CN106129099B - 一种双面发光的有机发光二极管照明面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种双面发光的OLED照明面板,其将半透明银膜层应用于双层OLED的第一发光层和第二发光层之间,且当第一发光层发射蓝光时,第二发光层发射黄光;反之,当第一发光层发射黄光时,第二发光层发射蓝光。所述OLED照明面板将半透明银膜层应用于蓝光发光层和黄光发光层之间,利用银膜层的半透明与反射作用,实现OLED照明面板的双面发光,结构相对简单,降低了制作成本和制作过程的复杂性。且OLED照明面板的两面发射不同色温的白光,一面发射冷白光,一面发射暖白光,提高了OLED照明灯具的使用体验,可应用于室内照明场所或者一些特殊需求的场所,提高了双面发光的OLED照明器件的应用。
Description
技术领域
本发明属于有机发光二极管照明技术领域,具体涉及一种双面发光的有机发光二极管照明面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有结构简单、超轻薄、低功耗等优良特性。目前,OLED显示器已成为一种极具发展前景的平板显示技术,并得到了各大显示器厂家的青睐。目前市面上已经出现了各式各样的采用OLED面板的显示器。从广色域、高分别率的智能手机OLED显示屏,到高对比度、广视角的大尺寸OLED电视,采用OLED面板的显示器无不呈现出比液晶面板更加优秀的表现。
相比于OLED在平板显示中的应用,OLED在照明领域的发展还处于比较初级的阶段,目前市面上的OLED照明灯具价格都十分高昂,款式也比较有限,且基本都是单面发光的灯具。
双面发光的OLED照明灯具正处于发展之中。美国专利2007/0126354A1中公开了一种双面发光OLED器件,其在两个透明衬底上分别制备OLED,然后将两个衬底分别封装并贴合从而实现双面发光。然而,由于这一方法需要两个衬底以及需要分别给每个衬底进行封装,因而价格非常昂贵且其布置复杂。中国专利CN 101952967A提供了另一种解决方案,其在一个衬底上制备两层OLED发光层,并在两个OLED发光层之间设置一层第三电极,从而实现对两层OLED发光层的单独控制,并实现双面发光。但是这一方法由于需要设置第三电极,使得显示版面布局依然过于复杂,且由于要实现双面白光,其对OLED结构的要求较高。
因此,有必要对双面发光OLED进行改进,实现一种结构简单、双面发射白光的OLED照明面板。
发明内容
本发明针对现有技术的不足提供了一种双面发光的OLED照明面板,该OLED照明面板的结构简单,两面都可发射白光,且一面发射冷白光、另一面发射暖白光,改善了OLED灯具的使用体验,增加了OLED灯具的应用范围。
为此,本发明提供了一种双面发光的OLED照明面板,其将半透明银膜层应用于双层OLED的第一发光层和第二发光层之间。
根据本发明,当第一发光层发射蓝光时,第二发光层发射黄光;反之,当第一发光层发射黄光时,第二发光层发射蓝光。
本发明中,所述的OLED照明面板包括:基板,形成于基板之上的阳极,形成于阳极之上的空穴注入层,形成于空穴注入层之上的第一空穴传输层,形成于第一空穴传输层之上的第一发光层,形成于第一发光层之上的第一电子传输层,形成于第一电子传输层之上的N型电荷生成层,形成于N型电荷生成层之上的半透明银膜层,形成于半透明银膜层之上的P型电荷生成层,形成于P型电荷生成层之上的第二空穴传输层,形成于第二空穴传输层之上的第二发光层,形成于第二发光层之上的第二电子传输层,形成于第二电子传输层之上的电子注入层,形成于电子注入层之上的阴极,设于阴极上方并与基板贴合的盖板以及用于封装基板和盖板的封装胶材。
根据本发明,所述半透明银膜层的材料为银,厚度为2-20nm。
在本发明的一些实施例中,所述发射黄光的光层材料为有机小分子荧光材料、聚合物荧光材料、小分子磷光材料或聚合物荧光材料,构成形式为主客体掺杂形式或非掺杂形式,厚度为5-50nm。
在本发明的另一些实施例中,所述发射蓝光的光层材料为有机小分子荧光材料、聚合物荧光材料、小分子磷光材料或聚合物荧光材料,构成形式为主客体掺杂形式或非掺杂形式,厚度为5-50nm。
根据本发明,所述基板为透明玻璃基板或透明柔性材料基板;所述盖板为透明玻璃盖板或透明柔性材料盖板。
