CN104915707B - 半导体存储装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储器、控制器、无线天线和基板。控制器与第1外部装置进行通信而对存储器进行控制。无线天线包括第1图形。接口端子可以与第2外部装置电连接。基板具备接口端子。存储器与控制器配置于基板的第1区域。无线天线包围第1区域。第1图形的投影与接口端子重叠。

Description

半导体存储装置
本申请要求以美国临时专利申请61/950，554号(申请日：2014年3月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部的内容。
技术领域
实施方式涉及具备无线天线的半导体存储装置。
背景技术
作半导体存储装置之一例而存在存储卡等，作为存储卡之一例而存在SD卡。
在近年来，具备无线通信功能的半导体存储装置产品化。应用于半导体存储装置的无线通信技术多种多样，例如，存在采用13.56MHz的频率的近距离无线通信(NFC：NearField Communication)等。
半导体存储装置在安装NFC技术的情况下，用于通过电磁感应在无线天线使电流感应，将无线天线形成为线圈状，若换言之则螺旋状或旋涡状。线圈状的无线天线一般地，例如形成于多氯联苯(PCB)等的基板上。
用于使NFC的通信特性提高，重要的是增大线圈状的无线天线的内区域的面积，并增大内区域的磁通密度。另一方面，在无线天线的图形的配置(引绕)的确定，也必需考虑安装部件、信号线、电源线等其他的构成要素的配置。
发明内容
本发明的实施方式提供可以增大无线天线的内区域的面积而使通信特性提高的半导体存储装置。
根据实施方式，半导体存储装置具备存储器、控制器、无线天线和基板。控制器与第1外部装置进行通信而对存储器进行控制。无线天线包括第1图形。接口端子可以与第2外部装置电连接。基板具备接口端子。存储器与控制器配置于基板的第1区域。无线天线包围第1区域。第1图形的投影与接口端子重叠。
附图说明
图1是对第1实施方式涉及的半导体存储装置的第1平面的配置状态进行例示的俯视图。
图2是对第1实施方式涉及的半导体存储装置的第2平面的配置状态进行例示的俯视图。
图3是对线圈状的无线天线的比较例涉及的图形进行例示的俯视图。
图4是对第2实施方式涉及的半导体存储装置的第1平面的配置状态进行例示的俯视图。
图5是对第2实施方式涉及的半导体存储装置的第2平面的配置状态进行例示的俯视图。
图6是对第3实施方式涉及的半导体存储装置的第1平面的配置状态进行例示的俯视图。
图7是对第3实施方式涉及的半导体存储装置的第2平面的配置状态进行例示的俯视图。
具体实施方式
以下，参照图面关于实施方式进行说明。在以下的说明中，关于基本相同的功能及构成要素，附加同一符号，重复说明仅在必要的情况下进行。
(第1实施方式)
在本实施方式中，关于具备无线通信功能的半导体存储装置进行说明。作为半导体存储装置，例如可以应用存储卡(SD存储卡或多媒体卡等)、USB存储器等各种方式。还有，与本实施方式涉及的半导体存储装置相同的构成例如也可以应用于如便携电话等的无线通信装置。半导体存储装置用作包括半导体芯片的装置或系统的总称。在以下，半导体存储装置以存储卡的情况为例而进行说明。
虽然在本实施方式中，作为无线通信功能对采用NFC的一例进行说明，但是并非限定于该情况，例如也可以为通过由无线天线的电磁感应而产生的电力进行通信的其他的短距离无线通信。
图1是对本实施方式涉及的半导体存储装置的第1平面的配置状态进行例示的俯视图。第1平面为安装面。
图2是对本实施方式涉及的半导体存储装置的第2平面的配置状态进行例示的俯视图。在图2中，用于容易把握与图1的平面的关系，以虚线表示从图1的第1平面侧看到的背面侧的配置状态。
半导体存储装置1具备基板2、接口端子3、线圈状的无线天线4、通信控制器5、非易失性半导体存储器6、存储器控制器7、电容8。
通信控制器5具备存储部9和电压检测部10。
还有，也可以为通信控制器5与存储部9相分离的构成。通信控制器5与存储器控制器7也可以在1个控制器安装。
半导体存储装置1具备基于从电连接的主机装置13供给的电力写入及读出来自主机装置13的数据Db的功能。
并且，半导体存储装置1即使不与主机装置13及无线通信主机装置16等的其他的装置电连接，不从其他的装置供给电力，基于通过线圈状天线4的电磁感应产生(感应)的电力，也具备与无线通信主机装置16接收发送数据Da的功能。即，半导体存储装置1例如以13.56MHZ等的频率进行按照NFC的通信，相对于无线通信主机装置16发送或接收数据Da。从而，半导体存储装置1即使不从主机装置13接受电力的供给也可以工作。
