JP2010251721A5 - 半導体装置 - Google Patents

Description

容量素子１１３１及び容量素子１１３２は、入力信号の電圧に応じて容量値が変化する。入力信号の電圧の絶対値が一定値以下の場合、容量素子１１３１及び容量素子１１３２の端子間に印加される電圧は一定値より小さく、容量素子１１３１及び容量素子１１３２の容量は一定値より小さいため、フィルタ回路の入力信号に対する出力信号の遅延時間は一定値より小さい。よってフィルタリング効果が小さくなる。なお、容量素子に印加される電圧、容量素子の容量、及び遅延時間は、半導体装置の仕様に応じて適宜設定することができる。

また、入力信号の電圧が一定の負の値より小さい場合、容量素子１１３２の端子間に印加される電圧は一定の負の値より小さく、入力信号に応じて容量素子１１３２の容量が一定値より大きくなるため、フィルタ回路の入力信号に対する出力信号の遅延が大きくなる。これにより入力信号の電圧が一定の正の値以下または一定の負の値以上の場合よりノイズに対するフィルタリングの効果が大きくなる。以上が、等価回路が図８（Ｂ）に示す構成である半導体装置の動作である。

Claims (4)

1. 配線と、
   前記配線上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の端子電極と、を有し、
   前記第１の酸化物半導体層と前記端子電極とは、前記第２の絶縁層を介して重なっており、
   前記端子電極は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記配線と電気的に接続され、
   前記配線と電気的に接続される機能回路を有し、
   前記機能回路は、前記端子電極から前記配線を介して信号が入力され、入力された前記信号に応じて動作が制御されることを特徴とする半導体装置。
2. 配線と、
   前記配線上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の端子電極と、を有し、
   前記配線と前記第１の酸化物半導体層とは、前記第１の絶縁層を介して重なっており、
   前記端子電極は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記配線と電気的に接続され、
   前記配線と電気的に接続される機能回路を有し、
   前記機能回路は、前記端子電極から前記配線を介して信号が入力され、入力された前記信号に応じて動作が制御されることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体層は、電源電圧が与えられることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記機能回路は、第２の酸化物半導体層を半導体層として用いた半導体素子を有することを特徴とする半導体装置。

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