JP2011154729A - Icカード及びicカードの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の単結晶集積回路と、第2の集積回路と、表示装置とを有し、第2の集積回路と、表示装置は、薄膜の半導体膜を用いてプラスチック基板上に形成されており、第1の単結晶集積回路は、第2の集積回路と電気的に接続されるようにプラスチック基板に実装されていることを特徴とするICカード。
【選択図】図1
Description
ことができる表示装置とを内蔵したICカード(スマートカードともいう)に関する。
のに対し、半導体のメモリが内蔵されている電子カード(ICカード)は、記録できるデ
ータが5KB程度、もしくはそれ以上が一般的であり、格段に大きい容量を確保すること
ができる。その上、磁気カードのようにカード上に砂鉄をかける等の物理的方法によりデ
ータが読み取られる恐れがなく、また記憶されているデータが改ざんされにくいというメ
リットがある。
ラスチックカードのような可撓性を有するセミハードカード等が含まれる。
ドはさらに高機能化され、その用途はキャッシュカード、クレジットカード、プリペイド
カード、診察券、学生証や社員証等の身分証明証、定期券、会員証など多岐に渡っている
。高機能化の一例として、下記特許文献1には、単純な文字や数字などを表示できる表示
装置と、数字を入力するためのキーボードとが搭載されたICカードについて記載されて
いる。
な利用の仕方が可能になる。現在、ICカードを用いた電子商取引、在宅勤務、遠隔医療
、遠隔教育、行政サービスの電子化、高速道路の自動料金収受、映像配信サービス等の実
用化が進められており、将来的にはより広範な分野においてICカードが利用されると考
えられている。
下、ICチップと呼ぶ)に形成され、ICカードに実装されている。一般的にICカード
の厚さは0.76mm程度であるのに対し、ICチップは数百μmの厚さを有しており、
よってICカードの曲げに対する強度をある程度維持するためには、自ずとICチップの
サイズに限界が生じる。そのため、回路規模やメモリ容量のより大きい集積回路をその限
られたサイズのICチップの中により多く搭載するのが困難になり、集積回路の更なる高
機能化の妨げとなっている。
も重要な課題である。
題となっており、ICカード使用の際における本人認証の確実性を如何に高めるかが、今
後の課題である。不正使用の防止策の一つにICカードへの顔写真の掲載がある。顔写真
を掲載することで、ATM等の無人の端末装置ではない限り、ICカード使用の際に第三
者が目視で本人の認証を行なうことが可能である。そして、至近距離で使用者の顔を撮影
できるような防犯用の監視カメラを設置していない場合でも、不正使用の防止を効果的に
行なうことができる。しかし、一般的に顔写真は印刷法によりICカードに転写されてお
り、偽造によって比較的容易にすり替えることができるという落とし穴がある。
、なおかつ低コスト化を実現することができるICカードの提供を課題とする。さらに本
発明では、上記課題に加え、顔写真のすり替えなどの偽造を防止することでセキュリティ
を確保することができ、なおかつ顔写真以外の画像を表示できるICカードの提案を課題
とする。
れた第2の集積回路(薄膜集積回路)をICカードに搭載する。具体的には、膜厚500
nm以下の薄膜の半導体膜を用いて、トータルの厚さ1μm以上5μm以下程度の薄膜集
積回路を形成することができる。そして該薄膜集積回路を、支持体として機能するプラス
チックの基板上に転写し、同じくプラスチックの基板上に実装されたICチップと電気的
に接続する。
金属酸化膜を結晶化により脆弱化して薄膜集積回路を基板から剥離し、薄膜集積回路をプ
ラスチック基板に転写する方法、耐熱性の高い基板と薄膜集積回路の間に水素を含む非晶
質珪素膜を設け、レーザ光の照射またはエッチングにより該非晶質珪素膜を除去すること
で基板から薄膜集積回路を剥離し、薄膜集積回をプラスチック基板に転写する方法、薄膜
集積回路が形成された耐熱性の高い基板を機械的に削除または溶液やガスによるエッチン
グで除去することで薄膜集積回路を基板から切り離し、薄膜集積回路をプラスチック基板
に転写する方法等、様々な方法を用いることができる。
せることができ、なおかつ半導体素子の特性のばらつきが小さい。よって、高い周波数で
の動作が要求される高周波回路(RF)回路や、半導体素子の特性のばらつきに影響を受
けやすいアナログ回路などはICチップに形成し、アナログ回路ほど半導体素子の特性の
ばらつきによる影響を受けにくいデジタル回路や、薄膜の半導体素子でも十分に動作が可
能な、動作周波数の低い回路などは、薄膜集積回路としてICカードに搭載するのが望ま
しい。また、より大容量のメモリが必要である場合はメモリをICチップに形成し、メモ
リの容量を抑えることができるならばメモリを薄膜集積回路として形成しても良い。上述
したように、その回路の特徴に合わせて、ICチップとして搭載する回路と、薄膜集積回
路として搭載する回路とを作り分けることで、集積回路全体の歩留まりを高め、コストを
抑えることができる。そして、ICチップのサイズを抑えつつ、ICカードの高機能化を
実現することができる。
載する。そして該表示装置に用いられる半導体素子は、薄膜集積回路と共に形成し、プラ
スチック基板に転写する。表示装置の表示素子は、転写した後に作製しても良いが、転写
する前に作製しても良い。転写した後に表示素子を作製する場合、例えば液晶表示装置だ
と、半導体素子の一つであるTFTに電気的に接続された液晶セルの画素電極や、該画素
電極を覆っている配向膜を作製してから転写し、その後、別途作製しておいた対向基板を
貼り合わせて液晶を注入し表示装置を完成させるようにする。
備えた発光装置、DMD(Digital Micromirror Device)、
電子ディスプレイ等を用いることができる。
メモリの容量を大きくするようにしても良い。薄膜集積回路は半導体基板で作製したIC
チップに比べて飛躍的に薄いので、複数の薄膜集積回路を積層させてもICカードの機械
的強度をある程度維持することができる。積層した薄膜集積回路どうしの接続は、フリッ
プチップ法、TAB(Tape Automated Bonding)法、ワイヤボン
ディング法などの、公知の接続方法を用いることができる。
ポーザ上に転写してパッケージングしてから実装する形態も取り得る。パッケージは、C
SP(Chip Size Package)、MCP(Multi Chip Pac
kage)のみならず、DIP(Dual In−line Package)、QFP
(Quad Flat Package)、SOP(Small Outline Pa
ckage)などのあらゆる公知の形態が可能である。
薄膜集積回路をICカードに搭載するので、ICチップのサイズを抑えつつ、集積回路全
体の回路規模やメモリ容量をより大きくすることができ、ICカードの高機能化を実現す
ることができる。また表示装置の厚さを0.5mm程度、より望ましくは0.3mm程度
とすることができる。よって、表示装置を薄さ0.5mm以上1.5mm以下のICカー
ドに搭載することが可能である。また、別途作製された薄膜集積回路とICチップとを組
み合わせて、1つの大規模な集積回路を形成するので、1つの基板上に同時に集積回路を
形成する場合に比べて、歩留りを高めることができる。
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
非接触で端末装置のリードライタとデータの送受信を行なう非接触型である。101はカ
ード本体であり、102はカード本体101に搭載されている表示装置の画素部に相当す
る。
成を示す。カード基板103には、薄膜の半導体膜で形成された薄膜集積回路104と、
表示装置105とが貼り合わされている。薄膜集積回路104と表示装置105は共に別
