JP2011018923A - 真空処理システムのための搬送チャンバ - Google Patents

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Abstract

【課題】従来の比較可能なサイズの搬送チャンバの平坦な底部より薄く形成することができ、費用と重量を低減する。
【解決手段】基板処理ツール２０１の搬送チャンバ２０３は、少なくとも一の処理チャンバ１７と少なくとも一のロードロックチャンバ１５に連結される側壁部２１５を有する本体部２０７を有している。本体部は、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボット２０５の少なくとも一部を収容している。蓋部２２７は、搬送チャンバの本体の上部に連結されてこれを封止している。搬送チャンバは、搬送チャンバの本体の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部２３３を有している。
【選択図】図２

Description

関連出願
本出願は、２００２年6月２１日に「真空処理システムのための搬送チャンバ」の名称で出願された米国特許仮出願番号第６０／３９０，６２９号及び２００２年6月２８日に「真空処理システムのための搬送チャンバ」の名称で出願された米国特許仮出願番号６０／３９２，５７８号に基づく優先権を主張するものであり、これらの出願は引用によって本明細書中に全体として一体化される。
発明の分野
本発明は、一般に、基板処理に用いられる処理システムに係り、特に、このようなシステムで用いられる搬送チャンバに関する。
発明の背景
フラットパネルディスプレイ又は半導体デバイスの製造に用いられる従来の技術は、ガラス基板又はシリコンウエハのような基板に対し一連の処理を施すことを必要とする。用いられる処理には、熱処理、物理的気相蒸着（PVD）、化学的気相蒸着（CVD）、エッチング等が含まれる。典型的には、一連の処理における各々の処理は、各々の処理チャンバ内で行われる。従って、処理が行われる基板は、一の処理チャンバから他の処理チャンバへ搬送されなければならない。
従来より、中央の搬送チャンバの周辺で処理チャンバを連結することにより、単一の処理ツール内に多数の異なる処理チャンバを一体化することは行われている。図1は従来の処理ツール１１の概略縦断面図である。処理ツール１１は中央に位置する搬送チャンバ１３を備えている。ロードロックチャンバ１５及び処理チャンバ１７は搬送チャンバ１３の各々の側部に連結して示されている。図示されていないが、一又はそれ以上の追加的な処理チャンバ及び／又はロードロックチャンバを搬送チャンバ１３の各々の側部に連結してもよい。ロードロックチャンバ１５は、処理ツール１１の外部から処理ツール１１内へ基板を導入するために設けられている。
搬送チャンバ１３は、側壁２１（図1において2個のみが示されている）を有する本体部１９を備えている。各々の側壁部２１はロードロック又は処理チャンバが連結されるように構成されている。搬送チャンバ１３は、本体１９上に支持されている上部２３を含む。搬送チャンバ１３の上部２３を気密的に閉鎖するため蓋部２５が設けられている。
搬送チャンバ１３の下端部は実質的に環状の底部２７によって閉鎖されている。搬送チャンバ１７の底部２７は中央開口部２９を有し、これを介して搬送チャンバ１３内に基板ハンドリングロボット３１が設置されている。基板ハンドリングロボット３１は、処理チャンバ１７及びロードロックチャンバ又は搬送チャンバ１３に連結されているチャンバ１５内で基板を搬送するよう構成されている。
処理ツール１１内で処理される基板の汚染の可能性を最小にするため、搬送チャンバの内部は通常、真空状態に維持されている。従って、処理ツール１１は真空処理システムと称されることができる。図示されていないポンプシステムを搬送チャンバ１３に連結し、これによって搬送チャンバ１３を好ましい真空レベルまで減圧することが可能である。
図１には、処理チャンバ１７と共働するスリットバルブ３５を選択的に開口し及び閉鎖するためのアクチュエータ３３が示されている。スリットバルブ３５が開口位置にある場合（図示せず）、基板を処理チャンバ１７内に導入し又は排出することができる。スリットバルブ３５は図１に示されるように閉鎖位置にある場合、処理チャンバ１７は搬送チャンバ１３から分離され、処理チャンバ１７内の基板上で製造処理が行われる。
処理ツール、特に、搬送チャンバ部分は様々な大きさに製造することができる。ある場合、搬送チャンバ１３は極めて大型であることが必要であり又は好ましい。例えば、フラットパネルディスプレイの製造に用いられる処理ツールにおいて、現在処理されるガラス板基板は一辺が約０．５―１．５メートルの範囲であり、近い将来には２―３メートルになる可能性がある。従って、このような分野に応用するためには、極めて大型の搬送チャンバが必要になる。加えて、処理ツール内における処理チャンバ及び／又はロードロックチャンバの数を増加することが望まれており、これに伴い搬送チャンバを大型化することが要求されている。しかしながら、搬送チャンバを大型化すると、搬送チャンバの底部のような部分において、真空に起因するストレスが増大する。このようなストレスに対応するため、搬送チャンバの底部の厚さを増大することにより、十分な強度を得ることが可能である。しかしながら、搬送チャンバの底部の厚さを増大すると、重量が増加し、製造が困難になり、コストが高くなるという結果が生じる。
発明の要約
本発明の第１の態様によれば、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバに連結される側壁部を有する本体部を含む搬送チャンバが提供される。本体は、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボットの少なくとも一部を収容するために用いられる。本発明の搬送チャンバは、搬送チャンバの本体の上部に連結されてこれを封止するために用いられる蓋部を備えている。本発明の搬送チャンバは、搬送チャンバの本体の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部とを備えている。
本発明の第２の態様によれば、真空処理システムは、本発明の第１の態様との関係で説明された搬送チャンバを含む。また、本発明の真空処理システムは、搬送チャンバの本体に連結された少なくとも一の処理チャンバと、搬送チャンバの本体に連結された少なくとも一の搬送チャンバとを含む。本発明の真空処理システムは、ドーム型底部を介して搬送チャンバ内に少なくとも部分的に延伸しているロボットを含む。このロボットは、搬送チャンバを介して少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられる。
本発明の第３の態様によれば、搬送チャンバのドーム型底部を形成する方法が提供される。搬送チャンバは、少なくとも一のロードロックチャンバを少なくとも一の処理チャンバに連結するために用いられる。この方法は、材料を選択し、材料からドーム型底部を形成することを含む。ドーム型底部は、搬送チャンバの本体の底部に合致しこれを封止するサイズの外径を有する。ドーム型底部は、ロボットの少なくとも一部を収容するサイズの直径の穴部を有する。ロボットは、搬送チャンバに連結された少なくとも一のロードロックチャンバと少なくとも一の処理チャンバの間で基板を搬送するために用いられる。
本発明により提供される搬送チャンバ底部はドーム型構造を有しているので、本発明の搬送チャンバ底部は、平坦構造を有する同じ厚さの搬送チャンバ底部より大きな強度を有する。従って、本発明の搬送チャンバ底部は、従来の比較可能なサイズの搬送チャンバの平坦な底部より薄く形成することができ、費用と重量を低減することができる。
本発明の更なる構成及び効果は、以下の実施例の詳細な説明、特許請求の範囲及び添付図面からより明らかになる。
従来の真空処理システムの縦断面図である。 本発明の第１実施例に係る真空処理システムの縦断面図である。 図２の本発明の真空処理システムの一部である搬送チャンバの分解図である。 図２及び図３の搬送チャンバの一実施例の簡略概略側面図である。 本発明の他の実施例に係る真空処理システムの概略縦断面図である。
詳細な説明
本発明によれば、搬送チャンバの底部はドーム型形状に形成されており、これによって所定の底部の厚さでより大きな強度を得ることができ、搬送チャンバの内部の容積を減少することができる。その結果、搬送チャンバの底部を従来の搬送チャンバの底部より薄くし、コスト及び重量を低減することが可能になる。搬送チャンバの内部容積を減少することにより、ポンプにより減圧を行う時間を低減し、これによって生産性を向上することができる。
