JP3468089B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

有機電界発光素子

Info

Publication number
JP3468089B2
JP3468089B2 JP09431998A JP9431998A JP3468089B2 JP 3468089 B2 JP3468089 B2 JP 3468089B2 JP 09431998 A JP09431998 A JP 09431998A JP 9431998 A JP9431998 A JP 9431998A JP 3468089 B2 JP3468089 B2 JP 3468089B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
metal
electroluminescent device
organic
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP09431998A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11297474A (ja
Inventor
正雄 福山
睦美 鈴木
明人 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP09431998A priority Critical patent/JP3468089B2/ja
Publication of JPH11297474A publication Critical patent/JPH11297474A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3468089B2 publication Critical patent/JP3468089B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種の表示装置と
して広範囲に利用される発光素子であって、特に低い駆
動電圧、高輝度、安定性に優れた有機電界発光素子に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】電界発光素子は、自己発光のために液晶
素子にくらべて明るく、鮮明な表示が可能であるため、
旧来多くの研究者によって研究されてきた。現在、実用
レベルに達し商品化されている電界発光素子としては、
無機材料のZnSを用いた素子がある。しかし、この様
な無機の電界発光素子は発光のための駆動電圧として2
00V程度必要であるため、広く使用されるには至って
いない。
【0003】これに対して、有機材料を用いた電界発光
素子である有機電界発光素子は、従来、実用的なレベル
からはほど遠いものであったが、1987年にコダック
社のC.W.Tangらによって開発された積層構造素
子により、その特性が飛躍的に進歩した。(Appl.
Phys.Lett.,51巻,913頁,1987
年)彼らは、蒸着膜の構造が安定であって電子を輸送す
ることのできる蛍光体と、正孔を輸送することのできる
有機物を積層し、両方のキャリヤーを蛍光体中に注入し
て発光させることに成功した。
【0004】これによって、有機電界発光素子の発光効
率が向上し、10V以下の電圧で1000cd/m2
上の発光が得られるようになった。この様な有機電界発
光素子の基本的な発光特性は、非常に優れており、現在
その実用化を妨げている最も大きな課題の一つは安定性
の不足にある。具体的には、発光輝度が低下したり、ダ
ークスポットと呼ばれる発光しない領域が発生したり、
素子の短絡により破壊が起きてしまうことである。この
ような特性劣化の要因の一つに陰極と有機層との界面の
問題が考えられ、課題を解決のために陰極に接する有機
層を改良することが検討されている。
【0005】具体的には有機発光層と陰極の間に芳香族
アミン化合物からなる界面層を設けたり(特開平6−2
67658号公報)、アルカリ金属化合物を含む電子注
入層を設けること(特開平9−17574号公報)など
が開示されているが、これらではまだ不十分である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の技術にお
いては、発光輝度が低下したり、ダークスポットと呼ば
れる発光しない領域が発生したりして、安定性が不十分
であることが大きな課題である。
【0007】本発明は、発光効率が高く駆動寿命時の輝
度の低下が小さい有機電界発光素子を提供することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の電極の
間に有機層を有する有機電界発光素子であって、前記一
対の電極の内の陰極に接して設けたバッファー層とし
て、少なくともポルフィリン化合物と仕事関数が4.0
eV以下の金属とが混合されたものを用い、前記陰極に
は前記バッファー層に含まれていない金属を用いること
を特徴とする有機電界発光素子である。
【0009】このような構成によれば、発光効率が高く
駆動寿命時の輝度の低下が小さい有機電界発光素子が提
供される。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の第1の発明は、一対の電
極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、前
記一対の電極の内の陰極に接して設けたバッファー層
して、少なくともポルフィリン化合物と仕事関数が4.
