CN111628096B - 有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置 - Google Patents

有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种有机发光二极管、及其制备方法和有机发光二极管显示装置。所述有机发光二极管包括，阳极；空穴注入层；空穴传输层；电子阻挡层；有机发光层；空穴阻挡层；电子传输层；以及阴极，其中，在所述电子阻挡层和所述有机发光层之间设置有第一复合层，以及所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料。

Description

有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体地讲，涉及一种有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode)具有自发光，功耗低，色彩鲜艳，大视角以及可以制备成柔性产品的优点，逐步代替LCD，成为了一种主流产品。OLED器件是采用有机材料分别制备RGB发光器件，合成发出白光。
发明内容
本公开提供了一种有机发光二极管，包括：阳极；空穴注入层，包括空穴注入材料；空穴传输层；电子阻挡层；有机发光层，包括主体材料和掺杂材料；空穴阻挡层；电子传输层；以及阴极，其中，在所述电子阻挡层和所述有机发光层之间设置有第一复合层，以及所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料。
在一个实施例中，所述电子阻挡层的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料,以及所述有机发光层的主体材料包括萘类化合物。
在一个实施例中，所述电子阻挡层的材料与所述有机发光层的主体材料的质量比范围为大约2:8至大约8:2。
在一个实施例中，所述第一复合层的厚度范围为大约1nm至大约3nm之间。
在一个实施例中，在所述空穴传输层和所述电子阻挡层之间设置有第二复合层，以及所述第二复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料。
在一个实施例中，所述电子阻挡层的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料，以及所述空穴注入材料包括2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、酞菁铜、聚苯胺或4,4’,4’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
在一个实施例中，所述空穴注入材料在所述第二复合层中的质量百分比范围在大约4％至大约10％之间。
在一个实施例中，所述第二复合层的厚度在大约1nm至大约3nm之间。
在一个实施例中，所述电子传输层包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和包括八羟基喹啉铝的第二材料；所述电子传输层的厚度范围为大约20nm至大约40nm；以及第一材料和第二材料的质量比范围大约4:6至大约6:4。
在一个实施例中，所述掺杂材料为芴类化合物；以及所述掺杂材料占所述有机发光层质量百分比范围为大约1％至大约5％。
在一个实施例中，所述空穴传输层包括芳香族三胺类化合物；以及所述空穴传输层的厚度范围为大约80nm至大约130nm。
本公开还提供了一种制造有机发光二极管的方法，包括：形成阳极；形成空穴注入层，使其包括空穴注入材料；形成空穴传输层；形成电子阻挡层；形成第一复合层；形成有机发光层，使其包括主体材料和掺杂材料；形成空穴阻挡层；形成电子传输层；以及形成阴极，其中，所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料。
在一个实施例中，形成第一复合层包括在所述电子阻挡层上同时蒸镀所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料。
在一个实施例中，在形成空穴传输层之后以及在形成电子阻挡层之前，所述方法还包括在所述空穴传输层上形成第二复合层，使得所述第二复合层包括所述电子阻挡层的材料和空穴注入材料。
在一个实施例中，在所述空穴传输层上形成第二复合层包括在所述空穴传输层同时蒸镀所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料。
在一个实施例中，所述电子传输层包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和八羟基喹啉铝的第二材料；以及所述形成所述电子传输层包括在所述空穴阻挡层上同时蒸镀所述第一材料和所述第二材料。
本公开还提供了一种有机发光二极管显示装置,其包括上述有机发光二极管。
附图说明
以下结合附图对本公开的实施例进行详细描述，以使得本领域技术人员更加清楚明白本公开，其中：
图1为相关技术的一种有机发光二极管的结构示意图；
图2为本公开实施例的一种有机发光二极管的结构示意图；
图3为本公开实施例的一种有机发光二极管的结构示意图；
图4为本公开实施例的一种制造有机发光二极管的方法的流程图；
图5(a)至图5(c)为本公开实施例的一种有机发光二极管的性能测试示意图；以及
图6(a)至图6(c)为本公开实施例的一种有机发光二极管的性能测试示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开所提供的一种有机发光二极管(OLED)、一种制造有机发光二极管的方法和有机发光二极管显示装置作进一步详细描述。
目前蓝光OLED器件的寿命偏低，进而导致OLED显示产品的整体寿命偏低。这限制了包括OLED器件的OLED显示产品的应用。
图1示出了相关技术中的有机发光二极管的结构示意图。通常，有机发光二极管(OLED)100包括依次形成的阳极10、空穴注入层11、空穴传输层12、电子阻挡层13、有机发光层14、空穴阻挡层15、电子传输层16、电子注入层17和阴极18。不同材料的有机发光层14会使得OLED发出不同颜色的光，从而形成不同颜色的OLED，例如实现三原色的红光OLED，绿光OLED和蓝光OLED,其中,蓝光OLED的寿命偏低,因此为了延长OLED显示产品的寿命,延长蓝光OLED的寿命成为关注的问题.
