RU2010138903A - Двусторонний органический светоизлучающий диод (осид) - Google Patents
Двусторонний органический светоизлучающий диод (осид) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010138903A RU2010138903A RU2010138903/28A RU2010138903A RU2010138903A RU 2010138903 A RU2010138903 A RU 2010138903A RU 2010138903/28 A RU2010138903/28 A RU 2010138903/28A RU 2010138903 A RU2010138903 A RU 2010138903A RU 2010138903 A RU2010138903 A RU 2010138903A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- emitting diode
- emitting
- diode device
- light
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
1. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1), содержащее слой прозрачной подложки (2) с системой слоев, характеризующейся наличием, по меньшей мере, первого излучающего слоя (3) и, по меньшей мере, второго излучающего слоя (4), причем последовательность слоев на упомянутом слое подложки (2) характеризуется наличием, по меньшей мере, нижнего электродного слоя (5), упомянутого первого излучающего слоя (3), непрозрачного слоя, генерирующего заряд (6), упомянутого второго излучающего слоя (4) и прозрачного верхнего электронного слоя (7), и причем упомянутый непрозрачный слой, генерирующий заряд (6), характеризуется наличием n-лигатуры (10) на границе с первым излучающим слоем (3) и p-лигатуры (11) на границе со вторым излучающим слоем (4). ! 2. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что упомянутый первый излучающий слой (3) излучает свет в первом спектре излучения (8), за счет его пропускания через упомянутый слой прозрачной подложки (2), тогда как упомянутый второй излучающий слой (4) излучает свет во втором спектре излучения (9), за счет его пропускания через упомянутый прозрачный первый электродный слой (7). ! 3. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что упомянутый нижний электродный слой (5) изготовлен в виде анодного слоя, представляющего собой слой оксида индия и олова (Indium Tin Oxide, ITO), а упомянутый верхний электродный слой (7) изготовлен в виде катодного слоя, представляющего собой слой серебра (Ag). ! 4. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что упомянутый непрозрачный слой, генерирующий заряд (6), изготовлен в виде п
Claims (10)
1. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1), содержащее слой прозрачной подложки (2) с системой слоев, характеризующейся наличием, по меньшей мере, первого излучающего слоя (3) и, по меньшей мере, второго излучающего слоя (4), причем последовательность слоев на упомянутом слое подложки (2) характеризуется наличием, по меньшей мере, нижнего электродного слоя (5), упомянутого первого излучающего слоя (3), непрозрачного слоя, генерирующего заряд (6), упомянутого второго излучающего слоя (4) и прозрачного верхнего электронного слоя (7), и причем упомянутый непрозрачный слой, генерирующий заряд (6), характеризуется наличием n-лигатуры (10) на границе с первым излучающим слоем (3) и p-лигатуры (11) на границе со вторым излучающим слоем (4).
2. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что упомянутый первый излучающий слой (3) излучает свет в первом спектре излучения (8), за счет его пропускания через упомянутый слой прозрачной подложки (2), тогда как упомянутый второй излучающий слой (4) излучает свет во втором спектре излучения (9), за счет его пропускания через упомянутый прозрачный первый электродный слой (7).
3. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что упомянутый нижний электродный слой (5) изготовлен в виде анодного слоя, представляющего собой слой оксида индия и олова (Indium Tin Oxide, ITO), а упомянутый верхний электродный слой (7) изготовлен в виде катодного слоя, представляющего собой слой серебра (Ag).
4. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что упомянутый непрозрачный слой, генерирующий заряд (6), изготовлен в виде промежуточного электродного слоя, представляющего собой слой алюминия (Al), характеризующегося толщиной 30-200 нм, предпочтительно 50-150 нм, и наиболее предпочтительно 80 нм.
5. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что первый излучающий слой (3) и второй излучающий слой (4) функционируют под действием источника электропитания, причем источник электропитания (12) для упомянутого первого излучающего слоя (3) отделен от источника электропитания (13) для упомянутого второго излучающего слоя (4).
6. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.5, отличающееся тем, что источник электропитания (12) для упомянутого первого излучающего слоя (3) расположен между упомянутым нижним электродным слоем (5), функционирующим в качестве анода, и упомянутым слоем, генерирующим заряд (6), функционирующим в качестве катода, тогда как источник электропитания (13) для упомянутого второго излучающего слоя (4) расположен между упомянутым слоем, генерирующим заряд (6), функционирующим в качестве анода, и упомянутым верхним электродным слоем (7), функционирующим в качестве катода.
7. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что на упомянутом верхнем электродном слое (7) расположен световыводящий слой, представляющий собой слой селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), причем упомянутые слои характеризуются толщиной приблизительно 5-200 нм, предпочтительно 15-80 нм и наиболее предпочтительно 30 нм, или упомянутый световыводящий слой представляет собой органический слой типа Alq3 или б-NPD, характеризующийся толщиной от 5 нм до примерно 200 нм, предпочтительно 20-80 нм.
8. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что на упомянутом верхнем электродном слое (7) расположен кожух, содержащий прозрачное стеклянное покрытие или тонкопленочную оболочку, содержащую один или несколько двойных слоев нитрида кремния (SiN), с толщиной приблизительно 200 нм, и оксида кремния (SiO2), с толщиной приблизительно 100 нм.
9. Двустороннее светоизлучающее диодное устройство (1) по п.1 или 2, отличающееся тем, что на обеих сторонах упомянутого слоя, генерирующего заряд (6), нанесено более одного излучающего слоя (3, 4).
10. Использование двустороннего светоизлучающего диодного устройства (1) по любому из предыдущих пунктов для:
- применений для вывесок, причем упомянутое устройство (1) наносят на створки стеклянных дверей, создавая входной цветной свет, испускаемый с первой стороны, и выходной цветной свет, испускаемый со второй стороны упомянутого устройства (1), или для
- декоративных применений, таких как самоиллюминирующие рассеиватели световых приборов.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP08101873.1 | 2008-02-22 | ||
EP08101873 | 2008-02-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010138903A true RU2010138903A (ru) | 2012-03-27 |
Family
ID=40874722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010138903/28A RU2010138903A (ru) | 2008-02-22 | 2009-02-19 | Двусторонний органический светоизлучающий диод (осид) |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100308353A1 (ru) |
EP (1) | EP2257984A1 (ru) |
JP (1) | JP2011512638A (ru) |
KR (1) | KR20100126428A (ru) |
CN (1) | CN101952967A (ru) |
RU (1) | RU2010138903A (ru) |
TW (1) | TW201001776A (ru) |
WO (1) | WO2009104148A1 (ru) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102117771B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-05-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种发光二极管外延片和管芯及其制作方法 |
KR101182268B1 (ko) * | 2010-07-09 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
US8198109B2 (en) | 2010-08-27 | 2012-06-12 | Quarkstar Llc | Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination |
US8461602B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-06-11 | Quarkstar Llc | Solid state light sheet using thin LEDs for general illumination |
US8338199B2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-12-25 | Quarkstar Llc | Solid state light sheet for general illumination |
US8210716B2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-07-03 | Quarkstar Llc | Solid state bidirectional light sheet for general illumination |
US8192051B2 (en) | 2010-11-01 | 2012-06-05 | Quarkstar Llc | Bidirectional LED light sheet |
WO2012075639A1 (zh) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种双面发光的有机电致发光器件及其制备方法 |
US8314566B2 (en) | 2011-02-22 | 2012-11-20 | Quarkstar Llc | Solid state lamp using light emitting strips |
US8410726B2 (en) | 2011-02-22 | 2013-04-02 | Quarkstar Llc | Solid state lamp using modular light emitting elements |
WO2012148384A1 (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | The Procter & Gamble Company | Stemmed lighting assembly with disk-shaped illumination element |