図２及び図３を参照して、本発明の実施例について説明する。
図２は、本発明の実施例に係る処理ツール（真空処理システム）２０１の図１に類似する図面である。本発明に係る処理ツール２０１は新規な搬送チャンバ搬送チャンバ２０３を有する。従来のロードロックチャンバ１５（例えば、ダブルデュアルスロットロードロック（DDSL）又は他の従来のロードロックであってもよい。）及び従来の処理チャンバ１７が、本発明の搬送チャンバ２０３に連結されているように示されている。図示されていないが、１又はそれ以上の追加的な搬送チャンバ及び／又はロードロックチャンバが搬送チャンバ２０３に連結されていてもよい。基板ハンドリングロボット２０５が搬送チャンバ２０３内に配設されている。図１に示される従来システムのように、ポンプシステム（図示せず）を本発明の搬送チャンバ２０３に連結し、これによって搬送チャンバ２０３を適切な真空状態まで排気してもよい。説明を容易にするため、本発明の搬送チャンバ２０３を図２及び図３（本発明の搬送チャンバ２０３の拡大図である。）の両方を参照して説明する。
図２及び図３において、搬送チャンバ２０３は本体２０７を含み、これは例えばこれはアルミニウム又は他の物質の単一体を機械加工したものを用いることができる。以下に示されるように、本発明の少なくとも一の実施例において、本体２０７の高さ（Hｍｂ）は本体２０７の全体的な体積及び重量を低減するように最小化されている。本体２０７は円筒型内壁部２０９と、側壁２１５を形成する平坦領域２１３を有する外壁部を有し、側壁部は処理チャンバ又はロードロックチャンバに連結されることができる。少なくとも一の実施例において、各々の側壁部２１５（図２）は、例えば、最も薄い部分（各々の平坦領域２１３の中心）において約２インチの厚さを有している。他の側壁の厚さを採用することも可能である。各々の側壁２１５は１又はそれ以上のスリット２１７（図３）を有し、これを介して基板は基板ハンドリングロボット２０５により搬送チャンバ２０３から処理チャンバ１７まで又はその逆方向に搬送される。スリットバルブ（図２及び図３で図示せず）をスリットと共動させ、これによって各々のスリット２１７を開口し及び閉鎖するようにしてもよい。図２及び図３の実施例において、搬送チャンバ２０３は２つのスリット２１７ａ、２１７ｂを有し、これによって基盤は２つの異なる高さでロードロックチャンバ１５に装填され又は排出される。これらのスリット２１７ａ、２１７ｂは、例えば、従来のゲートバルブ２１９ａ、２１９ｂ（図２）で封止することができる。
図２又は図３に図示されていないが、搬送チャンバ２０３はその内部で図１のスリットバルブアクチュエータ３３のようなスリットバルブアクチュエータを用いることができ、これによってスリット２１７を封止し又は開口することができる（例えば、従来の４５°型スリットバルブ）。また、少なくとも一の実施例において、従来のゲートバルブ（例えば、垂直方向に移動する外部ゲートバルブ２２１（図２））を搬送チャンバ２０３の外側に配置し、スリット２１７を封止し及び開口するようにしてもよい。このような構成により、搬送チャンバ２０３のドーム型底部（以下に説明する）の設計を単純化することができる。
再び図３において、本発明に係る搬送チャンバ２０３は、環状に形成された上部部材２２３を有しており、これは第１O−リング２２５を介して本体２０７の上部に気密的に連結されることができる。本発明に係る搬送チャンバ２０３は蓋部２２７を含むことができ、これは第２Ｏ−リング２３１を介して上部部材２２３の開口部２２９を気密的に閉鎖するために設けられる。搬送チャンバ２０３の上部の他の封止構造においては、他の封止機構を採用することも可能である。
本発明において、搬送チャンバ２０３は、図２に最も明瞭に示されるように、ドーム型形状を有する底部２３３を含む。図２から明らかなように、底部部材２３３は、搬送チャンバ２０３の蓋部２２７と底部部材２３３の中央部の間の距離が蓋部２７７と底部部材２３３の外側端部との間の垂直距離より大きくなるような凹面形状を有している。本発明の一実施例において、底部部材２３３はステンレスのような物質の単一体から機械加工されることができる。他の材料及び／又は形状を採用することも可能である。底部部材２３３を形成するために用いることができる技術は、例えば、「構成要素の製造のための真空処理システム」の名称で２０００年３月１０日に出願された継続中の米国特許出願第０９／５２３、３６６号に開示されており、これは引用によって全体として本明細書に一体化される。このような技術は、例えば、スピニング、ローリングのような技術を含む。
一実施例において、底部部材２３３は、平坦な構造を有し、比較対象となる（例えば、直径約２．６メーターの）従来の底部部材の３インチの厚さと比較して、約０．５〜０．６２５インチの厚さ（例えば、ドーム型領域において）を有することができる。他の厚さも採用することができる。
再度図３において、底部部材２３３は、底部部材２３３の外側端部２３５及び第３O−リング２３７を介して本体２０７の底部に連結され、これを封止している。底部部材２３３は、一般的な円形の中央開口部２３９を有している。外側端部２３５及び中央開口部２３９は底部部材２３３の他の部分より厚く形成され（例えば、上述した実施例においては約２平方インチ）、ドーム型部分とは分離して形成され、これに連結されていてもよい（例えば、溶接）。センサー、真空ポート、ガスポート等を収容するため、種々の開口部及び／又表面構成２４１を設けることもできる。第４O−リング２４５を介して底部部材２３３の中央開口部２３９を封止するため、環状プラグ部材２４３が設けられている。このプラグ部材２４３は、基板ハンドリングロボット２０５（図２）の一部を気密的に収容するサイズの中央開口部２４７を有しており、基板ハンドリングロボットはプラグ部材２４３の中央開口部２４７及び底部部材２３３の中央開口部２３９を介して伸びている。第５O−リング２４９（図３）は、ロボット２０５の周りでプラグ部材２４３の中央開口部２４７を封止する。O−リング２３７、２４５、２４９の代わりに又はこれに追加して他の封止機構を設けることも可能である。
本発明は、底部がドーム型形状を有する搬送チャンバを提供する。従って、搬送チャンバのサイズによって、ドーム型の底部は、従来の平坦な底部より薄い物質で形成することができる。その結果、搬送チャンバ底部のコスト及び重量を低減することができる。これは、フラットパネルディスプレイ製造用のガラス基板を処理する処理ツールで用いられる超大型搬送チャンバの場合に最も顕著となる。このような設計により、搬送チャンバの下方の未使用空間を利用することができ、上部高さ制限（例えば、工場内上部搬送システム、天井の高さ等）の影響を受けなくなる。
フラットパネル産業が成熟し続けるにつれて、搬送チャンバ（搬送チャンバ２０３のようなもの）により搬送されるガラス基板は大型化し続けている。現在のガラス基板の大きさは一辺が０．５〜１．５ｍの範囲である。しかしながら、より大きなガラス基板も開発されている（例えば一辺が約２〜３ｍ）。ガラス基板の大型化は、より直径の大きな搬送チャンバ（及びこのような大型基板を処理するためのより大型のロードロックチャンバ及び処理チャンバ）を必要としている。近い将来、搬送チャンバの平坦領域（例えば、図３における平坦領域２１３）は、同様のサイズのガラス基板を収容するため、約２〜４ｍより大きな寸法に達している可能性がある。搬送、ロードロック及び処理チャンバが大型化すると、搬送チャンバの設計に種々の要素を考慮する必要が生じ、これらには、ロボットのサイズ、搬送チャンバの容積、搬送チャンバ下方の利用可能空間、搬送チャンバ内に生じる真空力、搬送チャンバの重量、搬送チャンバのコストのようなものが含まれる。
図４は、図２及び図３の搬送チャンバ２０３の一実施例の簡略化された概略側面図である。図４において、搬送チャンバ２０３は、少なくとも１のロードロックチャンバ４０１と少なくとも１の処理チャンバ４０３に連結され、上述した本体２０７を有している。説明を明確にするため、図４においては、搬送チャンバ２０３及びロードロック及び処理チャンバ４０１、４０３の支持構造は示されていない。
搬送チャンバ２０３の設計に関連する一つのパラメーターは、ドーム型底部２３３を収容するための搬送チャンバ２０３の下部の利用可能空間である。図４において、搬送チャンバ２０３は最小搬送高ＨＴＲを有し、これは基板が搬送チャンバ２０３内で搬送される最低高さを表している。最小搬送高HTRは、工業基準又は搬送チャンバ２０３を用いる製造設備の要求基準のようなものであってもよい。図４に示される例において、最小搬送高HTRは、搬送チャンバ２０３が配置されている施設（図示せず）のフロア４０５との関係で決定される。フロア４０５は、例えば、クリーンルームのフロア、上昇している床又は搬送チャンバ２０３の下部の空間／面積／高さの下端であってもよい。