半导体存储装置1虽然例如按照SD接口与主机装置13接收发送数据Db，但是也可以采用其他的接口。并且，半导体存储装置1虽然例如按照NFC接口与无线通信主机装置3接收发送数据，但是也可以采用其他的无线通信接口。
虽然在本实施方式中，主机装置13与无线通信主机装置16为不同构成，但是也可以为同一构成。
基板2具备安装面11与端子面12。安装面11与端子面12分别包括外框区域14和通过该外框区域14包围的内区域17。安装面11与端子面12基本平行。虽然在本实施方式中，以基板2为1块且2层的平面构成的情况为例而进行说明，但是也可以为3层以上的平面构成。具备于安装面11及端子面12的构成要素也可以相应于需要而配置于其他的平面。基板2例如为PCB基板。
接口端子3形成于基板2的端子面12的一端侧。更具体地，接口端子3在端子面12中，沿着基板2的短边而形成。接口端子3例如为标准化的端子，确保相对于主机装置13的电连接。在半导体存储装置1为SD卡的情况下，接口端子3为SD接口端子。
线圈状的无线天线4形成于基板2的外框区域14。无线天线4的部分图形4a的投影与接口端子3重叠。在本实施方式中，无线天线4的主要部形成于安装面11的外框区域14。无线天线4的旁路部4b形成于端子面12。
无线天线4形成于基板2的外框区域14，包括在基板2的厚度方向与接口端子3重叠并形成于安装面11的部分图形4a。若换言之，则无线天线4的部分图形4a在与安装面11及端子面12垂直的方向形成于介由基板2与接口端子3重叠的区域15。
无线天线4若接收从无线通信主机装置16发送的电波，则通过电磁感应产生电流或电压，并将产生的电力供给于通信控制器5。
在本实施方式中，无线天线4按对应于NFC的预定的频率或频带而设定。通过无线天线4的部分图形4a在厚度方向中介由基板2与接口端子3重叠偏移的频率或频带通过电容8而调整。
无线天线4接受来自无线通信主机装置16的数据Da，送到通信控制器5。而且，无线天线4将来自通信控制器5的数据Da送到无线通信主机装置16。无线天线4例如为PCB图形天线。
通信控制器5对采用相对于无线通信主机装置16的无线天线4的NFC进行控制。通信控制器5基于在无线天线4的基于来自无线通信主机装置16的电波电磁感应而产生的电力可以工作。在本实施方式中，通信控制器5具备于以安装面11的外框区域14包围的内区域17。但是，通信控制器5也可以具备于端子面12等的其他的平面的内区域17。也可以通信控制器5的一部分具备于安装面11的内区域17，而通信控制器5的其他的部分具备于端子面12的内区域17。
通信控制器5接受以基于来自无线通信主机装置16的电波而在无线天线4产生的电流或电压表示的信号或数据，相应于信号或数据而进行工作。例如，通信控制器5从无线通信主机装置16经由无线天线4以对应于NFC的预定的频率接受数据Da，将数据Da写入于存储部9。并且，通信控制器5读出写入于存储部9的数据Da，并将数据Da经由无线天线4，送向无线通信主机装置16。
更具体地，通信控制器5若经由无线天线4接收对应于NFC的预定频率的信号，则可以通过NFC进行通信。
通信控制器5在相对于非易失性半导体存储器6的写入时，将从主机装置13经由接口端子3接收的数据Db送向存储器控制器7。
并且，通信控制器5在相对于非易失性半导体存储器6的读出时，将从存储器控制器7接收的数据Db经由接口端子3送向主机装置13。
通信控制器5例如在通过半导体存储装置1电连接于主机装置13等而电力充足的情况下，也可以将从无线通信主机装置16经由无线天线4通过NFC接收的数据，经由存储器控制器7，写入于非易失性半导体存储器6。
通信控制器5在电力充足的情况下，也可以将写入于非易失性半导体存储器6的数据Db经由存储器控制器7读出，生成数据Da，并将数据Da写入于存储部9。
通信控制器5在电力充足的情况下，也可以将写入于非易失性半导体存储器6的数据Db的一部分或全部经由存储器控制器7读出，并将读出的数据经由无线天线4发送于无线通信主机装置16。
存储部9为可以基于在无线天线4产生的电力而工作的低电力消耗的存储器。例如，存储部9为非易失性存储器。存储部9按照通过通信控制器5或存储器控制器7进行的控制而存储数据Da。还有，存储部9中的数据Da的保存也可以是暂时的。作为存储部9，虽然可用例如EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，但是与非易失性半导体存储器6同样地能够采用各种的存储器。
