TWI374552B - Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming - Google Patents

Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming Download PDF

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TWI374552B
TWI374552B TW094125273A TW94125273A TWI374552B TW I374552 B TWI374552 B TW I374552B TW 094125273 A TW094125273 A TW 094125273A TW 94125273 A TW94125273 A TW 94125273A TW I374552 B TWI374552 B TW I374552B
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Jayesh Bharathan
Kevin Haberern
Michael Bergmann
David Emerson
James Ibbetson
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Description

1374*552 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置,且特定而言係關於具有形成 於基於第III族氮化物之磊晶層上之歐姆接點之發光裝置。 【先前技術】 發光二極體及雷射二極體為熟知的在施加足夠電壓時能 產生光的固態電子裝置《發光二極體及雷射二極體通常可 被稱為發光裝置(LED)。發光裝置通常包含一形成於磊晶層 中之pn接面,該蟲晶層成長於諸如藍寶石、石夕、碳化石夕、 砷化鎵及其類似物之基板上。由LED產生之光的波長分佈 取決於製造pn接面之材料及包含該裝置之作用區域之薄磊 晶層之結構。 形成於該基板上之η型磊 通常’ LED包括一 n型基板 區域及一形成於該η型磊晶區域上型磊晶區域。為了促進 將電壓施加到該裝置,在裝置之ρ型區域(通常為一暴露的ρ 型磊晶層)上形成一陽極歐姆接點且在裝置之η型區域(諸如 基板或一暴露的η型磊晶層)上形成一陰極歐姆接點。 因為可能難於製造高度導電的?型第m族氮化物材料(諸 如GaN、AlGaN、InGaN、杨⑽及A1InN),所以ρ型層中 電流散佈之换乏可能為自該等材料形成之咖之效能的限 制因素。因此’可能需要形成一覆蓋暴露的ρ型層之盡可能 多的表面區域之歐姆接點以料電流穿過裝置之盡可能多

的作用區域。然而,在草此能媒由担μ L 在系二態樣中提供大的陽極接點可能 對裝置效能是有害的。通當棄梦 通㊉希望自發光二極體擷取盡可能 103652.doc I374552 多的光。由於%極歐姆接點通常包含一金屬層,所以在led 之作用區域中產生之光可部分地被吸收於該歐姆接點中, 因而降低了裝置之整體發光效率。

在某些裝置中,可能需要形成一覆蓋暴露的P型層之反射 金屬層,以便原本會穿過P型層而離開該裝置之光可被反射 回該裝置中並經由基板被擷取。然而,諸如鋁及銀之高度 反射性金屬不能形成至P型氮化物材料之良好的歐姆接 點。因此,通常在P型氮化物層及反射器之間提供一歐姆接 點。降低歐姆接點中之吸收仍是此等裝置中關心的問題。 因此,需要改良的歐姆接點結構及在P型氮化物材料上形 成歐姆接點結構之方法。 【發明内容】 本發明之實施例可提供用於p型氮化物發光裝置之超薄 歐姆接點及其形成方法。依據此等實施例,一基於半導體 之發光裝置(LED)可包括一 p型氮化物層及其上的一金屬歐

姆接點,其中該金屬歐姆接點具有小於約25 A之平均厚度 及小於約10·3 ohm-cm2之特定接觸電阻率。該金屬歐姆接點 可包含pt。 •’ 在根據本發明之某些實施例中,金屬歐姆接點具有小於 勺20 A之平均厚度。在根據本發明之某些實施例中,金屬 歐姆接點具有介於約13 A與約18 A之間之平均厚度。在根 虞本發月之某些實施例中,金屬歐姆接點具有約15 a之平 均厚度。在根據本發明之某些實施例中,金厲歐姆接點具 有小於約1 〇 A之平均厚度。 103652.doc 1374552 在根據本發明之某些實施例中,該金屬歐姆接點覆蓋P 型氮化物層之小於約67%之區域(經由對金屬歐姆接點之歐 傑分析(Auger analysis)來量測)。在根據本發明之某些實施 例中’金屬歐姆接點覆蓋一部分p型氮化物層且p型氮化物 層之其餘部分沒有被金屬歐姆接點覆蓋。 在根據本發明之某些實施例中,金屬歐姆接點具有小於 約5 A之平均厚度。在根據本發明之某些實施例中,金屬歐 姆接點覆蓋p型氮化物層之小於約47%之區域(經由對金屬 歐姆接點之歐傑分析來量測)。 在根據本發明之某些實施例中,在約3 5 0 nm之量測波長 下金屬歐姆接點之正規化透射率為約92%。在根據本發明 之某些實施例中,金屬歐姆接點覆蓋一部分p型氮化物層且 P型氮化物層之其餘部分沒有被金屬歐姆接點覆蓋。 在根據本發明之某些實施例中,金屬歐姆接點具有小於 約3 A之平均厚度。在根據本發明之某些實施例中,金屬歐 姆接點覆蓋p型氮化物層之小於約28。/〇之區域(經由對金屬 ^姆接點之歐傑分析來量測)。 在根據本發明之某些實施例中,在約35〇 nm之量測波長 下金屬歐姆接點之正規化透射率為約94%至約96%。在根據 本發明之某些實施例中,金屬歐姆接點具有約丨人之平均厚 度。在根據本發明之某些實施例中,金屬歐姆接點覆蓋p型 氮化物層之小於約13%之區域(經由對金屬歐姆接點之歐傑 分析來量測)。在根據本發明之某些實施例中,在約35〇 nm 之量測波長下金屬歐姆接點之正規化透射率大於約98%。 I03652.doc

在根據本發明之某些實施例中,金屬歐姆接點可為鉑、 鍵氧化鋅、把、氧化纪。致、_金、氧㈣/金、氧㈣ 翻及或鈦/金^在根據本發明之某些實施例巾,LED亦可 包括金屬歐姆接點上之焊塾。 在根據本發明之某此音心丨丄 呆二貫施例中,LED可包括一ρ型氮化物 層及其上的-金屬歐姆接點,其中該金屬歐姆接點具有約丄 A之平均厚度。在根據本發明之某些實施例中,LED可包括