根据本发明,所述阳极的材料为透明导电金属氧化物,厚度为20-200nm。
在本发明的一些实施例中,所述阳极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
根据本发明,所述阴极的材料为透明导电金属氧化物,厚度为20-200nm。
在本发明的一些实施例中,所述阴极的材料为氧化铟锌。
根据本发明,所述空穴注入层的材料为有机小分子空穴注入材料、聚合物空穴注入材料或金属氧化物空穴注入材料,厚度为1-100nm。
在本发明的一些实施例中,所述有机小分子空穴注入材料为HATCN,所述聚合物空穴注入材料为PEDOT:PSS(聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐),所述金属氧化物空穴注入材料为MoO3(三氧化钼)。
根据本发明,所述电子注入层的材料为金属配合物、碱金属、碱金属的盐类、碱土金属和碱土金属的盐类中的一种或多种,厚度为0.5-10nm。
在本发明的一些实施例中,所述的金属配合物为8-羟基喹啉锂,所述的碱金属为Li、Na、K、Rb或Cs,所述碱金属的盐类为LiF、Li2CO3、LiCl、NaF、Na2CO3、NaCl、CsF、Cs2CO3或CsCl,所述的碱土金属为Mg、Ca、Sr或Ba,所述碱土金属的盐类为CaF2、CaCO3、SrF2、SrCO3、BaF2或BaCO3。
根据本发明,所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料均为有机小分子空穴传输材料或聚合物空穴传输材料,厚度均为10-100nm。
在本发明的一些实施例中,所述有机小分子空穴传输材料为NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺)或TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]),所述聚合物空穴传输材料为Poly-TPD(聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺])。
根据本发明,所述第一电子传输层和第二电子传输层的材料均为金属配合物材料或咪唑类电子传输材料,厚度为10-100nm。
在本发明的一些实施例中,所述的金属配合物材料为Alq3(三(8-羟基喹啉)铝),所述咪唑类电子传输材料为TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)。
根据本发明,所述的N型电荷生成层由电子传输材料掺杂低功函金属材料构成;其中,电子传输材料与低功函数金属材料的掺杂质量比为1:(0.001-0.3);所述N型电荷生成层的厚度为5-30nm。
在本发明的一些实施例中,所述的低功函金属材料Li或Mg。
根据本发明,所述的P型电荷生成层由空穴注入材料或空穴注入材料掺杂空穴传输材料构成;所述P型电荷生成层的厚度为5-30nm。
根据本发明,所述的封装胶材包括环氧树脂胶或熔融玻璃粉。
本发明中,所述的OLED照明面板还包括填充于盖板与基板之间的干燥剂层。
附图说明
下面将结合附图来说明本发明。
图1为一种双面发光的OLED照明面板的结构示意图。
图2为实施例中所述双面发光的OLED照明面板的结构示意图。
图3为实施例中所述双面发光的OLED照明面板中所用的有机分子的结构式。
图4为实施例中所述双面发光的OLED照明面板的基板面和盖板面发射白光的CIE色度图。
具体实施方式
为使本发明容易理解,下面将详细说明本发明。
如前所述,目前双面发光的OLED照明器件的布局结构均较为复杂,限制了双面发光的OLED照明器件的应用。
发明人通过研究发现,利用银膜层的半透明与反射作用,可以实现OLED照明面板的双面发光,且该结构相对简单,降低了制作过程的复杂性,提高了双面发光的OLED照明器件的应用。本发明首次将半透明银膜层应用于双层OLED的第一发光层和第二发光层之间,用于实现OLED照明面板的双面发光。本发明正是基于上述方法作出的。
因此,本发明所涉及的双面发光的OLED照明面板是将半透明银膜层应用于双层OLED的第一发光层和第二发光层之间,利用银膜层的半透明与反射作用来实现OLED照明面板的双面发光。
根据本发明的一些实施例,当第一发光层发射蓝光时,第二发光层发射黄光;反之,当第一发光层发射黄光时,第二发光层发射蓝光,使得OLED照明面板的两面分别发射不同色温的白光,一面发射冷白光、一面发射暖白光。