最小搬送高HTRは、フロア４０５上に位置する搬送チャンバ２０３の高さ（HF）を設定する。ドーム型底部２３３の収容に用いることができる搬送チャンバ２０３の下部の体積は、搬送チャンバ２０３の本体２０７の内径（DMB）と等しい直径と、フロア４０５上の搬送チャンバの高さ（HF）に等しい高さを有する円筒の体積と実質的に同一である。
図４に示されるように、搬送チャンバ２０３のドーム型底部２３３は高さHD1を有する円筒領域２３３aと高さD２を有するドーム領域２３３ｂを含んでいる。従って、ドーム型底部２３３の容積は、円筒領域２３３aの容積に、ドーム型領域２３３ｂの容積を加えたものにほぼ等しい。
多くの場合、搬送チャンバ２０３はできるだけ小さな容積を有していることが好ましい（例えば、減圧回数を減少し、これによって生産性を向上させるため）。ドーム形状は円筒形状より小さな容積を有しているので（同一の所定の空間領域において）、真空を考慮すると、ドーム型の搬送チャンバの部分を最大化することが望ましい（例えば、ドーム型底部２３３のドーム領域２３３ｂを大きくし、ドーム型底部２３３の円筒領域２３３ａの高さHD1及び本体２０７の高さHMBの両方を減少する）。しかしながら、本体２０７の高さHMB及びドーム型底部２３３の円筒領域２３３aの高さHD1の選択には他の要素も影響を与える。例えば、搬送チャンバ２０３の本体２０７の高さHMBは、本体２０７に連結されるロードロックチャンバ及び／又は処理チャンバを収容するのに十分大きくなければならない。本発明の少なくとも一の実施例において、本体２０７の高さ（HMB）は、例えば、ロードロックチャンバ４０１との境界を形成するスリット開口２１７a、２１７ｂを収容するのに必要な最小高さに基づいて設定することができる。
ドーム型底部２３３の円筒領域２３３aの高さHD1について、高さHD1は、基板搬送ロボット２０５（図２）の高さを収容するのに十分大きくなければならない。図２に示されるように、基板搬送ロボットは第１アーム２０５a及び第２アーム２０５ｂを含んでいる。基板搬送ロボット２０５が、搬送チャンバ２０３の本体２０７の開口２１７ｂを介する場合のように、最小搬送高さHTR付近の高さで基板を搬送するために位置している場合、ドーム型底部２３３の円筒領域２３３ａの高さHD1は、ロボット２０５の第２アーム２０５ｂがドーム型底部２３３のドーム領域２３３ｂ内へ延伸するのを防止するのに十分な大きさでなければならない（ロボット２０５が図２に示されるように収縮位置にあるか又は図１のロボット３１で示されるような延伸位置にあるかに拘わらない）。ドーム型底部２３３の円筒領域２３３aの高さHD1が、第２アーム２０５ｂがドーム型底部２３３のドーム型領域２３３ｂ内に延伸するのを防止するのに十分な大きさでない場合、ドーム型領域２３３ｂは第２アーム２０５ｂに接触し、その作用に干渉するかもしれない。ガラス基板及び搬送チャンバの大きさが増大すると、各々のロボットアーム２０５a、２０５ｂの硬度（及びそれゆえ厚さ）は典型的には増大する。ドーム型底部２３３の円筒領域２３３ｂの高さ（HD1）の増大分は、ロボットアームのサイズの増大分を埋め合わせるために用いることができる。
搬送チャンバ２０３のデザインに影響を与える他の要因は、ドーム型底部２３３に要求される強度である。搬送チャンバの大きさが増大すると、搬送チャンバの排気時にドーム型底部２３３にかかる力も増大する。真空力はドーム型底部２３３の外側２３５に最もかかり、ドーム型底部２３３は、搬送チャンバ２０３の本体２０７及び／又はロボット２０５（図２）に対してドーム型底部２３３を封止する能力に影響を与える可能性がある真空に起因する歪に対抗する十分な強度を有していなければならない。
強度の点からすると、ドーム型底部２３３には球形が好ましい（図４のドーム型底部２３３´で示されている）。このような形状は、本体２０７の直径（ＤMB）の半分の曲率半径（ＲＤ１’）を採用することにより達成することができる。しかしながら、図４に示されるように、ドーム型底部２３３の球形構造は、搬送チャンバ２０３の下方により大きな空間を必要とし（例えば、フロア４０５又は他の空間制限の影響を受ける可能性がある。）、結果的に搬送チャンバはより大きな体積を有することになる。ドーム型底部２３３のスペース／体積要求を減少するため、ドーム型底部２３３のドーム領域２３３aの第１部分４０７には、より大きな曲率半径（ＲＤ１）を採用することができる。少なくとも一の実施例において、ドーム型底部２３３の第１部分４０７の曲率半径ＲD1は、搬送チャンバ２０３の本体２０７の直径ＤMBの半分より大きい。特定の実施例において、曲率半径ＲD1は、搬送チャンバ２０３の本体２０７の直径ＤＭＢの約１．５倍である。他の数値も用いることも可能である。曲率半径RD1の選択は、例えば、搬送チャンバ２０３下方の空間、ドーム型底部２３３に用いられている物質の強度のような多くの要因に依存する。
ドーム型底部２３３の第１部分４０７の曲率半径ＲD1が搬送チャンバ２０３の本体の半径ＤMBの半分より大きい場合、ドーム型底部２３３は曲率半径ＲD2を有する第２半径部４０９を有していてもよい。この追加的な曲率半径は、ドーム型底部２３３の第１部分４０７の曲率半径ＲD1と本体２０７の半径（ＤMBの半分）との間のミスマッチを補償する。本発明の少なくとも一の実施例において、第２部４０９の曲率半径ＲD2はドーム型底部２３３（最も薄い部分）の厚さの約５〜２０倍である。
上述した本発明によれば、搬送チャンバ２０３及び／又はドーム型底部２３３は以下のように設計することができる。
（１）ドーム型底部２３３のため、搬送チャンバ２０３下部の空間を決定する（例えば、最小搬送高さＨTR及び／又はフロア４０５のような介在構造上の搬送チャンバ２０３の高さＨFに基づく。）。
（２）ドーム型底部２３３の第１部分４０７の曲率半径ＲD1を決定する（例えば、フロア４０５上の搬送チャンバ２０３の高さHF、最小搬送高さHTR、搬送チャンバ２０３の所望の全体サイズ、ロボット２０５の幅及び高さのような寸法、耐性を有するドーム型底部２３３の歪量、搬送チャンバ２０３内で用いられる真空レベル等に基づく。）。
（３）ドーム型底部２３３の厚さを決定する（例えば、ドーム型底部２３３の第１部分４０７の曲率半径ＲＤ１、物質強度、耐性を有するドーム型底部２３３の歪量、搬送チャンバ２０３内で用いられる真空レベル等に基づく。）。
（４）搬送チャンバ２０３の本体２０７の高さHMBを決定する（例えば、本体２０７に連結されるロードロック及び／又は処理チャンバのサイズ、本体２０７に連結されるロードロック及び／又は処理チャンバと接して用いられるスリット開口部を収容するのに必要な高さ等に基づく。）。
（５）ドーム型底部２３３の円筒領域２３３aの高ＨＤ１さを決定する（例えば、第２アーム２０５ｂの厚さのようなロボット２０５のサイズ、搬送チャンバ２０３の最小搬送高さHTR、ロボット２０５の第２アーム２０５ｂ及びエンドエフェクター２０５ｃ（図２）の間の距離等に基づく。）。
（６）ドーム型底部２３３の第２部分４０９の曲率半径ＲＤ２を決定する（例えば、ドーム型底部２３３の第１部分４０７の曲率半径ＲD1、ドーム型底部２３３の円筒領域２３３aの高さＨD1等に基づく。）。
上述した要素は、一又はそれ以上の搬送チャンバ２０３及び／又はドーム型底部２３３の設計のため、単独で又はいかなる順序かを問わず組み合わせて用いることができる。ロボット２０５を収容するために必要な開口の直径（ＤＤＢ）、ドーム型底部強度における開口の影響のような他の要素も搬送チャンバ２０３及び／又はドーム型底部２３３の設計に際して考慮することができる。
本発明の一の実施例において、搬送チャンバ２０３は以下のように構成される。
（１）本体２０７の直径ＤＭＢは約２．６メーターである。
（２）本体２０７の高さＨＭＢは約０．８メートルである。
（３）ドーム型底部２３３の円筒領域２３３aの高さＨD1は約６インチである。
（４）ドーム型底部２３３のドーム領域２３３ｂの高さＨD2は約１２インチである。
（５）ドーム型底部２３３の円筒及びドーム領域２３３a、２３３ｂの厚さは約０．５〜０．６２５インチである。
（６）ドーム型底部２３３の半径部４０７の曲率半径ＲD1は本体２０７の直径の約１．５倍である。
（７）ドーム型底部２３３の半径部４０９の曲率半径ＲD2はドーム領域２３３ｂの厚さの約５〜２０倍である。
（８）本体２０７の厚さは約２インチである（最も薄い部分において）。
他の搬送チャンバ構成も採用することが可能である。
