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  1. 第1の発光素子と、前記第1の発光素子と発光色が異なる第2の発光素子とを有し、
    前記第1の発光素子は、
    第1の導電層と、
    前記第1の導電層上の第2の導電層と、
    前記第2の導電層上の第3の導電層と、
    前記第3の導電層上の第1の発光層と、
    前記第1の発光層上の第4の導電層と、を有し、
    前記第2の発光素子は、
    第5の導電層と、
    前記第5の導電層上の第6の導電層と、
    前記第6の導電層上の第7の導電層と、
    前記第7の導電層上の第2の発光層と、
    前記第2の発光層上の第8の導電層と、を有し、
    前記第1の導電層は、前記第5の導電層と、同じ材料を有し、
    前記第2の導電層は、前記第6の導電層と、同じ材料を有し、
    前記第3の導電層は、前記第7の導電層と、同じ材料を有し、
    前記第4の導電層は、前記第8の導電層と、同じ材料を有し、
    前記第1の導電層および前記第5の導電層は、反射性材料を有し、
    前記第2の導電層および前記第6の導電層は、チタン又はチタン化合物を有し、
    前記第3の導電層および前記第7の導電層は、酸化物からなる透明導電材料を有し、
    前記第4の導電層および前記第8の導電層は、反射性材料、ITO、ITOに珪素が混入したITSO、酸化亜鉛を含む酸化インジウムのいずれかを有し、
    前記第3の導電層は、前記第7の導電層と、膜厚が異なることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1において、
    前記第3の導電層と前記第1の発光層との間、および、前記第7の導電層と前記第2の発光層との間に、有機化合物とモリブデン酸化物とを含む層を有することを特徴とする発光装置
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記反射性材料はアルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金、又は銀を含む合金であることを特徴とする発光装置。
  4. 第1の導電層と、
    前記第1の導電層上の第2の導電層と、
    前記第2の導電層上の電界発光層と、
    前記電界発光層上の第3の導電層と、を有し、
    前記第1の導電層は、反射性材料を有し、
    前記第2の導電層は、チタン又はチタン化合物を有することを特徴とする発光装置。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006126363A1 (en) 2005-04-22 2006-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode for organic transistor, organic transistor, and semiconductor device
KR100736623B1 (ko) * 2006-05-08 2007-07-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
US20080309225A1 (en) * 2007-05-18 2008-12-18 Masao Shimizu Organic electroluminescent display device
US8513678B2 (en) 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2010153365A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
US9741955B2 (en) * 2009-05-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
CN105742515A (zh) * 2009-05-29 2016-07-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备
KR101073544B1 (ko) * 2009-08-21 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 및 그의 제조 방법
US8404500B2 (en) * 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2011083515A1 (ja) 2010-01-08 2011-07-14 パナソニック株式会社 有機elパネル、それを用いた表示装置および有機elパネルの製造方法
DE102010040839B4 (de) * 2010-09-15 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektronsichen Bauelements und elektronisches Bauelement
US8847217B2 (en) 2010-11-24 2014-09-30 Panasonic Corporation Organic EL panel, display device using same, and method for producing organic EL panel
WO2012070086A1 (ja) 2010-11-24 2012-05-31 パナソニック株式会社 有機elパネル、それを用いた表示装置および有機elパネルの製造方法
WO2012070085A1 (ja) 2010-11-24 2012-05-31 パナソニック株式会社 有機elパネル、それを用いた表示装置および有機elパネルの製造方法
WO2012070087A1 (ja) 2010-11-24 2012-05-31 パナソニック株式会社 有機elパネル、それを用いた表示装置および有機elパネルの製造方法
US8557614B2 (en) * 2010-12-28 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing lighting device
TWI647973B (zh) 2011-02-11 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置以及顯示裝置
JP2012182443A (ja) 2011-02-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及び発光装置
KR101880183B1 (ko) 2011-02-11 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
US8957442B2 (en) 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP5969216B2 (ja) * 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
TWI562424B (en) 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9083000B2 (en) 2011-04-29 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
KR101917752B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
KR20120139386A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
KR101970675B1 (ko) 2011-08-04 2019-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 조명 장치
US8941111B2 (en) 2012-12-21 2015-01-27 Invensas Corporation Non-crystalline inorganic light emitting diode
WO2014155691A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置とその製造方法
TWI745740B (zh) * 2014-05-15 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
CN104091894A (zh) * 2014-06-30 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管、阵列基板及其制备方法、显示装置
US9343691B2 (en) 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102377360B1 (ko) 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
CN107535033B (zh) 2015-04-16 2019-08-16 夏普株式会社 有机电致发光装置
TWI561894B (en) * 2015-05-29 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Manufacturing method of making electronic connection structure, tft substrate, and insulation layer
US10396305B2 (en) * 2016-11-29 2019-08-27 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL device, and display apparatus and lighting apparatus using the same
JP6983391B2 (ja) * 2017-04-06 2021-12-17 株式会社Joled 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el表示パネルの製造方法
JPWO2019220283A1 (ja) 2018-05-18 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
JP2022115237A (ja) * 2021-01-28 2022-08-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US638687A (en) * 1897-12-23 1899-12-12 Albert Anderson Electric switch.