一 P型氮化物層及立 /、 金屬歐姆接點。該金屬歐姆接點 可,、有勺1 A之平均厚度,且覆蓋p型氣化物層之約m之區 域(經由對金屬歐姆接點之歐傑分析來量測)。 在根據本發明之某些實施例中,led包括-p型氮化物層 及其上之—金屬歐姆接點。該金屬歐姆接點可具有足以提 供在約35G nm之量測波長下大於約觸之正規化透射率之 平均厚度。 在根據本發明之某些實施例中,可藉由在一N型基板上形 成-P型氮化物層、在該p型氮化物層上形成一金屬歐姆接 點至平均厚度小於約25 A且特定接觸電阻率小於約丨〇_3 ohm-cm、及停止形成該金屬歐姆接點來提供一種形成基於 半導體之發光裝置(LED)之方法^ 、 在根據本發明之某些實施例中,形成—金屬歐姆接點可 進一步包括在一時間間隔中以一速率沉積金屬於p型氮化 物層及一證驗滑動片(witness slide)上,以提供—用於金屬 歐姆接點的具有第一平均厚度之金屬I,且監控該證驗滑 動片上之金屬層之厚度之指示。若該指示超過一預定的指 103652.doc -9- 1374552 丁l限值,則在隨後的時間間隔中及/或以隨後的速率進一 (Γ冗積金屬以增加平均厚度。若該指示約等於或低於該預 •疋的指示臨限值則停止金屬之沉積。 :在根據树明之某些實施例中,藉由量測該金屬層之透射 j薄片電阻率、電容、反射係數及/或共振頻率來提供對 厚度之^不之監控。在根據本發明之某些實施例中,進一步 沉積金屬直到指示超過該狀的指示臨限值。在根據本發明 之某些實施例中’沉積速率為約每秒(Μ A至約每秒〇.5A。 • 【實施方式】 將在下文甲參考隨附圖式(其中展示本發明之實施例)更 全面地描述本發明。本發明不應解釋為限制於本文中陳述 之實軛例,相反’提供此等實施例以便該揭示内容徹底且 完全,且向彼等熟習此項技術者完整地傳達本發明之範 疇。全文中相同號碼指相同元件。 此外,示意性地說明此等圖中說明之各種層及區域。亦 可為彼等熟習此項技術者所理解,儘管本發明關於半導體 晶圓及經切割之晶片來進行描述,但該等晶片可切割為任 意尺寸。因此,本發明不限於在隨附圖中說明之相對尺寸 及間距。此外’為圖式之清楚及易於解釋,以誇大的尺寸 §兒明了圖式之諸如層厚度及特徵尺寸之特定特徵。 本文中所用之術5吾只為描述特定實施例之目的且不音欲 限制本發明。除非上下文中清楚地指出,如本文中所用之 單數形式”一”及”該"希望亦包括複數形式。應進一步瞭解, 當用於本說明書時,術語”包含”規定了確定的特徵、整數、 103652.doc •10- 1374552 步驟、操作、元件及/或組件之存在,但不排除存在或添加 -或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/ 或其群。 應瞭解當-元件或層被稱為"在另一元件或層上,,、"與另 元件或層連接’或"與另一元件或層耦接"時,其可直接在 其他兀件或層上或與其他元件或層連接或與其他元件或層 耦接或可存在介入疋件或層。相反,當一元件被稱為”直 接地在3 7G件或層上"、"直接地與另一元件或層連接"或 "直接地與另_元件或層輕接"時,則不存在介入元件或 層。全文中同樣的號碼指同樣的元件。如本文中 ΓΓ或"包括—或多個相關聯的列出之項目之任何及所有 組合。 ’乃 應瞭解,儘管術語第—、 述各種元件、組件、區域、二一二!可此在本文中用以描 件、區域、層及/或部八不庵或部分,但此等元件、組 用於將一 ’應破該等術語限制。此等術語只 邛二二、組件、區域、層或部分與另-區域、層或 部分相區分。因此,層及 層或部分可被稱為第二元二:件=件、組件、區域、 脫離本發明之教示。 &域、層或部分而不 此外,諸如”下部”或”底 語,可在本文中用以描^ 邛"或"頂部"之相對術 π从抱述如圖中說 _ 元件之關係。應瞭解相對術件相對於另一 外裝置之不同方位。例如,若圖中…、圖中描述之方位 為在其他元件之,飞部"如 之裝置被翻轉,則描述 σ ,上之元件之方位將在該其他元件 103652.doc W552 之上°卩側上。因此,該例示性術語"下部"可視圖之特定方 向而/函蓋下部"及"上部"兩方向。同樣地,若該等圖中之— 圖中之裝置被翻轉,則描述為"在其他元件之下方"或"在其 他7L件之下,,的元件之方位就將在其他元件之,,上方"。因 此,該等例示性術語"下方"或"下"可涵蓋"上方"及"下方"之 方向。 如本文中結合歐姆接點之厚度所使用,術語”約"意味在 +/·ΐ A之公差内。 ”非另外疋義,本文中所用之所有術語(包括技術及科學 術)具有與一般熟習本發明所屬之技術者通常之理解相 同的含意。應進一步理解,諸如彼等在通常使用之字典中 所定義之術語應解釋為具有與丼在相關技術及本說明書之 %境中之含意-致之含意',且除非在本文中清楚地定義, 否則不應以理想化的或過度正式的意義加以解釋。 參考作為本發明之理想實施例之示意性說明之橫截面圖 而在本文中描述本發明之實施例。因而,將預期到由(例如) 製造技術及/或公差導致之自此等圖之形狀之改變。因此, 本發明之實施例不應解釋為限制於本文中說明之區域之特 定形狀,而為包括(例如)自製造導致之形狀偏差。例如,一 說明為長方形之區域通常在其邊緣處將具有圓化的、曲線 的或漸次變化的特徵而不是自一區域至下一區域之不連續 的變化>因此’在此等圖中說明之區域實質上為示意性的 且其形狀不用於說明裝置之區域之精確的形狀且不用於限 制本發明之範疇。 、、 103652.doc •12· 1374552 現在將大體上參考在基於碳化矽之基板上之基於氮化鎵 之發光二極體來描述本發明之實施例。然而,彼等熟習此 項技術者將瞭解本發明之許多實施例可採用基板及磊晶層 之許多不同組合。例如,組合可包括於GaP基板上之 AlGalnP二極體、於GaAs基板上之InGaAs二極體、於GaAs 基板上之AlGaAs二極體、於SiC或藍寶石(Al2〇3)基板上之 SiC二極體、及/或於氮化鎵、碳化矽、氮化鋁、藍寶石、 氧化鋅及/或其他基板上之基於氮化物之二極體。 基於GaN之發光裝置通常包含一絕緣、半導性或導電基 板(諸如SiC或藍寶石),複數個基於GaN之磊晶層沉積於其 上。該等磊晶層包含一具有PN接面之作用區域,當給與電 壓時該PN接面發光。 儘管本文中揭示之LED之各種實施例包括一基板,但彼 等熟習此項技術者將瞭解可移除結晶磊晶生長基板(包含 一 LED之磊晶層生長於其上),且獨立的磊晶層可被安裝 (mount)於一可能比原始基板具有更好的熱、電、結構及/ 或光學特性之替代載體基板或次載具上。本文中描述之本 發明不限於具有結晶磊晶生長基板之結構且可與其中磊晶 層已自#原始生長基板移除且結纟至替A載體基板之結構 相結合使用。 用於本發明之實施财之發光裝置可為基於氣化嫁之發 光二極體或製造於碳化矽基板上之雷射器,諸如由 North Carolina之Cree公司製造及出售之裝置。例如,本發 明可適於與以下之美國專利中描述的LED及/或雷射器一^ 103652.doc 1374*552

