JP2011101032A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011101032A5
JP2011101032A5 JP2010288297A JP2010288297A JP2011101032A5 JP 2011101032 A5 JP2011101032 A5 JP 2011101032A5 JP 2010288297 A JP2010288297 A JP 2010288297A JP 2010288297 A JP2010288297 A JP 2010288297A JP 2011101032 A5 JP2011101032 A5 JP 2011101032A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light receiving
concentration distribution
receiving element
diffusion concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010288297A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011101032A (ja
JP4771185B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010288297A priority Critical patent/JP4771185B2/ja
Priority claimed from JP2010288297A external-priority patent/JP4771185B2/ja
Publication of JP2011101032A publication Critical patent/JP2011101032A/ja
Publication of JP2011101032A5 publication Critical patent/JP2011101032A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4771185B2 publication Critical patent/JP4771185B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010288297A 2008-02-01 2010-12-24 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法 Active JP4771185B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010288297A JP4771185B2 (ja) 2008-02-01 2010-12-24 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008023002 2008-02-01
JP2008023002 2008-02-01
JP2010288297A JP4771185B2 (ja) 2008-02-01 2010-12-24 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008334907A Division JP4662188B2 (ja) 2008-02-01 2008-12-26 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011125375A Division JP2011193024A (ja) 2008-02-01 2011-06-03 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011101032A JP2011101032A (ja) 2011-05-19
JP2011101032A5 true JP2011101032A5 (enExample) 2011-06-30
JP4771185B2 JP4771185B2 (ja) 2011-09-14

Family

ID=41148412

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008334907A Expired - Fee Related JP4662188B2 (ja) 2008-02-01 2008-12-26 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法
JP2010288297A Active JP4771185B2 (ja) 2008-02-01 2010-12-24 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法
JP2011125375A Pending JP2011193024A (ja) 2008-02-01 2011-06-03 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法
JP2012049626A Pending JP2012114464A (ja) 2008-02-01 2012-03-06 エピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP2014091744A Pending JP2014135523A (ja) 2008-02-01 2014-04-25 エピタキシャルウエハおよびその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008334907A Expired - Fee Related JP4662188B2 (ja) 2008-02-01 2008-12-26 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011125375A Pending JP2011193024A (ja) 2008-02-01 2011-06-03 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法
JP2012049626A Pending JP2012114464A (ja) 2008-02-01 2012-03-06 エピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP2014091744A Pending JP2014135523A (ja) 2008-02-01 2014-04-25 エピタキシャルウエハおよびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8188559B2 (enExample)
JP (5) JP4662188B2 (enExample)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5422990B2 (ja) * 2008-12-22 2014-02-19 住友電気工業株式会社 生体成分検出装置
JP4743453B2 (ja) * 2008-12-25 2011-08-10 住友電気工業株式会社 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置
JP2011096921A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 検出装置、センサ、および、これらの製造方法
JP5691154B2 (ja) * 2009-11-04 2015-04-01 住友電気工業株式会社 受光素子アレイ及びエピタキシャルウェハ
JP2011100892A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 電子機器、複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法
JP5691205B2 (ja) * 2010-03-15 2015-04-01 住友電気工業株式会社 受光素子、受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法