如所述地，通信控制器5及存储部9可以基于通过无线通信主机装置16感应于无线天线4的电力而工作。因此，优选：通信控制器5及存储部9以比存储器控制器7及非易失性半导体存储器6低的电力可以驱动。但是，通信控制器5及存储部9在半导体存储装置1从主机装置13供给电力的情况下，也可以基于从主机装置13供给的电力而工作。
电压检测器10对从无线天线4供给于通信控制器5的电压进行监视，并直到预定的电压为止持续输出通过NFC产生的通信的复位信号。由此，能够防止通过NFC产生的通信的异常启动、工作。
非易失性半导体存储器6虽然为例如NAND型闪速存储器，但是也可以为NOR型闪速存储器、MRAM(Magnetoresistive Random access memory:磁阻存储器)、PRAM(Phasechange Random access memory:相变存储器)、ReRAM(Resistive Random access memory:电阻变化型存储器)、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)等其他的非易失性半导体存储器。
存储器控制器7对数据Db向非易失性半导体存储器6的写入及读出进行控制。存储器控制器7与所述的通信控制器5同样地，既可以具备于安装面11的内区域17，也可以具备于端子面12的内区域17，还可以具备于安装面11的内区域17与端子面12的内区域17的双方。更具体地，存储器控制器7从主机装置13，经由接口端子3、通信控制器5接受数据Db，将数据Db写入于非易失性半导体存储器6。存储器控制器7从非易失性半导体存储器6读出数据Db，并将数据Db经由通信控制器5、接口端子3送向主机装置13。
存储器控制器7在半导体存储装置1通过电连接于主机装置13等而电力充足的情况下，也可以将从无线通信主机装置16经由无线天线4及通信控制器5接受的数据写入于非易失性半导体存储器6。存储器控制器7在电力充足的情况下，也可以将从非易失性半导体存储器6读出的数据经由通信控制器5及无线天线4向无线通信主机装置16发送。
非易失性半导体存储器6及存储器控制器7基于从主机装置13供给的电力而工作。
电容8对产生于线圈状天线4的电流或电压的频率进行调整。更具体地，电容8对通过无线天线4的部分图形4a与接口端子3介由基板2重叠于厚度方向而产生的NFC的频率的偏移进行调整。
数据Da例如既可以是按照NFC接口在无线通信主机装置16与半导体存储装置1之间发送及接收的数据，也可以是写入于非易失性半导体存储器6的数据Db的特征数据，也可以是从无线通信主机装置16经由无线天线4由通信控制器5接收的特征数据，也可以是关于非易失性半导体存储器6的特征数据，也可以是关于半导体存储装置1的特征数据。若进一步具体地进行说明，则数据Da例如也可以为写入于非易失性半导体存储器6的图像数据之中的一部分(例如最初或最后)的数据、缩略图数据、写入于非易失性半导体存储器6的数据Db的管理信息、非易失性半导体存储器6的存储容量、非易失性半导体存储器6的剩余容量、写入于非易失性半导体存储器6的文件的名称、数据Db的生成时间、数据Db在图像数据的情况下拍摄时间数据、写入于非易失性半导体存储器6的文件数等。
在本实施方式中，来自主机装置13的写入指示及数据首先由通信控制器5接收，然后由存储器控制器7接收。这是因为，首先，通信控制器5对是否从主机装置13接收到或从无线通信主机装置16接收到写入指示及数据进行判断，并相应于该判断结果而切换工作。
在以下，关于比较例涉及的线圈状的无线天线的图形与本实施方式涉及的无线天线4的图形的不同点进行说明。
图3是对线圈状的无线天线的比较例涉及的图形进行例示的俯视图。在该图3中，关于无线天线18与基板2的其他的构成进行省略。
接口端子3因为以金属覆盖，所以存在对无线特性产生不利的影响的情况。因此，示于图3的无线天线18不形成于安装面11之中的在厚度方向与接口端子3重叠的区域15。
相对于此，例示于所述的图1及图2的本实施方式涉及的无线天线4在厚度方向中介由基板2与接口端子3重叠的区域15，积极地形成无线天线4的部分图形4a。由此，能够增大无线天线4的内区域17的面积。其结果，能够增多在NFC中通过内区域17的磁通。能够减小相对于内区域17的面积的该内区域17中的金属的面积的比例，能够使无线特性提高。通过无线天线4的部分图形4a与接口端子3重叠于厚度方向而产生的NFC的频率的偏移因为通过电容8而调整，所以能够适当地采用NFC。