使用,該等美國專利為美國專利第6,740,906號、第6,734,033 號、第 6,664,560號、第 6,201,262號、第 6,187,606號、第 6,120,600號、第 5,912,477號、第 5,739,554號、第5,631,190 號、第 5,604,135號、第 5,523,589號、第 5,416,342號、第 5,393,993號、第 5,338,944號、第 5,210,051號、第 5,027,168 號、第 5,027,168號、第 4,966,862號及/或第 4,918,497號,該 等案之揭示内容如同在本文中予以完整陳述一般以引用的 方式併入本文中。其他合適的LED及/或雷射器描述於題目 為”GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE, GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL STRUCTURES AND GROUP III NITRIDE BASED SUPERLATTICE STRUCTURES"之美國專利公開案第 2003/0006418號及2004年7月27日申請之題目為"GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH AN INDIUM CONTAINING CAPPING STRUCTURE"之美國專利公開案第10/899,791號 (代理人案號5308-204IP)、2004年6月30日申請之題目為 "LIGHT EMITTING DEVICES HAVING CURRENT BLOCKING STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATING LIGHT EMITTING DEVICES HAVING CURRENT BLOCKING STRUCTURES”之美國專利申請案第10/881,814號(代理人案 號53 08-45 7)、及/或2004年7月27日申請之題目為"LIGHT EMITTING DEVICES HAVING A REFLECTIVE BOND PAD 103652.doc -14- 1374552 AND METHODS OF FABRICATING LIGHT EMITTING DEVICES HAVING A REFLECTIVE BOND PAD"之美國專 利申請案第10/899,793號(代理人案號5308-468),該等案之 揭示内容如同予以完整陳述一般併入本文中。 在本發明之特定實施例中,發光裝置可包括一p電極,其 提供一反射層以將作用區域中產生之光反射回而穿過該裝 置。反射性p電極及相關結構描述於題目為"LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR”之美國專利公開案第 2003/0123164 號及題目為"REFLECTIVE OHMIC CONTACTS FOR SILICON CARBIDE INCLUDING A LAYER CONSISTING ESSENTIALLY OF NICKEL, METHODS OF FABRICATING SAME, AND LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING THE SAME”之美國專利公開案第2003/0168663號中,該等 案之揭示内容就如同在本文中予以完整陳述一般以引用的 方式併入本文中。 如本文中所用之術語"歐姆接點"意指在大體上所有預期 之操作頻率下其相關聯之阻抗大體上係由阻抗=V/I之關係 式給出的接點,其中V為跨過接點之電壓且I為電流,(意 即,在所有操作頻率下與歐姆接點相關聯之阻抗大體上相 同)。例如,在根據本發明之某些實施例中,歐姆接點可為 具有小於約10_Q·3 ohm-cm2之特定接觸電阻率之接點,且在 某些實施例中具有小於約l(TG 4〇hm-cm2之特定接觸電阻 103652.doc •15- 1374552 率。因此,整流(rectifying)的或具有高特定接觸電阻率(例 如特定接觸電阻率大於約l〇-Q 3〇hm-cm2)之接點不是如本文 中所用之術語之歐姆接點。 LED可基板側朝下地安裝於諸如金屬板、印刷電路板或 引線框之次載具上(本文中均將其稱為"次載具")。圖1示意 性地說明一LED 1 ’其具有一 n型SiC基板10、一包含一基

於n-GaN之層14及一基於p_GaN之層 長於δ亥基板上且圖案化為一臺面(mesa)。將金屬p電極a沉 積於該p-GaN層16上且與其電性耦接,且將—導線結合連接 線28連接至p電極18上之結合襯墊2〇。用一導電環氧樹脂26 將在該導電基板上且與其電性耦接電極22附著至導電 次載具24。加熱固化該環氧樹脂26使其硬化,以為led晶 片提供一穩定且導電的載具。作用區域12中產生之光被導 引向上並離開該裝置。然而,所產生之光的一部分可被歐 姆P電極18(本文中有時稱為歐姆接點18)吸收。

為降低及/或最小化被該p電極18吸收之光,根據本發明 之某些實施例可將p電極之厚度減少至低於25人。本發明之 某些實施例提供一超薄p接點金屬,其可以可再生、可控、 及可製造之方式沉積。在某些實施例中,歐姆接點Μ包含 始。其他材料可用於歐姆接點18。例如,歐姆接點18可包 含铑、氧化鋅、鈀、氧化鈀、鈦、鎳/金、氧化鎳/金、氧化 義白及/或糾。在某些實施財,歐姆接點邮有小於 25 A之平均厚度。在其他實施例中,歐姆接點以具有小於 2〇 A之平均厚度。在某些實施例中,歐姆接賴可具有介 103652.doc •16- 1374*552 18可具有約15 A +/_ l A之平均厚^他實施例中’歐姆接點 姆接點18具有小於1〇 A之平均厚施例中’歐 姆接點18具有小於5A之平均厚度 ;^實施例中,歐 接點18具有小於3 A之平均厚产。 八實施例中,歐姆 點具有約1人之平均厚度。 ’、他實鈿例中,歐姆接 2等熟習此項技術者將瞭解小於^之薄膜厚度

疋而“'於5 A之薄膜厚度可表現出對表面之部分T 層(subm〇n〇layer)覆蓋。因此 s忒所侍之層被稱為”薄 膜,该薄臈可僅僅部分地覆蓋卩型㈣層之表面。另外 型⑽層之某些未覆蓋之部分可描述為"暴露的",因為彼等 f分未由比金屬歐姆接點之最小平均厚度更厚的薄膜所覆 蓋(例如,暴露部分被金屬歐姆接點之亞單層覆蓋)。

因此本發明之某些實施例提供一覆蓋率小於之接 觸層本發明之其他實施例提供一覆蓋率小於50%之接觸 層。本發明之其他實施例提供一覆蓋率小於3〇%之接觸 層°本發明之額外的實施例提供一覆蓋率小於2〇%之接觸 層°如本文_所用,當金屬歐姆接點被描述為”僅僅”覆蓋 一特定百分比之P型氮化物層(例如,70%)時,應瞭解該p型 Kb物之剩餘部分(例如,3〇%)可未被覆蓋(意即,暴露) 或被覆蓋該p型氮化物層之金屬歐姆接點_小於該金屬歐 姆接點之平均厚度之一部分所覆蓋。另外,此等覆蓋百分 比不應解釋為包括P型氮化物中不在金屬歐姆接點之外部 邊緣下的部分(例如,諸如一超尺寸的P型氮化物層)。 I03652.doc •17- 1374.552 • 根據本發明之某些實施例之歐姆接點可由電子束 .· (e-beam)蒸鍍或任何其他用於可控地形成原子級金屬薄臈 . (at〇miCallythinmetaUicfilm)的合適技術所形成。例如,若 可保持足夠的製程控制,則可藉由電鍍形成該等歐姆接 點。在電子束蒸鍍中,在真空室中藉由高強度電子束將一 金屬源靶材加熱至蒸發點,該電子束會熔化靶材之一區 域。置於該至内之蠢晶晶圓被經蒸發之金屬可控地覆蓋。

R_ Jaeger 之 INTRODUCTION TO MICROELECTRONIC • FABRICATION(2002,第二版)之第六章中描述了電子束蒸 鍍及其他薄膜沉積方法。 該製程之沉積速率可藉由改變電子束之電流及能量來控 制。在某些實施例中,該沉積速率被保持在一低速率下, 例如在每秒0· 1-0.5 A之範圍中以便保持對薄膜厚度之足夠 的控制。此外,在沉積過程中可藉由監控證驗滑動片(在其 上同時沉積歐姆金屬薄膜)之透射性質來控制薄膜沉積。該 證驗滑動片可為在其上可沉積金屬薄膜之藍寶石、石英或 ® 任何其他光學透射材料。對金屬厚度之透射敏感性取決於 用於監控過程中之光之波長。即,在較短波長下可增強透 射敏感性。因此,在某些實施例中,在薄膜沉積過程中或 之後藉由採用能夠發射3 5 0 nm或更短波長之光的UV光源 (諸如UV分光光度計)之監控系統來量測藍寶石證驗滑動片 之透射性質。較慢沉積速率可允許薄層之沉積為可再生及 可控的。 歐姆接點18可具有1-25 A之厚度範圍。對於至覆晶裝置 103652.doc •18- 1374,552 之錄接點而言’較佳厚度為1-5 A。覆晶裝置通常包括毯覆 性沉積於該歐姆接點上之額外的金屬層。例如,可存在圖3 中說明之反射體層30,及形成金屬堆疊32之障壁、結合及/ 或黏著層。因此,電流散佈可在反射體層3〇及/或金屬堆疊 32中發生。對於至非覆晶裝置之链接點,較佳厚度為Hu Α’且在歐姆接點18上形成包括金屬電流散佈指狀物之結合 襯塾。