0eV以下の金属とが混合されたものを用い、前記陰極
には前記バッファー層に含まれていない金属を用いるこ
とを特徴とする有機電界発光素子であり、ポルフィリン
化合物は通常正孔輸送材として考えられているが、上記
の構成で用いることにより、陰極からの電子注入が改善
されるため、発光効率が高く駆動寿命がながくなるとい
う作用を有する。
【0011】本発明の第2の発明は、ポルフィリン化合
物が一般式()で示されるものである。
【0012】
【化2】
【0013】(ただし、R1 〜R8 は同一でも異なって
もよい水素原子、ハロゲンまたは1価の有機残基を示
し、R1 とR2 、R3 とR4 、R5 とR6 、R7 とR8
は共同で環を形成してもよく、A1 は−N=あるいは−
CR9 =を示し、R9 は水素原子、ハロゲンまたは1価
の有機残基であり、M1 は水素原子、金属原子、金属酸
化物、金属ハロゲン化物または1価有機残基を有する金
属である。) これにより、R1〜R9 の1価の有機残基としては、分
岐してもしなくてもよいアルキル基、置換または無置換
のアリール基、ビニル基やアリル基等の不飽和炭化水素
基、カルボキシル基、カルボキシアルキル基、ヒドロキ
シル基、アルコキシル基、アシル基、アルキルオキシ
基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、ニトロ基、アミノ基、アミノアルキル基、シアノ
基、シアノアルキル基、置換または無置換の3員環以上
の複素環等が用いられ得る。また、R 1 とR2 、R3
4 、R5 とR6 、R7 とR8は、共同で環を形成して
もよく、特に芳香族環のベンゼン環やナフタレン環等を
形成した場合にはベンゾポルフィリン化合物、フタロシ
アニン化合物、ナフタロシアニン化合物などと呼ばれる
化合物群となる。このような化合物は安定性が向上した
ものが得られるという作用を有する。
【0014】また、M1は2個の水素原子、1個または
2個の金属原子、金属酸化物、ハロゲン化金属または1
価の有機残基を有する金属であり、金属原子としてはL
i、Na、K、Rb、Cs、Be、Sr、Ba,Ca,
Mg,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Mn,Cr,A
l,Ga,Sn,Si,Ge,Sc,Ti,Pb,V,
Pt,Pd,Cd等が用い得る。さらに、1価の有機残
基としては、分岐してもしなくてもよいアルキル基、置
換または無置換のアリール基、ビニル基やアリル基等の
不飽和炭化水素基、カルボキシル基、カルボキシアルキ
ル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アシル基、ア
ルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、ニトロ基、アミノ基、アミノアルキル
基、シアノ基、シアノアルキル基、置換または無置換の
3員環以上の複素環等が用いられ得る。
【0015】具体的には、ポルフィン、エチオポルフィ
ン、メソポルフィン、プロトポルフィン、プロトポルフ
ィン亜鉛、2,3,7,8,12,13,17,18−
オクタエチルポルフィン、2,3,7,8,12,1
3,17,18−オクタエチルポルフィン銅、2,3,
7,8,12,13,17,18−オクタエチルポルフ
ィンマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィン、5,10,15,20−テトラフェニ
ルポルフィン銅、5,10,15,20−テトラピリジ
ルポルフィン、テトラベンゾポルフィン、5,10,1
5,20−テトラアザポルフィリン、2,3,7,8,
12,13,17,18−オクタエチル−5,10,1
5,20−テトラアザポルフィリン、2,7,12,1
7−テトラ-t-ブチル-5,10,15,20−テトラア
ザポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニ
ル−5,10,15,20−テトラアザポルフィリン、
5,10,15,20−テトラフェニル−5,10,1
5,20−テトラアザポルフィリン銅、無金属フタロシ