如以上说明地，在本实施方式中，图形化无线天线4以使得内区域17变大。因此，能够对制造成本上升进行抑制，并确保充分的通信性能。
在本实施方式中，在不必对无线天线4的频率进行调整的情况下，也可以省略电容8。例如，在通信控制器5的内部具备电容的情况下，或以13.56Hz取得频率的调谐的情况下，能够将电容8进行省略。
(第2实施方式)
本实施方式关于所述第1实施方式的变形例进行说明。在本实施方式中，线圈状的无线天线形成于安装面11的外框区域14和端子面12的外框区域14之中的未形成接口端子3的区域。
图4是对第2实施方式涉及的半导体存储装置的第1平面的配置状态的俯视图。图4与安装面11的配置状态相当。
图5是例示第2实施方式的半导体存储装置的第2平面的配置状态进行例示的俯视图。在图5中，用于容易把握与图4的平面的关系，以虚线表示从图4的第1平面侧看到的背面侧的配置状态。
无线天线19具备多个部分图形。在本实施方式中，以无线天线19具备第1部分图形(也简单地称为部分图形)19a和第2部分图形(也简单地称为部分图形)19b的情况为例进行说明。还有，部分图形并非如本实施方式地限定为2个，无线天线19也可以具备3个以上的部分图形。
无线天线19的部分图形19a的投影与接口端子3重叠。无线天线19的部分图形19b的投影不与接口端子3重叠。部分图形19b形成于基板2的安装面11与端子面12。
无线天线19形成于外框区域14。无线天线19的部分图形19a形成于在厚度方向介由基板2与接口端子3重叠的区域15。
在本实施方式中，无线天线19的部分图形19b也形成于端子面12的外框区域14之中的未形成接口端子3的区域20。端子面12侧的部分图形19b直到接口端子3的附近为止而形成，通过通孔向安装面11侧引出。
在本实施方式中，无线天线19在厚度方向与接口端子3重叠的区域15中，形成于安装面11侧。在厚度方向不与接口端子3重叠的区域中，无线天线19形成于安装面11及端子面12的双方。若换言之，则无线天线19包括基板2的表背2层的天线配置和单面(安装面11)的天线配置。
在以上说明的本实施方式中，能够一边保持与所述的第1实施方式相同的匝数(电感)，一边使无线天线19的内区域17的面积进一步增大。若进一步详细地进行说明，则本实施方式中，因为无线天线19分散于多个平面，所以能够减小相对于1个平面形成的无线天线19的形成面积，能够进一步增大无线天线19的内区域17的面积。
(第3实施方式)
本实施方式关于所述第2实施方式的变形例进行说明。在本实施方式中，在端子面12的外框区域14之中的电镀引出线的布线区域，不形成无线天线。
图6是对第3实施方式涉及的半导体存储装置的第1平面的配置状态进行例示的俯视图。图6相当于安装面11的配置状态。
图7是对第3实施方式涉及的半导体存储装置的第2平面的配置状态进行例示的俯视图。在图7中，用于容易把握与图6的平面的关系，以虚线表示从图6的第1平面侧看到的背面侧的配置状态。
在接口端子3等的安装部件的端子，在制造过程中，实施金属电镀处理。虽然在本实施方式中，作为金属电镀处理之一例对采用电场镀金处理的情况进行说明，但是在用并非金的其他的金属进行电场电镀处理的情况下也同样。
在半导体存储装置的制造应用例如电场镀金的情况下，用于使外部电流通电于接口端子3，必需将引出线连接于电镀位置。
在本实施方式中，在端子面12的外框区域14之中，形成用于形成接口端子3的电镀引出线的布线区域21。还有，在本实施方式中，在接口端子3的形成位置的附近，在端子面12的左右形成电镀引出线的布线区域21。但是，电镀引出线的布线区域21的形成位置可以自由地变更。例如，也可以在端子面12的左右之中的任一方，形成电镀引出线的布线区域21。
无线天线22的部分图形22a的投影与接口端子3及布线区域21重叠。无线天线22的部分图形22b的投影不与接口端子3及布线区域21重叠。部分图形22b形成于基板2的安装面11与端子面12。
在本实施方式中，无线天线22形成于安装面11中的外框区域14。而且，无线天线22形成于除了端子面12的外框区域14之中的接口端子3的形成区域和用于形成接口端子3的电镀引出线的布线区域21以外的区域23。
如以上说明地，在本实施方式中，能够增大无线天线22的内区域17的面积，能够使通信特性提高。而且，爱本实施方式中，容易对电镀引出线进行布线，能够容易地实施电场镀金处理。电场镀金处理比无电场电镀处理能够降低制造成本。
存储卡例如包括NAND型闪速存储器。NAND型闪速存储器包括存储单元阵列。