途用意された基板上において形成された後、カード基板103上に転写されたものである
。本明細書では、薄膜集積回路104と表示装置105とを含む、薄膜の半導体膜を用い
て形成され、なおかつ形成後にカード基板に転写される部分を、薄膜部107と呼ぶ。
おり、該ICチップ106には集積回路が形成されている。ICチップ106の実装の仕
方は、特に限定されるものではなく、公知のCOG方法やワイヤボンディング方法、或い
はTAB方法などを用いることができる。なお本明細書では、薄膜集積回路と区別するた
めに、ICチップに形成されている第1の集積回路を単結晶集積回路と呼ぶ。ICチップ
106は、薄膜部107と、カード基板103に形成された配線108を介して電気的に
接続されている。
109が形成されている。アンテナコイル109により、端末装置との間のデータの送受
信を、電磁誘導を用いて非接触で行なうことができるので、非接触型のICカードは接触
型に比べてICカードが物理的な磨耗による損傷を受けにくい。さらに非接触型のICカ
ードは、非接触にて情報の管理を行なうタグ(無線タグ)としても用いることができる。
非接触型のICカードは、同じく非接触で情報の読み取りができるバーコードに比べて、
管理可能な情報量が飛躍的に高い。また情報を読み取ることができる端末装置との間の距
離を、バーコードを用いた場合に比べて長くすることができる。
ているが、別途作製しておいたアンテナコイルをカード基板103に実装するようにして
も良い。例えば銅線などをコイル状に巻き、100μm程度の厚さを有する2枚のプラス
チックフィルムの間に該銅線を挟んでプレスしたものを、アンテナコイルとして用いるこ
とができる。また、薄膜集積回路の中に、アンテナコイルを作りこんでおいても良い。
いるが、図1(C)に示すようにアンテナコイル109が複数用いられていても良い。
成に限定されない。本発明のICカードは、必ずしも表示装置を設ける必要はない。ただ
し、表示装置を設けることで、顔写真のデータを表示装置において表示させることができ
、印刷法を用いた場合に比べて顔写真のすり替えを困難にすることができる。また顔写真
以外の情報を表示することができ、ICカードの高機能化を実現することができる。
、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して薄膜部107を基板から剥離し、薄膜部107
をカード基板103に転写する方法、耐熱性の高い基板と薄膜部107の間に水素を含む
非晶質珪素膜を設け、レーザ光の照射またはエッチングにより該非晶質珪素膜を除去する
ことで基板と薄膜部107とを剥離し、薄膜部107をカード基板103に転写する方法
、薄膜部107が形成された耐熱性の高い基板を機械的に削除または溶液やガスによるエ
ッチングで除去することで薄膜部107を基板から切り離し、薄膜部107をカード基板
103に転写する方法等、様々な方法を用いることができる。
プラスチック基板としては、極性基のついたノルボルネン樹脂からなるARTON:JS
R製を用いることができる。また、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテ
ルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC
)、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポ
リエーテルイミド(PEI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート
(PBT)、ポリイミドなどのプラスチック基板を用いることができる。
く用いることが難しい。しかし本発明では、加熱処理を含む作製工程は温度に対する耐性
が比較的高いガラス基板やシリコンウェハ等を用い、該作製工程が終了してから半導体素
子をプラスチックでできたカード基板上に転写することができるので、ガラス基板などに
比べて厚さの薄いプラスチック基板上に薄膜集積回路や表示装置を形成する。
板を用意する。そして該第1の基板上に金属膜を成膜し、該金属膜の表面を酸化すること
で数nmの極薄い金属酸化膜を成膜する。次に該金属酸化膜上に絶縁膜、半導体膜を順に
積層するように成膜する。絶縁膜は単層であっても、複数の膜を積層したものであっても
良い。例えば窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素などを用いることができる。そして成膜
された半導体膜を用いて、薄膜集積回路または表示装置に用いられる半導体素子を作製す
る。
基板と第2の基板の間に半導体素子が挟まれた状態を作る。なお、薄膜集積回路と並行し
て表示装置を形成する場合は、表示素子を完成させる前または後に、第2の基板を貼り合
わせる。表示素子を完成させる前に第2の基板を貼り合わせる場合、例えば表示素子とし
て液晶セルを用いるときは、半導体素子の一つである薄膜トランジスタ(TFT)に電気
的に接続された液晶セルの画素電極や、該画素電極を覆っている配向膜を作製した後、対
向電極が形成された対向基板を貼り合わせる前に行なう。
を補強するために第3の基板を貼り合わせる。第2の基板よりも第1の基板の剛性が高い
ほうが、第1の基板を引き剥がす際に、半導体素子に損傷が与えられにくくスムーズに剥
がすことができる。ただし第3の基板は、後に第1の基板を半導体素子から引き剥がす際
に、第1の基板の剛性が十分であれば、必ずしも貼り合わせる必要はない。
の基板を半導体素子から剥離しやすくする。そして第1の基板を第3の基板と共に、半導
体素子から引き剥がす。なお、金属酸化膜を結晶化するための加熱処理は、第3の基板を
貼り合わせる前であってもよいし、第2の基板を貼り合わせる前であってもよい。或いは
、半導体素子を形成する工程において行なわれる熱処理が、この金属酸化膜の結晶化の工
程を兼ねていても良い。
よって、金属膜と金属酸化膜の間で分離する部分と、絶縁膜と金属酸化膜の間で分離する
部分と、金属酸化膜自体が双方に分離する部分とが生じる。いずれにしろ、半導体素子は
第2の基板側に貼り付くように、第1の基板から引き剥がされる。
、カード基板に接着剤等で貼り合わせる。そして、第2の基板を剥離し、半導体素子がカ
ード基板に転写する。この転写の際に、カード基板上に形成された配線と、半導体素子で
形成される薄膜集積回路とを電気的に接続するようにしても良い。
形成し、既に転写されている薄膜集積回路に重ねるように、再び転写する。このように転
写を繰り返すことで、薄膜集積回路をカード基板上に積層することができる。このとき、
各薄膜集積回路間に樹脂等で層間絶縁膜を形成しても良い。また転写の際に用いる接着剤
を層間絶縁膜の代わりに用いても良い。
ても良い。
は、ICカードに設けられた接続端子と端末装置のリードライタとを電気的に接続し、デ
ータの送受信を行なう接触型である。
素部、203は同じくカード本体201に搭載されている薄膜集積回路の接続端子に相当
する。接続端子203は、端末装置に備えられたリーダライタと直接接続し、端末装置と
ICカードとの間の送受信を行なうための端子である。
成を示す。図1(B)と同様に、カード基板204には、薄膜の半導体膜で形成された薄
膜集積回路205と、表示装置206とが貼り合わされている。薄膜集積回路205と表
示装置206は共に別途用意された基板上において形成された後、カード基板204上に
転写されたものである。本明細書では、薄膜集積回路205と表示装置206とが薄膜部
207に相当する。薄膜部207の転写の方法は、図1の場合と同様である。
、図2(D)に、接続端子203が形成されているプリント配線基板208の、図2(C
)に示した面の裏面の拡大図を示す。接続端子203は、プリント配線基板208上に形
成されており、プリント配線基板208に形成されたコンタクトホール209を介して、
プリント配線基板208の裏面に形成された端子210と電気的に接続されている。図2