図２には、搬送チャンバ２０３及び／又はロボット２０５の支持構造の一例が示されている。このような支持構造は、例えば、１又はそれ以上の適切な大きさの柱脚部２４３、交差部材２４５及び／又は留金２４７を含むことができる。一般に、搬送チャンバ２０３又はロボット２０５の支持にはいかなる機構を採用することも可能である。例えば、ロードロックチャンバ１５はクリーンルーム壁部２４９及び／又は搬送チャンバ２０５を介して支持されることができ、処理チャンバ１７は、例えば、１又はそれ以上の柱脚部２５１及び／又は交差部材２５３により支持されることができる。他の支持構成を採用することも可能である。
本発明の少なくとも一の実施例において、支持構造２４１は、ドーム型底部２３３を直接的に支持することなく、搬送チャンバ２０３の本体２０７及びロボット２０５を支持するために用いられる。例えば、柱脚部２４３は、ドーム型底部２３３と接することなく、本体２０７の平坦領域２１３（図3）と接触し、交差部材２４５及び留金２４７は、ドーム型底部２３３と接することなく、ロボット２０５のメイントランク２５５を支持してもよい（図示）。ドーム型底部２３３は本体２０７によって支持されていてもよい（例えば、図示されていないボルト又は他の締着機構を用い本体２０７から吊持されることにより）。
上述した実施例において、ドーム型底部２３３は本体２０７及びロボット２０５の支持構造２４１から分離されている（本体２０７及び２０５から「浮いて」いる。）。更に、本発明の上述した実施例において、従来の蛇腹シール（図示せず）をドーム型底部２３３とロボット２０５の間に設けることができ、これによってその間に形成されている真空封止状態を破ることなく、ドーム型底部２３３をロボットに対し垂直方向に移動させることが可能になる（例えば、図３におけるO−リング２４５、２４９を介して）。この方法によれば、ドーム型底部２３３は搬送チャンバ２０３の減圧及び排気の際に歪を受けることがなく、ドーム型底部２３３の設計に際し、設計上の制約（例えば、材料の厚さ、強度等）が少なくなる。さらに、ドーム型底部２３３の歪はロボット２０５の位置及び／又は精度に影響を与えない。
図５は、本発明の他の実施例において提供される処理ツール５０１の概略縦断面図である。本発明に係る処理ツール５０１は、図4の処理ツール５０１がドーム型形状に形成された蓋５７２を有している搬送チャンバ５０３である点を除き（図２及び３に示される平坦搬送チャンバ蓋２２７を採用していない）、図２に示される処理ツール２０１と同一である。ドーム型形状を有する搬送チャンバ蓋は上述した米国特許出願第０９／５２３，３６６号に開示されている。
上述した説明は本発明の実施例を示すものであり、本発明の範囲内での上述した装置の改造は本技術分野における当業者にとって容易に明らかなものである。例えば、本発明に係るドーム型搬送チャンバの底部は凹形状を有するものとして説明されているが、ドーム型搬送チャンバの底部は凸構造を有するものであってもよい（即ち、ドーム型底部の中央部と搬送チャンバの蓋部との間の垂直方向の距離がドーム型底部の外側と搬送チャンバの蓋部との間の垂直方向の距離より小さい）。本明細書において、「ドーム型」底部又は蓋部は外部がドーム型又は湾曲している部分を有するものであればよい。底部又は蓋部の他の部分は他の形状及び／又は平坦な形状であってもよい。このようなドーム型底部（又は蓋部）の設計は、１又はそれ以上の搬送チャンバの高さ又は幅、搬送チャンバの下方の空間の高さ及び幅等に基づいて行うことができる。
図５の実施例に示されるように、ドーム型蓋部が採用される場合、蓋の構造は図５に示されるような凹型蓋部構造ではなく、（上述した米国特許出願番号第０９／５２３，３６６号に記載されているような）凸状であってもよい。
本発明は、特にガラス基板の処理で用いられるタイプの大型搬送チャンバに用いられる場合に特に有効であるが、本発明はまた他の種類の処理ツールにも応用可能であり、シリコンウエハの処理に用いることも可能である。本発明はいかなる数の処理チャンバ及びいかなる数のロードロックチャンバに連結される搬送チャンバにも応用可能である。
図３に示されている搬送チャンバの要素の少なくともいくつかは他の要素と組み合わせることが可能である。例えば、蓋部２２７及び上部部材２２３を組み合わせて単一部材を形成することにより本体２０７の上部を閉鎖することが可能である。従って、特許請求の範囲においては、「蓋部」という用語は搬送チャンバの上部を封止する１、２又はそれ以上の部品を含むと理解されなければならない。また、図３において単一ピースとして示されている本発明に係る搬送チャンバの要素は、２又はそれ以上の部品から構成されていてもよい。
他の例として、底部２３３及びプラグ部材２４３は単一ピースを形成するように組み合わせてもよく、これによって基板ハンドリングロボットの周りを封止することができる。
本発明に係る搬送チャンバは、「フロッグレッグ」スタイルロボットのような他の種類の基板ハンドリングロボットを収容するよう構成されていてもよい。
搬送チャンバの本体の重量及び／又は搬送チャンバに連結されている各々のロードロック及び処理チャンバの重量の一部（例えば、ドーム型底部が本体に対して浮いていない場合）を支持するために搬送チャンバの底部が用いられている場合、ドーム型底部の設計は影響を受ける（例えば、底部の非ドーム型部分の高さ、底部のドーム型部分の半径、物質厚さ等）。
従って、本発明は実施例に基づいて開示されているが、他の例は特許請求の範囲で特定される本発明の精神及び範囲に含まれるものと理解されなければならない。

Claims (24)

  1. 搬送チャンバであって、
    少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバに連結される側壁部を有し、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボットの少なくとも一部を収容するための本体部と、
    搬送チャンバの本体部の上部に連結されてこれを封止するために用いられる蓋部と、
    搬送チャンバの本体部の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部とを備え、ドーム型底部は本体部の半径より大きな曲率半径を有するドーム領域を含む搬送チャンバ。
  2. 本体部は、円筒形内壁部と、ロードロックチャンバと処理チャンバの少なくとも一に連結されて用いられる複数の平坦領域を有する外壁部とを備えた請求項１記載の搬送チャンバ。
  3. 本体部は材料の単一体である請求項２記載の搬送チャンバ。
  4. 本体部はアルミニウムを含む材料で形成される請求項３記載の搬送チャンバ。
  5. 本体部の側壁部は２インチより大きな最小厚さを有する請求項４記載の搬送チャンバ。
  6. 蓋部は平坦である請求項１記載の搬送チャンバ。
  7. 蓋部はドーム型である請求項１記載の搬送チャンバ。
  8. ドーム型底部は材料の単一体である請求項１記載の搬送チャンバ。
  9. ドーム型底部はステンレスを含む材料で形成される請求項８記載の搬送チャンバ。
  10. ドーム型底部は０．５〜０．６２５インチの最小厚さを有する請求項９記載の搬送チャンバ。
  11. ドーム型底部は、蓋部とドーム型底部の中心部の間の垂直距離が蓋部とドーム型底部の外側端部の間の垂直距離より大きな凹型構造を有している請求項１記載の搬送チャンバ。
  12. 搬送チャンバであって、
    少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバに連結される側壁部を有し、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボットの少なくとも一部を収容するため本体部と、
    搬送チャンバの本体部の上部に連結されてこれを封止するために用いられる蓋部と、
    搬送チャンバの本体部の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部とを備え、ドーム型底部は本体部の半径より大きな曲率半径を有するドーム領域を含む搬送チャンバと、
    搬送チャンバの本体部に連結された少なくとも一の処理チャンバと、
    搬送チャンバの本体部に連結された少なくとも一のロードロックチャンバと、
    ドーム型底部を介して搬送チャンバ内に少なくとも部分的に延伸しているロボットであって、搬送チャンバを介して少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボットを備えた真空処理システム。
  13. 本体部は、円筒形内壁部と、ロードロックチャンバと処理チャンバの少なくとも一と連結されて用いられる複数の平坦領域を有する外壁部とを備えた請求項１２載のシステム。
  14. 搬送チャンバの本体部は材料の単一体である請求項１３記載のシステム。
  15. 搬送チャンバの本体部はアルミニウムを含む材料で形成される請求項１４記載のシステム。
  16. 搬送チャンバの本体部の側壁部は２インチより大きな最小厚さを有する請求項１５記載のシステム。
  17. 搬送チャンバの蓋部は平坦である請求項１２記載のシステム。
  18. 搬送チャンバの蓋部はドーム型である請求項１２記載のシステム。
  19. 搬送チャンバのドーム型底部は材料の単一体である請求項１２記載のシステム。
  20. 搬送チャンバのドーム型底部はステンレスを含む材料で形成される請求項１９記載のシステム。
  21. 搬送チャンバのドーム型底部は０．５〜０．６２５インチの最小厚さを有する請求項２０記載のシステム。
  22. 搬送チャンバのドーム型底部は、搬送チャンバの蓋部とドーム型底部の中心部の間の垂直距離が蓋部とドーム型底部の外側端部の間の垂直距離より大きな凹型構造を有している請求項１２記載のシステム。
  23. 少なくとも一の処理チャンバを少なくとも一のロードロックチャンバに連結するために用いられる搬送チャンバのドーム型底部を形成する方法であって、
    材料を選択し、
    材料からドーム型底部を形成することを含み、
    ドーム型底部は本体部の半径より大きな曲率半径を有するドーム領域を含み、
    ドーム型底部は、搬送チャンバの本体部の底部に合致し、これを封止するサイズの外径と、搬送チャンバに連結された少なくとも一のロードロックチャンバと少なくとも一の処理チャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボットの少なくとも一部を収容するサイズの直径の穴部を有する方法。
  24. 材料はステンレスである請求項２３記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015038967A (ja) * 2013-07-17 2015-02-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び描画チャンバ

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI294155B (en) 2002-06-21 2008-03-01 Applied Materials Inc Transfer chamber for vacuum processing system
US20050050767A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-10 Hanson Kyle M. Wet chemical processing chambers for processing microfeature workpieces
US7393439B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-01 Semitool, Inc. Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors
US7313462B2 (en) * 2003-06-06 2007-12-25 Semitool, Inc. Integrated tool with automated calibration system and interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces
US20050063798A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-24 Davis Jeffry Alan Interchangeable workpiece handling apparatus and associated tool for processing microfeature workpieces
US20070144912A1 (en) * 2003-07-01 2007-06-28 Woodruff Daniel J Linearly translating agitators for processing microfeature workpieces, and associated methods
US7458763B2 (en) 2003-11-10 2008-12-02 Blueshift Technologies, Inc. Mid-entry load lock for semiconductor handling system
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US7354845B2 (en) * 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
US8328939B2 (en) * 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
CN101866828B (zh) * 2004-06-02 2013-03-20 应用材料公司 电子装置制造室及其形成方法
US8648977B2 (en) * 2004-06-02 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US8206075B2 (en) * 2004-06-02 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing a chamber
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
WO2006130811A2 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
KR20070082056A (ko) * 2006-02-14 2007-08-20 브룩스오토메이션아시아(주) 기판의 진공처리장치용 이송챔버
US20080178460A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Woodruff Daniel J Protected magnets and magnet shielding for processing microfeature workpieces, and associated systems and methods
US20080276867A1 (en) 2007-05-09 2008-11-13 Jason Schaller Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
US8864996B2 (en) * 2007-08-28 2014-10-21 Exxonmobil Research And Engineering Company Reduction of conradson carbon residue and average boiling points utilizing high pressure ultrafiltration
US7867379B2 (en) * 2007-08-28 2011-01-11 Exxonmobil Research And Engineering Company Production of an upgraded stream from steam cracker tar by ultrafiltration
US7815790B2 (en) 2007-08-28 2010-10-19 Exxonmobil Research And Engineering Company Upgrade of visbroken residua products by ultrafiltration
US7736493B2 (en) * 2007-08-28 2010-06-15 Exxonmobil Research And Engineering Company Deasphalter unit throughput increase via resid membrane feed preparation
US7871510B2 (en) * 2007-08-28 2011-01-18 Exxonmobil Research & Engineering Co. Production of an enhanced resid coker feed using ultrafiltration
US8177965B2 (en) * 2007-08-28 2012-05-15 Exxonmobil Research And Engineering Company Enhancement of saturates content in heavy hydrocarbons utilizing ultrafiltration