还有，存储单元阵列的结构公开于美国专利申请第12/407，403号(2009年3月19日申请)、第12/406，524号(2009年3月18日申请)、第12/679，991号(2010年3月25日申请)、第12/532，030号(2009年3月23日申请)、第10/155，086号(2002年5月28日申请)等。在本申请中，引用这些美国专利申请的公开内容。
以下，进行NAND型闪速存储器的特性的例示。
(1)在NAND型闪速存储器的读出工作中，
施加于选择为A电平的读出工作的字线的电压例如为0V～0.55V之间。但是并非限定于此，该电压也可以为0.1V～0.24V、0.21V～0.31V、0.31V～0.4V、0.4V～0.5V、0.5V～0.55V的任一之间。
施加于选择为B电平的读出工作的字线的电压例如为1.5V～2.3V之间。但是并非限定于此，该电压也可以为1.65V～1.8V、1.8V～1.95V、1.95V～2.1V、2.1V～2.3V的任一之间。
施加于选择为C电平的读出工作的字线的电压例如为3.0V～4.0V之间。但是并非限定于此，该电压也可以为3.0V～3.2V、3.2V～3.4V、3.4V～3.5V、3.5V～3.6V、3.6V～4.0V的任一之间。
读出工作的时间(tR)例如也可以为25μs～28μs、38μs～70μs、70μs～80μs的任一之间。
(2)NAND型闪速存储器的写入工作如所述地，包括程序工作和检验工作。
在写入工作中，
在程序工作时最初施加于选择的字线的电压例如为13.7V～14.3V之间。但是并非限定于此，例如也可以为13.7V～14.0V、14.0V～14.6V的任一之间。
也可以改变写入第奇数条字线时的最初施加于选择的字线的电压和写入第偶数条字线时的最初施加于选择的字线的电压。
在程序工作为ISPP(Incremental Step Pulse Program)方式的情况下，递增的电压例如也可以为0.5V程度。
施加于非选择的字线的电压例如也可以为6.0V～7.3V之间。但是并非限定于此，该电压可以例如既可以为7.3V～8.4V之间，也可以为6.0V以下。
也可以按非选择的字线是第奇数条字线还是第偶数条字线，改变施加的通过电压。
写入工作的时间(tProg)例如也可以为1700μs～1800μs、1800μs～1900μs、1900μs～2000μs的任一之间。
(3)在NAND型闪速存储器的删除工作中，
最初施加于形成于半导体基板上部且所述存储单元配置于上方的阱区的电压例如为12V～13.6V之间。但是并非限定于此，该电压例如也可以为13.6V～14.8V、14.8V～19.0V、19.0V～19.8V、19.8V～21V的任一之间。
删除工作的时间(tErase)例如也可以为3000μs～40000μs、4000μs～5000μs、4000μs～9000μs的任一之间。
(4)NAND型闪速存储器的存储单元的结构，
半导体基板(例如硅基板)介由膜厚4～10nm的沟道绝缘膜而具备电荷蓄积层。电荷蓄积层也可以为膜厚2～3nm的SiN或SiON等的绝缘膜与膜厚3～8nm的多晶硅的叠层结构。也可以在多晶硅添加Ru等的金属。电荷蓄积层具备绝缘膜。绝缘膜例如具备夹持于膜厚3～10nm的下层High-k膜与膜厚3～10nm的上层High-k膜的膜厚4～10nm的硅氧化膜。High-k膜例如通过HfO等形成。硅氧化膜的膜厚也可以比High-k膜的膜厚要厚。在绝缘膜之上，介由膜厚3～10nm的功函数调整用的材料而形成膜厚30nm～70nm的控制电极。功函数调整用的材料也可以为TaO等的金属氧化膜、TaN等的金属氮化膜。控制电极也可以采用W等而形成。
也可以在存储单元间形成空气间隙。
虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但是这些实施方式提示为例，并非意图要对发明的范围进行限定。这些新的实施方式可以在其他的各种方式下实施，在不脱离发明的要旨的范围，能够以进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和/或其变形包括于发明的范围和/或要旨，并包括于与记载于权利要求的范围的发明及其等同的范围。

Claims (15)

1.一种半导体存储装置，具备：
接口端子，其可以与第1主机装置电连接，
基板，其具有第1主面和朝向与所述第1主面相反一侧的第2主面，是包括设置于所述第1主面的第1层和设置于所述第2主面并搭载所述接口端子的第2层的3层以上的构成，
非易失性存储器，其搭载于所述基板，基于从所述第1主机装置经由所述接口端子供给的电力而工作，