一旦沉積,歐姆接點18提供一"沉積即成的"歐姆或非整 流接點。意即,為提供至p型16之近似理想的電接 點,不需要另外的加工或退火。然而,在某些狀況下有必 要或需要使歐姆接點18退火或執行其他後沉積加工以改良 其歐姆特性(諸如降低該接觸層之比接觸電阻)。 在某些實施例中,根據本發明之方法包括在一基板上形 成-N型磊晶層;在該N型磊晶層上形成一p型磊晶層從而

提供一裝置前驅體結構;將該裝置前驅體結構置放於一電 子束蒸鍍系統中;將一證驗滑動片置放於該蒸鍍系統中; 及在該裝置前驅體結構及該證驗滑動片上形成—翻層,同 :同步監控該證驗滑動片上之金屬薄臈之透射率。在某些 實^例中,在350 nm之量測波長下於該證驗滑動片上之金 屬薄臈之正規化透射率下降到98%以下之前可停止該歐姆 接點金屬之沉積。在其他實施例中,在35〇㈣之量測波長 下。於該證驗滑動片上之金屬薄膜之正規化透射率下降到 1ΓΓ下之前可停止該歐姆接點金屬之沉積。在其他實施 ,在35G nm之量測波長下於該證驗滑動片上之金屬薄 I03652.doc -19· 1374552 膜之正規化透射率下降到92%以下之前可停止該歐姆接點 金屬之沉積。 如圖5中說明,沉積於證驗滑動片上之金屬薄膜之正規化 透射率取決於薄臈之厚度及用於該量測中光之波長而變 化。換言之,該金屬薄膜之吸收率為薄膜厚度及穿過該薄 膜之光之波長之函數。如自圖5之曲線圖可明顯看出,作為 厚度之函數之吸收率之最大變化在較低波長下發生。例 如,在350 nm波長下,! A的鉑薄膜展示介於98%及丨之 間之透射率,而具有3 A之平均厚度之薄膜展示介於94%及 96%之間之透射率’且具有5 A之平均厚度之薄臈展示約 92%之透射率。該效應在較低波長下甚至更加顯著。 因此,在某些實施例中,在薄膜沉積過程中藉由採用能 夠發射350 nm或更短波長的光之uv光源之監控系統來監 控藍寶石證驗滑動片之透射性能。藉由就地監控形成於一 校準的證驗滑動片上之金屬薄膜之透射率,可在該金屬薄 膜之透射率達到預定臨限位準前或.後停止沉積過程。因 此,根據本發明之實施例可以高度的精確度來控制極薄金 屬薄膜之沉積。 在某些貫施例中,在350 nm之量測波長下於該證驗滑動 片上之金屬薄膜之正規化透射率下降到98%以下之前可停 止該歐姆接點之沉積。在其他實施例中,在35〇 nm之量測 波長下於該證驗滑動片上之金屬薄膜之正規化透射率下降 到96%以下之前可停止該歐姆接點之沉積。在其他實施例 中,在3 5 0 nm之量測波長下於該證驗滑動片上之金屬薄膜 103652.doc -20· 1374.552 之正規化透射率下降到92。/。以下之前可停止該歐姆接點之 沉積。 可使用監控經沉積之金屬薄膜之厚度之其他方法。例 如,可量測薄膜(或薄膜沉積於其上之材料)的會根據薄膜厚 度改變之其他實體、電學或光學特性且將之與已知標準對 比以判定薄膜厚度。此等特徵可包括(但不限於),薄臈之薄 片電阻率、電容或反射係數。在一實施例中,在沉積期間 用蒸鍍材料塗布之石英晶體之共振頻率被監控。該晶體之 共振頻率與所沉積薄膜之厚度成比例地改變且可提供對薄 膜厚度之足夠準確的量度。參看R. jaeger^ intr〇Ducti〇n TO MICROELECTRONIC FABRICATION (2002,第二版)之第 六章。 為了促進電流散佈,該結合襯墊可包括延伸穿過歐姆接 點之部分的一或多個電流散佈指狀物。如圖2八及2B中所說 明’形成於s亥歐姆接點1 8上之結合襯塾20可包括一或多個 電流散佈指狀物21,其自該結合襯墊2〇延伸穿過歐姆接點 18之部分。該電流散佈指狀物21可為如圖中所示之直的 或如2B中所示之彎曲的。可為其他組態。儘管圖2八及⑸所 說明之貫把例各自包括4個指狀物21,可視所要之電流散佈 之量而定使用更多或更少數目之指狀物21。 圖3說明根據本發明之某些實施例之其他LED,其中該 LED設計為覆晶安裝的(意即基板側朝上地安裝)。圖3示意 性地說明一 LED 2,其具有一 ;^型Sic基板1〇、一包含一基 於n-GaN之層14及一基於p_GaN之層16的作用區域12,其生 103652.doc -21 · 1374.552 長於該基板上且圖案化為一臺面。將一金屬p電極18沉積於 該p-GaN層16上且與其電性耦接,且將一導線結合連接線28 連接至該p電極18上之結合襯墊20。一在該導電基板1〇上且 與其電性耦接之N電極22包括一結合襯墊20, 一導線結合連 接線28連接至其《在圖3之實施例中,該LED進一步包括一 反射體30。於反射體30上形成諸如上文引用的美國專利第 6,740,906號中描述之金屬堆疊之金屬堆疊32,以提供(例

如)障壁、黏著及/或結合層。接著藉由焊料34而將整個裝置 安裝於次載具24上。

為降低或最小化光被p電極18之吸收以使更多光可被反 射體30反射,根據本發明將該p電極之厚度減少至低於乃 A。在某些實施例中’該p電極18包含鉑。可將其他材料用 於歐姆接點18。例如,該歐姆接點18可包含鍺、氧化鋅、 鈀、氧化鈀、鈦、鎳/金、氧化鎳/金、氧化鎳/鉑及/或鈦/ 金。在某些實施例中’該歐姆接點18具有小於25 A之平均 厚度。在其他實施例中,該歐姆接點18具有小於⑼A之平 均厚度。在某些實施例中,該歐姆接點18可具有介於似 U k間之平均厚度。在另外的實施例中,該歐姆接點18 7具有約15 A之平均厘择 /- -y- ^ "^在某二貫施例中,該歐姆接點 租18呈j於⑺A之平均厚度。在某些實施例中,該歐姆接 占18具有小於5 A之平均厘许,s 4 接點18具有於3 平均二2他實施例中,該歐姆 接點18具有約他實施例中,該歐姆 點】Si 士 9厚度。在某些實施例中,該歐姆接 小於10 A之平均厚度及小於約7G%之覆蓋率。在某 1〇3652.doc -22· 1374352 些實施例中,該歐姆接點18具有小於5人之平均厚度及小於 、·勺5 Ο A之覆蓋率及在其他實施例中,該歐姆接點18具有小 於3 A之平均厚度及小於約3G%之覆蓋率。在其他實施例 中,該歐姆接點18具有約i入之平均厚度及小於約15%之覆 蓋率。

該反射體30之厚度大於約300 A較佳且較佳含有铭及/或 銀。圖3之實施例可提供改良的電流散佈,因為反射體3〇在 薄的透明歐姆接點18之整個表面區域上接觸該薄的透明歐 姆接點18。因此,電流不需要如其他實施例中之狀況一般 水平地穿過該歐姆接點18傳播。因此在此實施例中電流散 佈可被增強。可使用其他接觸結構,例如,在美國專利 6,740,906中烊細說明者。如上討論,用諸如AaAg之高反 射性材料製成的至P型GaN的歐姆接點不佳。儘管還未 研究該現象,據信提供一介於p型GaN層與銀反射體之間的 超薄鉑層可減少介面處銀之功函數,使得足以允許形成一

