JP2014183090A - 透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法 - Google Patents
透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014183090A JP2014183090A JP2013055140A JP2013055140A JP2014183090A JP 2014183090 A JP2014183090 A JP 2014183090A JP 2013055140 A JP2013055140 A JP 2013055140A JP 2013055140 A JP2013055140 A JP 2013055140A JP 2014183090 A JP2014183090 A JP 2014183090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- transparent electrode
- transparent conductive
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 34
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】GaN層と、GaN層に積層されたNi薄膜と、Ni薄膜に積層された透明導電膜とを備え、Ni薄膜は、厚さが0.5nm〜1.5nmである。このとき、Ni薄膜の堆積速度を透明導電膜の堆積速度よりも遅くする。
【選択図】図1
Description
図13は、特許文献1に記載されているような、従来の窒化物半導体発光ダイオードの切断断面図であり、主要部を説明するための概略図でもある。
窒化物半導体発光ダイオード10Bは、支持基板としてのSi基板11の表面に、バッファ層12、n型クラッド層13、発光層14、及びp型クラッド層15が順次、積層されて構成されている。以下、発光ダイオードを、LED(Light Emitting Diode)素子と称することもある。
そこで、電極材料として、透明なITO(酸化インジウム錫)やZnO(酸化亜鉛)などを用いることにより、表面から光を取り出すことが可能になる。これにより、Si基板などの安価なLED形成用基板を用いることが可能となる。
また、図13に記載のp型電極18は、オーミック性を高めるためにNi/Au電極を用いているが、光透過性を欠き、発光素子には向かない。なお、Niの仕事関数は5.2eVであり、Auは5.1eVであり、双方共、高い仕事関数を有している。
そこで、窒化物半導体発光ダイオードに用いる電極構造は、光透過性を向上させ、かつp−GaN層との間のショットキ障壁のエネルギ差を低減し、オーミック性を目指すことが求められる。
また、前記Ni薄膜は、Niを透明導電膜の膜厚に成膜するときの成膜速度よりも遅い成膜速度で形成されていることを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態の窒化物半導体発光ダイオードの構成図である。
図1において、窒化物半導体発光ダイオード10Aは、支持基板としてのSi基板11の表面にバッファ層12が積層され、バッファ層12の基板反対側表面には、n型クラッド層13が積層され、n型クラッド層13の基板反対側表面の一部領域には、発光層14が積層され、発光層14の基板反対側表面には、p型クラッド層15が積層され、p型クラッド層15の基板反対側表面にはNi薄膜16が積層され、Ni薄膜16の基板反対側表面には透明導電材17が積層され、透明導電材17の基板反対側表面の端部には、p型電極20が積層されている。また、窒化物半導体発光ダイオード10Aは、n型クラッド層13の基板反対側表面の他の領域には、n型電極19が積層されている。
LEDは、pn接合で構成されているが、p型電極がφm1>χ+EGで接続され、n型電極がφm2<χで接続されることによって、p型電極、及びn型電極ともにオーミック接合される。
ここで、φm1は、p型電極材料の真空準位からフェルミ準位EFまでのエネルギであり、φm2は、n型電極材料の真空準位からフェルミ準位EFまでのエネルギであり、χは、真空準位から半導体の伝導帯ECまでのエネルギであり、EGは、半導体の禁制帯のエネルギである。
しかしながら、窒化物半導体発光ダイオードでは、p−GaNに接合させるには高い仕事関数φmを持ったp型電極材料が必要になる。フリップチップ実装を用いない場合では、表面の電極は光透過性が高い材料が必要になる。ITOは、透明導電材料として好適であるが、仕事関数が小さく、物性値も不安定であり、LEDの効率的な発光に問題がある。
図3は、Ni/ITO電極の透過率とNi膜厚との関係を示す図であり、ITOを膜厚300nmでサファイア基板上に成膜した場合の、波長460nm、及び530nmのときの関係を示している。なお、横軸は、Ni膜厚[nm]であり、縦軸は、透過率[%]である。
図3において、Niの膜厚を0.5〜2.5nmにすれば、Ni/ITOの光透過率が透明電極として基準となる80%を超え、1.5nmのとき85%を超える。つまり、Ni膜を0.5〜2.5nm(好ましくは、1.5nm)にすることにより、光取り出し効率が向上する。
ITOは、Ni薄膜の種々のプロセスダメージへの耐性を高め、電気伝導性を向上させる効果もある。また、ITOは、膜厚を厚くするとLED表面の面内の電流密度が均一になり、例えば、膜厚300nmにすると不透明金属電極(Au電極)に近いシート抵抗値となる。
ここで、Ni薄膜は、Niを膜厚300nm堆積する場合の通常の成長速度よりも遅く堆積させる必要がある。言い換えれば、膜厚300nmは、透明導電膜ITOの膜厚であるので、Ni薄膜は、Niを透明導電膜の膜厚に成膜するときの成膜速度よりも遅い成膜速度で堆積される。また、Niの膜厚を0.5nm未満にすることは、Ni原子を1原子層レベルで制御することになるため、成膜制御が難しくなる。この結果、0.5nm未満のNi膜厚は、LEDの動作を不安定にさせるので、0.5nm以上の膜厚が好ましい。