在本发明的一些具体的实施例中,所述OLED照明面板的结构如图1所示,从图1可以看出,所述的OLED照明面板包括:基板,形成于基板之上的阳极,形成于阳极之上的空穴注入层,形成于空穴注入层之上的第一空穴传输层,形成于第一空穴传输层之上的第一发光层,形成于第一发光层之上的第一电子传输层,形成于第一电子传输层之上的N型电荷生成层,形成于N型电荷生成层之上的半透明银膜层,形成于半透明银膜层之上的P型电荷生成层,形成于P型电荷生成层之上的第二空穴传输层,形成于第二空穴传输层之上的第二发光层,形成于第二发光层之上的第二电子传输层,形成于第二电子传输层之上的电子注入层,形成于电子注入层之上的阴极,设于阴极上方并与基板贴合的盖板以及用于封装基板和盖板的封装胶材;所述的OLED照明面板还包括填充于盖板与基板之间的干燥剂层,从而进一步提高封装效果。
根据本发明,所述半透明银膜层的材料为银,厚度为2-20nm。
在本发明的一些实施例中,所述发射黄光的光层材料为有机小分子荧光材料、聚合物荧光材料、小分子磷光材料或聚合物荧光材料,构成形式为主客体掺杂形式或非掺杂形式,厚度为5-50nm。
在本发明的另一些实施例中,所述发射蓝光的光层材料为有机小分子荧光材料、聚合物荧光材料、小分子磷光材料或聚合物荧光材料,构成形式为主客体掺杂形式或非掺杂形式,厚度为5-50nm。
根据本发明,所述基板为透明玻璃基板或透明柔性材料基板;所述盖板为透明玻璃盖板或透明柔性材料盖板。
根据本发明,所述阳极的材料为透明导电金属氧化物,厚度为20-200nm。在本发明的一些实施例中,所述阳极的材料为ITO(即Indium Tin Oxide,氧化铟锡)或IZO(即IndiumZinc Oxide,氧化铟锌)。
根据本发明,所述阴极的材料为透明导电金属氧化物,厚度为20nm-200nm。在本发明的一些实施例中,所述阴极的材料为IZO(即Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)。
根据本发明,所述空穴注入层的材料为有机小分子空穴注入材料、聚合物空穴注入材料或金属氧化物空穴注入材料,厚度为1-100nm。
在本发明的一些实施例中,所述有机小分子空穴注入材料为HATCN(即Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile),所述聚合物空穴注入材料为PEDOT:PSS(聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐),所述金属氧化物空穴注入材料为MoO3(三氧化钼)。
根据本发明,所述电子注入层的材料为金属配合物、碱金属、碱金属的盐类、碱土金属和碱土金属的盐类中的一种或多种,厚度为0.5-10nm。
在本发明的一些实施例中,所述的金属配合物为8-羟基喹啉锂(Liq),所述的碱金属为Li、Na、K、Rb或Cs,所述碱金属的盐类为LiF、Li2CO3、LiCl、NaF、Na2CO3、NaCl、CsF、Cs2CO3或CsCl,所述的碱土金属为Mg、Ca、Sr或Ba,所述碱土金属的盐类为CaF2、CaCO3、SrF2、SrCO3、BaF2或BaCO3。
根据本发明,所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料均为有机小分子空穴传输材料或聚合物空穴传输材料,厚度均为10-100nm。
在本发明的一些实施例中,所述有机小分子空穴传输材料为NPB(即N,N‘-Bis-(1-naphthalenyl)-N,N’-bis-phenyl-(1,1‘-biphenyl)-4,4’-diamine,N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺)或TAPC(即4,4‘-yclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline],4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺),所述聚合物空穴传输材料为Poly-TPD(即Poly[bis(4-phenyl)(4-butylphenyl)amine],聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺])。