介於反射體與p型GaN之間的令人滿意的歐姆接點同時又 保持南度的反射性。 本發明之實施例可降低由p接點金屬中之吸收造成的 LED中之光學損失。可需要卩接點金屬來製作具有最小壓降 的歐姆接點,但是通常該接點金屬會引人光學損失。本發 明之實施例可提供-具有低光學損失、低接觸電阻及良好 的金屬半導體㈣性的接點,其適詩使用反射的抑或透 明心側金屬堆疊之高亮度氮化物咖。藉由將該p接點金 屬降低至-極薄層(例如丨.5對〜之25 A),裝置之光輸出量 103652.doc -23- 1374552 可大大增加。例如,

(諸如汽車前照燈)之過程。

括在一基板上形成一N型磊晶 裝置前驅體結構之步驟可包 層及在s亥N型蟲晶層上形成 一P型磊晶層。在步驟105中,該方法包括將該裝置前驅體 結構及一證驗滑動片置放於諸如電子束蒸鍍系統之金屬沉 積系統中。在步驟110繼續,該方法包括將一金屬薄膜沉積 在遠裝置前驅體結構及該證驗滑動片上。該證驗滑動片上 之金屬薄膜之透射率在步驟π 5中量測。若該薄膜之透射率 達到或降低至一預定義臨限值以下(決策塊12〇),則停止該 過程。否則,繼續金屬薄膜沉積(步驟110)。 在某些實施例中’在3 5 0 nm之量測波長下於該證驗滑動 片上之金屬薄膜之正規化透射率下降到98%以下之前可停 止該歐姆接點金屬之沉積《在其他實施例中,在35〇 nm之 量測波長下於該證驗滑動片上之金屬薄膜之正規化透射率 下降到96%以下之前可停止該歐姆接點金屬之沉積。在其 他實施例中’在3 5 0 nm之量測波長下於該證驗滑動片上之 金屬薄膜之正規化透射率下降到92。/。以下之前可停止該歐 姆接點金屬之沉積。 103652.doc •24· 1374552 . 本發明之某些實施例包括製造一基於GaN之LED前驅體 結構;將該前驅體結構與諸如證驗滑動片之測試基板一起 . 置放於金屬薄膜沉積系統中;在一預定時間内以一預定沉 積速率將一金屬薄膜沉積在該前驅體結構及該測試基板 上,及里測該測試基板上之薄膜之透射率。若該薄膜之透 射率低於一預定臨限值(表明該金屬薄膜太厚),則自該前驅 體結構移除該金屬薄膜’將該前驅體放回該薄膜沉積系 統,且在第二預定時間内及/或以第二預定沉積速率將一金 籲 屬薄膜'冗積在該則驅體結構上。可重複該過程任何次數直 到沉積的厚度為可接受的。 如圖6中所s兒明,本發明之某些實施例包括製造一基於 GaN之LED前驅體結構之步驟(步驟2〇〇)。將該前驅體結構 與一證驗滑動片或其他測試基板一起置放於一薄膜沉積系 統中(步驟205)。接著在該前驅體結構及該證驗滑動片上沉 積至屬薄膜(步驟2 10)。接著(例如)藉由量測薄膜之透射 • 率來量測該證驗滑動片上之薄膜之厚度(步驟215)。若該透 射率低於一預定臨限值(表明該薄膜太厚)(步驟220),則自 該結構移除(例如藉由蝕刻)該金屬薄膜及將該前驅體結構 放回該薄膜沉積系統中。 在圖7中說明之其他實施例中’可藉由對該沉積系統内 之測试材料執行校準測試(calibrating Μ"以判定沉積步驟 之《適的持續時間及速率來控制該薄膜厚度。因此,本發 明+之某些實施例包括:製造一基於GaN之LED前驅體結構 (v驟300),將一測試基板置放於一薄膜沉積系統中(步驟 103652.doc ⑧ •25- 1374.552 305) ’在一預定時間内以一預定沉積逮率將一金屬薄膜沉 積在該測試基板上(步驟3 10),及量測所得之薄膜之厚戶 (步驟315”若該薄膜厚度在一預定的所要範圍内(步: 320),則將一基於GaN之LED前驅體結構置放於該薄膜沉 積系統中(步驟325)且在該預定時間内及以該預定速率在 該前驅體結構上沉積一金屬薄膜(步驟33〇)。若該薄膜厚度

不在該預定範圍内,則將一第二測試基板(或一復原之第I

測試基板)置放於該薄膜沉積系統中(步驟3〇5)且在第二預 定時間内及/或以第二預定比率在該第二測試基板上沉積 第二薄膜。 、 在其他實施例中’當該薄膜厚度達到—臨限位準時該龄 控系統可提供至該薄膜沉㈣統之信號輸^㈣㈣積 系統可回應於來自該監控系統之信號輸出而停止該沉積過 程以提供對該沉積過程之自動的封閉迴路控制,為根據 树明之實施例之薄膜沉㈣⑽以意H統5〇包括 一真空室52’丨中安裝—晶圓載體54。其上將沉積金屬薄 臈之晶圓56與-證驗滑動片或測試結構7卜起安裝在晶圓 載體二上。真空栗系統58可㈣於該真空室52以將氣體抽 出该室。真空泵系統58可包含多個栗及計量器(未圖示)以將 真空室52内部之壓力降至低於1〇-3pa。 ^真空至内的電子束產生器6〇產生預定能量的電子束且將 =射束導向隸#64°電子束產生器60由電子束控制器62 制田電子束產生器60產生的電子束照射該源靶材64 夺源材料自源靶材64蒸發且在晶圓56及證驗滑動片70上 103652.doc -26 - 1374*552 再讥積。可女裝於該真空室内部或外部之感應器“藉由監 控證驗滑動片之實體、電學或光學特徵(該等特徵會根據薄 :厚度而改變且可被量測並與已知標準相比較)來量測經 沉積之薄膜之厚度^上所述,該等特徵可包括透射率、 =射率、料率、共振頻率或其他特徵。感應⑽由感應 益控制器68(其在實務應用中可與電子束控制器62相同)控 制。當感應器66檢測到該經沉積之薄膜厚度已達到預定臨 限值時,1¾監控系統可提供—至該電子束控Μ器62之信號 輸出,從而使該電子束控制器停止該沉積過程。因此,根 據本發明之實施例之系統5〇可提供對該沉積過程之自動的 封閉迴路控制》 接觸層係如上所述製造成25 A、10 A、3 Α及1 Α之厚 度。該等接觸層為?卜假設該25 A之層為Pt之連續層。獲得 10 A、3 A及1 A之層的STEM影像。該等STEM影像展示於 圖9A、10A及11A中。該等STEM影像展示了自10 A(圖9A)(覆 蓋率》50°/。)至1 A(圖1 1 A)(覆蓋率<<5〇%)之Pt之量的明顯變 化。為了量化Pt之量,對該等STEM影像應用一種臨限技 術,該技術移除灰階使得超過一特定值之像素值被指派為 純白(Pt)且低於一特定值之像素值被指派為純黑。臨限化 (thresholding)後的影像展示於圖9B、10B及11B中。儘管該 臨限值之選擇可為主觀的,但將該臨限化後的影像與原始 影像相比較,擬合(fit)表現為一致的。藉由取黑(無pt)對白 (Pt)之比率可獲得覆蓋率之指示。下表1展示對圖9b、1〇B 及11B中之STEM影像之分析。 103652.doc •27· 1374*552 表1 STEM分析 樣本 1500 kX B/W 比率 近似的Pt覆蓋率 10 A 0.6406 0.61 3 A 1.9924 0.33 ΙΑ 11 0.08 亦對該等Pt層執行歐傑表面分析。歐傑表面分析之結果 展示於表2中。 表2歐傑分析 歐傑分析 Pt覆蓋率 樣本 %Pt %Ga %N %C %0 %C1 X A/25 A 1 A 7.7 34.3 19.1 30.6 7.1 1.3 0.13 3 A 16.3 27.7 14.4 33.9 6.7 1.1 0.28 5 A 27.3 21.0 10.6 34.5 5.4 1.2 0.47 10 A 39.4 14.2 3.8 36.9 5.4 0.2 0.67 25 A 58.7 2.0 2.3 33.0 3.7 0.3 1 如在表2中所見,假設該25 A層為一連續層,則藉由歐傑