ITOのみの電極(Ni膜厚=0)とした場合の立ち上がり電圧Vfは、Vf=5Vである一方、Ni膜厚を数nm(好ましくは、0.5nm〜1.5nm、特に、1.0nm〜1.5nm)にすることで、立ち上がり電圧Vfが低減している。つまり、Ni薄膜は、ショットキ障壁のエネルギ差を低減し、LEDを駆動させる際の目安となる立ち上り電圧(順方向電圧)Vfを低減する。
また、ショットキ障壁のエネルギ差の低減は、印加電圧を低減させ、LED駆動時の損失が減少し、発熱を抑制することができる。つまり、Ni薄膜の介挿は、電子注入効率を向上させ、LEDの発光効率を向上させることができる。
図4において、Ni/ITO電極とp型電極として従来用いられていたNi/Au電極(50nm/500nm)とを立ち上り電圧Vfで比較した場合(破線参照)、Ni薄膜の厚さを1.0nm〜1.5nmにすることで、Ni/Auと同等のVfを持つ透明電極の形成が可能となる。
図5は、窒化物発光ダイオードの製造工程を説明するためのフローチャートである。
窒化物半導体発光ダイオード10Aは、まず、LED構造基板(積層基板)を準備し(S10)、Ni薄膜・ITO膜を堆積し(S12)、レジストで第1のパタ−ニングを行い(S14)、ドライエッチングを行い(S16)、第2のパターニングを行い(S18)、p型電極を堆積し(S20)、リフトオフを行い(S22)、アニールを行う(S24)、ことにより形成される。
LED構造基板は、支持基板としての(111)面のSi基板11と、その表面に有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)により積層されたバッファ層12と、その表面にエピタキシャル成長されたn型クラッド層13と、その表面に積層された発光層14と、その表面に1次結晶成長されたp型クラッド層15とから構成されている。
また、p型クラッド層15は、Mgドープされたp−GaN層であり、p−GaN層は、窒素雰囲気中の熱処理により活性化アニールが行われる。活性化アニールとは、原料ガスのアンモニア(NH3)に含まれる水素、又はキャリアガスの水素との結合により不活性化されたMgを、窒素雰囲気中の熱処理により、水素原子を乖離させ、アクセプタを活性化させることである。なお、p型クラッド層15は、p−GaN層だけでなく、さらにAlGaN層が積層されることが多い。
この工程は、LED構造基板のp型クラッド層15の基板反対側表面にNi薄膜16を厚さが0.5nm〜1.5nmになるまで堆積させ、そのNi薄膜16の基板反対側表面に透明導電材17(ITO)を蒸着又はスパッタで300nm堆積して行われる。
この工程は、透明導電材17(ITO)を堆積した積層基板の平面を発光領域とn型電極領域とp型電極領域とに分割し、発光領域、及びp型電極領域にレジスト18を塗布する工程である。
この工程は、レジスト18が塗布されていない領域(すなわち、n型電極領域)をn型クラッド層13の一部まで除去し、いわゆるMESA構造(Mesa Structure)を形成する工程である。ドライエッチングは、例えば、塩素(Cl2)や三塩化ホウ素(BCl3)のガスによる誘導結合型反応性イオンエッチング法がある。
この工程は、透明導電材17が積層された発光領域、及びn型電極領域の一部にフォトレジストを塗布する工程である。
(6)図11は、p型電極20を堆積する工程を説明するための素子断面図である。
この工程は、p型電極領域、及び塗布されたフォトレジストの表面にTi/Al積層膜を堆積する工程である。
この工程は、フォトレジスト、及びフォトレジストに堆積されたTi/Alを剥がし、p型電極領域にp型電極20を形成し、n型電極領域の他の領域にn型電極19を形成する工程である。
(8)次に、リフトオフにより電極が形成された発光ダイオードは、RTA(Rapid Thermal Annealing:急速アニール装置)を用いて、450℃〜700℃のN2雰囲気で3分間アニールが行われる。なお、このアニール温度は、450℃以上であればよいが、過剰な温度下では電極材料が凝集するので、800℃以下が好ましい。また、ITO成膜時に、例えば、250℃程度で成膜する場合は、アニールが必要ない場合もある。
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような種々の変形が可能である。
(1)前記実施形態は、透明導電材17として、ITO膜を用いたが、ITO膜の代わりに、ZnO、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛)、GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)、IZO(登録商標)(インジウムドープ酸化亜鉛)、TiO2(二酸化チタン)などであっても、同様の効果が得られる。また、前記実施形態は、LEDの主原料として、GaNを用いたが、GaN以外に、GaAs、InPなどを使用することができる。
(2)前記実施形態は、仕事関数5.2VのNi薄膜16を用いたが、仕事関数5.3Vの白金Ptでもよい。
(3)前記実施形態は、発光ダイオード単体について説明したが、Si基板11に複数の窒化物半導体発光ダイオード10A,10Bを二次元配列して、表示装置とすることができる。
(4)前記実施形態は、本発明の透明電極構造を、窒化物半導体発光ダイオードに適用したが、窒化物半導体発光ダイオード以外のGaNを適用した窒化物半導体素子(例えば、レーザダイオード)にも適用することができる。
11 Si基板
12 バッファ層
13 n型クラッド層
14 発光層
15 p型クラッド層
16 Ni薄膜
17 透明導電材
19 n型電極
20 p型電極
Claims (10)
- GaN層と、該GaN層に積層されたNi薄膜と、該Ni薄膜に積層された透明導電膜とを備え、
前記Ni薄膜は、厚さが0.5nm〜1.5nmであることを特徴とする透明電極構造。 - 前記Ni薄膜は、光透過率が80%以上であることを特徴とする請求項1に記載の透明電極構造。
- 前記Ni薄膜は、Niを前記透明導電膜の膜厚に成膜するときの成膜速度よりも遅い成膜速度で堆積されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の透明電極構造。