アニン、銅フタロシアニン、鉛フタロシアニン、亜鉛フ
タロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、コバルト
フタロシアニン、錫フタロシアニン、塩化錫フタロシア
ニン、塩化アルミフタロシアニン、チタニルフタロシア
ニン、ナフタロシアニン、銅ナフタロシアニン銅、コバ
ルトナフタロシアニン、銅−4,4’,4’’,
4’’’テトラアザフタロシアニン等が挙げられる。
【0016】本発明の第3の発明は、一対の電極の間に
有機層を有する有機電界発光素子であって、前記一対の
電極の内の陰極に接して設けたバッファー層として、少
なくとも芳香族アミン化合物と仕事関数が4.0eV以
下の金属とが混合されたものを用い、陰極にはバッファ
ー層に含まれていない金属を用いることを特徴とする
機電界発光素子であり、芳香族アミン化合物は通常正孔
輸送材として考えられているが、上記の構成で用いる
と、陰極からの電子注入が容易に起こり発光効率が大幅
に上昇し、このために駆動時の輝度の低下を低減するこ
とが可能となるという作用を有する。
【0017】上記の芳香族アミン化合物としては有機電
界発光素子に通常用いられているものでよく、芳香族第
3級アミン化合物、スターバーストアミン、芳香族アミ
ンオリゴマーなどがよい。特に、特開平7−12661
5号公報、特開平7−331238号公報、特開平8−
100172号公報で開示されている芳香族アミン化合
物は耐熱性が向上したものであり最適である。また、仕
事関数が4.0eV以下の金属としてはアルカリ金属、
アルカリ土類金属、希土類金属、スカンジウム、イット
リウム等がある。
【0018】本発明の第4の発明は、仕事関数が4.0
eV以下の金属としてはアルカリ金属またはアルカリ土
類金属であるとよく、特に、Li、Mg,Ca、Sr等
が好適である。上記バッファー層の形成方法としては真
空蒸着法により上記のポルフィリン化合物あるいは芳香
族アミン化合物と仕事関数が4.0eV以下の金属をそ
れぞれ別の蒸着源から蒸着する方法が好適であるが、他
の薄膜形成方法を用いてもよい。上記バッファー層の膜
厚は0.5nm以上あらばよく膜厚を厚くしても特性変
化は小さい。
【0019】本発明の第5の発明は、一対の電極の間に
有機層を有する有機電界発光素子であって、前記一対の
電極の内の陰極に接して設けたバッファー層が、一般式
)で記述されるポルフィリン化合物を含むものであ
る有機電界発光素子である。
【0020】
【化3】
【0021】(ただし、R10〜R17は同一でも異なって
もよい水素原子、ハロゲンまたは1価の有機残基を示
し、A2は−N=あるいは−CR18=を示し、R18は水
素原子、ハロゲンまたは1価の有機残基であり、M1
水素原子、金属原子、金属酸化物、ハロゲン化金属また
は1価有機残基を有する金属である。) また、R10〜R18の1価の有機残基としては、分岐して
もしなくてもよいアルキル基、置換または無置換のアリ
ール基、ビニル基やアリル基等の不飽和炭化水素基、カ
ルボキシル基、カルボキシアルキル基、ヒドロキシル
基、アルコキシル基、アシル基、アルキルオキシ基、ア
リールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ニ
トロ基、アミノ基、アミノアルキル基、シアノ基、シア
ノアルキル基、置換または無置換の3員環以上の複素環
等が用いられ得る。
【0022】また、M1 は2個の水素原子、1個または
2個の金属原子、金属酸化物、ハロゲン化金属または1
価の有機残基を有する金属であり、金属原子としてはL
i、Na、K、Rb、Cs、Be、Sr、Ba,Ca,
Mg,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Mn,Cr,A
l,Ga,Sn,Si,Ge,Sc,Ti,Pb,V,
Pt,Pd,Cd等が用い得る。さらに、1価の有機残
基としては、分岐してもしなくてもよいアルキル基、置
換または無置換のアリール基、ビニル基やアリル基等の
不飽和炭化水素基、カルボキシル基、カルボキシアルキ