图2是示出了根据本公开实施例的有机发光二极管的结构示意图。具体地，在图1所示的OLED 100的结构的基础上，OLED 200还包括在电子阻挡层13和有机发光层14之间另外设置的第一复合层110。
所述第一复合层110包括所述电子阻挡层13的材料和所述有机发光层14的主体材料，例如可以在电子阻挡层13上同时蒸镀所述电子阻挡层13的材料和所述有机发光层14的材料来形成第一复合层。例如，在所述第一复合层110中，所述电子阻挡层13的材料例如包括螺芴类材料或芳胺类材料，所述有机发光层14的主体材料例如包括针对蓝光OLED的包括萘类化合物。例如，在所述第一复合层110中，在所述电子阻挡层13的材料与所述有机发光层的主体材料的质量比范围为2:8至8:2。所述第一复合层110的厚度例如处在1nm至3nm之间。
OLED 200的其他层的材料可以采用常规技术中的材料。例如，所述空穴注入层11的材料为一种或多种材料组合，可选2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌(F4TCNQ)、酞菁铜、聚苯胺、4,4’,4’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(TDATA)等；所述空穴注入层11的厚度可处于2nm～20nm之间。所述空穴传输层12的材料例如为芳香族三胺类化合物，如TPA、TPB等，该类材料具有较高的空穴迁移率；所述空穴传输层12的厚度可处于80nm～130nm之间。所述电子阻挡层13的材料螺芴类材料或芳胺类材料，该层材料也具有较快的空穴迁移率，但比空穴传输层的材料的迁移率要慢；所述电子阻挡层13的厚度可处于3nm～10nm之间。所述有机发光层14包括主体材料(例如，萘类化合物)和掺杂材料(芴类化合物)；所述有机发光层的厚度可处于15nm～30nm之间；所述掺杂材料在所述有机发光层中的质量百分比例如处于1％～5％之间。所述空穴阻挡层15的厚度可控制在3nm～10nm之间。所述电子传输层16包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和八羟基喹啉铝的第二材料；所述电子传输层的厚度范围为20至40nm；以及第一材料和第二材料的质量比范围4:6至6:4。阴极18可以选用同时蒸镀镁和银来形成，镁和银比例控制在1∶9～9∶1。所形成的OLED器件可以采用UV玻璃封装。
在本公开的OLED 200中，在电子阻挡层和有机发光层之间通过采用电子阻挡层的材料与有机发光层的主体材料共蒸的方式，将电子阻挡层与有机发光层之间的界面消除，进而消除了电子阻挡层与有机发光层间界面上电荷的堆积，减缓了电荷对材料的劣化，进而提升了OLED器件的寿命。由于在OLED器件中，蓝光器件的寿命最短，因此，提升蓝光器件的寿命对OLED产品的整体寿命的提升有较大的意义。
图3是示出了根据本公开实施例的有机发光二极管的结构示意图。具体地，在图2所示的OLED 200的结构基础上，OLED 300还包括在电子阻挡层13和空穴传输层12之间另外设置的第二复合层220。
所述第二复合层220包括所述电子阻挡层13的材料和空穴注入层11的材料。所述电子阻挡层13的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料，所述空穴注入层12的材料包括2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、酞菁铜、聚苯胺或4,4’,4’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。所述空穴注入层11的材料在所述第二复合层220中的质量百分比范围在4％至10％之间。所述第二复合层220的厚度在1至3nm之间。
OLED 300的其他层的材料和厚度可以参照如上针对OLED 200所描述的，在此不再赘述。
本公开实施例进一步通过在空穴传输层上同时蒸镀电子阻挡层材料与空穴注入材料来消除空穴传输层与电子阻挡层界面，电子阻挡层与有机发光层的主体材料共蒸的方式消除电子阻挡层与有机发光层界面，这两种举措均改善了空穴在相邻功能层间的注入和传输，减缓了电荷对材料的冲击作用，进而减缓了有机材料的劣化，最终使OLED器件寿命大幅的提升。
图4为本公开实施例的一种制造有机发光二极管的方法的流程图，具体地，其可以包括如下步骤：
S1：形成阳极。
S2：形成空穴注入层。
所述空穴注入层的材料为一种或多种材料组合，空穴注入材料可选2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、酞菁铜、聚苯胺、4,4’,4’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺等，空穴注入材料在空穴注入层中的含量<10％。空穴注入层的厚度可以控制在2nm～20nm范围内。
S3：形成空穴传输层。
所述空穴传输层的材料可以为芳香族三胺类化合物，如TPA、TPB等，该类材料具有较高的空穴迁移率。所述空穴传输层的厚度可以控制在80nm～130nm范围内。
S4：形成电子阻挡层。
电子阻挡层的材料可以包括芳胺类等材料，该电子阻挡层的厚度可以控制在3nm～10nm范围内。
S5：形成第一复合层，使得所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和有机发光层的主体材料。
在电子阻挡层制备完成后，在其上同时蒸镀上述电子阻挡层的材料与有机发光层中的主体材料，该主体材料可以为萘类化合物，第一复合层的厚度可以控制在1nm～3nm之间，而电子阻挡层的材料与主体材料的比例可以控制在2∶8～8∶2。
S6：形成有机发光层。