- 前記透明導電膜は、少なくともIn、Sn、Zn、Al、Gaの何れかを含むITO、AZO、及びGZOの何れか一の透明導電材料を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の透明電極構造。
- n−GaN層と発光層とp−GaN層とが積層された窒化物半導体発光ダイオードにおいて、
前記p−GaN層に積層されたNi薄膜と、該Ni薄膜に積層された透明導電膜とを備え、
前記Ni薄膜は、厚さが0.5nm〜1.5nmであることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。 - 前記n−GaN層は、Si基板上に積層されていることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体発光ダイオード。
- 前記Ni薄膜は、Niを前記透明導電膜の膜厚に成膜するときの成膜速度よりも遅い成膜速度で堆積された膜であることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の窒化物半導体発光ダイオード。
- 前記透明導電膜は、少なくともIn、Sn、Zn、Al、Gaの何れかを含むITO、AZO、及びGZOの何れか一の透明導電材料を用いることを特徴とする請求項5乃至請求項7の何れか一項に記載の窒化物半導体発光ダイオード。
- GaN層と、該GaN層に積層されたNi薄膜と、該Ni薄膜に積層された透明導電膜とを備えた透明電極の透明電極成膜方法であって、
前記Ni薄膜は、厚さが0.5nm〜1.5nmになるまで、Niを透明導電膜の膜厚に成膜するときの成膜速度よりも遅い成膜速度で堆積されることを特徴とする透明電極成膜方法。 - 前記遅い成膜速度は、Niを前記透明導電膜の膜厚に成膜するときの加熱電力よりも少ない加熱電力を蒸着材に供給して実現されることを特徴とする請求項9に記載の透明電極成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013055140A JP2014183090A (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013055140A JP2014183090A (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014183090A true JP2014183090A (ja) | 2014-09-29 |
Family
ID=51701550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013055140A Pending JP2014183090A (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014183090A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017014094A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
CN110491979A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-11-22 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led结构的制备方法及led结构 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217501A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 半導体発光素子の電極形成方法および半導体発光素子 |
JP2007165611A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008004931A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 前面発光型窒化物系発光素子の製造方法 |
US20090065795A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-12 | Philip Chan | Transparent conductive film on p-type layer for gan-based led and method for fabricating the same |
JP2011166145A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置 |
JP2012069959A (ja) * | 2004-07-27 | 2012-04-05 | Cree Inc | P型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法 |
JP2012204362A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
-
2013
- 2013-03-18 JP JP2013055140A patent/JP2014183090A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217501A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 半導体発光素子の電極形成方法および半導体発光素子 |
JP2012069959A (ja) * | 2004-07-27 | 2012-04-05 | Cree Inc | P型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法 |
JP2007165611A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008004931A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 前面発光型窒化物系発光素子の製造方法 |