ル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アシル基、ア
ルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、ニトロ基、アミノ基、アミノアルキル
基、シアノ基、シアノアルキル基、置換または無置換の
3員環以上の複素環等が用いられ得る。
【0023】具体的には、ポルフィン、エチオポルフィ
ン、メソポルフィン、プロトポルフィン、プロトポルフ
ィン亜鉛、2,3,7,8,12,13,17,18−
オクタエチルポルフィン、2,3,7,8,12,1
3,17,18−オクタエチルポルフィン銅、2,3,
7,8,12,13,17,18−オクタエチルポルフ
ィンマグネシウム、5,10,15,20−テトラフェ
ニルポルフィン、5,10,15,20−テトラフェニ
ルポルフィン銅、5,10,15,20−テトラピリジ
ルポルフィン、5,10,15,20−テトラアザポル
フィリン、2,3,7,8,12,13,17,18−
オクタエチル−5,10,15,20−テトラアザポル
フィリン、2,7,12,17−テトラ-t-ブチル-5,
10,15,20−テトラアザポルフィリン、5,1
0,15,20−テトラフェニル−5,10,15,2
0−テトラアザポルフィリン、5,10,15,20−
テトラフェニル−5,10,15,20−テトラアザポ
ルフィリン銅等が挙げられる。
【0024】本発明の第6の発明は、第1から第5のい
ずれかの発明の有機電界発光素子において、陰極が仕事
関数が4.0eV以上の金属からなる有機電界発光素子
であり、発光効率が高く、駆動寿命が長い素子が可能と
なるという作用を有する。具体的にはアルミニウム、
銀、銅、金、錫、インジイム、マンガン、ニッケル、白
金などが好適である。なお、発光材としては各種の蛍光
性金属錯体化合物、オキサゾール誘導体やスチリル誘導
体などの蛍光性有機色素化合物、ポリパラフェニレンビ
ニレンなどの蛍光性高分子化合物など各種の蛍光材料を
用いることができる。また、発光層にキナクリドンやク
マリン、ルブレン、ペリレンなどの各種蛍光材料をドー
パントとして添加することによりさらに高効率、高輝
度、高信頼性の有機電界発光素子を作製することができ
る。
【0025】また、本発明の素子構造としては以下のも
のが挙げられるが、陰極に接してバッファー層が設けら
れていればどのようなものでもよい。また、通常は基板
上に陽極から陰極の順に積層するが、これとは逆に基板
上に陰極から陽極の順に積層してもよい。
【0026】陽極/発光層/バッファー層/陰極 陽極/正孔輸送層/発光層/バッファー層/陰極 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/バッファー層
/陰極 陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/バッファー層
/陰極 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/
バッファー層/陰極
【0027】
【実施例】以下に、本発明の具体例を説明する。
【0028】以下の実施例では、正孔輸送材として(化
)で示す無置換トリフェニルアミン四量体(TPT)
を、発光材としてトリス(8−キノリノール)アルミニ
ウム(以下Alqという。)を、陰極としてアルミニウ
ムを用い、陽極、正孔輸送層、発光層、バッファー層、
陰極の順に積層した素子の構成を代表的に示すが、本発
明はこの構成に限定されるものではもちろんない。
【0029】
【化4】
【0030】(実施例1)本実施例の電界発光素子は、
図1に示すように、ガラス基板1上に透明電極2として
ITO電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔輸送
層3、発光層4、バッファー層5、陰極6の順に蒸着し
て作製した構成を有する。
【0031】まず、十分に洗浄したガラス基板(ITO
電極は成膜済み)、TPT、Alq、銅フタノシアニ
ン、アルミニウム及びリチウムを蒸着装置にセットし
た。ついで、2×10-6torrまで排気した後、0.