CN102769104B (zh) * | 2011-05-06 | 2015-12-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种柔性双面发光有机电致发光装置及其制备方法 |
CN102790181A (zh) * | 2011-05-18 | 2012-11-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层穿透式白光有机电致发光器件 |
DE102011076791A1 (de) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches elektrolumineszierendes bauelement |
JP6338374B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2018-06-06 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN103078062B (zh) * | 2011-10-25 | 2016-06-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103165826B (zh) * | 2011-12-19 | 2016-12-28 | 联想(北京)有限公司 | 双面有机发光二极管及其制造方法、显示装置 |
DE102012200224A1 (de) * | 2012-01-10 | 2013-07-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements, vorrichtung zum abtrennen eines raumes und möbelstück |
CN104094431B (zh) * | 2012-02-03 | 2018-03-27 | 皇家飞利浦有限公司 | Oled设备及其制造 |
DE102012207151A1 (de) * | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen lichtemittierenden bauelements |
WO2013172343A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | 花王株式会社 | シート融着体の製造方法 |
KR102040872B1 (ko) | 2012-12-13 | 2019-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자, 이를 포함하는 유기발광표시장치, 및 유기발광소자를 양면 발광 제어하는 방법 |
KR101419877B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2014-08-13 | 주식회사 포스코 | 적층형 유기 발광 소자 |
CN103151447B (zh) * | 2013-03-11 | 2016-03-02 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种双面发光二极管结构及其制作方法 |
TWI578592B (zh) | 2013-03-12 | 2017-04-11 | 應用材料股份有限公司 | 有機發光二極體元件及包括其之封裝結構的沉積方法 |
US8872420B2 (en) | 2013-03-15 | 2014-10-28 | Thomas J. Brindisi | Volumetric three-dimensional display with evenly-spaced elements |
RU2015145491A (ru) | 2013-03-27 | 2017-05-16 | ОЛЕДВоркс ГмбХ | МОДЕРНИЗИРОВАННЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА НА ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ (ОСИДах) |
CN104183708A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
US10033007B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-07-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode |
CN103956434A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-07-30 | 上海大学 | 基于oled调制的双面有机电致发光器件及其制备方法 |
US10192932B2 (en) * | 2016-02-02 | 2019-01-29 | Apple Inc. | Quantum dot LED and OLED integration for high efficiency displays |
CN106129099B (zh) | 2016-08-31 | 2020-02-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种双面发光的有机发光二极管照明面板 |
CN107799656B (zh) | 2016-09-07 | 2019-12-06 | 元太科技工业股份有限公司 | 有机发光元件 |
KR102552300B1 (ko) * | 2018-02-08 | 2023-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110197839B (zh) * | 2018-06-15 | 2021-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双面显示面板及其制备方法、双面显示装置 |
CN110391280A (zh) * | 2019-07-17 | 2019-10-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种电致发光的显示和照明装置及其制备方法 |
CN110611046B (zh) * | 2019-08-29 | 2024-04-16 | 福建华佳彩有限公司 | 一种双面显示面板 |
CN110690260B (zh) * | 2019-09-29 | 2022-05-13 | 广东虹勤通讯技术有限公司 | Oled发光结构及具有手电筒功能的终端 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058260A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 両面発光型エレクトロルミネッセンス素子および両面自発光型情報表示素子 |
DE60108396T2 (de) * | 2000-04-14 | 2006-01-12 | C-360, Inc. | Leuchtsichtvorrichtung ,anzeigesystem mit derselben und verfahren zur visualisierung dafür |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6565231B1 (en) * | 2002-05-28 | 2003-05-20 | Eastman Kodak Company | OLED area illumination lighting apparatus |
JP4098747B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-06-11 | 三星エスディアイ株式会社 | 両面発光型表示装置 |
US20040263064A1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-12-30 | Cheng-Wen Huang | Integrated double-sided organic light-emitting display |
JP2007510281A (ja) | 2003-11-03 | 2007-04-19 | バイエル・(シュヴァイツ)・アクチェンゲゼルシャフト | 電子発光システム |
KR100565639B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2006-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 |
US7427782B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-09-23 | Articulated Technologies, Llc | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices |
US7052924B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-05-30 | Articulated Technologies, Llc | Light active sheet and methods for making the same |