JP5560818B2 (ja) 2010-03-25 2014-07-30 住友電気工業株式会社 受光素子、受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置
JP5593846B2 (ja) * 2010-05-31 2014-09-24 住友電気工業株式会社 受光素子、光学センサ装置および受光素子の製造方法
JP5218476B2 (ja) 2010-06-03 2013-06-26 住友電気工業株式会社 半導体素子、光学センサ装置および半導体素子の製造方法
JP2011258817A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子、受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法
JP2012080010A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法
EP2626890A4 (en) * 2010-10-06 2015-05-06 Sumitomo Electric Industries EPITACTICAL WAFER, LIGHT-RECEIVING ELEMENT, OPTICAL SENSOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING THE EPITACTIC WATER AND THE LIGHT-RECORDING ELEMENT
JPWO2012046603A1 (ja) * 2010-10-06 2014-02-24 住友電気工業株式会社 受光素子、光学センサ装置および受光素子の製造方法
CN102544043B (zh) * 2012-01-20 2014-08-13 中国科学院上海技术物理研究所 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片
JP5991036B2 (ja) * 2012-06-13 2016-09-14 住友電気工業株式会社 受光素子および光学装置
IL220675B (en) * 2012-06-28 2019-10-31 Elta Systems Ltd Phototransistor device
JP5776715B2 (ja) * 2013-03-06 2015-09-09 住友電気工業株式会社 半導体素子、光学センサ装置および半導体素子の製造方法
WO2014175128A1 (ja) * 2013-04-23 2014-10-30 住友電気工業株式会社 半導体素子およびその製造方法
JP2015035550A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 住友電気工業株式会社 半導体素子およびその製造方法
JP2015015306A (ja) * 2013-07-03 2015-01-22 住友電気工業株式会社 半導体素子およびその製造方法
JP2014216624A (ja) 2013-04-30 2014-11-17 住友電気工業株式会社 エピタキシャルウエハ、その製造方法、半導体素子、および光学センサ装置
JP6137732B2 (ja) * 2013-05-16 2017-05-31 住友電気工業株式会社 エピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP2015008277A (ja) 2013-05-28 2015-01-15 住友電気工業株式会社 エピタキシャルウエハ、その製造方法、受光素子、および光学センサ装置
JP2015082573A (ja) 2013-10-22 2015-04-27 住友電気工業株式会社 エピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP5842894B2 (ja) 2013-10-25 2016-01-13 住友電気工業株式会社 半導体素子
JPWO2015079763A1 (ja) * 2013-11-27 2017-03-16 住友電気工業株式会社 受光素子
JP5794288B2 (ja) * 2013-12-20 2015-10-14 住友電気工業株式会社 受光素子アレイ及びエピタキシャルウェハ
JP2015149335A (ja) * 2014-02-05 2015-08-20 住友電気工業株式会社 半導体積層体、半導体積層体の製造方法および半導体装置の製造方法
JP2015216172A (ja) 2014-05-08 2015-12-03 住友電気工業株式会社 アレイ型受光素子
JP6488855B2 (ja) * 2015-04-22 2019-03-27 住友電気工業株式会社 半導体積層体、受光素子および半導体積層体の製造方法
WO2016171009A1 (ja) 2015-04-22 2016-10-27 住友電気工業株式会社 半導体積層体、受光素子および半導体積層体の製造方法
JP6488854B2 (ja) * 2015-04-22 2019-03-27 住友電気工業株式会社 半導体積層体および受光素子
JP2016213251A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 住友電気工業株式会社 受光素子
JP6593140B2 (ja) * 2015-12-09 2019-10-23 住友電気工業株式会社 フォトダイオード
JP6613923B2 (ja) * 2016-01-27 2019-12-04 住友電気工業株式会社 半導体積層体、受光素子および半導体積層体の製造方法
US10432317B2 (en) * 2017-05-10 2019-10-01 International Business Machines Corporation Photovoltaic cell as energy source and data receiver
US11081605B2 (en) * 2017-09-01 2021-08-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor laminate, light-receiving element, and method for manufacturing semiconductor laminate
USD884660S1 (en) * 2017-09-27 2020-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Light-receiving device
JP1608528S (enExample) * 2017-09-27 2018-07-09
JP6909165B2 (ja) * 2018-01-15 2021-07-28 富士通株式会社 赤外線検出器、撮像素子、撮像システム、赤外線検出器の製造方法
JP7458696B2 (ja) * 2018-05-16 2024-04-01 住友電気工業株式会社 半導体積層体および受光素子
JP7147570B2 (ja) 2019-01-15 2022-10-05 住友電気工業株式会社 半導体積層体および受光素子
US11804561B2 (en) * 2019-03-20 2023-10-31 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light receiving element, method of manufacturing light receiving element, and imaging apparatus
JP2023167864A (ja) * 2022-05-13 2023-11-24 浜松ホトニクス株式会社 半導体受光素子
JP2023178176A (ja) * 2022-06-03 2023-12-14 浜松ホトニクス株式会社 半導体受光素子
WO2025134267A1 (ja) 2023-12-20 2025-06-26 三菱電機株式会社 半導体受光素子、光回線終端装置、多値強度変調送受信装置、デジタルコヒーレント受信装置、光ファイバ無線システム、ｓｐａｄセンサーシステム、及びライダー装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2708409B2 (ja) * 1986-06-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体受光素子およびその製造方法
