JP2010161355A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010161355A5
JP2010161355A5 JP2009278561A JP2009278561A JP2010161355A5 JP 2010161355 A5 JP2010161355 A5 JP 2010161355A5 JP 2009278561 A JP2009278561 A JP 2009278561A JP 2009278561 A JP2009278561 A JP 2009278561A JP 2010161355 A5 JP2010161355 A5 JP 2010161355A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
atoms
ions
less
producing
implanted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009278561A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010161355A (ja
JP5389627B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2009278561A external-priority patent/JP5389627B2/ja
Priority to JP2009278561A priority Critical patent/JP5389627B2/ja
Priority to AU2009325425A priority patent/AU2009325425B2/en
Priority to KR1020117012761A priority patent/KR101607725B1/ko
Priority to EP09831939.5A priority patent/EP2357660B1/en
Priority to US13/130,627 priority patent/US8546245B2/en
Priority to CN200980150180.9A priority patent/CN102246267B/zh
Priority to PCT/JP2009/070656 priority patent/WO2010067835A1/ja
Priority to TW098142557A priority patent/TWI482198B/zh
Publication of JP2010161355A publication Critical patent/JP2010161355A/ja
Publication of JP2010161355A5 publication Critical patent/JP2010161355A5/ja
Publication of JP5389627B2 publication Critical patent/JP5389627B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2009278561A 2008-12-11 2009-12-08 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法 Active JP5389627B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009278561A JP5389627B2 (ja) 2008-12-11 2009-12-08 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法
PCT/JP2009/070656 WO2010067835A1 (ja) 2008-12-11 2009-12-10 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法
KR1020117012761A KR101607725B1 (ko) 2008-12-11 2009-12-10 와이드 밴드 갭 반도체를 적층한 복합 기판의 제조 방법
EP09831939.5A EP2357660B1 (en) 2008-12-11 2009-12-10 Method for manufacturing composite substrate on which wide bandgap semiconductor is laminated
US13/130,627 US8546245B2 (en) 2008-12-11 2009-12-10 Method for manufacturing composite substrate comprising wide bandgap semiconductor layer
CN200980150180.9A CN102246267B (zh) 2008-12-11 2009-12-10 层叠有宽带隙半导体的复合基板的制造方法
AU2009325425A AU2009325425B2 (en) 2008-12-11 2009-12-10 Method for manufacturing composite substrate on which wide bandgap semiconductor is laminated
TW098142557A TWI482198B (zh) 2008-12-11 2009-12-11 And a wide-band gap semiconductor is used for manufacturing a composite substrate

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008315566 2008-12-11
JP2008315566 2008-12-11
JP2009278561A JP5389627B2 (ja) 2008-12-11 2009-12-08 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010161355A JP2010161355A (ja) 2010-07-22
JP2010161355A5 true JP2010161355A5 (enExample) 2012-07-12
JP5389627B2 JP5389627B2 (ja) 2014-01-15