(C)では、接続端子203が8つ設けられている例を示しており、無論接続端子の数は
これに限定されない。
集積回路が形成されたICチップ211が設けられている。ICチップ211は端子21
0と電気的に接続されている。また、プリント配線基板208の、接続端子203が形成
されている面の裏面には、ICチップ211と、薄膜集積回路との電気的な接続を行なう
ための端子212が形成されている。
グ法を用いて接続する形態を示しているが、本発明はこれに限定されない。ワイヤボンデ
ィング法に限らず、ソルダーボールを用いたフリップチップ法で接続しても良いし、その
他の方法を用いて接続されていても良い。
貼り合わせることで、端子212とカード基板204に形成された配線213とを接続さ
せることができる。ICチップ211は、配線213を介して薄膜部207と電気的に接
続される。
様子を、断面図で示す。図2(E)に示すように、接続端子203と端子210はコンタ
クトホール209を介して電気的に接続されている。またICチップ211は、端子21
0、212と電気的に接続されている。そして、ICチップ211と、端子210とを覆
うように樹脂等を含むモールド214が形成されている。端子212は完全にモールド2
14で覆わずに、少なくとも一部がモールド214から露出している状態にする。そして
、端子212と配線213とを異方性の導電性樹脂215で電気的に接続する。
続端子との間の電気的接点を介して行なうことができるので、非接触型に比べてICカー
ドへの電力の供給が安定しており、途中で通信に支障が生じる危険性が低い。
いて示した形態に限定されない。例えば、カード基板上に形成された配線を介すのではな
く、ICチップの端子と薄膜集積回路の端子とを異方性の導電性樹脂やハンダなどで直接
接続するようにしても良い。
は、ワイヤボンディング法、ソルダーボールを用いたフリップチップ法で接続しても良い
し、異方性の導電性樹脂やハンダなどで直接接続しても良いし、その他の方法を用いて接
続しても良い。
間の接続部における断面図を示す。図3(A)では、薄膜集積回路301が接着層306
によりカード基板303に貼り合わされている。そして、薄膜集積回路301における信
号または電源電圧の出入力を行なうための端子304が、カード基板303上に形成され
た配線302と、異方性導電樹脂305を介して接続されている。
間の接続部における断面図を示す。図3(B)では、薄膜集積回路311が接着層316
によりカード基板313に貼り合わされている。そして、薄膜集積回路311における信
号または電源電圧の出入力を行なうための端子314が、カード基板313上に形成され
た配線312と、ワイヤ315を介して接続されている。
301が貼り合わされている。また図3(B)の場合は、端子314がカード基板313
に対して反対側に向くように薄膜集積回路311が貼り合わされている。よって、表示装
置を薄膜集積回路と共にカード基板に転写する場合、最終的に表示素子が形成される側、
もしくは表示素子が形成されている側が、カード基板に対して反対の側に向くようにする
必要があるので、該表示素子の向きに合わせて端子の向きを決める。薄膜集積回路と表示
装置を別々に転写する場合は、表示素子の向きによって端子の向きが制限されることはな
いというメリットを有する。
形態について説明する。図4に、非接触型のICカードのブロック図を示す。
02は入力用インターフェースであり、403は出力用インターフェースである。なお各
種アンテナコイルの数は、図4に示した数に限定されない。入力用アンテナコイル400
によって、端末装置から入力された交流の電源電圧や各種信号は、入力用インターフェー
ス402において復調されたり直流化されたりした後、CPU404、ROM405、R
AM406、EEPROM407、コプロセッサ408、コントローラ409などの各種
回路に供給される。そして上記各種回路において処理または生成された信号は、出力用イ
ンターフェース403において変調され、出力用アンテナコイル401によって端末装置
に送られる。
れる各種回路は上記回路に限定されない。
405には、CPU404において用いられる各種プログラムが記憶されている。コプロ
セッサ408は、メインとなるCPU404の働きを助ける副プロセッサであり、RAM
406は端末装置との間の通信時のバッファとして機能する他、データ処理時の作業エリ
アとしても用いられる。そしてEEPROM407は、信号として入力されたデータを定
められたアドレスに記憶する。
M407に記憶し、書き換えが不可能な状態で記憶させるならばROM405に記憶する
。また別途画像データの記憶用のメモリを用意しておいても良い。
タ処理を施し、ビデオ信号として表示装置410に供給する。またコントローラ409は
、入力用インターフェース402から入力された電源電圧や各種信号をもとに、Hsyn
c信号、Vsync信号、クロック信号CLK、交流電圧(AC Cont)等を生成し
、表示装置410に供給する。
1に設けられた画素を選択する走査線駆動回路412と、選択された画素にビデオ信号を
供給する信号線駆動回路413とが設けられている。なお、427は薄膜部であり、薄膜
集積回路426及び表示装置410を含んでいる。
示す入力用インターフェース402は、整流回路420と、復調回路421とが設けられ
ている。入力用アンテナコイル400から入力された交流の電源電圧は、整流回路420
において整流化され、直流の電源電圧として上記各種回路に供給される。また、入力用ア
ンテナコイル400から入力された交流の各種信号は、復調回路421において復調され
る。そして復調されることで波形整形された各種信号は、各種回路に供給される。
す出力用インターフェース403は、変調回路423と、アンプ424とが設けられてい
る。各種回路から出力用インターフェース403に入力された各種信号は、変調回路42
3において変調され、アンプ424において増幅または緩衝増幅された後、出力用アンテ
ナコイル401から端末装置に送られる。
カードはこれに限定されず、発光素子や光センサ等を用いて光でデータの送受信を行なう
ようにしても良い。
せることができ、なおかつ半導体素子の特性のばらつきが小さい。よって、高い周波数で
の動作が要求される高周波(RF)回路や、半導体素子の特性のばらつきに影響を受けや
すいアナログ回路などはICチップに形成し、アナログ回路ほど半導体素子の特性のばら
つきによる影響を受けにくいデジタル回路や、薄膜の半導体素子でも十分に動作が可能な
、動作周波数の低い回路などは、薄膜集積回路としてICカードに搭載するのが望ましい
。
どのアナログ回路を含む入力用インターフェース402及び出力用インターフェース40
3を、ICチップ425に形成する。また、CPU404、ROM405、RAM406
、EEPROM407、コプロセッサ408、コントローラ409などの各種回路を、薄
膜集積回路426で形成する。
ROM407のいずれか、または全てを、ICチップ425で形成しても良い。
は一例であり、本発明はこの構成に限定されない。例えばGPSなどの機能を有していて
も良い。表示装置410は画像を表示する機能を有していれば良く、アクティブ型であっ
てもパッシブ型であっても良い。
態について説明する。図6に、接触型のICカードのブロック図を示す。
の数は、図6に示した数に限定されない。接続端子430から入力された電源電圧や各種
信号は、インターフェース431において緩衝増幅された後、CPU434、ROM43
5、RAM436、EEPROM437、コプロセッサ438、コントローラ439など
の各種回路に供給される。そして上記各種回路において処理または生成された信号は、イ
ンターフェース431において緩衝増幅され、端末装置に送られる。表示装置440には
、表示素子が各画素に設けられた画素部441と、前記画素部441に設けられた画素を