1nm/秒の速度でセットしたTPTを蒸着し正孔輸送
層を50nm形成した。ついで、セットした発光材のA
lqを0.1nm/秒の速度で蒸着し、膜厚25nmの
発光層を形成した。
【0032】次に、銅フタロシアニンとリチウムを異な
る蒸着源より蒸着し、銅フタロシアニンとリチウムから
なるバッファー層を25nm積層した。その後、アルミ
ニウムの蒸着を0.5nm/秒の速度で行い、その厚さ
を150nmとした。なお、これらの蒸着はいずれも真
空を破らずに連続して行い、膜厚は水晶振動子によって
モニターした。
【0033】そして、素子作製後、直ちに乾燥窒素中で
電極の取り出しを行い、引続き特性測定を行った。ここ
で、得られた素子の発光効率は、発光輝度500cd/
2の場合の値で定義した。また、駆動寿命は初期輝度
1000cd/m2 として一定電流で駆動したときに、
輝度が初期の半分の500cd/m2 になる間での時間
で定義した。
【0034】その結果、本実施例においては、発光特性
は3.1cd/A、駆動寿命は510時間であった。
【0035】一方、比較のために、バッファー層を設け
ない以外は同様にして有機電界発光素子を作製し、特性
を調べた。その結果、発光効率は0.7cd/A、駆動
寿命は1時間以下であった。
【0036】以上より、本実施例の有機電界発光素子
は、発光効率、駆動寿命が大幅に改善されていることが
確認された。
【0037】(実施例2)本実施例では、バッファー層
として(表1)に示したポルフィリン化合物とリチウム
の混合膜を用いた以外は、実施例1と同様に有機電界発
光素子を作製し、その特性を評価した。
【0038】その結果を、以下の(表1)に示す。
【0039】
【表1】
【0040】(表1)より、本実施例の有機電界発光素
子は、発光効率、駆動寿命が大幅に改善されていること
が確認された。
【0041】(実施例3)本実施例では、バッファー層
として銅フタロシアニンと(表2)示す金属の混合膜を
用いた以外は、実施例1と同様に有機電界発光素子を作
製し、その特性を評価した。
【0042】その結果を、以下の(表2)に示す。
【0043】
【表2】
【0044】(表2)より、本実施例の有機電界発光素
子は、発光効率、駆動寿命が大幅に改善されていること
が確認された。 (実施例4)本実施例では、バッファー層として芳香族
アミン化合物とリチウムの混合膜を用いた以外は、実施
例1と同様に有機電界発光素子を作製し、その特性を評
価した。芳香族アミン化合物としては(化1)に示した
TPT、N,N’−ジフェニル− N,N’ビス(3−
メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−
ジアミンであるTPD、及び4,4’,4’’−トリス
(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)
トリフェニルアミンであるMTDATAを用いた。
【0045】その結果を、以下の(表3)に示す。
【0046】
【表3】
【0047】(表3)より、本実施例の有機電界発光素
子は、発光効率、駆動寿命が大幅に改善されていること
が確認された。 (実施例5)本実施例では、バッファー層として(表
4)に示したポルフィリン化合物のみを用いた以外は、
実施例1と同様に有機電界発光素子を作製し、その特性
を評価した。
【0048】その結果を、以下の(表4)に示す。
【0049】
【表4】
【0050】(表4)より、本実施例の有機電界発光素
子は、発光効率、駆動寿命が大幅に改善されていること
が確認された。
【0051】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一対の
電極の内の陰極に接して設けたバッファー層が、ポルフ
ィリン化合物と仕事関数が4.0eV以下の金属を少な
くとも含むものとすることにより、発光効率が高く駆動
寿命時の輝度の低下が小さい有機電界発光素子が得られ
るという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における有機電界発光素子の構
成図
【符号の説明】
1 ガラス基板 2 透明電極 3 正孔輸送層 4 発光層 5 バッファー層 6 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−311161(JP,A) 特開 平6−267658(JP,A) 特開 平4−133286(JP,A) 特開 平9−17574(JP,A) 特開 平4−363896(JP,A) 特開 平11−233263(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05B 33/00 - 33/28

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の電極の間に有機層を有する有機電
    界発光素子であって、前記一対の電極の内の陰極に接し
    て設けたバッファー層として、少なくともポルフィリン
    化合物と仕事関数が4.0eV以下の金属とが混合され
    たものを用い、前記陰極には前記バッファー層に含まれ
    ていない金属を用いることを特徴とする有機電界発光素
    子。
  2. 【請求項2】 ポルフィリン化合物が、一般式(1)で
    示されるものであることを特徴とする請求項1記載の有
    機電界発光素子。 【化1】 (ただし、R1 〜R8 は同一でも異なっていてもよい水
    素原子、ハロゲンまたは1価の有機残基を示し、R1 と
    R2 、R3 とR4 、R5 とR6 、R7 とR8 は共同で環
    を形成してもよく、A1 は−N=あるいは−CR9 =を
    示し、R9 は水素原子、ハロゲンまたは1価の有機残基
    であり、M1 は水素原子、金属原子、金属酸化物、ハロ
    ゲン化金属または1価有機残基を有する金属である。)
  3. 【請求項3】 陰極が、仕事関数が4.0eV以上の金
    属からなることを特徴とする請求項1または2記載の有
    機電界発光素子。
JP09431998A 1998-04-07 1998-04-07 有機電界発光素子 Expired - Fee Related JP3468089B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09431998A JP3468089B2 (ja) 1998-04-07 1998-04-07 有機電界発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09431998A JP3468089B2 (ja) 1998-04-07 1998-04-07 有機電界発光素子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003111141A Division JP2003272869A (ja) 2003-04-16 2003-04-16 有機電界発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11297474A JPH11297474A (ja) 1999-10-29