US7897828B2 (en) * 2007-08-28 2011-03-01 Exxonmobile Research And Engineering Company Process for separating a heavy oil feedstream into improved products
KR101446225B1 (ko) * 2008-07-11 2014-10-01 주식회사 원익아이피에스 진공처리시스템의 반송챔버
FR2933812B1 (fr) * 2008-07-11 2010-09-10 Alcatel Lucent Dispositif de chargement/dechargement de substrats
EP2293321A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanical modularity chambers
TWI416659B (zh) * 2010-12-31 2013-11-21 Advanced Micro Fab Equip Inc A mounting device for a vacuum processing system
PL220339B1 (pl) 2012-07-12 2015-10-30 Inst Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk Przenośna walizka próżniowa z wziernikiem
KR101542169B1 (ko) 2014-08-28 2015-08-05 주식회사 원익아이피에스 진공처리시스템의 반송챔버
US11948810B2 (en) 2017-11-15 2024-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for processing substrates or wafers
KR102100775B1 (ko) * 2018-03-14 2020-04-14 우범제 이에프이엠
KR102132422B1 (ko) * 2018-03-14 2020-08-05 우범제 이에프이엠
CN109609910B (zh) * 2019-01-10 2021-04-13 深圳市致远动力科技有限公司 薄膜电池制备装置及方法
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11501957B2 (en) 2020-09-03 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Pedestal support design for precise chamber matching and process control
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05347130A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Mitsubishi Electric Corp 陰極線管
JPH0712976A (ja) * 1993-06-18 1995-01-17 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 圧力容器
JPH08152493A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Toshiba Corp 原子炉圧力容器
JPH1189027A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Hitachi Ltd スイッチギヤ
JPH1189026A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Hitachi Ltd スイッチギヤ
JPH11510562A (ja) * 1995-08-03 1999-09-14 アドバンスト セミコンダクタ マテリアルズ アメリカ インコーポレイテッド 内部支持部材を有するプロセスチャンバ
JP2000167788A (ja) * 1998-12-07 2000-06-20 Nsk Ltd 搬送ロボット装置
JP2000514601A (ja) * 1996-07-09 2000-10-31 ラム リサーチ コーポレイション チャンバ連結ｏ―リングおよびその構成方法
JP2001298010A (ja) * 2000-01-28 2001-10-26 Applied Materials Inc シリコンウエハ表面の低圧高水素流量クリーニング方法

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1381877A (en) 1919-05-12 1921-06-14 Edward T Neyhard Knockdown tank
US2761582A (en) 1950-08-01 1956-09-04 Moorex Ind Inc Demountable structure
US3925679A (en) 1973-09-21 1975-12-09 Westinghouse Electric Corp Modular operating centers and methods of building same for use in electric power generating plants and other industrial and commercial plants, processes and systems
US3854443A (en) 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
US4341592A (en) 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment
US4483654A (en) 1981-02-13 1984-11-20 Lam Research Corporation Workpiece transfer mechanism
AU555553B2 (en) 1981-10-27 1986-10-02 Arthur Malcolm Bennett Valve member
DE3219502C2 (de) 1982-05-25 1990-04-19 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Vorrichtung zum automatischen Transport scheibenförmiger Objekte
US4851058A (en) 1982-09-03 1989-07-25 General Motors Corporation High energy product rare earth-iron magnet alloys
US4455177A (en) * 1982-09-13 1984-06-19 Filippov Vladimir I Method and apparatus for chemical heat treatment of steel parts utilizing a continuous electric furnace
US4491520A (en) 1984-02-22 1985-01-01 Jaye Richard C Filter for water jugs
US4632624A (en) * 1984-03-09 1986-12-30 Tegal Corporation Vacuum load lock apparatus
US4726924A (en) 1984-06-28 1988-02-23 The Boeing Company Method of planar forming of zero degree composite tape
DE3466135D1 (en) * 1984-10-16 1987-10-15 Ibm Vacuum transfer device
JPS61152987A (ja) 1984-12-26 1986-07-11 Nippon Piston Ring Co Ltd 回転式流体ポンプ用ロ−タの製造方法
DE3650057T2 (de) 1985-10-24 1995-02-16 Texas Instruments Inc System für Vakuumbehandlung.