選択する走査線駆動回路442と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回
路443とが設けられている。また、447は薄膜部であり、薄膜集積回路446及び表
示装置440を含んでいる。
れる各種回路は上記回路に限定されない。
U434、ROM435、RAM436、EEPROM437、コプロセッサ438、コ
ントローラ439などの各種回路を、薄膜集積回路446で形成する。なお、より大容量
のメモリが必要である場合は、ROM435、RAM436、EEPROM437のいず
れか、または全てを、ICチップ445で形成しても良い。
は一例であり、本発明はこの構成に限定されない。例えばGPSなどの機能を有していて
も良い。表示装置440は画像を表示する機能を有していれば良く、アクティブ型であっ
てもパッシブ型であっても良い。
集積回路として搭載する回路とを作り分けることで、集積回路全体の歩留まりを高め、コ
ストを抑えることができる。そして、ICチップのサイズを抑えつつ、ICカードの高機
能化を実現することができる。
て示したが、本発明はこれに限定されない。例えば図7に示すように、ICカードに太陽
電池1502が設けられていても良い。また、リチウム電池等の超薄型の電池を内蔵して
いても良い。
て、801はカード基板であり、凹部803が形成されている。ICチップ802は凹部
803において、カード基板801に実装されている。また805は薄膜部であり、薄膜
集積回路806と、表示装置807とを含んでいる。薄膜集積回路806とICチップ8
02は、カード基板801上に設けられた配線808によって電気的に接続されている。
、カード基板801と向かい合うようにカバー材810を接着剤811で貼り合わせる。
なお図8(A)では、カバー材810の一部に開口部812を設け、該開口部812に表
示装置807が位置するように、カバー材810を貼り合わせる。必ずしも本発明は、カ
バー材810の一部に開口部812を設ける必要はない。例えばカバー材810として、
表示装置807と重なる部分に、光を透過させることができるような材料を用いても良い
。
804を形成している例を示しているが、別途形成したアンテナコイルをカード基板80
1に実装するようにしても良い。また図8(A)ではアンテナコイル804が、カード基
板801の凹部803以外の領域に設けられている例を示しているが、アンテナコイル8
04が凹部803に設けられていても良い。
有する形態を示しているが、カバー材に凹部を設けても良い。図8(B)に、カバー材に
凹部を設けた場合の、非接触型のICカードの断面図を示す。
形成されている。薄膜部815は、薄膜集積回路816と表示装置817とを含んでいる
。カード基板819とカバー材814は、ICチップ821と薄膜部815とを間に挟ん
で貼り合わされている。カバー材814は、カード基板819側に凹部820、818と
を有しており、凹部820はICチップ821と、凹部818は表示装置817と重なっ
ている。
ている。なお図8(B)においても図8(A)と同様に、カバー材814のうち表示装置
817と重なる部分を刳り貫いて、開口部を形成しても良い。
触型のICカードの断面図を示す。
が形成されている。薄膜部855は、薄膜集積回路856と表示装置857とを含んでい
る。カード基板859とカバー材854は、ICチップ861と薄膜部855とを間に挟
んで貼り合わされている。カバー材854は、カード基板859側に凹部860、862
と、開口部858とを有しており、凹部860はICチップ861と、凹部862及び開
口部858は表示装置857と重なっている。そして表示装置857の表示素子を覆って
いる基板は、凸部を有しており、該凸部が開口部858と噛み合うように重なっている。
7と重なる部分に光を透過させることができるような材料を用いても良い。
いて、831はカード基板であり、凹部833が形成されている。ICチップ832は凹
部833において、カード基板831に実装されている。また835は薄膜部であり、薄
膜集積回路836と、表示装置837とを含んでいる。薄膜集積回路836とICチップ
832は、カード基板831上に設けられた配線838によって電気的に接続されている
。
ー材840を接着剤841で貼り合わせる。なお図8(D)では、カバー材840の一部
に開口部842を設け、該開口部842にICチップ832が形成されたプリント配線基
板843が位置するように、カバー材840を貼り合わせる。プリント配線基板843に
は、ICチップ832が形成されている側の反対側に、接続端子844が形成されている
。そして、該接続端子844が開口部842において、ICカードの表面に露出している
。
合わせて、ICカードを形成する形態について示したが、本発明のICカードはこの形態
に限定されない。例えば、カバー材を設けずに、カード基板を樹脂等で封止することでI
Cカードを形成しても良いし、カバー材を設けた状態で更にカード基板を樹脂等で封止す
ることでICカードを形成しても良い。
か、表示装置と重なる部分は樹脂で封止せずに露出させるようにしても良い。また樹脂で
封止する場合、接続端子は必ずICカードの外部に露出させるようにする。
体素子としてTFTを例示するが、薄膜集積回路と表示装置に含まれる半導体素子はこれ
に限定されず、あらゆる回路素子を用いることができる。例えば、TFTの他に、記憶素
子、ダイオード、光電変換素子、抵抗素子、コイル、容量素子、インダクタなどが代表的
に挙げられる。
を成膜する。ここでは金属膜501にタングステンを用い、膜厚を10nm〜200nm
、好ましくは50nm〜75nmとする。なお本実施例では第1の基板500上に直接金
属膜501を成膜するが、例えば酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の絶縁膜で第1の
基板500を覆ってから、金属膜501を成膜するようにしても良い。
、積層するように成膜する。ここでは酸化物膜502として酸化珪素膜を膜厚150nm
〜300nmとなるように成膜する。なお、スパッタ法を用いる場合、第1の基板500
の端面にも成膜が施される。そのため、後の工程における剥離の際に、酸化物膜502が
第1の基板500側に残ってしまうのを防ぐために、端面に成膜された金属膜501と酸
化物膜502とをO2アッシングなどで選択的に除去することが好ましい。
シャッターで遮断してプラズマを発生させる、プレスパッタを行なう。プレスパッタの条
件はArとO2の流量をそれぞれ10sccm、30sccmとし、第1の基板500の
温度を270℃、成膜パワーを3kWの条件でプラズマが安定するまで行う。続いて、ス
パッタにより、金属膜501と酸化物膜502の間に極薄い数nm(ここでは3nm)程
度の金属酸化膜503が形成される。金属酸化膜503は、金属膜501の表面が酸化す
ることで形成される。よって本実施例では、金属酸化膜503は酸化タングステンで形成
される。
に限定されない。例えば酸素、または酸素にAr等の不活性ガスを添加した雰囲気で、プ
ラズマにより意図的に金属膜501の表面を酸化し、金属酸化膜503を形成するように
しても良い。
では下地膜504として、酸化窒化珪素膜を膜厚100nm程度となるように成膜する。
そして下地膜504を成膜した後、大気に曝さずに半導体膜505を形成する。半導体膜
505の膜厚は25〜100nm(好ましくは30〜60nm)とする。なお半導体膜5
05は、非晶質半導体であっても良いし、微結晶半導体(セミアモルファス半導体)であ
っても良いし、多結晶半導体であっても良い。また半導体は珪素だけではなくシリコンゲ
ルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの
濃度は0.01〜4.5atomic%程度であることが好ましい。