JP2636341B2 (ja) 1988-06-09 1997-07-30 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
JP2666428B2 (ja) 1988-11-18 1997-10-22 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
JPH03190088A (ja) 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機el素子
JP2926845B2 (ja) 1990-03-23 1999-07-28 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
JPH04357694A (ja) 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜el素子
JPH05182766A (ja) 1991-12-26 1993-07-23 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 薄膜el素子
JPH06267658A (ja) 1993-03-09 1994-09-22 Mitsubishi Kasei Corp 有機el素子
JP3189480B2 (ja) 1993-04-02 2001-07-16 富士電機株式会社 有機薄膜発光素子
JPH07312289A (ja) 1994-05-18 1995-11-28 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JP2824411B2 (ja) 1995-08-25 1998-11-11 株式会社豊田中央研究所 有機薄膜発光素子
JPH10172762A (ja) 1996-12-11 1998-06-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5989737A (en) 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
JP3571171B2 (ja) 1997-05-08 2004-09-29 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1126169A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Tdk Corp 有機el素子およびその製造方法
US6501217B2 (en) 1998-02-02 2002-12-31 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
JP3488474B2 (ja) 1998-02-02 2004-01-19 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 有機発光ダイオード用のアノード改質
GB9803764D0 (en) 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3468089B2 (ja) 1998-04-07 2003-11-17 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JPH11307264A (ja) 1998-04-17 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JPH11307259A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Tdk Corp 有機el素子
CN1941453A (zh) 1998-06-26 2007-04-04 出光兴产株式会社 发光器件
JP4198253B2 (ja) 1999-02-02 2008-12-17 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4420486B2 (ja) 1999-04-30 2010-02-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000315581A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
TW515109B (en) 1999-06-28 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and electronic device
JP4666722B2 (ja) 1999-06-28 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
JP4824848B2 (ja) 2000-02-29 2011-11-30 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの特定方法
KR20010050711A (ko) 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP4780826B2 (ja) 1999-10-12 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
TW511298B (en) 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
US20010053559A1 (en) 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
KR20010085420A (ko) 2000-02-23 2001-09-07 기타지마 요시토시 전계발광소자와 그 제조방법
TW521303B (en) 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP2002056973A (ja) 2000-03-06 2002-02-22 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子および感光性高分子
JP4617019B2 (ja) * 2000-04-25 2011-01-19 大日本印刷株式会社 光触媒含有層を有するel素子とその製造方法
US6608449B2 (en) 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
US6692845B2 (en) 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US6483236B1 (en) 2000-05-24 2002-11-19 Eastman Kodak Company Low-voltage organic light-emitting device
US6489638B2 (en) 2000-06-23 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
JP3955744B2 (ja) 2001-05-14 2007-08-08 淳二 城戸 有機薄膜素子の製造方法
JP3773423B2 (ja) 2001-06-11 2006-05-10 Tdk株式会社 有機el素子
JP3804858B2 (ja) 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP3742054B2 (ja) 2001-11-30 2006-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7141817B2 (en) 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
WO2003055275A1 (en) 2001-12-21 2003-07-03 International Business Machines Corporation Electrode structure for electronic and opto-electronic devices
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
DE10215210B4 (de) 2002-03-28 2006-07-13 Novaled Gmbh Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US20100026176A1 (en) 2002-03-28 2010-02-04 Jan Blochwitz-Nomith Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
KR100875097B1 (ko) 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
US7158161B2 (en) 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
JP2004134395A (ja) 2002-09-20 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置
JP3791517B2 (ja) 2002-10-31 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2004170918A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP4045226B2 (ja) 2002-10-31 2008-02-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4003724B2 (ja) * 2002-10-31 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4248853B2 (ja) 2002-11-20 2009-04-02 大日本印刷株式会社 有機半導体素子用陽極
JP2004178930A (ja) 2002-11-26 2004-06-24 Sony Corp 発光素子およびこれを用いた表示装置
JP2004192890A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Sony Corp 有機電界発光素子
WO2004064453A1 (ja) * 2003-01-10 2004-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光素子及びその作製方法
US20040140758A1 (en) 2003-01-17 2004-07-22 Eastman Kodak Company Organic light emitting device (OLED) display with improved light emission using a metallic anode
JP4362696B2 (ja) 2003-03-26 2009-11-11 ソニー株式会社 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置
JP4624653B2 (ja) 2003-05-20 2011-02-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2005026121A (ja) 2003-07-03 2005-01-27 Fujitsu Ltd 有機el素子及びその製造方法並びに有機elディスプレイ
JP4396163B2 (ja) 2003-07-08 2010-01-13 株式会社デンソー 有機el素子
WO2005006460A1 (en) 2003-07-09 2005-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
KR100546662B1 (ko) * 2003-08-05 2006-01-26 엘지전자 주식회사 유기 el 소자
US6969559B1 (en) * 2003-08-19 2005-11-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Structures producing a magnetic field with a gradient
US7030553B2 (en) * 2003-08-19 2006-04-18 Eastman Kodak Company OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel
TWI407830B (zh) 2003-09-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件和其製法
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4683829B2 (ja) 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
US7205716B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW200515836A (en) * 2003-10-22 2005-05-01 Hannstar Display Corp Organic electroluminescent element
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4300176B2 (ja) 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7374828B2 (en) * 2003-12-05 2008-05-20 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with additive
EP1695396B1 (en) 2003-12-16 2009-06-03 Panasonic Corporation Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
JP2005251587A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Tdk Corp 有機el素子
KR100699988B1 (ko) * 2004-03-19 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR100623252B1 (ko) * 2004-04-07 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
US7247394B2 (en) * 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP4925569B2 (ja) 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US8633473B2 (en) * 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2007214228A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Sony Corp 有機電界発光素子

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