根据本发明,所述第一电子传输层和第二电子传输层的材料均为金属配合物材料或咪唑类电子传输材料,厚度为10-100nm。
在本发明的一些实施例中,所述的金属配合物材料为Alq3(即tris(8-quinolinolato)aluminum,三(8-羟基喹啉)铝),所述咪唑类电子传输材料为TPBi(即1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)。
根据本发明,所述的N型电荷生成层由电子传输材料掺杂低功函金属材料构成;其中,电子传输材料与低功函数金属材料的掺杂质量比为1:(0.001-0.3);所述N型电荷生成层的厚度为5-30nm。
在本发明的一些实施例中,所述的低功函金属材料Li或Mg。
根据本发明,所述的P型电荷生成层由空穴注入材料或空穴注入材料掺杂空穴传输材料构成;所述P型电荷生成层的厚度为5-30nm。
根据本发明,所述的封装胶材包括但不限于环氧树脂胶、熔融玻璃粉等。
本发明的有益效果为:本发明将半透明银膜层应用于双层OLED的蓝光发光层和黄光发光层之间,利用银膜层的半透明与反射作用,实现OLED照明面板的双面发光,该结构相对简单,降低了制作成本和制作过程的复杂性。
所述双面发光的OLED照明面板的两面分别发射不同色温的白光,一面发射冷白光,一面发射暖白光,提高了OLED照明灯具的使用体验,可应用于室内照明场所或者一些特殊需求的场所,提高了双面发光的OLED照明器件的应用。
实施例
为使本发明更加容易理解,下面将结合附图和实施例来进一步详细说明本发明,这些实施例仅起说明性作用,并不局限于本发明的应用范围。本发明中所使用的原料或组分若无特殊说明均可以通过商业途径或常规方法制得。
实施例1:
本实施例中所述双面发光的OLED照明面板的结构示意图如图2所示,OLED照明面板各层所用的材料简称、中英文名称及制备方法如表1所示。
表1:所述OLED照明面板各层所用的材料简称、中英文名称及制备方法
所述OLED照明面板的第一发光层发射蓝光,第二发光层发射黄光,其CIE色度图如图4所示,基板面和盖板面发射白光的CIE坐标值与色温如表2所示,示意图如图4所示。
表2:所述OLED照明面板的基板面和盖板面发射白光的CIE坐标值与色温
CIEx | CIEy | 色温 | |
基板面(冷白光) | 0.302 | 0.312 | 7500K |
盖版面(暖白光) | 0.404 | 0.393 | 3500K |
应当注意的是,以上所述的实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明的任何限制。通过参照典型实施例对本发明进行了描述,但应当理解为其中所用的词语为描述性和解释性词汇,而不是限定性词汇。可以按规定在本发明权利要求的范围内对本发明作出修改,以及在不背离本发明的范围和精神内对本发明进行修订。尽管其中描述的本发明涉及特定的方法、材料和实施例,但是并不意味着本发明限于其中公开的特定例,相反,本发明可扩展至其他所有具有相同功能的方法和应用。
Claims (8)
1.一种双面发光的有机发光二极管照明面板,其特征在于,将半透明银膜层应用于双层有机发光二极管的第一发光层和第二发光层之间,利用银膜层的半透明与反射作用,实现有机发光二极管照明面板的双面发光;当所述第一发光层发射蓝光时,所述第二发光层发射黄光;反之,当所述第一发光层发射黄光时,所述第二发光层发射蓝光,使得有机发光二极管照明面板的两面分别发射不同色温的白光,一面发射冷白光,一面发射暖白光;
其中,所述有机发光二极管照明面板包括:
基板,形成于基板之上的阳极,形成于阳极之上的空穴注入层,形成于空穴注入层之上的第一空穴传输层,形成于第一空穴传输层之上的第一发光层,形成于第一发光层之上的第一电子传输层,形成于第一电子传输层之上的N型电荷生成层,形成于N型电荷生成层之上的半透明银膜层,直接形成于半透明银膜层之上的P型电荷生成层,形成于P型电荷生成层之上的第二空穴传输层,形成于第二空穴传输层之上的第二发光层,形成于第二发光层之上的第二电子传输层,形成于第二电子传输层之上的电子注入层,形成于电子注入层之上的阴极,设于阴极上方并与基板贴合的盖板以及用于封装基板和盖板的封装胶材,填充于盖板与基板之间的干燥剂层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明面板,其特征在于:所述半透明银膜层的材料为银,厚度为2-20nm。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明面板,其特征在于,所述发射黄光的光层材料为有机小分子荧光材料、聚合物荧光材料、小分子磷光材料或聚合物荧光材料;构成形式为主客体掺杂形式或非掺杂形式;厚度为5-50nm;