刀析,10 A層具有約67%之覆蓋率,5 A層具有約47°/。之覆 蓋率,3 A層具有約28°/。之覆蓋率且1 A層具有約13%之覆蓋

率。因此,在根據本發明之某些實施例中,金屬歐姆接點 之平均厚度係關於由該金屬歐姆接點覆蓋之p型氮化物層 之百分比(°/〇)。 在獲得本揭示案之教示後,一般熟習此項技術者可進行 許多改變及修改而不脫離本發 瞭解所說明之實施例之陳述目 限制了由以下申請專利範圍所 下列申請專利範圍理解為不僅 而且包括以大體上相同之方法 明之精神及範疇。因此,應 的僅為舉例,且不應被看作 界定之本發明。因此,應將 包括字面陳述之元件之組合 執行大體上相同之功能以獲 103652.doc • 28- 得大體上相同之結果之 應被理解為包括上文特定說明二圍 效认包含本發明之本質理念之物。《物(其在概念上等 【圖式簡單說明】 圖為說明本發明之某些實施例之橫截面圖。 圖2Α及28為具有根據本發明之某些實施例之歐姆接點 之LED晶粒之俯視圖。

圖3為說明本發明之其他實施例之橫截面圖。 圖4為說明本發明之方法實施例之流程圖。 圖5為在一波長範圍下量測得之各種厚度之鉑薄薄膜之 透射率圖。 圖6為說明本發明之其他方法實施例之流程圖。 圖7為說明本發明之其他方法實施例之流程圖。 圖8為根據本發明之某些實施例之薄薄膜沉積系統之示 意圖。

圖9A及9B為根據本發明之某些實施例的具有約丨〇 a之 平均厚度之Pt接觸層之掃描透射電子顯微(STEM)影像。 圖10 A及10B為根據本發明之某些實施例的具有約3入之 平均厚度之Pt接觸層之STEM影像。 圖11A及11 B為根據本發明之某些實施例的具有約1 A之 平均厚度之Pt接觸層之STEM影像。 【主要元件符號說明】 1 發光裝置 2 發光裝置 103652.doc •29- 1374*552 10 η型SiC基板 12 作用區域 14 . 基於n-GaN之層 16 基於p-GaN之層 18 金屬p電極 20 結合襯墊 21 電流散佈指狀物 22 η電極

24 次載具 26 導電環氧樹脂 28 導線結合連接線 30 反射體 32 金屬堆疊 34 焊料 50 系統 52 真空室

54 晶圓載體 5 6 晶圓 58 真空泵系統 60 電子束產生器 62 電子束控制器 64 源靶材 66 感應器 68 感應器控制器. 70 證驗滑動片/測試基板 -30- 103652.doc

Claims (1)