熱炉を使用した熱結晶化方法、レーザ光を用いたレーザ結晶化法、赤外光を用いたランプ
アニール結晶化法がある。或いは特開平7−130652号公報で開示された技術に従っ
て、触媒元素を用いる結晶化法を用いることもできる。
、半導体膜のレーザに対する耐性を高めるために、500℃、1時間の熱アニールを半導
体膜505に対して行なう。本実施例では、この加熱処理によって、金属酸化膜503の
脆性が高められ、後の第1の基板500の剥離が行ない易くなる。結晶化により、金属酸
化膜503が粒界において割れやすくなり、脆性を高めることができる。本実施例の場合
、金属酸化膜503の結晶化は420℃〜550℃、0.5〜5時間程度の加熱処理が望
ましい。
光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、代表的には、Nd:Y
VO4レーザ(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)や第3高調波(355
nm)を用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のYVO4レーザから射出されたレ
ーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力10Wのレーザ光を得る。また非線
形光学素子を用いて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照
射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、半導体膜505に照射する。この
ときのエネルギー密度は0.01〜100MW/cm2程度(好ましくは0.1〜10M
W/cm2)が必要である。そして、走査速度を10〜2000cm/s程度とし、照射
する。
照射するようにしても良いし、連続発振の基本波のレーザ光とパルス発振の高調波のレー
ザ光とを照射するようにしても良い。
。これにより、レーザ光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度
のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。
められる。なお、なお予め多結晶半導体膜である半導体膜505を、スパッタ法、プラズ
マCVD法、熱CVD法などで形成するようにしても良い。
述のプロセスに進んでも良い。
、508を形成し、該島状の半導体膜507、508を用いてTFTに代表される各種の
半導体素子を形成する。なお本実施例では、下地膜504と島状の半導体膜507、50
8とが接しているが、半導体素子によっては、下地膜504と島状の半導体膜507、5
08との間に、電極や絶縁膜等が形成されていても良い。例えば半導体素子の1つである
ボトムゲート型のTFTの場合、下地膜504と島状の半導体膜507、508との間に
、ゲート電極とゲート絶縁膜が形成される。
、510を形成する(図9(C))。具体的には、島状の半導体膜507、508を覆う
ようにゲート絶縁膜511を成膜する。そして、ゲート絶縁膜511上に導電膜を成膜し
、パターニングすることで、ゲート電極512、513を形成する。そして、ゲート電極
512、513や、あるいはレジストを成膜しパターニングしたものをマスクとして用い
、島状の半導体膜507、508にn型を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイ
ン領域、さらにはLDD領域等を形成する。なおここではTFT509、510を共にn
型とするが、p型のTFTの場合は、p型の導電性を付与する不純物を添加する。
ート絶縁膜511及び第1の層間絶縁膜514にコンタクトホールを形成した後、コンタ
クトホールを介してTFT509、510と接続する配線515〜518を、第1の層間
絶縁膜514に接するように形成する。
膜519を成膜する(図10(A))。そして、第2の層間絶縁膜519にコンタクトホ
ールを形成した後、コンタクトホールを介して配線515、518と接続する配線520
、521と、端子として機能する配線522とを、第2の層間絶縁膜519に接するよう
に形成する。配線521の一部は、後に形成される液晶セルの画素電極としても機能する
。なお、第1の層間絶縁膜514、第2の層間絶縁膜519として、有機樹脂膜、無機絶
縁膜、シロキサン系材料を出発材料として形成されたSi−O結合とSi−CHx結合手
を含む絶縁膜等を用いることができる。シロキサン系材料を出発材料として形成された上
記絶縁膜は、金などの融点の高い材料を用いたワイヤが接触しても耐えうる程度に耐熱性
が高いので、ワイヤボンディング法に有利である。
配線521及びスペーサ523を覆って配向膜524を成膜し、ラビング処理を施す。
4を覆うように、第2の層間絶縁膜519上に保護層531を形成する。保護層531は
、後に第2の基板533を張り合わせたり剥離したりする際に、薄膜集積回路及び表示装
置を保護することができ、なおかつ第2の基板533の剥離後に除去することが可能な材
料を用いる。例えば、水またはアルコール類に可溶なエポキシ系、アクリレート系、シリ
コーン系の樹脂を全面に塗布することで保護層531を形成することができる。
0μmとなるように塗布し、仮硬化させるために2分間の露光を行ったあと、UV光を裏
面から2.5分、表面から10分、合計12.5分の露光を行って本硬化させて、保護層
531を形成する。
布または焼成時に一部溶解したり、密着性が高くなりすぎたりする恐れがある。従って、
第2の層間絶縁膜519と保護層531を共に同じ溶媒に可溶な有機樹脂を用いる場合、
後の工程において保護層531の除去がスムーズに行なわれるように、第2の層間絶縁膜
519を覆うように、無機絶縁膜(SiNX膜、SiNXOY膜、AlNX膜、またはAlN
XOY膜)を形成しておくことが好ましい。
属膜501の間の密着性を部分的に低下させ、剥離開始のきっかけとなる部分を形成する
処理を行なう。具体的には、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力
を加えて金属酸化膜503の層内または界面近傍の一部に損傷を与える。本実施例では、
ダイヤモンドペンなどの硬い針を金属酸化膜503の端部近傍に垂直に押しつけ、そのま
ま荷重をかけた状態で金属酸化膜503に沿って動かす。好ましくは、スクライバー装置
を用い、押し込み量を0.1mm〜2mmとし、圧力をかけて動かせばよい。このように
、剥離を行なう前に、剥離が開始されるきっかけとなるような、密着性の低下した部分を
形成することで、後の剥離工程における不良を低減させることができ、歩留まり向上につ
ながる。
に両面テープ534を用い、第1の基板500に第3の基板535を貼り付ける。なお両
面テープではなく接着剤を用いてもよい。例えば紫外線によって剥離する接着剤を用いる
ことで、第2の基板533剥離の際に半導体素子にかかる負担を軽減させることができる
。第3の基板535は、後の剥離工程で第1の基板500が破損することを防ぐために貼
り合わせる。第2の基板533および第3の基板535としては、第1の基板500より
も剛性の高い基板、例えば石英基板、半導体基板を用いることが好ましい。
工程において、金属酸化膜503の金属膜501または酸化物膜502に対する密着性が
部分的に低下した領域から開始する。
膜502と金属酸化膜503の間で分離する部分と、金属酸化膜503自体が双方に分離
する部分とが生じる。そして第2の基板533側に半導体素子(ここではTFT509、
510)が、第3の基板535側に第1の基板500及び金属膜501が、それぞれ張り
付いたまま分離する。引き剥がしは比較的小さな力(例えば、人間の手、ノズルから吹付
けられるガスの風圧、超音波等)で行なうことができる。剥離後の状態を図11(B)に
示す。