如上所述，有机发光层的主体材料为萘类化合物，有机发光层的掺杂材料为芴类化合物。有机发光层的厚度可以控制在15nm～30nm范围内。掺杂材料在有机发光层中的质量百分比可以控制在1％～5％内。
S7：形成空穴阻挡层。该空穴阻挡层的厚度可以控制在3nm～10nm范围内。
S8：形成电子传输层。
形成电子传输层包括同时蒸镀包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和包括八羟基喹啉铝的第二材料；所述电子传输层的厚度范围为20至40nm；以及第一材料和第二材料的比例范围4∶6至6∶4。
S9：形成阴极。
形成阴极可以包括同时蒸镀镁银，镁银比例控制在1∶9～9∶1。
为了形成图3所示的OLED 300，所述方法还包括在步骤S3和步骤S4之间的步骤S10：形成第二复合层，所述第二复合层包括所述电子阻挡层的材料和空穴注入材料。具体地，形成第二复合层包括在所述空穴传输层上同时蒸镀所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料。电子阻挡层的材料可以是芳胺类等材料，该材料具有较快的空穴迁移率，但比空穴传输层材料的迁移率要慢。第二复合层中空穴注入材料含量要比空穴注入层中的空穴注入材料含量高，掺杂量控制在4％～10％之间，第二复合层的厚度可以控制在1nm～3nm范围内。
通过上述方法形成的OLED器件可以采用UV玻璃封装。
对封装后的3个OLED 100与3个OLED 200分别进行比对测试，所获得的光学特性参数结果如以下表1至表3所示，而图5(a)至5(c)分别示出了这三组对比测试获得的OLED 100和OLED 200的寿命差异。
表1
Volt(V) Cd/A CIE x CIE y LT(95％)
B Prime-1 100％ 100％ 0.1329 0.1419 100％
B Prime-1&BH 100.8％ 96.4％ 0.1331 0.1405 109.4％
表2
Volt(V) cd/A CIEx CIEy LT(95％)
B Prime-2 100％ 100％ 0.1333 0.1397 100％
B Prime-2&BH 101.7％ 99.2％ 0.1333 0.1392 305.9％
表3
Volt(V) cd/A CIEx CIEy LT(95％)
B Prime-3 100％ 100％ 0.1343 0.1398 100％
B Prime-3&BH 100.8％ 96.6％ 0.1345 0.1379 250％
其中，B Prime-1、B Prime-2和B Prime-3为采用相关技术获得如上所述的OLED100的3个样品；B Prime-1&BH、B Prime-2&BH和B Prime-3&BH为采用本公开获得如上所述的OLED 200的3个样品。
V表示：施加在有机发光二极管两端的电压差；
Cd/A表示单位面积光通量；
CIEx表示色坐标；
CIEy表示色坐标；
LT(lifetime)(亮度为95％)表示寿命。
通过以上对比可以看出，相对于相关技术获得的OLED 100，本公开的有机发光二极管OLED 200的光效稍微降低，色坐标基本上没有改变，而本公开的发光二极管的寿命显著提高。图5(a)至图5(c)也示出了在亮度95％时，本公开的OLED 200的寿命更长。
对封装后的3个OLED 100与3个OLED 300分为三组分别进行比对测试，所获得的光学特性参数结果如以下表4至表6所示，而图6(a)至6(c)分别示出了这三组对比测试获得的OLED 100和OLED300的寿命差异。
表4
Volt(V) Cd/A CIE x CIE y LT95
B Prime-1 100％ 100％ 0.1329 0.1419 100％
B Prime-1&PD-B Prime-1&BH 99.7％ 91.7％ 0.1334 0.1403 191.5％
表5
Volt(V) cd/A <![CDATA[<u>CIEx</u>]]> CIEy LT95
B Prime-2 100％ 100％ 0.1333 0.1397 100％
B Prime-2&PD-B Prime-2&BH 98.8％ 96.4％ 0.1335 0.1381 831.2％
表6
Volt(V) cd/A <![CDATA[<u>CIEx</u>]]> CIEy LT95
B Prime-3 100％ 100％ 0.1333 0.1397 100％
B Prime-3&PD-B Prime-3&BH 100％ 87.4％ 0.1335 0.1381 345.7％
其中，B Prime-1、B Prime-2和B Prime-3为采用相关技术获得如上所述的OLED100的3个样品；B Prime-1&PD-B Prime-1&BH、B Prime-2&PD-B Prime-2&BH和B Prime-3&PD-B Prime-3&BH为采用本公开获得如上所述的OLED 300的3个样品。
V表示：施加在有机发光二极管两端的电压差；
Cd/A表示单位面积光通量；
CIEx表示色坐标；
CIEy表示色坐标；
LT(lifetime)(亮度为95％)表示寿命。
通过以上对比可以看出，相对于相关技术获得的OLED 100，本公开的有机发光二极管OLED 300的光效稍微降低，色坐标基本上没有改变，而本公开的发光二极管的寿命显著提高。图6(a)至图6(c)也示出了在亮度95％时，本公开的OLED 200的寿命更长。
本公开还提供一种OLED显示装置，其包括上述的OLED器件，并且还可以包括用于控制OLED器件发光的薄膜晶体管。
