＯ、ｎ型ＺｎＯ、ｐ型ＺｎＯを用
いて発光素子を形成し、その発光出力を測定した結果、
以下のような値を得ることができた。
【００１７】
【表１】
【００１８】ここで、発光波長は全て４５０ｎｍであ
る。この表からわかるように、従来の透明電極材料（Ｎ
ｉ／ＡｕあるいはＩＴＯ）に比べて、ｎ型ＺｎＯ及びｐ
型ＺｎＯは共に相対出力パワーが優れており、特にｐ型
ＺｎＯでは従来に比べて約２倍程度の相対出力パワーが
得られており、効率的に光を外部に取り出すことができ
る。
る。この表からわかるように、従来の透明電極材料（Ｎ
ｉ／ＡｕあるいはＩＴＯ）に比べて、ｎ型ＺｎＯ及びｐ
型ＺｎＯは共に相対出力パワーが優れており、特にｐ型
ＺｎＯでは従来に比べて約２倍程度の相対出力パワーが
得られており、効率的に光を外部に取り出すことができ
る。
【００１９】なお、本実施形態においては、発光層とし
てＩｎＧａＮを用いているが、ＧａＮ系化合物半導体で
あれば任意の材料を用いることができる。
てＩｎＧａＮを用いているが、ＧａＮ系化合物半導体で
あれば任意の材料を用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば透
明電極にＺｎＯを用いたので、発光層から射出した光を
効率的に外部に取り出すことが可能となる。これによ
り、発光素子に適用した場合に発光効率を向上させるこ
とが可能となる。
明電極にＺｎＯを用いたので、発光層から射出した光を
効率的に外部に取り出すことが可能となる。これによ
り、発光素子に適用した場合に発光効率を向上させるこ
とが可能となる。
【図１】 本発明の実施形態の構成図である。
【図２】 図１に示された半導体装置の製造フローチャ
ートである。
ートである。
【図３】 従来装置の構成図である。
１０ サファイア基板、１２ ｎ型ＧａＮ層、１４ ｎ
型ＧａＮ層、１６ ＩｎＧａＮ発光層、１８ ｐ型Ｇａ
Ｎ層、２０ ｎ型電極、２１ 透明電極、２２ｐ型電
極。
型ＧａＮ層、１６ ＩｎＧａＮ発光層、１８ ｐ型Ｇａ
Ｎ層、２０ ｎ型電極、２１ 透明電極、２２ｐ型電
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB02 BB06 BB36 CC01 DD37 FF01 GG04 HH20 5F041 AA03 CA12 CA40 CA82 CA88 CA93
Claims (3)
- 【請求項１】 窒化ガリウム系化合物半導体装置であっ
て、 電極としてＺｎＯ透明電極を有することを特徴とする窒
化ガリウム系化合物半導体装置。 - 【請求項２】 前記窒化ガリウム系化合物半導体装置
は、 基板と、 基板上に形成されたｎ型ＧａＮ系層と、 前記ｎ型ＧａＮ層上に形成されたＧａＮ系発光層と、 前記発光層上に形成されたｐ型ＧａＮ系層と、 ｎ型ＧａＮ層上に形成されたｎ型電極と、 前記ｐ型ＧａＮ層上に形成されたｐ型電極と、 を有し、前記ＺｎＯ透明電極は、前記ｐ型ＧａＮ系層上
であって前記ｐ型電極に隣接して形成され、前記発光層
からの光は前記ＺｎＯ透明電極を透過して外部に射出す
ることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化合
物半導体装置。 - 【請求項３】 前記ＺｎＯ透明電極はｐ型であることを
特徴とする請求項１，２のいずれかに記載の窒化ガリウ
ム系化合物半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358412A JP2002164570A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
| EP02100440A EP1363334A1 (en) | 2000-11-24 | 2002-05-03 | Gallium nitride-based compound semiconductor device with a ZnO electrode |
| US10/139,863 US20030209723A1 (en) | 2000-11-24 | 2002-05-07 | Gallium nitride-based compound semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358412A JP2002164570A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
| EP02100440A EP1363334A1 (en) | 2000-11-24 | 2002-05-03 | Gallium nitride-based compound semiconductor device with a ZnO electrode |
| US10/139,863 US20030209723A1 (en) | 2000-11-24 | 2002-05-07 | Gallium nitride-based compound semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164570A true JP2002164570A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=31498972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000358412A Pending JP2002164570A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030209723A1 (ja) |
| EP (1) | EP1363334A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002164570A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1523047A2 (en) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2005123631A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2007019488A (ja) * | 2005-06-09 | 2007-01-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
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