KR101215860B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2012-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 및 그 소자를 사용하는 발광 장치 |
US7402831B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission |
US7309956B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-12-18 | Eastman Kodak Company | Top-emitting OLED device with improved-off axis viewing performance |
JP4927423B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-05-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 発光装置及びその製造方法 |
US7652283B2 (en) * | 2005-08-09 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organometallic complex, and light emitting element and electronic appliance using the same |
WO2007043299A1 (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 有機発光素子及びその製造方法 |
US7388230B1 (en) * | 2005-10-26 | 2008-06-17 | Michael Lebby | Selective colored light emitting diode |
US20070103066A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | D Andrade Brian W | Stacked OLEDs with a reflective conductive layer |
TWI296895B (en) * | 2005-12-02 | 2008-05-11 | Au Optronics Corp | Encapsulation structure of dual emission organic electroluminescence device and method of fabricating the same |
US8179029B2 (en) * | 2006-02-07 | 2012-05-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device including multiple OLEDs |
US20070222371A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Eastman Kodak Company | Top-emitting OLED device with improved stability |
US20080284317A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Liang-Sheng Liao | Hybrid oled having improved efficiency |
US7935963B2 (en) * | 2008-11-18 | 2011-05-03 | Munisamy Anandan | Hybrid organic light emitting diode |
-
2009
- 2009-02-19 CN CN2009801059476A patent/CN101952967A/zh active Pending
- 2009-02-19 KR KR1020107021157A patent/KR20100126428A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-02-19 JP JP2010547290A patent/JP2011512638A/ja active Pending
- 2009-02-19 WO PCT/IB2009/050676 patent/WO2009104148A1/en active Application Filing
- 2009-02-19 TW TW098105328A patent/TW201001776A/zh unknown
- 2009-02-19 RU RU2010138903/28A patent/RU2010138903A/ru not_active Application Discontinuation
- 2009-02-19 US US12/867,898 patent/US20100308353A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-19 EP EP09712360A patent/EP2257984A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101952967A (zh) | 2011-01-19 |
WO2009104148A1 (en) | 2009-08-27 |
US20100308353A1 (en) | 2010-12-09 |
JP2011512638A (ja) | 2011-04-21 |
KR20100126428A (ko) | 2010-12-01 |
EP2257984A1 (en) | 2010-12-08 |
TW201001776A (en) | 2010-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010138903A (ru) | Двусторонний органический светоизлучающий диод (осид) | |
US8618727B2 (en) | Transparent organic light emitting diode | |
TW200714608A (en) | Transition metal complex compound and organic electroluminescent device using the same | |
EA201070799A1 (ru) | Подложка для органического светоиспускающего устройства и светоиспускающее устройство с ее применением | |
KR20100105431A (ko) | 투명oled 조명장치 | |
JP2015011884A (ja) | 照明器具 | |
Lifka et al. | P‐169: Single Side Emitting Transparent OLED Lamp | |
KR100829497B1 (ko) | 요철 층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 구비한조명장치 | |
TW201334622A (zh) | 有機電致發光顯示裝置 | |
CN102201545A (zh) | 一种有机发光器件 | |
JP2015011882A (ja) | Oledパネル及び照明器具 | |
JP2016066547A (ja) | 発光装置および照明装置 | |
US20150001491A1 (en) | Light Emitting Panel and Lighting Apparatus | |
JP2016157572A (ja) | 発光装置および照明装置 | |
JP2016021347A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、光学パネル、建材 | |
KR20130072288A (ko) | Oled 조명기구 | |
JP2015012156A (ja) | 照明器具 | |
US11508784B2 (en) | Display panel comprising light enhancement region | |
KR20130008100A (ko) | 유기 발광 조명 장치 | |
CN104716155B (zh) | 一种有机发光显示装置 | |
CN108630819A (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
CN105258038A (zh) | 声控凹面oled聚光灯 | |
TWI244878B (en) | Optical modulation layer, optical modulation substrate and organic electroluminescent display panel thereof | |
Park et al. | Enhancement of Light Extraction from Transparent OLED Lighting Panels | |
JP2016192264A (ja) | 板状結像光学系面光源並びにこれを用いた展示箱及び結像光学系照明システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20130617 |