1374552 r--- > /〇丨年3、月0日修(更)正本第〇94丨25273號專利申請案 • _|中文申請專利範圍替換本(101年3月) 十、申請專利範圍: 1. 一種基於半導體之發光裝置(LED),其包含: 一 P型氮化物層;及 一在該P型氮化物層上之金屬歐姆接點,該金屬歐姆接 點包含一小於約25 A之平均厚度及一小於約1(T3 ohm-cm2 之特定接觸電阻率。 2. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋約100%之該 P型氮化物層。
3. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋小於100%之 經由對該金屬歐姆接點之一歐傑分析而量測得的該P型 氮化物層。 4. 如請求項2之LED,其中該金屬歐姆接點包含Pt。 5. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約20 A之平均厚度。 6. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點包含一介於約13 A及約1 8 A之間之平均厚度。 7. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約10 A之平均厚度。 8. 如請求項7之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋小於約70% 之經由對該金屬歐姆接點之一歐傑分析而量測得的該P 型氮化物層。 9. 如請求項8之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋該p型氮化物 層之一部分且該p型氮化物層之一剩餘部分未被該金屬 歐姆接點覆蓋。 103652-1010322.doc 1374552 i〇.如請求们之㈣,其t該金屬歐姆接點包含ϋ^5Α 之平均厚度。 比如請求項10之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋小於約㈣ 之經由對該金屬歐姆接點之—歐傑分析而量測得的該p 型氮化物層。 η.如請求項U之LED’其中在-約35Gnm之量測波長下該金 屬歐姆接點之一正規化透射率包含至少約92%。 13. 如請求項"之·,其中該金屬歐姆接點覆蓋該p型氮化 物層之一部分且該p型氮化物層之一剩餘部分未被該金 屬歐姆接點覆蓋。 14. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點包含—小於約3 A 之平均厚度。 15. 如請求項14之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋小於約 之經由對該金屬歐姆接點之一歐傑分析而量測得的該p 型氮化物層。 16. 如請求項15之LED ’其中在一約350 nm之量測波長下該金 屬歐姆接點之一正規化透射率包含約94%至約96%。 17. 如請求項15之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋該p型氮化 物層之一部分且該p型氮化物層之一剩餘部分未被該金 屬歐姆接點覆蓋。 18. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點包含一約1 a之平 均厚度。 19. 如請求項18之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋小於約13% 之經由對該金屬歐姆接點之一歐傑分析而量測得的該p 103652-1010322.doc -2 · 1374.552 型氮化物層。 20. 如請求項19之LED’其中在一約350 nm之量測波長下該金 屬歐姆接點之一正規化透射率包含大於約98%。 21. 如請求項19之LED ’其中該金屬歐姆接點覆蓋該p型氮化 物層之一部分且該P型氮化物層之一剩餘部分未被該金 屬歐姆接點覆蓋。 22. 如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點包含鉑、鍵、氧 化鋅、鈀、氧化鈀、鈦、鎳/金、氧化鎳/金、氧化鎳/鉑 及/或鈦/金。 23. 如請求項18之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋小於約13〇/〇 之經由對該金屬歐姆接點之一歐傑分析而量測得的該p 型氮化物層。 24·如請求項1之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約5人 之平均厚度及一小於約10·3 ohm-cm2之特定接觸電阻率。 25. —種基於半導體之發光裝置(LED),其包含: 一 P型氮化物層;及 一在該p型氮化物層上之金屬歐姆接點,該金屬歐姆接 點包含一約1 A之平均厚度。 26. —種基於半導體之發光裝置(LED),其包含: 一P型氮化物層;及 一在該p型氮化物層上之金屬歐姆接點,該金屬歐姆接 點包含一約1 A之平均厚度,該金屬歐姆接點覆蓋小於約 13%之經由對該金屬歐姆接點之一歐傑分析而量測得的 該P型氮化物層。 l〇3652-l〇l〇322.doc 1374552 27. 如請求項26之LED,其中在一約35〇 nm之量測波長下該金 屬歐姆接點之一正規化透射率包含大於約98%。 28. —種基於半導體之發光裝置(LED),其包含: 一 p型氮化物層;及 一在該P型氮化物層上之金屬歐姆接點,該金屬歐姆接 點包含一足以在一約350 nm之量測波長下提供一包含大 於約98%之正規化透射率之平均厚度。 29. 如清求項28之LED,其中該平均厚度包含約丄人。 30. 如請求項28之LED,其申該金屬歐姆接點覆蓋小於約13% 之該P型氮化物層以便該p型氮化物層之一未覆蓋部分經 由該金屬歐姆接點而暴露。 31. 如請求項28之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約5 A之平均厚度及一小於約10-3 〇hm_cm2之特定接觸電阻 率0 32. —種基於半導體之發光裝置(L]ED),其包含: 一 N型半導體基板; 一在該基板上之N型GaN磊晶層; 一在該N型GaN磊晶層上之p型GaN磊晶層; 一在該p型GaN磊晶層上之金屬歐姆接點,該金屬歐姆 接點包含一小於約25 A之平均厚度及一小於約1〇.3 ohm-cm2之特定接觸電阻率; 一在該金屬歐姆接點上之結合襯墊;及 一與該結合襯墊電性耦接之導線結合連接線。 33. 如請求項32之LED,其中該平均厚度包含約5入至約i人。 103652-1010322.doc •4 1374*552 3 4.如請求項32之LED,其中該金屬歐姆接點覆蓋小於約13% 至小於約47%之經由對該金屬歐姆接點之一歐傑分析而 量測得的該p型氮化物層。 3 5.如請求項32之LED,其中在一約350 nm之量測波長下該金 屬歐姆接點之一正規化透射率包含大於約92%。 3 6.如請求項32之LED,其中該平均厚度包含約13 A至約18A。 3 7.如請求項32之LED,其進一步包含: 延伸跨越該金屬歐姆接點之該結合襯墊上之電流散佈
3 8.如請求項37之LED,其中該等電流散佈指狀物包含直的或 彎曲的指狀物。 3 9.如請求項32之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約5 A之平均厚度。 40. —種基於覆晶半導體之發光裝置(LED),其包含: 一N型半導體基板; 一在該基板上之N型GaN磊晶層; # 一在該N型GaN磊晶層之p型GaN磊晶層; 一在該P型GaN磊晶層上之金屬歐姆接點p電極,該金 屬歐姆接點p電極包含一小於約25 A之平均厚度; 一在該金屬歐姆接點p電極上之反射體; 一在該反射體上之金屬堆疊; 將該金屬堆疊固定至一導電次載具之焊料; 一在該基板上與該N型GaN磊晶層相反之N電極; 一在該N電極上之結合襯墊;及 103652-1010322.doc 1374552 一與該結合襯墊電性耦接之導線結合連接線。 41. 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約20 A之平均厚度。 42. 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一約13 A 至約20 A之平均厚度。 43. 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約15 A之平均厚度。 44. 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約10 A之平均厚度。 45. 如請求項44之LED,其中一包含約25 A或更大之平均厚度 包含一連續金屬歐姆接點P電極,其中該金屬歐姆接點P 電極覆蓋小於約67%之該p型GaN磊晶層。 46. 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約5 A之平均厚度β 47. 如請求項46之LED,其中一包含約25 Α或更大之平均厚度 包含一連續金屬歐姆接點p電極,其中該金屬歐姆接點P 電極覆蓋小於約47%之該p型GaN磊晶層。 48. 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約3 A之平均厚度。 49. 如請求項48之LED,其中一包含約25 A或更大之平均厚度 包含一連續金屬歐姆接點P電極,其中該金屬歐姆接點P 電極覆蓋小於約28%之該p型GaN磊晶層。 50. 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一約1 A之 平均厚度。 103652-1010322.doc 51. 52. 53. 54. 55. 56. 如請求項50之LED,其申一包含約25 A或更大之平均厚度 包含一連續金屬歐姆接點p電極,其中該金屬歐姆接點P 電極覆蓋小於約13。/。之該P型GaN層。 如請求項40之LED,其中該反射體包含一大於約300 A之 平均厚度。 如請求項52之LED,其中該反射體包含鋁及/或銀。 如請求項40之LED,其中該金屬歐姆接點包含一小於約5 A之平均厚度及一小於約1〇·3 〇hm-cm2之特定接觸電阻 率 〇 —種形成一基於半導體之發光裝置(LED)之方法,其包 含: 在一 η型基板上形成一 p型氮化物層; 在該Ρ型氮化物層上形成一金屬歐姆接點,使得經由對 該金屬歐姆接點之一歐傑分析而量測得對該ρ型氮化物 層之覆蓋率小於1 〇〇% ;及 停止形成該金屬歐姆接點。 如請求項55之方法,其中形成一金屬歐姆接點進一步包 含: 在一時間間隔内以一速率將金屬沉積在該Ρ型氮化物 層及一證驗滑動片上,以提供一具有一第一平均厚度的 金屬層用於該金屬歐姆接點; 監控該證驗滑動片上之該金屬層之厚度的一指示; 若該指示超過一預定的指示臨限值,則在隨後的時間 間隔内及/或以隨後的速率進一步沉積金屬以增加該平均 I03652-1010322.doc 1374552 厚度·,及 右該指示約等於或低於該預定的指示臨限值, 沉積金屬。 、 57.如凊求項56之方法,其中監控該證驗滑動片上之該金屬 層之厚度之一指示包含量測該金屬層之透射率、薄片電 阻率、電容 '反射係數及/或共振頻率。 58·如請求項57之方法’其中: 在一約350 nm之量測波長下之約92%之透射率指示該 厚度包含小於約5 A之平均厚度; ,_約350 nm之量測波長下之約94%至約96%之透射 率相不該厚度包含小於約3 A之平均厚度;及 在一約350 nmi量測波長下之大於約%%之透射率指 示該厚度包含約丨A之平均厚度。 59. 2求項56之方法,其中進一步沉積金屬包含繼續沉積 屬直到該指示超過該預定的指*臨限值。 6〇_如請求項56之方法,其中該速率包含約每秒〇ι a至約每 秒 0.5 A。 61.如請求項55之方法,其φ裕忐一 其中形成一金屬歐姆接點進一步包 含: 在一時間間隔内以一速率將金 層及^將金屬沉積在該P型氮化物 =及也“動片上以提供一具有〜第一平均厚度之金 屬層用於該金屬歐姆接點; , 證驗滑動片上之該金屬層< 厚度之一指示; 右料示約等於或超過-預定的指示臨限值,則停止 103652-I0I0322.doc 1374*552 沉積金屬;及 若該指示低於該預定的指示臨限值,則自該P型氮化物 層及該證驗滑動片移除該金屬層且接著在隨後的時間間 隔内及/或以隨後的速率進一步將金屬沉積在該P型氮化 物層及該證驗滑動片上。 62. 如請求項61之方法,其進一步包含: 調整用於移除後的隨後之金屬再沉積的隨後時間間隔 及/或隨後速率’直到該金屬層形成,使得該相關聯之指 示約等於或超過該預定的指示臨限值。 63. 如請求項61之方法,其中形成一金屬歐姆接點進一步包 含: 在一時間間隔内以一速率將金屬沉積在一第一測試基 板上以提供一第一金屬層; 監控該第一金屬層之厚度之一指示; 若該指示在該金屬歐姆接點之一厚度公差内,則在該 時間間隔内以該速率將金屬沉積在該?型氮化物層上以 提供具有該平均厚度之金屬歐姆接點; 若該扣示不在該厚度公差内,則在一第二時間間隔内
供一第二金屬層; 監控該第二金屬層之厚度.之一指示;及 一指示;及
P型氮化物層上以 曹之厚度之該指示在該厚度公差内,則 内及/或以該第二速率將金屬沉積在該 提供具有該平均厚度之金屬歐姆接點。 103652-1010322.doc -9· I374552 64.如請求項63之方法,該方法進一步包含: 在不同時間間隔内以該速率繼續沉積金屬且監控所形 成之金屬層之厚度以判定一用以將該金屬層形成為在該 厚度公差内的充分時間間隔。 65_如請求項55之方法,其中該金屬歐姆接點包含一小於約5 入之平均厚度及一小於約10-3 ohm-cm2之特定接觸電阻 率。 66· —種基於倒轉晶片半導體之LED,其包含: 一 P型氮化物層; 一在該p型氮化物層上之金屬歐姆接點p電極,該金屬 歐姆接點p電極包含一小於約25 A之平均厚度;及 一反射器,其在該金屬歐姆接點P電極上。 103652-1010322.doc 10·
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KR (3) KR101335760B1 (zh)
CN (2) CN102324452B (zh)
TW (1) TWI374552B (zh)
WO (1) WO2006014996A2 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