Family

ID=42242822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009278561A Active JP5389627B2 (ja) 2008-12-11 2009-12-08 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8546245B2 (enExample)
EP (1) EP2357660B1 (enExample)
JP (1) JP5389627B2 (enExample)
KR (1) KR101607725B1 (enExample)
CN (1) CN102246267B (enExample)
AU (1) AU2009325425B2 (enExample)
TW (1) TWI482198B (enExample)
WO (1) WO2010067835A1 (enExample)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2961719B1 (fr) * 2010-06-24 2013-09-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement d'une piece en un materiau compose
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
JP5417399B2 (ja) * 2011-09-15 2014-02-12 信越化学工業株式会社 複合ウェーハの製造方法
FR2984597B1 (fr) * 2011-12-20 2016-07-29 Commissariat Energie Atomique Fabrication d’une structure souple par transfert de couches
JP5884585B2 (ja) * 2012-03-21 2016-03-15 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
CN103703542B (zh) * 2012-07-18 2016-06-08 日本碍子株式会社 复合晶片及其制造方法
JP6160617B2 (ja) 2012-07-25 2017-07-12 信越化学工業株式会社 ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板
CN104871431B (zh) * 2012-12-26 2018-04-10 日本碍子株式会社 复合基板及其制造方法，以及弹性波装置
WO2014192597A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 日本碍子株式会社 複合基板用支持基板および複合基板
JP6165127B2 (ja) * 2014-12-22 2017-07-19 三菱重工工作機械株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6454606B2 (ja) * 2015-06-02 2019-01-16 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6396852B2 (ja) * 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6396854B2 (ja) * 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6396853B2 (ja) 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6632462B2 (ja) * 2016-04-28 2020-01-22 信越化学工業株式会社 複合ウェーハの製造方法
JP6387375B2 (ja) 2016-07-19 2018-09-05 株式会社サイコックス 半導体基板
CN107785235A (zh) * 2016-08-31 2018-03-09 沈阳硅基科技有限公司 一种在基板上制造薄膜的方法
RU2699606C1 (ru) * 2016-11-28 2019-09-06 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" Способ ионно-лучевого синтеза нитрида галлия в кремнии
CN107326435A (zh) * 2017-07-28 2017-11-07 西安交通大学 一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法
US10510532B1 (en) * 2018-05-29 2019-12-17 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Method for manufacturing gallium nitride substrate using the multi ion implantation
KR101969679B1 (ko) * 2018-07-27 2019-04-16 한양대학교 산학협력단 Soi 웨이퍼와 열처리 공정을 이용한 박막 형성 및 전사 방법
EP4044212B1 (en) * 2019-11-14 2024-02-14 Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. Semiconductor substrate, manufacturing method therefor, and semiconductor device
CN111883651A (zh) * 2020-07-23 2020-11-03 奥趋光电技术(杭州)有限公司 一种制备高质量氮化铝模板的方法
US20250059676A1 (en) 2021-12-21 2025-02-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Nitride semiconductor substrate and method for producing nitride semiconductor substrate
CN117476831B (zh) * 2023-12-20 2024-03-19 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 Led外延片及其制备方法、led芯片及其制备方法
US20250254943A1 (en) * 2024-02-02 2025-08-07 Wolfspeed, Inc. Power Semiconductor Devices with Stacked Layers
DE102024203093A1 (de) * 2024-04-04 2025-10-09 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer Driftzone mit p-dotierten Bereichen eines Superjunction-Leistungshalbleiterbauelements und ein Superjunction-Leistungshalbleiterbauelement

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JP3655547B2 (ja) 2000-05-10 2005-06-02 株式会社イオン工学研究所 半導体薄膜の形成方法
FR2817395B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
US6562127B1 (en) * 2002-01-16 2003-05-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates
JP2003347176A (ja) * 2002-03-20 2003-12-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2004140266A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 薄膜層ウェハ製造方法、及び薄膜層ウェハ
EP1482548B1 (en) * 2003-05-26 2016-04-13 Soitec A method of manufacturing a wafer
JP5110772B2 (ja) * 2004-02-03 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜層を有する基板の製造方法
JP5358159B2 (ja) 2004-02-03 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜層を有する基板の製造方法
WO2006082467A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-10 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Substrate for crystal growing a nitride semiconductor
US8021962B2 (en) 2005-06-07 2011-09-20 Fujifilm Corporation Functional film containing structure and method of manufacturing functional film
JP2007019482A (ja) 2005-06-07 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 機能性膜含有構造体、及び、機能性膜の製造方法
JP5064695B2 (ja) * 2006-02-16 2012-10-31 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
JP5042506B2 (ja) * 2006-02-16 2012-10-03 信越化学工業株式会社 半導体基板の製造方法
JP4995626B2 (ja) * 2007-04-27 2012-08-08 信越化学工業株式会社 貼り合わせ基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010161355A5 (enExample)
JP2010034523A5 (enExample)
JP2009111363A5 (enExample)
JP2010135762A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011009719A5 (enExample)
JP2010272851A5 (enExample)
JP2010239131A5 (enExample)
JP2010161284A5 (enExample)
JP2011040729A5 (ja) 半導体基板の作製方法
JP2010109353A5 (enExample)
JP4577382B2 (ja) 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2010283337A5 (enExample)
JP2011253906A (ja) 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2014103329A5 (enExample)
JP5493343B2 (ja) 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2010251724A5 (enExample)
CN102832160A (zh) 一种soi硅片的制备方法
JP2011071193A5 (ja) 貼合せｓｏｉウェーハの製造方法
JP2010109356A5 (enExample)
JP2013048218A5 (enExample)
JP2004111521A (ja) Ｓｏｉウエーハおよびその製造方法
US7534728B2 (en) Process for cleaning silicon substrate
JP2009253240A5 (enExample)
JP2010016355A5 (enExample)
JP2015012009A5 (enExample)