参考图2和3，有机发光二极管还可以包括位于阴极与电子传输层之间的电子注入层。本申请要保护的OLED除了电子阻挡层两侧另外设置的第一复合层和第二复合层外，均可以按照相关技术进行设置，本公开对此不做限定。
本发明的实施例还提供一种有机发光二极管显示装置，包括上述的有机发光二极管。
有机发光二极管显示装置具体例如是有机发光二极管显示面板、有机发光二极管显示模组、手机、可穿戴设备等任意具有显示功能的产品或器件。
以上实施例主要针对相关技术中的蓝光OLED存在的问题，对于其他颜色的有机发光二极管，如其材料的选取存在类似的问题，也可以采用相同的思路进行优化。
本公开不限于本文上述的实施例，这些实施例仅仅用于描述本公开的构思，而不用于限制本公开。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本公开的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本公开以及在本公开基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管，包括：
阳极；
空穴注入层，包括空穴注入材料；
空穴传输层；
电子阻挡层；
有机发光层，包括主体材料和掺杂材料；
空穴阻挡层；
电子传输层；以及
阴极，
其中，在所述电子阻挡层和所述有机发光层之间设置有第一复合层，以及所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料，
其中，在所述空穴传输层和所述电子阻挡层之间设置有第二复合层，以及所述第二复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料；以及
所述第二复合层中的空穴注入材料含量比所述空穴注入层中的空穴注入材料含量高。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，
所述电子阻挡层的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料,以及
所述有机发光层的主体材料包括萘类化合物。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管,其中,所述电子阻挡层的材料与所述有机发光层的主体材料的质量比范围为2:8至8:2。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述第一复合层的厚度范围为1nm至3nm之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述电子阻挡层的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料，以及所述空穴注入材料包括2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、酞菁铜、聚苯胺或4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中，所述空穴注入材料在所述第二复合层中的质量百分比范围在4%至10%之间。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述第二复合层的厚度在1nm至3nm之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光二极管，其中，
所述电子传输层包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和包括八羟基喹啉铝的第二材料；
所述电子传输层的厚度范围为20nm至40nm；以及
第一材料和第二材料的质量比范围4:6至6:4。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光二极管，其中，所述掺杂材料为芴类化合物；以及所述掺杂材料占所述有机发光层质量百分比范围为1%至5%。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光二极管，其中，所述空穴传输层包括芳香族三胺类化合物；以及
所述空穴传输层的厚度范围为80nm至130nm。
11.一种制造有机发光二极管的方法，包括：
形成阳极；
形成空穴注入层，使其包括空穴注入材料；
形成空穴传输层；
形成电子阻挡层；
形成第一复合层；
形成有机发光层，使其包括主体材料和掺杂材料；
形成空穴阻挡层；
形成电子传输层；以及
形成阴极，
其中，所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料；以及
其中，在形成空穴传输层之后以及在形成电子阻挡层之前，所述方法还包括在所述空穴传输层上形成第二复合层，使得所述第二复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料以及所述第二复合层中的空穴注入材料含量比所述空穴注入层中的空穴注入材料含量高。
12.根据权利要求11的方法，其中，形成第一复合层包括在所述电子阻挡层上同时蒸镀所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，
所述电子阻挡层的材料包括螺芴类材料或芳胺类材料,以及所述有机发光层的主体材料包括萘类化合物；
所述电子阻挡层的材料与所述有机发光层的主体材料的质量比范围为2:8至8:2；以及
所述第一复合层的厚度范围为1nm至3nm之间。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述空穴传输层上形成第二复合层包括在所述空穴传输层同时蒸镀所述电子阻挡层的材料和所述空穴注入材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述电子阻挡层的材料包括芳胺类材料，所述空穴注入材料包括2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、酞菁铜、聚苯胺或4,4’,4’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺；
所述空穴注入材料在所述第二复合层中的质量百分比范围在4%至10%之间；以及
所述第二复合层的厚度范围为1nm至3nm。
16.根据权利要求11、12、14和15中任一项所述的方法，其中，
所述电子传输层包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和八羟基喹啉铝的第二材料；以及
所述形成所述电子传输层包括在所述空穴阻挡层上同时蒸镀所述第一材料和所述第二材料。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述电子传输层包括喹喔啉或咪唑类化合物的第一材料和八羟基喹啉铝的第二材料；以及
所述形成所述电子传输层包括在所述空穴阻挡层上同时蒸镀所述第一材料和所述第二材料。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，
所述第一材料和所述第二材料的质量比范围为4:6至6:4。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，
所述第一材料和所述第二材料的质量比范围为4:6至6:4。
20.一种有机发光二极管显示装置,包括根据权利要求1至10中任一项所述的有机发光二极管。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111628096B (zh) * 2020-06-10 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置
CN112467046A (zh) * 2020-12-02 2021-03-09 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101552283A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 株式会社日立显示器 有机发光显示装置
CN107845655A (zh) * 2016-09-18 2018-03-27 上海和辉光电有限公司 Oled显示器件、显示装置以及显示器件的制备方法
CN109768178A (zh) * 2019-01-22 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示基板、显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102916131A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104934544A (zh) * 2014-03-21 2015-09-23 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN107195791B (zh) * 2017-05-03 2019-01-01 武汉华星光电技术有限公司 有机发光显示装置
JP2019054023A (ja) * 2017-09-12 2019-04-04 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法
CN108448003A (zh) * 2018-04-11 2018-08-24 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、显示装置及其制备方法
CN108832008B (zh) * 2018-05-24 2021-03-26 苏州大学 激基复合物在有机发光二极管中的应用
CN109585668B (zh) * 2019-01-10 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件、显示面板、oled显示器件的制备方法
CN111048675A (zh) * 2019-11-29 2020-04-21 昆山国显光电有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111628096B (zh) * 2020-06-10 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制备方法、有机发光二极管显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101552283A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 株式会社日立显示器 有机发光显示装置
CN107845655A (zh) * 2016-09-18 2018-03-27 上海和辉光电有限公司 Oled显示器件、显示装置以及显示器件的制备方法
CN109768178A (zh) * 2019-01-22 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示基板、显示装置

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