US4709655A (en) 1985-12-03 1987-12-01 Varian Associates, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
FR2594102B1 (fr) * 1986-02-12 1991-04-19 Stein Heurtey Installation flexible automatisee de traitement thermochimique rapide
US4917556A (en) 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4763690A (en) 1986-07-29 1988-08-16 Harsco Corporation Leak-proof valve for gas cylinders
FR2620049B2 (fr) 1986-11-28 1989-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement, stockage et/ou transfert d'un objet dans une atmosphere de haute proprete, et conteneur pour la mise en oeuvre de ce procede
KR900005610Y1 (ko) 1987-04-16 1990-06-28 이형곤 차압 2중 진공 씨스템
US4799418A (en) 1987-08-21 1989-01-24 Mitsuba Electric Mfg. Co., Ltd. Vacuum actuator for vehicle speed control
US4851101A (en) 1987-09-18 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Sputter module for modular wafer processing machine
US4952299A (en) 1988-10-31 1990-08-28 Eaton Corporation Wafer handling apparatus
US5186718A (en) 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
US4993358A (en) 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
US5085887A (en) * 1990-09-07 1992-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer reactor vessel window with pressure-thermal compensation
US5138525A (en) 1991-06-14 1992-08-11 Dell Usa Corporation Multi-purpose strut for digital computer chassis
US5268034A (en) 1991-06-25 1993-12-07 Lsi Logic Corporation Fluid dispersion head for CVD appratus
US5152504A (en) 1991-09-11 1992-10-06 Janis Research Company, Inc. Vacuum valve
US5269598A (en) 1992-10-08 1993-12-14 Enlight Corporation Personal computer component support structure
US5503809A (en) 1993-04-19 1996-04-02 John T. Towles Compact ozone generator
US5417537A (en) 1993-05-07 1995-05-23 Miller; Kenneth C. Wafer transport device
US5421957A (en) * 1993-07-30 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Low temperature etching in cold-wall CVD systems
JP3158264B2 (ja) 1993-08-11 2001-04-23 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US5647911A (en) 1993-12-14 1997-07-15 Sony Corporation Gas diffuser plate assembly and RF electrode
US5934856A (en) 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5730801A (en) 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
JPH0864542A (ja) 1994-08-25 1996-03-08 Plasma Syst:Kk 半導体処理装置用真空チャンバーおよびその製造方法
JPH09102526A (ja) * 1995-10-05 1997-04-15 Kokusai Electric Co Ltd 真空内基板搬送装置
US5820723A (en) 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6216328B1 (en) 1996-07-09 2001-04-17 Lam Research Corporation Transport chamber and method for making same
JPH1064902A (ja) 1996-07-12 1998-03-06 Applied Materials Inc アルミニウム材料の成膜方法及び成膜装置
JP3310171B2 (ja) 1996-07-17 2002-07-29 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
US5961269A (en) 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
US6174377B1 (en) 1997-03-03 2001-01-16 Genus, Inc. Processing chamber for atomic layer deposition processes
US6432203B1 (en) 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6286451B1 (en) 1997-05-29 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Dome: shape and temperature controlled surfaces
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6045620A (en) 1997-07-11 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Two-piece slit valve insert for vacuum processing system
US6321680B2 (en) 1997-08-11 2001-11-27 Torrex Equipment Corporation Vertical plasma enhanced process apparatus and method
US6530732B1 (en) 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
US5913568A (en) * 1997-09-30 1999-06-22 Brightbill; Stephen T. Two platform motion seat
WO1999023276A1 (en) 1997-11-03 1999-05-14 Asm America, Inc. Long life high temperature process chamber
US6257827B1 (en) 1997-12-01 2001-07-10 Brooks Automation Inc. Apparatus and method for transporting substrates
JPH11186363A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体製造装置
US5931626A (en) * 1998-01-16 1999-08-03 Brooks Automation Inc. Robot mounting de-coupling technique
JP2000345349A (ja) 1999-06-04 2000-12-12 Anelva Corp Ｃｖｄ装置
US6230719B1 (en) 1998-02-27 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Apparatus for removing contaminants on electronic devices
US6244121B1 (en) 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
WO1999053117A2 (en) 1998-04-14 1999-10-21 Cvd Systems, Inc. Film deposition system
US6019839A (en) * 1998-04-17 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming an epitaxial titanium silicide film by low pressure chemical vapor deposition
KR100265287B1 (ko) 1998-04-21 2000-10-02 윤종용 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템
JP4526136B2 (ja) * 1998-06-08 2010-08-18 株式会社日立国際電気 被処理物搬送装置、半導体製造装置及び被処理物の処理方法
US6390019B1 (en) * 1998-06-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Chamber having improved process monitoring window
US6073577A (en) 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6719516B2 (en) 1998-09-28 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Single wafer load lock with internal wafer transport
US6267917B1 (en) 1998-10-16 2001-07-31 Norstar Aluminum Molds, Inc. Rotatable mold apparatus having replaceable molds and replacement methods
KR100280519B1 (ko) 1998-11-17 2001-03-02 김영환 반도체 유기금속 화학기상증착장비의 가스 분사장치
US6143079A (en) 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
JP3433392B2 (ja) 1999-01-12 2003-08-04 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス及び真空処理装置のクリーニング方法
US6267545B1 (en) 1999-03-29 2001-07-31 Lam Research Corporation Semiconductor processing platform architecture having processing module isolation capabilities
JP2000286319A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Canon Inc 基板搬送方法および半導体製造装置
US6099697A (en) * 1999-04-13 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for restoring a support surface in a semiconductor wafer processing system
US6326597B1 (en) * 1999-04-15 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Temperature control system for process chamber
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
JP4330703B2 (ja) 1999-06-18 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 搬送モジュール及びクラスターシステム
US6245149B1 (en) * 1999-07-01 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Inert barrier for high purity epitaxial deposition systems