US20090065795A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-12 | Philip Chan | Transparent conductive film on p-type layer for gan-based led and method for fabricating the same |
JP2011166145A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置 |
JP2012204362A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017014094A1 (ja) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
JP2017028032A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
EP3327799A4 (en) * | 2015-07-17 | 2018-12-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting element |
US10326053B2 (en) | 2015-07-17 | 2019-06-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting element |
TWI715601B (zh) * | 2015-07-17 | 2021-01-11 | 日商斯坦雷電氣股份有限公司 | 氮化物半導體發光元件 |
CN110491979A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-11-22 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led结构的制备方法及led结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI462334B (zh) | 發光二極體結構與其製造方法 | |
TW201220538A (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2008047864A (ja) | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 | |
US20110108798A1 (en) | Light-emitting element and a production method therefor | |
Lee et al. | High-brightness GaN-based light-emitting diodes on Si using wafer bonding technology | |
WO2016002419A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2008198876A (ja) | GaN系LED素子および発光装置 | |
WO2016023352A1 (zh) | 氮化镓发光二极管及其制作方法 | |
KR20130093375A (ko) | 발광 다이오드의 제조 방법 | |
TW201232824A (en) | Transparent thin film, light emitting device comprising the same, and methods for preparing the same | |
US20130075779A1 (en) | Light emitting diode with multiple transparent conductive layers and method for manufacturing the same | |
JP2014183090A (ja) | 透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法 | |
JP2014060197A (ja) | 半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子 | |
JP2014183108A (ja) | 半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子 | |
KR101025948B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101483230B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 | |
US8766293B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing the same | |
KR101285925B1 (ko) | 그라핀을 이용하는 발광 다이오드 | |
JP6260159B2 (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード、及びその製造方法 | |
JP6268724B2 (ja) | 窒化物半導体のテクスチャ構造、窒化物半導体発光素子、及びテクスチャ構造形成方法 | |
JP6532237B2 (ja) | 成膜方法及び発光ダイオードの製造方法 | |
JP2018049965A (ja) | 半導体発光ダイオード、及び半導体発光ダイオード製造方法 | |
JP2015173229A (ja) | 透明電極構造、窒化物半導体発光ダイオード、及び透明電極成膜方法 | |
TWI714891B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
JP2000286499A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151117 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170221 |