JP3468089B2 true JP3468089B2 (ja) 2003-11-17

Family

ID=14106968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09431998A Expired - Fee Related JP3468089B2 (ja) 1998-04-07 1998-04-07 有機電界発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3468089B2 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6137223A (en) * 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
KR20010061874A (ko) * 1999-12-29 2001-07-07 김덕중 포르핀 유도체-리튬 착체 및 이를 이용한 유기전기발광소자
JP2002280184A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Nippon Seiki Co Ltd 有機電界発光素子
KR100474891B1 (ko) * 2001-12-20 2005-03-08 엘지전자 주식회사 유기 el 디스플레이 소자
JP3849937B2 (ja) * 2003-03-26 2006-11-22 富士電機ホールディングス株式会社 有機el素子およびその製造方法
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN101789497B (zh) 2003-09-26 2013-03-13 株式会社半导体能源研究所 发光元件及其制造方法
EP1521316B1 (en) 2003-10-03 2016-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting element
CN101673808B (zh) 2003-12-26 2012-05-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
EP1624502B1 (en) 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
WO2006035958A1 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
US20070262693A1 (en) 2004-10-29 2007-11-15 Satoshi Seo Composite Material, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device and Manufacturing Method Thereof
US7564052B2 (en) 2004-11-05 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
WO2006101016A1 (en) 2005-03-23 2006-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1724852A3 (en) 2005-05-20 2010-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8334057B2 (en) 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US7745989B2 (en) 2005-06-30 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
JP2010153365A (ja) 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11297474A (ja) 1999-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3468089B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3748491B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2998268B2 (ja) 有機電界発光素子
US6395409B2 (en) Organic electroluminescent element
TWI435925B (zh) 發光元件
JP2002299060A (ja) 有機発光素子
JP2004031004A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JPH0790256A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3951425B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000133458A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH0693257A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3951461B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004031212A (ja) 有機電界発光素子
JP2000340365A (ja) 有機電界発光素子
JP2940514B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2001172284A (ja) 有機発光素子材料およびそれらを用いた有機発光素子
US20090259008A1 (en) Vinyl Monomer And Polymer Derived From The Monomer, And Light Emitting Device Using The Polymer
JP2000182778A (ja) 有機系多層型エレクトロルミネセンス素子
JP2001043973A (ja) 有機発光素子及びその製造方法
JP3932605B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000106277A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JP2003229279A (ja) 有機電界発光素子
JP3555271B2 (ja) 青色発光素子
JP2828821B2 (ja) 電界発光素子
JP2000021571A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 10

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees