CN115050902A - 发光器件和显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种发光器件和显示面板。该发光器件包括发光层、空穴传输层和发光辅助层。发光辅助层位于发光层和空穴传输层之间。发光辅助层包括空穴传输材料和发光辅助材料的混合材料层。在发光器件的发光层和空穴传输层之间设置发光辅助层，通过设置发光辅助层包括空穴传输材料和发光辅助材料的混合材料层，从而减少或消除现有的发光器件因发光层和空穴传输层相邻而在相邻界面处所积累的大量载流子。

Description

发光器件和显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件和显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种有机薄膜电致发光器件，其因具有制备工艺简单、成本低及可实现柔性显示等优点而在显示面板中得到广泛应用。

然而，当前的显示面板中的发光器件因其自身材料或结构等的限制，在显示面板进行诸如黑画面到低灰阶画面的切换等画面切换时，存在拖影现象，进而影响显示品质。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种发光器件和显示面板，在发光器件的发光层和空穴传输层之间设置发光辅助层，通过利用发光辅助层中的空穴传输材料和发光辅助材料，减少或消除现有的发光器件因发光层和空穴传输层相邻而在相邻界面处所积累的大量载流子，从而降低发光器件的电容，有利于改善拖影现象，提高显示品质。

本申请第一方面提供了一种发光器件，该发光器件包括发光层、空穴传输层和发光辅助层。发光辅助层位于发光层和空穴传输层之间。发光辅助层包括空穴传输材料和发光辅助材料的混合材料层。

在上述方案中，通过设置发光辅助层包括空穴传输材料和发光辅助材料的混合材料层，从而在发光层和空穴传输层之间形成载流子传输的过渡结构，有利于减少或消除现有的发光器件因发光层和空穴传输层相邻而在相邻界面处积累的载流子，进而降低发光器件的电容，有利于改善拖影现象，提高显示品质。

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，混合材料层包括面向发光层的第一侧和面向空穴传输层的第二侧，沿从第二侧到第一侧的方向，空穴传输材料的掺杂比例以第一预设递变规律逐渐变小，和/或，发光辅助材料的掺杂比例以第二预设递变规律逐渐变大。

在上述方案中，采用这种掺杂渐变的方式逐渐模糊发光层和空穴传输层之间的界面，使得载流子的传输速率逐渐变化，更大程度上减少或消除现有的发光层和空穴传输层相邻而在相邻界面处积累的载流子，进而降低发光器件的电容。

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，第一预设递变规律包括阶梯式递减、线性递减、弧形递减或S形递减，和/或，第二预设递变规律包括阶梯式递增、线性递增、弧形递增或S形递增。

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，在混合材料层中，空穴传输材料的总掺杂量与发光辅助材料的总掺杂量之间的比例范围为2:1～1:2。

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，发光辅助层还包括第一子膜层。第一子膜层位于混合材料层和空穴传输层之间。第一子膜层的材料均为空穴传输材料。

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，发光辅助层还包括第二子膜层。第二子膜层位于混合材料层与发光层之间。第二子膜层的材料均为发光辅助材料。

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，混合材料层的厚度大于等于第一子膜层的厚度。进一步地，第一子膜层的厚度不小于

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，发光辅助层面向发光层一侧的材料的最高占有分子轨道与发光层的发光主体材料的最高占有分子轨道相匹配。进一步地，发光辅助层面向发光层一侧的材料的最高占有分子轨道与发光层的发光主体材料的最高占有分子轨道之间的差值不大于0.2eV。

在本申请第一方面的一个具体实施方式中，发光器件还包括：阳极和阴极，以及，设置在阳极和阴极之间的空穴注入层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

本申请第二方面提供了一种显示面板，该显示面板可以包括如上述第一方面的任一个具体实施方式中的发光器件。

附图说明

图1所示为本申请一实施例提供的发光器件的结构示意图。

图2所示为本申请另一实施例提供的发光器件的结构示意图。

图3所示为本申请又一实施例提供的发光器件的结构示意图。

图4所示为本申请再一实施例提供的发光器件的结构示意图。

图5所示为本申请另又一实施例提供的发光器件的结构示意图。

图6所示为本申请再又一实施例提供的发光器件的结构示意图。

图7A所示为本申请一实施例提供的发光辅助层中各膜层的空穴传输材料和发光辅助材料的掺杂比例变化示意图。

图7B所示为本申请另一实施例提供的发光辅助层中各膜层的空穴传输材料和发光辅助材料的掺杂比例变化示意图。

图7C所示为本申请又一实施例提供的发光辅助层中各膜层的空穴传输材料和发光辅助材料的掺杂比例变化示意图。

图7D所示为本申请再一实施例提供的发光辅助层中各膜层的空穴传输材料和发光辅助材料的掺杂比例变化示意图。

图8所示为本申请一实施例提供的制备发光辅助层时所使用的蒸镀设备示意图。

图9所示为本申请一实施例提供的发光器件中各膜层的能级关系示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

基于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)的显示面板是采用电流驱动的，显示面板中发光器件的亮度是根据通过电流的大小来决定。发光器件中的发光层和空穴传输层通常直接相邻。假设，显示面板的灰阶范围为0～255，在显示面板进行从黑画面(例如灰阶为0对应的画面)切换至低灰阶画面(例如灰阶范围为1～64对应的画面)时，由于在低灰阶画面下的驱动电流较低，且空穴传输层和发光层的材料的不同，空穴传输层和发光层的界面处材料的突然变化会使得诸如空穴和电子等载流子积累严重，因而会造成发光器件存在较大的电容，进而会使得发光器件的首帧亮度偏低。此外，若显示面板中不同颜色的发光器件的首帧亮度偏低的比例不同时，会使得显示面板产生色偏现象，因而会使得显示面板出现拖影的现象。

在一种方法中，通过降低发光器件对应的开口率来降低发光器件的电容。然而，这种方法中开口率降低会导致发光器件的寿命下降。

在另一种方法中，通过提升发光器件对应的参考电压Vref的方式提高发光器件的首帧亮度。然而，这种方法中会使得相邻的发光器件之间容易出现电流串扰。

有鉴于此，本申请至少一个实施例提供一种发光器件和显示面板，至少可以解决上述问题。本申请在发光器件的发光层和空穴传输层之间设置发光辅助层，通过设置发光辅助层包括空穴传输材料和发光辅助材料的混合材料层，从而利用混合材料层在发光层和空穴传输层之间形成载流子传输的过渡结构，有利于减少或消除现有的发光层和空穴传输层相邻而在相邻界面处积累的载流子，进而降低发光器件的电容，有利于改善拖影现象，提高显示品质。此外，本申请的技术方案中由于并未降低发光器件对应的开口率，且并未提升发光器件对应的Vref，因而不会导致发光器件的寿命下降，且不会造成相邻的发光器件之间出现电流串扰。

下面，结合附图对根据本申请至少一个实施例中的发光器件和显示面板进行说明。此外，在该些附图中，以显示面板所在平面为参照建立空间直角坐标系，以对发光器件和显示面板中的各个膜层的位置关系进行辅助说明，在该空间直角坐标系中，X轴与显示面板所在平面平行，Y轴与显示面板所在平面垂直，以空穴传输层为基准定义“厚度”，例如，对于位于空穴传输层一侧的对象，该对象的距离空穴传输层最远的一端至空穴传输层的垂直距离与距离空穴传输层最近的一端至空穴传输层的垂直距离之差为该对象的厚度。

本申请至少一个实施例提供了一种发光器件。参考图1至图6，该发光器件100包括发光层110、空穴传输层120和发光辅助层130。发光辅助层130位于发光层110和空穴传输层120之间。发光辅助层130包括空穴传输材料a和发光辅助材料b的混合材料层131。如此，在发光器件的发光层和空穴传输层之间设置发光辅助层，通过设置发光辅助层包括空穴传输材料和发光辅助材料的混合材料层，从而利用混合材料层在发光层和空穴传输层之间形成载流子传输的过渡结构，有利于减少或消除现有的发光层和空穴传输层直接相邻而在相邻界面处积累的载流子，进而降低发光器件的电容，有利于改善拖影现象，提高显示品质。

需要说明的是，图1至图6中，发光层110的厚度、空穴传输层120的厚度和发光辅助层130的厚度仅仅是示意性地，例如，发光辅助层130的厚度也可以小于发光层110的厚度或空穴传输层120的厚度。发光层110的材料可以包括发光主体材料(Host材料)和发光掺杂材料(Dopant材料)，也可以进一步包括发光辅助材料(Prime材料)。图1至图6中，示例性地，空穴传输材料a以小黑圆点表示，发光辅助材料b以小黑三角形表示，并不用于限制空穴传输材料a和发光辅助材料b的数量以及形状等。

发光辅助层130可以同时起到辅助空穴传输和阻挡电子传输的作用，且发光辅助层130也可以进一步起到减少或消除现有的发光层110与空穴传输层120相邻而在相邻界面处积累的载流子的作用。空穴传输材料(Hole Transporting Material，HTM)为具有空穴传输性能的材料，例如，可以为芳胺类衍生物等。发光辅助材料为同时具有电子阻挡性能和空穴传输性能的材料，例如，可以为咔唑或芳香胺类衍生物等。发光辅助层130可以是将空穴传输材料a和发光辅助材料b作为蒸发源(source)进行共蒸镀的方式(参考图8)混合而成，也可以是先将空穴传输材料a和发光辅助材料b进行混合，再进行蒸镀后形成，还可以采用其他方式。

下面，对本申请至少一个实施例提供的混合材料层131的混合方式进行举例说明。

在本申请的至少一个实施例中，示例性地，参考图2至图6，混合材料层131包括面向发光层110的第一侧1和面向空穴传输层120的第二侧2。沿从第二侧2到第一侧1的方向(也即沿Y轴的正方向)，空穴传输材料a的掺杂比例以第一预设递变规律逐渐变小，和/或，发光辅助材料b的掺杂比例以第二预设递变规律逐渐变大。如此，若沿从第二侧2到第一侧1的方向，空穴传输材料a的掺杂比例逐渐变小，则可以避免空穴的传输过程中在空穴传输材料a的掺杂比例变化幅度太大的界面处造成的空穴积累。若沿从第二侧2到第一侧1的方向，发光辅助材料b的掺杂比例逐渐变大，则可以避免电子的传输过程中在发光辅助材料b的掺杂比例变化幅度太大的界面处造成的电子积累。通过设置空穴传输材料a和/或发光辅助材料b的掺杂比例逐渐变化，从而采用这种掺杂渐变的方式逐渐模糊发光层和空穴传输层之间的界面，使得载流子的传输速率逐渐变化，更大程度上减少或消除现有的发光层和空穴传输层之间积累的载流子，进而降低发光器件的电容。

需要说明的是，沿从第二侧2到第一侧1的方向，空穴传输材料a和/或发光辅助材料b的掺杂比例逐渐变化，可以是沿从第二侧2到第一侧1的方向，将发光辅助层130划分为多个等厚或不等厚的膜层，多个等厚或不等厚的膜层中的空穴传输材料a的掺杂比例逐渐变小，和/或，发光辅助材料b的掺杂比例逐渐变大。

掺杂比例可以为质量掺杂比例，也可以为厚度掺杂比例，还可以为其他类型的掺杂比例。为了使空穴传输材料a和/或发光辅助材料b的掺杂比例逐渐变化，在一些实施例中，可以通过调节蒸发源的角度限制板的高度以及角度限制板与蒸发源之间的距离等方式，调节空穴传输材料a和/或发光辅助材料b的掺杂比例；在另一些实施例中，也可以先将空穴传输材料a和发光辅助材料b以不同的掺杂比例进行混合得到多种混合材料，再分别蒸镀多种混合材料。

以厚度掺杂比例为例，厚度掺杂比例可以理解为在发光辅助层130上的同一厚度范围内，空穴传输材料a或者发光辅助材料b可形成的厚度与同一厚度范围对应的厚度的比例。举例来说，假设同一厚度范围对应的厚度为

空穴传输材料a的厚度掺杂比例为90％，则空穴传输材料a可形成的厚度为

诸如发光辅助材料b等其他材料可形成的厚度则为

可以称为埃，

在本申请的至少一个实施例中，第一预设递变规律包括阶梯式递减(参考图7A)、线性递减(参考图7B)、弧形递减(参考图7C)或S形递减(参考图7D)，和/或，第二预设递变规律包括阶梯式递增(参考图7A)、线性递增(参考图7B)、弧形递增(参考图7C)或S形递增(参考图7D)。如此，使得空穴传输材料a和/或发光辅助材料b的掺杂比例的逐渐变化的幅度缓慢，发光层和空穴传输层之间的界面进一步变得模糊，有利于减少或消除现有的发光层和空穴传输层相邻时界面处积累的载流子。

需要说明的是，预设递变规律的类型可以如图7A所示阶梯式地逐渐变化，也可以为如图7B至图7D所示连续性地逐渐变化。第一预设递变规律的类型和第二预设递变规律的类型可以相同的，例如，均为阶梯式、线性、弧形或S形等，也可以是不同的，例如，第一预设递变规律的类型为阶梯式，第二预设递变规律的类型为S形，具体可以根据实际需求设计。

在一些实施例中，混合材料层131中，空穴传输材料a的掺杂比例与发光辅助材料b的掺杂比例之间的占比的变化幅度范围为1：0～0：1。例如，进一步为0.9：0～0：0.9、0.7：0～0：0.9、0.6：0～0：0.4，只要逐渐变化即可，在此基础上，本申请对此不做具体限定。

在本申请的至少一个实施例中，在混合材料层131中，空穴传输材料a的总掺杂量与发光辅助材料b的总掺杂量之间的比例范围为2:1～1:2。如此，若比例范围过小，会使得发光辅助层130中的空穴传输材料a较少，可能会使得空穴传输材料a的逐渐变化的幅度较大，导致空穴传输材料a的变化幅度较大的位置处空穴过多。若比例范围过大，会使得混合材料层131中的发光辅助材料b较少，可能会使得发光辅助材料b的逐渐变化的幅度较大，导致发光辅助材料b的变化幅度较大的位置处的电子过多。因而，通过设置空穴传输材料a的总掺杂量与发光辅助材料b的总掺杂量的比例范围为2:1～1:2，有利于空穴传输材料a的掺杂比例以及发光辅助材料b的掺杂比例缓慢变化，有效避免偏离该比例范围时因各材料变化幅度较大所导致的载流子积累较多。

发光辅助层130可以为单一膜层(参考图1至图3、图6)，也可以为层叠的多层膜层(参考图4和图5)。下面，对本申请至少一个实施例提供的发光辅助层为层叠的多层膜层时的结构进行举例说明。

在本申请的至少一个实施例中，参考图4，发光辅助层130还包括第一子膜层132。第一子膜层132位于混合材料层131和空穴传输层120之间。第一子膜层131的材料均为空穴传输材料a。如此，由于空穴传输层120的材料与空穴传输材料a的相同或性能相近，因而有利于发光辅助层130靠近空穴传输层120一侧的材料的最高占有分子轨道(HighestOccupied Molecular Orbits，HOMO)与空穴传输层120的材料的最高占有分子轨道相匹配，会避免空穴因空穴传输层120与发光辅助层130之间的材料差异较大而在空穴传输层120与发光辅助层130之间的界面处积累。

在本申请的至少一个实施例中，参考图5，发光辅助层130还包括第二子膜层133。第二子膜层133位于混合材料层131与发光层110之间。第二子膜层133的材料均为发光辅助材料b。如此，由于发光层110的材料与发光辅助材料b相同或部分性能相近，因而会避免电子因发光层110与发光辅助层130之间的材料差异较大而在发光层110与发光辅助层130之间的界面处积累。

在本申请的至少一个实施例中，混合材料层131的厚度大于等于第一子膜层132的厚度。如此，在混合材料层131中的空穴传输材料a和发光辅助材料b渐变掺杂时，有利于使得空穴传输材料a的掺杂比例和发光辅助材料b可形成的厚度逐渐变化的变化幅度缓慢，从而有利于改善或避免混合材料层131内因逐渐变化的变化幅度过快而造成的载流子积累，进而有利于降低发光器件的电容。

进一步地，第一子膜层132的厚度不小于

如此，可以保证第一子膜层132的成膜性，有利于在发光器件的制备工艺中控制第一子膜层132的厚度，同时，也有利于避免因第一子膜层132的厚度太薄而造成载流子产生隧穿效应。

在本申请的至少一个实施例中，发光辅助层130面向发光层110一侧的材料的最高占有分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbits，HOMO)与发光层110的发光主体材料的最高占有分子轨道相匹配，也即，发光辅助层130面向发光层110一侧的材料的最高占有分子轨道与发光层110的发光主体材料的最高占有分子轨道基本上相同。例如，在一些实施例中，参考图9，发光辅助层130面向发光层110一侧的材料的最高占有分子轨道与发光层110的发光主体材料的最高占有分子轨道之间的差值ΔHOMO不大于0.2eV。如此，有利于进一步模糊发光层110与发光辅助层130之间的界面，避免在发光层110与发光辅助层130之间的界面处诸如空穴等载流子的积累。

在本申请的至少一个具体实施方式中，参考图6，发光器件100还包括阳极140和阴极190，以及，设置在阳极140和阴极190之间的空穴注入层150、空穴阻挡层160、电子传输层170和电子注入层180中的至少一种。

需要说明的是，空穴传输材料a还可以与空穴注入层150的材料相匹配，有利于提高空穴注入效率。例如，在一些实施例中，空穴传输材料a可以采用与空穴注入层150的材料完全相同的材料，从而使得空穴传输材料a与空穴注入层150的材料之间的最高占有分子轨道差值等于0eV。又例如，在另一些实施例中，空穴传输材料a也可以采用与空穴注入层150的材料之间的最高占有分子轨道差值大于0eV不大于0.2eV的材料。如此，由于空穴传输材料a与空穴注入层150的材料相匹配，因而使得空穴传输层120与空穴注入层150界面处的能级相同或相近，会避免空穴因空穴传输层120与发光辅助层130之间的材料差异较大而在空穴传输层120与空穴注入层150之间的界面处载流子的积累。

还需要说明的是，发光辅助层130的总厚度可以依据器件本征光谱而定，例如，在发光层110与空穴传输层120之间增设发光辅助层130之后，阳极140和阴极190之间形成光学微腔，该光学微腔具有微腔效应，该微腔效应可以对光学微腔发射峰处发射强度有增强效应，对发射峰光谱有窄化作用，同时可以使发射峰值移动，因而可以使得该发光器件100出射光的色纯度显著提高。

本申请的至少一实施例还提供了一种显示面板，该显示面板可以包括如上述任一实施例中的发光器件。

发光器件可以为显示面板中可出射蓝色光的发光器件、可出射红色光的发光器件、可出射绿色光的发光器件、可出射黄色光的发光器件和可出射青色光的发光器件中的至少一种。可出射不同颜色光的发光器件中的发光辅助材料可以有所不同，具体地，发光辅助材料与发光器件中的发光层的材料相对应。

应当理解，该显示面板中的发光器件也可以是基于图1至图6所示实施例中任何一种发光器件等同替换或明显变型后的发光器件。显示面板可以应用于各种电子显示产品上，具体可以包括但不限于手机、平板电脑、电子书阅读器、播放器、数码相机、膝上型便携计算机、车载电脑、台式计算机、机顶盒、智能电视机和可穿戴设备中的至少一项。

此外，根据实际需要，显示面板还可以包括其他结构诸如用于承载和驱动发光器件的阵列基板、用于封装发光器件的封装层、用于发光器件的出射光导出或者取直的光取出层和其它辅助类光学膜片例如偏光片等。

由于本申请实施例的显示面板包括了上述图1至图6所示实施例的全部技术方案，因此至少能实现上述全部技术效果，此处不再赘述。

需要说明的是，本申请中各技术特征的组合方式并不限于本申请权利要求中所记载的组合方式或是具体实施例所记载的组合方式，本申请所记载的所有技术特征可以以任何方式进行自由组合或结合，除非相互之间产生矛盾。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括发光层、空穴传输层和发光辅助层，所述发光辅助层位于所述发光层和所述空穴传输层之间，

其中，所述发光辅助层包括空穴传输材料和发光辅助材料的混合材料层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述混合材料层包括面向所述发光层的第一侧和面向所述空穴传输层的第二侧，沿从所述第二侧到所述第一侧的方向，所述空穴传输材料的掺杂比例以第一预设递变规律逐渐变小，和/或，所述发光辅助材料的掺杂比例以第二预设递变规律逐渐变大。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一预设递变规律包括阶梯式递减、线性递减、弧形递减或S形递减，和/或，所述第二预设递变规律包括阶梯式递增、线性递增、弧形递增或S形递增。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述混合材料层中，所述空穴传输材料的总掺杂量与所述发光辅助材料的总掺杂量之间的比例范围为2:1～1:2。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光辅助层还包括第一子膜层，所述第一子膜层位于所述混合材料层和所述空穴传输层之间，所述第一子膜层的材料均为所述空穴传输材料。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述发光辅助层还包括第二子膜层，所述第二子膜层位于所述混合材料层与所述发光层之间，所述第二子膜层的材料均为所述发光辅助材料。

7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述混合材料层的厚度大于等于所述第一子膜层的厚度，

优选地，所述第一子膜层的厚度不小于

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光辅助层面向所述发光层一侧的材料的最高占有分子轨道与所述发光层的发光主体材料的最高占有分子轨道相匹配，

优选地，所述发光辅助层面向所述发光层一侧的材料的最高占有分子轨道与所述发光层的发光主体材料的最高占有分子轨道之间的差值不大于0.2eV。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其特征在于，还包括：阳极和阴极，以及，

设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴注入层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的发光器件。

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