JPH01214069A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Nec Corp 半絶縁性半導体層の埋め込み形成法
JPH0338887A (ja) * 1989-07-06 1991-02-19 Fujitsu Ltd 半導体受光素子
JP2806089B2 (ja) * 1991-08-06 1998-09-30 日本電気株式会社 半導体多重歪量子井戸構造
JPH0547692A (ja) * 1991-08-20 1993-02-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH05160426A (ja) * 1991-12-06 1993-06-25 Nec Corp 半導体受光素子
JPH05160429A (ja) * 1991-12-09 1993-06-25 Nec Corp 赤外線検知器
JPH07106621A (ja) * 1993-09-30 1995-04-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体受光素子
JPH09219563A (ja) 1996-02-09 1997-08-19 Hitachi Ltd 半導体光素子とそれを用いた応用システム
JPH09283786A (ja) * 1996-04-19 1997-10-31 Nec Corp 導波路型半導体受光素子とその製造方法
JP2001144278A (ja) 1999-11-12 2001-05-25 Nippon Sheet Glass Co Ltd 受光素子アレイ
JP5008874B2 (ja) 2005-02-23 2012-08-22 住友電気工業株式会社 受光素子と受光素子を用いた光通信用受信モジュールおよび受光素子を用いた計測器
JP4956944B2 (ja) * 2005-09-12 2012-06-20 三菱電機株式会社 アバランシェフォトダイオード
JP2007201432A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置
US7679059B2 (en) 2006-04-19 2010-03-16 Spectrasensors, Inc. Measuring water vapor in hydrocarbons
JP2007324572A (ja) 2006-05-02 2007-12-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子アレイ、その製造方法、および光計測システム
JP2008153311A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光素子、視界支援装置および生体医療装置
US7608825B2 (en) * 2006-12-14 2009-10-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Image pickup device, vision enhancement apparatus, night-vision apparatus, navigation support apparatus, and monitoring apparatus
JP2008171885A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光素子およびその製造方法
JP2008205001A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子、センサおよび撮像装置
JP5515162B2 (ja) * 2007-03-23 2014-06-11 住友電気工業株式会社 半導体ウエハの製造方法
JP2008288293A (ja) 2007-05-16 2008-11-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体受光素子
JP2009010175A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子およびその製造方法
JP5195172B2 (ja) * 2008-08-29 2013-05-08 住友電気工業株式会社 水分検出装置、生体中水分検出装置、自然産物中水分検出装置、および製品・材料中水分検出装置
JP5233535B2 (ja) 2008-09-11 2013-07-10 住友電気工業株式会社 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置
JP5233549B2 (ja) 2008-09-22 2013-07-10 住友電気工業株式会社 食品品質検査装置、食品成分検査装置、異物成分検査装置、食味検査装置および変移状態検査装置
JP5422990B2 (ja) 2008-12-22 2014-02-19 住友電気工業株式会社 生体成分検出装置
JP4743453B2 (ja) 2008-12-25 2011-08-10 住友電気工業株式会社 気体モニタリング装置、燃焼状態モニタリング装置、経年変化モニタリング装置、および不純物濃度モニタリング装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4771185B2 (ja) 受光素子、受光素子アレイおよびそれらの製造方法
JP2011101032A5 (enExample)
JP2009206499A5 (enExample)
TWI552371B (zh) A group III-V compound semiconductor light-receiving element, a method for fabricating a III-V compound semiconductor light-receiving element, a light-receiving element, and an epitaxial wafer
JP5748176B2 (ja) 受光素子、エピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP5892476B2 (ja) エピタキシャルウエハ、受光素子、光学センサ装置、並びにエピタキシャルウエハおよび受光素子の製造方法
CN102265411B (zh) 受光元件、受光元件阵列、制造受光元件的方法以及制造受光元件阵列的方法
WO2014175128A1 (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP5736922B2 (ja) 受光素子およびその製造方法
CN102959736B (zh) 光接收器元件及其制造方法
JP6137732B2 (ja) エピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP4702474B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子、及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子を作製する方法
CN102782879A (zh) 光接收元件、光学传感器装置以及用于制造光接收元件的方法
JP2015015306A (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP2014216624A (ja) エピタキシャルウエハ、その製造方法、半導体素子、および光学センサ装置
JP6036906B2 (ja) 受光素子およびその製造方法
JP5659864B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子
JP5983716B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体受光素子
CN104218118A (zh) 外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置
JP2010232298A (ja) Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法
JP2012151505A (ja) エピタキシャルウエハおよびその製造方法