CN100388517C (zh) * 2004-07-08 2008-05-14 夏普株式会社 氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
JP2006073619A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
JP4371956B2 (ja) * 2004-09-02 2009-11-25 シャープ株式会社 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP4767035B2 (ja) * 2005-04-12 2011-09-07 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP4101823B2 (ja) 2005-06-13 2008-06-18 株式会社東芝 半導体素子、電極形成方法及び半導体素子の製造方法
US7928451B2 (en) * 2006-08-18 2011-04-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Shaped contact layer for light emitting heterostructure
JP2008091862A (ja) * 2006-09-08 2008-04-17 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2008117824A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Sharp Corp 窒化物系半導体素子の製造方法
CN101536202A (zh) * 2006-11-17 2009-09-16 3M创新有限公司 高效发光制品以及形成该高效发光制品的方法
KR20090089431A (ko) * 2006-11-17 2009-08-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Led 광원용 광학 접합 조성물
EP2087533A2 (en) * 2006-11-17 2009-08-12 3M Innovative Properties Company Planarized led with optical extractor
CN101548398A (zh) * 2006-11-20 2009-09-30 3M创新有限公司 用于led光源的光学粘合组合物
JP4561732B2 (ja) * 2006-11-20 2010-10-13 トヨタ自動車株式会社 移動体位置測位装置
US20110037092A1 (en) * 2008-06-06 2011-02-17 Atsuhiro Hori Light-emitting element
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8575592B2 (en) * 2010-02-03 2013-11-05 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses
TW201312763A (zh) * 2011-09-09 2013-03-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 晶片封裝件
KR101908656B1 (ko) * 2012-04-09 2018-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US9299880B2 (en) * 2013-03-15 2016-03-29 Crystal Is, Inc. Pseudomorphic electronic and optoelectronic devices having planar contacts
JP2014183090A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Oki Electric Ind Co Ltd 透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02124406A (en) * 1988-11-01 1990-05-11 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor manufacturing apparatus
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JP2987998B2 (ja) * 1991-05-21 1999-12-06 日本電気株式会社 減圧cvd装置
JPH0580203A (ja) 1991-09-19 1993-04-02 Hitachi Ltd プラスチツク製光学部品のハードコート膜
JP3404765B2 (ja) 1992-05-27 2003-05-12 岩崎電気株式会社 傾斜機能膜付メタルハライドランプ及びその照明器具
JPH06268253A (ja) 1993-03-10 1994-09-22 Hitachi Cable Ltd 電極付エピタキシャルウェハの製造方法および電極付エピタキシャルウェハの評価方法
DE69425186T3 (de) 1993-04-28 2005-04-14 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JPH08335717A (ja) 1995-06-06 1996-12-17 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP3804698B2 (ja) 1996-02-16 2006-08-02 三井化学株式会社 積層体及びその製造方法
JP3940438B2 (ja) * 1997-03-19 2007-07-04 シャープ株式会社 半導体発光素子
US6268618B1 (en) * 1997-05-08 2001-07-31 Showa Denko K.K. Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP3736181B2 (ja) 1998-05-13 2006-01-18 豊田合成株式会社 Iii族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2004363621A (ja) 1998-05-13 2004-12-24 Toyoda Gosei Co Ltd Iii族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2000252230A (ja) * 1998-12-28 2000-09-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP2000244010A (ja) 1999-02-19 2000-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
JP3705016B2 (ja) * 1999-06-28 2005-10-12 豊田合成株式会社 透光性電極用膜及びiii族窒化物系化合物半導体素子
JP2001196631A (ja) 1999-10-29 2001-07-19 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法
TWI289944B (en) 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
JP2001339101A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP4024994B2 (ja) 2000-06-30 2007-12-19 株式会社東芝 半導体発光素子
KR100391373B1 (ko) * 2000-10-13 2003-07-16 광주과학기술원 반사막이 삽입된 p형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2002170988A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とその発光装置
CN1368764A (zh) * 2001-01-31 2002-09-11 广镓光电股份有限公司 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构
JP3639789B2 (ja) 2001-01-31 2005-04-20 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子
US6740906B2 (en) 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6794684B2 (en) 2001-02-01 2004-09-21 Cree, Inc. Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same
US20020117672A1 (en) 2001-02-23 2002-08-29 Ming-Sung Chu High-brightness blue-light emitting crystalline structure
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP2002359396A (ja) 2001-06-01 2002-12-13 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US6664560B2 (en) 2001-06-15 2003-12-16 Cree, Inc. Ultraviolet light emitting diode
JP3998445B2 (ja) 2001-08-31 2007-10-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造システム、および半導体製造装置のクリーニング方法
JP4046582B2 (ja) 2001-09-17 2008-02-13 三洋電機株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその形成方法
TW549767U (en) 2001-12-28 2003-08-21 Veutron Corp L-type reflection mirror set
JP2004003732A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Mitsubishi Electric Building Techno Service Co Ltd 冷凍・空調装置の遠隔監視システム及び遠隔監視方法
JP2004063732A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
KR100826424B1 (ko) * 2003-04-21 2008-04-29 삼성전기주식회사 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2005117020A (ja) * 2003-09-16 2005-04-28 Stanley Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法
US7960746B2 (en) 2004-01-06 2011-06-14 Samsung Led Co., Ltd. Low resistance electrode and compound semiconductor light emitting device including the same
JP2005244207A (ja) * 2004-01-30 2005-09-08 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US7061026B2 (en) * 2004-04-16 2006-06-13 Arima Optoelectronics Corp. High brightness gallium nitride-based light emitting diode with transparent conducting oxide spreading layer
CN100550441C (zh) * 2004-06-24 2009-10-14 昭和电工株式会社 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
CN101667616A (zh) 2004-07-27 2010-03-10 克里公司 用于p型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8759868B2 (en) 2014-06-24
JP2008508726A (ja) 2008-03-21
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CN102324452A (zh) 2012-01-18
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KR20120016172A (ko) 2012-02-22
WO2006014996A3 (en) 2006-05-11
US20120080688A1 (en) 2012-04-05
KR101335168B1 (ko) 2013-11-29
CN102324455A (zh) 2012-01-18
JP5816047B2 (ja) 2015-11-17
JP5358092B2 (ja) 2013-12-04

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