酸化物膜502とを接着する(図12(A))。この接着の際に、両面テープ532によ
る第2の基板533と保護層531との間の密着力よりも、接着剤539による酸化物膜
502とカード基板540との間の密着力の方が高くなるように、接着剤539の材料を
選択することが重要である。
光硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤が挙げられる。さらに好ましくは
、銀、ニッケル、アルミニウム、窒化アルミニウムからなる粉末、またはフィラーを含ま
せて接着剤539も高い熱伝導性を備えていることが好ましい。
との密着性が悪くなる場合があるので、完全にエッチング等で除去してから酸化物膜50
2をカード基板に接着させ、密着性を高めるようにしても良い。
3を順に、または同時に剥がし、保護層531を除去する。ここでは保護層531に水溶
性の樹脂が使われているので、水に溶かして除去する。保護層531が残留していると不
良の原因となる場合は、除去後の表面に洗浄処理やO2プラズマ処理を施し、残留してい
る保護層531の一部を除去することが好ましい。
うに、シール材550で囲まれた領域に液晶551を滴下する。そして別途形成しておい
た対向基板552を、シール材550を用いて貼り合わせる。シール材にはフィラーが混
入されていても良い。対向基板552の厚さは数百μm程度であり、透明導電膜からなる
対向電極553と、ラビング処理が施された配向膜554が形成されている。なおこれら
に加えて、カラーフィルタや、ディスクリネーションを防ぐための遮蔽膜などが形成され
ていても良い。また、偏光板555を、対向基板552の対向電極553が形成されてい
る面の逆の面に、貼り合わせておく。
晶551と配線521とが重なった部分が液晶セル556に相当する。液晶セル556が
完成したら、表示装置557が完成する。なお本実施例では薄膜集積回路558と対向基
板552とを重ねていないが、対向基板552と薄膜集積回路558とを重ねるようにし
ても良い。その場合、ICカードの機械的強度を高めるために、対向基板と薄膜集積回路
との間に絶縁性を有する樹脂を充填させるようにしても良い。
これに限定されない。対向基板を貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を封入するデ
ィップ式(汲み上げ式)を用いていても良い。
貼り合わせたり、樹脂で封止したりし、ICカードを完成させる。なお、ICチップとの
間の接続は、配線522を介して行なうことができる。
エステル、アクリル酸、ポリ酢酸ビニル、プロピレン、塩化ビニル、アクリロニトリルブ
タジエンスチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート等の高分子材料を用いることが可能
である。なお封止の際、表示装置の画素部が露出するようにし、なおかつ接触型のICカ
ードの場合は、画素部に加えて接続端子も露出するようにする。封止によって、図1(A
)または図2(A)に示したような外観を有するICカードを形成することができる。
示装置から発生した熱を放熱したり、ICカードの外部からの隣接する回路からの電磁ノ
イズを遮ったりすることができる。
とができる。プラスチック基板としては、極性基のついたノルボルネン樹脂からなるAR
TON:JSR製を用いることができる。また、ポリエチレンテレフタレート(PET)
、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボ
ネート(PC)、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(
PSF)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテ
レフタレート(PBT)、ポリイミドなどのプラスチック基板を用いることができる。カ
ード基板540は薄膜集積回路や表示装置において発生した熱を拡散させるために、2〜
30W/mK程度の高い熱伝導率を有するのが望ましい。
金属膜はこの材料に限定されない。その表面に金属酸化膜503が形成され、該金属酸化
膜503を結晶化することで基板を引き剥がすことができるような金属を含む材料であれ
ば良い。例えば、TiN、WN、Mo等を用いることができる。またこれらの合金を金属
膜として用いる場合、その組成比によって結晶化の際の加熱処理の最適な温度が異なる。
よって組成比を調整することで、半導体素子の作製工程にとって妨げとならない温度で加
熱処理を行なうことができ、半導体素子のプロセスの選択肢が制限されにくい。
して垂直な方向における幅に収まる領域に形成することで、薄膜集積回路が、ビームスポ
ットの長軸の両端に形成される結晶性の劣った領域(エッジ)を横切るのを防ぎ、少なく
とも結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜を、薄膜集積回路内の半導体素子に用いるこ
とができる。
の飛躍的に薄い薄膜集積回路を形成することができる。また表示装置の厚さを0.5mm
、より望ましくは0.3mm程度とすることができる。よって、表示装置を薄さ0.5m
m以上1.5mm以下のICカードに搭載することが可能である。なお薄膜集積回路の厚
さには、半導体素子自体の厚さのみならず、金属酸化膜と半導体素子との間に設けた絶縁
膜の厚さと、半導体素子を形成した後に覆う層間絶縁膜の厚さとを含める。
あれば透過型であってもよい。反射型の液晶表示装置の場合、画像の表示を行なうために
消費される電力を透過型よりも抑えることができる。透過型の液晶表示装置の場合、反射
型と異なり暗いところでの画像の認識が容易になる。
ことが必要である。よって、証明写真の代わりに用いるのならば、少なくともQVGA(
320×240)程度の解像度が必要であると考えられる。
、例えばROMに画像データを記憶させる前のICカードが、盗難等により第三者に不正
に渡ったとしても、シリアルナンバーからその流通のルートをある程度割り出すことが可
能である。この場合、復元不可能な程度に表示装置を分解しないと消せないような位置に
、シリアルナンバーを刻印しておくとより効果的である。
A)に、大型のカード基板601上に複数のICカードに対応した表示装置、アンテナコ
イル、薄膜集積回路が形成されている様子を示す。図14(A)は、保護層を除去した後
、樹脂を用いてカバー材を貼り付ける前の状態に相当する。破線で囲んだ領域602が、
1つのICカードに対応している。なお表示装置として液晶表示装置を用いる場合、液晶
の注入はディスペンサ式でもディップ式でも良いが、図14(A)に示すように、ディッ
プ式で用いる液晶の注入口がカード基板の端部にくるように配置できない場合は、ディス
ペンサ式を用いる。
。
回路、表示装置及びアンテナコイルを覆うように、樹脂603を塗布する。なお図14(
B)では、各ICカードに対応するように、透光性を有する樹脂603を塗布する領域が
互いに分離しているが、全面に塗布するようにしても良い。また樹脂603が透光性に乏
しい場合、表示装置と重なる部分を避けて、樹脂603を塗布する。
口部を有している。
ってダイシングを行ない、ICカードを互いに切り離す。この状態で完成としても良いが
、この後封止材で封止して完成としても良い。なおレーザ光を用いてダイシングを行なっ
ても良い。
転写を行なう場合において、用いるのに最適な液晶の材料について説明する。
は、画素に柱状のスペーサ1401が設けられており、該柱状のスペーサ1401によっ
て対向基板1402と素子側の基板1403との間の密着性を高めている。これにより、
第1の基板の剥離の際にシール材と重なる領域以外の半導体素子が第1の基板側に残留し
てしまうのを防ぐことができる。
が高分子樹脂中に含有されたPDLC(ポリマー分散型液晶)を用いた液晶表示装置の断
面図を示す。PDLC1404を用いることで、対向基板1402と素子側の基板140