无线天线，其搭载于所述基板，基于来自不同于所述第1主机装置的第2主机装置的电波而产生电力，
存储部，其搭载于所述基板，可以基于在所述无线天线产生的电力而工作，和
第1控制器，其搭载于所述基板，可以基于在所述无线天线产生的电力而工作，
所述非易失性存储器、所述存储部与所述第1控制器配置于所述基板的第1区域，
所述无线天线包围所述第1区域，包括配置于所述第1层的第1图形和配置于所述第2层的第2图形，
所述第1图形的投影与所述接口端子重叠，
所述第2图形的投影不与所述接口端子重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
进一步具备第2控制器，所述第2控制器搭载于所述基板，基于从所述第1主机装置经由所述接口端子供给的电力而工作，控制所述非易失性存储器，
在从所述第1主机装置经由所述接口端子接收到第1数据的情况下，所述第2控制器将所述第1数据向所述非易失性存储器写入，
在与所述第1主机装置电连接的情况下，所述第1控制器将作为所述第1数据的特征数据的第2数据向所述存储部写入，
在没有与所述第1主机装置电连接的情况下，所述第1控制器，在从所述第2主机装置经由所述无线天线接收到对所述第2数据的读出指令时，从所述存储部读出所述第2数据，使用所述无线天线，将读出的所述第2数据向所述第2主机装置发送，
在与所述第1主机装置电连接，且从所述第2主机装置经由所述无线天线接收到对写入于所述非易失性存储器的第3数据的读出指令的情况下，所述第1控制器使用所述无线天线，将所述第3数据的一部分或者全部向所述第2主机装置发送。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
进一步具备通过所述电波的接收时的电磁感应对在所述无线天线产生的电流或电压的频率进行调整的电容。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，
所述电容对通过所述第1图形的所述投影与所述接口端子的重叠而产生的所述频率的偏移进行调整。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述无线天线为近距离无线通信用的天线即NFC用天线；
所述第1控制器以所述近距离无线通信的规格为基准，与所述第2主机装置进行通信。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述第1图形的所述投影与用于形成所述接口端子的电镀引出线的布线区域重叠。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，
所述第2图形的投影不与所述布线区域重叠。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述接口端子形成于所述基板的平面的一端侧。
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述第1控制器接受基于以来自所述第2主机装置的电波而在所述无线天线产生的电流或电压表示的信号，相应于所述信号进行工作。
10.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
进一步具备电连接于所述无线天线的电压检测器，所述第1控制器基于所述电压检测器的检测结果，使用所述无线天线发送读出的所述第2数据。
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，
所述电压检测器监视从所述无线天线向所述第1控制器供给的电压。
12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
在没有与所述第1主机装置电连接的情况下，所述第1控制器在从所述第2主机装置经由所述无线天线接收到指定了第4数据的写入指示时，将所述第4数据写入于所述存储部。
13.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述存储部内置于所述第1控制器。
14.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述无线天线配置于所述基板的外周区域。
15.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述半导体存储装置为存储卡。
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