所述发射蓝光的光层材料为有机小分子荧光材料、聚合物荧光材料、小分子磷光材料或聚合物荧光材料;构成形式为主客体掺杂形式或非掺杂形式;厚度为5-50nm。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明面板,其特征在于,所述基板为透明玻璃基板或透明柔性材料基板;
所述盖板为透明玻璃盖板或透明柔性材料盖板;
所述阳极的材料为透明导电金属氧化物,厚度为20-200nm;
所述阴极的材料为透明导电金属氧化物,厚度为20-200nm。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管照明面板,其特征在于,所述阳极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌,所述阴极的材料为氧化铟锌。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明面板,其特征在于,所述空穴注入层的材料为有机小分子空穴注入材料、聚合物空穴注入材料或金属氧化物空穴注入材料,厚度为1-100nm;所述有机小分子空穴注入材料为HATCN,所述聚合物空穴注入材料为PED0T:PSS(聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐),所述金属氧化物空穴注入材料为MoO3(三氧化钼);
所述电子注入层的材料为金属配合物、碱金属、碱金属的盐类、碱土金属和碱土金属的盐类中的一种或多种,厚度为0.5-10nm;所述的金属配合物为8-羟基喹啉锂,所述的碱金属为Li、Na、K、Rb或Cs,所述碱金属的盐类为LiF、Li2CO3、LiCl、NaF、Na2CO3、NaCl、CsF、Cs2CO3或CsCl,所述的碱土金属为Mg、Ca、Sr或Ba,所述碱土金属的盐类为CaF2、CaCO3、SrF2、SrCO3、BaF2或BaCO3。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明面板,其特征在于,所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料均为有机小分子空穴传输材料或聚合物空穴传输材料,厚度均为10-100nm;所述有机小分子空穴传输材料为NPB(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺)或TAPC(4,4’-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]),所述聚合物空穴传输材料为Poly-TPD(聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]);
所述第一电子传输层和第二电子传输层的材料均为金属配合物材料或咪唑类电子传输材料,厚度为10-100nm;所述的金属配合物材料为Alq3(三(8-羟基喹啉)铝),所述咪唑类电子传输材料为TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明面板,其特征在于,所述的N型电荷生成层由电子传输材料掺杂低功函金属材料构成;其中,电子传输材料与低功函数金属材料的掺杂质量比为1:(0.001-0.3);所述N型电荷生成层的厚度为5-30nm;所述的低功函金属材料Li或Mg;
所述的P型电荷生成层由空穴注入材料或空穴注入材料掺杂空穴传输材料构成;所述P型电荷生成层的厚度为5-30nm;
所述的封装胶材为环氧树脂胶或熔融玻璃粉。
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