US6383330B1 (en) 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
JP3949328B2 (ja) * 1999-11-02 2007-07-25 富士フイルム株式会社 画像形成方法
CN1175470C (zh) 1999-11-02 2004-11-10 东京威力科创股份有限公司 多个工件的超临界处理的方法和装置
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
US6477980B1 (en) 2000-01-20 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
FR2805243B1 (fr) * 2000-02-22 2002-07-26 Tfe Tech Et Fabrications Elect Dispositif formant embout pour tuba ou de detenteur de plongee
US6698991B1 (en) 2000-03-02 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Fabrication system with extensible equipment sets
US6582175B2 (en) 2000-04-14 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Robot for handling semiconductor wafers
US6977014B1 (en) 2000-06-02 2005-12-20 Novellus Systems, Inc. Architecture for high throughput semiconductor processing applications
JP4021125B2 (ja) 2000-06-02 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 ウェハ移載装置の装置ユニット接続時に用いられるレールの真直性保持装置
JP2002001100A (ja) 2000-06-22 2002-01-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置
JP4253107B2 (ja) 2000-08-24 2009-04-08 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及びその増設方法
KR100388294B1 (ko) 2000-08-30 2003-06-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 회로기판용 폴리이미드 위에 금속 박막을 증착하는 방법
JP5159010B2 (ja) 2000-09-08 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP3640609B2 (ja) 2000-10-16 2005-04-20 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法
JP3729095B2 (ja) * 2001-06-29 2005-12-21 日産自動車株式会社 走行路検出装置
US6663333B2 (en) 2001-07-13 2003-12-16 Axcelis Technologies, Inc. Wafer transport apparatus
JP2003117655A (ja) 2001-10-12 2003-04-23 Toyo Jigu:Kk 真空容器
TW522448B (en) 2001-10-22 2003-03-01 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor wafer carrying apparatus
AU2002343583A1 (en) 2001-10-29 2003-05-12 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
US20040221811A1 (en) 2001-11-30 2004-11-11 Robert Mitchell Method and apparatus for processing wafers
US6719517B2 (en) 2001-12-04 2004-04-13 Brooks Automation Substrate processing apparatus with independently configurable integral load locks
JP2003188226A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Anelva Corp 真空搬送処理装置
KR20030066118A (ko) 2002-02-04 2003-08-09 주성엔지니어링(주) 열팽창에 의한 변형을 최소화할 수 있는 샤워헤드형가스공급장치
JP4254116B2 (ja) 2002-03-22 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 位置合わせ用基板
KR20030077803A (ko) 2002-03-27 2003-10-04 삼성전자주식회사 반도체제조설비에 사용되는 가스분배장치
TWI294155B (en) 2002-06-21 2008-03-01 Applied Materials Inc Transfer chamber for vacuum processing system
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US7204669B2 (en) 2002-07-17 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate damage protection system
JP3989382B2 (ja) 2003-02-05 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4283559B2 (ja) 2003-02-24 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置
JP4219799B2 (ja) 2003-02-26 2009-02-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004335743A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置用真空チャンバー
JP2004349503A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理システム及び処理方法
JP4450664B2 (ja) 2003-06-02 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
KR100441875B1 (ko) 2003-06-02 2004-07-27 주성엔지니어링(주) 분리형 이송 챔버
US20060240983A1 (en) * 2003-07-31 2006-10-26 Showa Denko K.K. Seed coating composition, coated seed, and coating method
US7313262B2 (en) 2003-08-06 2007-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for visualization of process chamber conditions
US7207766B2 (en) 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
EP1684951B1 (en) 2003-11-10 2014-05-07 Brooks Automation, Inc. System for handling workpieces in a vacuum-based semiconductor handling system
US7384992B2 (en) * 2003-11-10 2008-06-10 Meadwestvaco Corporation Rosin-fatty acid ester vinylic polymers
US7645341B2 (en) 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US20060054280A1 (en) 2004-02-23 2006-03-16 Jang Geun-Ha Apparatus of manufacturing display substrate and showerhead assembly equipped therein
TWI252070B (en) * 2004-03-10 2006-03-21 Delta Electronics Inc Pulling structure for an optical transmitting module
US20060201074A1 (en) 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
CN101866828B (zh) 2004-06-02 2013-03-20 应用材料公司 电子装置制造室及其形成方法
US7784164B2 (en) 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
KR100768741B1 (ko) 2004-08-13 2007-10-19 주식회사 이오테크닉스 레이저와 비전의 동축 가공장치
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
TWI287279B (en) 2004-09-20 2007-09-21 Applied Materials Inc Diffuser gravity support
US20070020890A1 (en) 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
JP4791110B2 (ja) 2005-09-02 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 真空チャンバおよび真空処理装置
WO2007075840A2 (en) 2005-12-20 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Extended mainframe designs for semiconductor device manufacturing equipment
US7845891B2 (en) 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US20080025821A1 (en) 2006-07-25 2008-01-31 Applied Materials, Inc. Octagon transfer chamber
KR100769152B1 (ko) 2006-09-25 2007-10-22 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 와이어 패드

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05347130A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Mitsubishi Electric Corp 陰極線管
JPH0712976A (ja) * 1993-06-18 1995-01-17 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 圧力容器
JPH08152493A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Toshiba Corp 原子炉圧力容器
JPH11510562A (ja) * 1995-08-03 1999-09-14 アドバンスト セミコンダクタ マテリアルズ アメリカ インコーポレイテッド 内部支持部材を有するプロセスチャンバ
JP2000514601A (ja) * 1996-07-09 2000-10-31 ラム リサーチ コーポレイション チャンバ連結ｏ―リングおよびその構成方法
JPH1189027A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Hitachi Ltd スイッチギヤ
JPH1189026A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Hitachi Ltd スイッチギヤ
JP2000167788A (ja) * 1998-12-07 2000-06-20 Nsk Ltd 搬送ロボット装置
JP2001298010A (ja) * 2000-01-28 2001-10-26 Applied Materials Inc シリコンウエハ表面の低圧高水素流量クリーニング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015038967A (ja) * 2013-07-17 2015-02-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び描画チャンバ

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