3との間の密着性が高められ、第1の基板の剥離の際にシール材と重なる領域以外の半導
体素子が第1の基板側に残留してしまうのを防ぐことができる。
い。例えば、PSFLC(高分子安定化強誘電性液晶)を用いても良い。この場合、PS
FLCを形成するためのモノマーを注入した後、紫外線を照射することで該モノマーを重
合させ、PSFLCを形成する。PSFLCは、対向基板と素子側の基板との間の密着性
を高めることができるので、第1の基板の剥離の際にシール材と重なる領域以外の半導体
素子が第1の基板側に残留してしまうのを防ぐことができる。
。
6001上にトランジスタ6002が形成されている。またトランジスタ6002は、第
1の層間絶縁膜6006で覆われており、第1の層間絶縁膜6006上には第2の層間絶
縁膜6007と、第3の層間絶縁膜6008とが積層されている。
窒化珪素または酸化窒化珪素膜を単層でまたは積層して用いることができる。また酸素よ
りも窒素のモル比率が高い酸化窒化珪素膜上に、窒素よりも酸素のモル比率が高い酸化窒
化珪素膜を積層した膜を第1の層間絶縁膜6006として用いても良い。
2時間の熱処理)を行なうと、第1の層間絶縁膜6006に含まれる水素により、活性層
6003に含まれる半導体のダングリングボンドを終端する(水素化)ことができる。
材料として形成されたSi−O結合とSi−CHx結合手を含む絶縁膜等を用いることが
できる。本実施例では非感光性のアクリルを用いる。第3の層間絶縁膜6008は、水分
や酸素などの発光素子の劣化を促進させる原因となる物質を、他の絶縁膜と比較して透過
させにくい膜を用いる。代表的には、例えばDLC膜、窒化炭素膜、RFスパッタ法で形
成された窒化珪素膜等を用いるのが望ましい。
として膜厚20nmのCuPc、正孔輸送層6012として膜厚40nmのα−NPD、
発光層6013としてDMQdが添加された膜厚37.5nmのAlq3、電子輸送層6
014として膜厚37.5nmのAlq3、電子注入層6015として膜厚1nmのCa
F2、10〜30nmの膜厚を有するAlで形成された陰極6016が順に積層されてい
る。図16では、陽極6010として光を透過しない材料を用い、なおかつ陰極6016
の膜厚を10〜30nmとして光を透過させることで、発光素子6019から発せられる
光が陰極6016側から得られるようにした。なお陰極6016側から光をえるためには
、膜厚を薄くする方法の他に、Liを添加することで仕事関数が小さくなったITOを用
いる方法もある。
スタであり、発光素子6019と直接、または他の回路素子を介して直列に接続されてい
る。
6008上には隔壁6018が形成されている。隔壁6018として、有機樹脂膜、無機
絶縁膜、シロキサン系材料を出発材料として形成されたSi−O結合とSi−CHx結合
手を含む絶縁膜等を用いることができる。隔壁6018は開口部6017を有しており、
該開口部において陽極6010、正孔注入層6011、正孔輸送層6012、発光層60
13、電子輸送層6014、電子注入層6015、陰極6016が重なり合うことで発光
素子6019が形成されている。
層間絶縁膜6008と同様に、水分や酸素などの発光素子の劣化を促進させる原因となる
物質を、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的には、例えばDLC膜
、窒化炭素膜、RFスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるのが望ましい。また上
述した水分や酸素などの物質を透過させにくい膜と、該膜に比べて水分や酸素などの物質
を透過させやすい膜とを積層させて、保護膜として用いることも可能である。
11、正孔輸送層6012、発光層6013、電子輸送層6014、電子注入層6015
に穴があかないように、丸みを帯びさせることが望ましい。具体的には、開口部における
有機樹脂膜の断面が描いている曲線の曲率半径が、0.2〜2μm程度であることが望ま
しい。
013、電子輸送層6014、電子注入層6015、陰極6016のカバレッジを良好と
することができ、陽極6010と陰極6016がショートするのを防ぐことができる。ま
た上記各層の応力を緩和させることで、発光領域が減少するシュリンクとよばれる不良を
低減させることができ、信頼性を高めることができる。
脱ガスの少ない保護フィルム(ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)や透光
性の封止用基板でパッケージング(封入)することが好ましい。その際、第2の基板剥離
の工程において封止用基板が剥がれてしまうのを防ぐために、樹脂を封入して封止用基板
の密着性を高めるようにする。
は、発光素子6019から発せられる光が、矢印で示すようにカバー材側に照射されるこ
とになる。なお本発明はこれに限定されず、発光素子から発せられる光がカード基板側に
向いていても良い。この場合、画素部に表示される画像はカード基板側から見ることにな
る。
されない。
説明する。図17に本実施例のICカードの上面図を示す、図17に示すICカードは、
1700がカード本体に相当し、ICチップ1701と薄膜集積回路1702が内蔵され
ている。薄膜集積回路1702は表示装置が含まれており、該表示装置の画素部1703
によって、ICカードの外部から入力された文字などの情報を表示することができる。
あっても良い。接触型の場合は、リーダライタが備えられた端末装置の規格に合わせて、
ICカードのサイズを定める。非接触型の場合は、必ずしも端末装置の規格に合わせる必
要はない。
信によって非接触型のICカード内で消費される電力を抑えることができる。また文字な
どのテキストデータは静止画で表示することができるので、表示に用いられる消費電力を
抑えることができる。
102 画素部
103 カード基板
104 薄膜集積回路
105 表示装置
106 ICチップ
107 薄膜部
108 配線
109 アンテナコイル
201 カード本体
202 画素部
203 接続端子
204 カード基板
205 薄膜集積回路
206 表示装置
207 薄膜部
208 プリント配線基板
209 コンタクトホール
210 端子
211 ICチップ
212 端子
213 配線
214 モールド
215 異方性導電性樹脂
301 薄膜集積回路
302 配線
303 カード基板
304 端子
305 異方性導電樹脂
306 接着層
311 薄膜集積回路
312 配線
313 カード基板
314 端子
315 ワイヤ
316 接着層
400 入力用アンテナコイル
401 出力用アンテナコイル
402 入力用インターフェース
403 出力用インターフェース
404 CPU
405 ROM
406 RAM
407 EEPROM
408 コプロセッサ
409 コントローラ
410 表示装置
411 画素部
412 走査線駆動回路
413 信号線駆動回路
420 整流回路
421 復調回路
423 変調回路
424 アンプ
425 ICチップ
426 薄膜集積回路
427 薄膜部
430 接続端子
431 インターフェース
434 CPU
435 ROM
436 RAM
437 EEPROM
438 コプロセッサ
439 コントローラ
440 表示装置
441 画素部
442 走査線駆動回路
443 信号線駆動回路
445 ICチップ
446 薄膜集積回路
447 薄膜部
1502 太陽電池
801 カード基板
802 ICチップ
803 凹部
804 アンテナコイル
805 薄膜部
806 薄膜集積回路
807 表示装置
808 配線
810 カバー材
811 接着剤
812 開口部
814 カバー材
815 薄膜部
816 薄膜集積回路
817 表示装置
818 凹部
819 カード基板
820 凹部
821 ICチップ
854 カバー材
855 薄膜部
856 薄膜集積回路
857 表示装置
858 開口部
859 カード基板
860 凹部
861 ICチップ
862 凹部
831 カード基板
832 ICチップ
833 凹部
836 薄膜集積回路
837 表示装置
838 配線
840 カバー材
841 接着剤
842 開口部
843 プリント配線基板
844 接続端子
500 基板
501 金属膜
502 酸化物膜
503 金属酸化膜
504 下地膜
505 半導体膜
507 半導体膜
508 半導体膜
509 TFT
511 ゲート絶縁膜
512 ゲート電極
513 ゲート電極
514 層間絶縁膜
515 配線
516 配線
517 配線
518 配線
519 層間絶縁膜
520 配線
521 配線
522 配線
523 スペーサ
524 配向膜
531 保護層
532 両面テープ
533 基板
534 両面テープ
535 基板
539 接着剤
540 カード基板
550 シール材
551 液晶
552 対向基板
553 対向電極
554 配向膜
555 偏光板
556 液晶セル
557 表示装置
558 薄膜集積回路
601 カード基板
602 破線で囲んだ領域
603 樹脂
604 カバー材
605 破線
606 ICチップ
1401 スペーサ
1402 対向基板
1403 基板
1404 PDLC
6000 カード基板
6001 下地膜
6002 トランジスタ
6003 活性層
6006 層間絶縁膜
6007 層間絶縁膜
6008 層間絶縁膜
6019 発光素子
6010 陽極
6011 正孔注入層
6012 正孔輸送層
6013 発光層
6014 電子輸送層
6015 電子注入層
6016 陰極
6017 開口部
6018 隔壁
6020 保護膜
1701 ICチップ
1702 薄膜集積回路
1703 画素部
Claims (9)
- カード基板と、前記カード基板に実装されたICチップと、前記カード基板に貼り合わされた薄膜部と、を有し、
前記薄膜部は、第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタと、前記第1の薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の配線と、前記第1の配線と同じ層に設けられた第2の配線と、を有し、
前記第1の配線は、画素電極としての機能を有し、
前記第2の配線は、端子としての機能を有し、
前記薄膜部は、前記第2の配線を介して前記ICチップと電気的に接続されることを特徴とするICカード。 - カード基板と、前記カード基板に実装されたICチップと、前記カード基板に貼り合わされた薄膜部と、を有し、
前記薄膜部は、
第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタを覆うように形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上に形成され、且つ前記第1の層間絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールを介して前記第1の薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の配線と、
前記第1層間絶縁膜上に形成され、且つ前記第1の層間絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールを介して前記第2の薄膜トランジスタと電気的に接続された第2の配線と、
前記第1の配線及び前記第2の配線を覆うように、前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成され、且つ前記第2の層間絶縁膜に形成された第3のコンタクトホールを介して前記第1の配線と電気的に接続された第3の配線と、
前記第2の層間絶縁膜上に形成された第4の配線と、
を有し、
前記第3の配線は、画素電極としての機能を有し、
前記第4の配線は、端子としての機能を有し、
前記薄膜部は、前記第4の配線を介して前記ICチップと電気的に接続されることを特徴とするICカード。 - 請求項1又は請求項2のいずれか一項において、
前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタの半導体層は、非晶質半導体、微結晶半導体又は多結晶半導体であることを特徴とするICカード。 - カード基板と、前記カード基板に実装されたICチップと、前記カード基板に貼り合わされた薄膜部と、を有し、
前記ICチップは、前記カード基板に形成された配線と電気的に接続され、
前記薄膜部を構成するトランジスタは、薄膜トランジスタであり、
前記薄膜部における信号または電源電圧の入出力を行うための端子は、前記配線と異方性導電樹脂を介して電気的に接続されることを特徴とするICカード。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記ICチップは、アナログ回路及び高周波回路を有し、
前記薄膜部は、デジタル回路を有することを特徴とするICカード。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記ICチップは、インターフェースを有し、
前記薄膜部は、メモリ、コプロセッサ、コントローラ及びCPUを有することを特徴とするICカード。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
プリント基板を有し、
前記プリント基板の一方の面に第1の端子が形成され、
前記プリント基板の他方の面に第2の端子が形成され、
前記第1の端子と前記第2の端子とは、前記プリント基板に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続され、
前記第2の端子は、前記ICチップと電気的に接続されていることを特徴とするICカード。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のICカードの膜厚が0.5mm以上1.5mm以下であることを特徴とするICカード。
- カード基板と、前記カード基板に実装されたICチップと、前記カード基板に貼り合わされた薄膜部と、を有するICカードの作製方法であって、
第1の基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜を酸化して金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に絶縁膜及び半導体膜を順に形成し、
前記半導体膜を用いて第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタを形成し、
前記第1の薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の配線と、前記第1の配線と同層である第2の配線とを形成し、
前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタを挟むように前記第1の基板に第2の基板を貼り合わせ、
前記第2の基板側に前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタが貼り付くように、前記金属膜及び前記第1の基板を前記第2の基板から引き剥がし、
前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタが張り付いた前記第2の基板を前記カード基板に接着剤を用いて貼り合わせることで、前記薄膜部を前記カード基板に貼り合わせ、
前記薄膜部を前記第2の配線を介して前記ICチップと電気的に接続することを特徴とするICカードの作製方法。
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