JP5493343B2 - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
このように、プレアニールにおける第1の温度を200℃とすることにより、貼り合わせ界面に吸着している水分の脱離が十分にゆっくりと行われるため、ボイドやブリスターの発生を抑制できる。
このように、プレアニールにおける第2の温度を350℃とすることにより、イオン注入した水素原子の拡散を抑制することができ、その後の剥離熱処理において、剥離を十分に起こさせることができる。
前述のように、従来、剥離熱処理の温度が、貼り合わせ強度を十分に高めるための結合熱処理の温度よりも低いため、十分に貼り合わせ強度が向上する前に剥離が発生し、剥離後ではシリコンの厚さが薄いために、その物理的耐性が弱く、貼り合わせ強度が低い場合には剥がれなどを発生し、容易に損傷してSOI層の欠陥となる問題が生じていた。この点は、同じスマートカット法で作製される酸化膜を介さずに直接接合される直接接合ウェーハにおいても事情は同じである。以下、貼り合わせウェーハがSOIウェーハである場合を例として説明するが、本発明は当然直接接合ウェーハにも適用できる。
直径300mmのシリコン単結晶ウェーハを300枚用意してボンドウェーハとベースウェーハとに分け、ボンドウェーハの表面に150nmの熱酸化膜を形成し、その酸化膜を通してボンドウェーハ内部に水素イオンを注入した(注入エネルギー46keV、ドーズ量5E16/cm2)。
その後、ボンドウェーハとベースウェーハを室温で貼り合わせ、ボンドウェーハを剥離させるための熱処理を行った。その際、熱処理は、第1の温度及び第2の温度での熱処理工程を有するプレアニールを含む熱処理条件とし、プレアニールにおける第1の温度での熱処理を200℃で4時間保持、第2の温度での熱処理を350℃で2時間保持するものとし、その後、500℃まで昇温して30分保持し、ボンドウェーハを剥離した。
ブリスター発生率:(ブリスターのあるウェーハ数)/(全ウェーハ数)×100(%)
ボイド発生率:(ボイドのあるウェーハ数)/(全ウェーハ数)×100(%)
熱処理工程におけるプレアニールを、350℃、2時間保持の1ステップのみとした以外は実施例1と同一条件で貼り合わせウェーハ(SOIウェーハ)を作製し、ブリスター発生率、ボイド発生率を求めたところ、それぞれ24.0%、76.0%であった。
直径300mmのシリコン単結晶ウェーハを用意してボンドウェーハとベースウェーハとに分け、ボンドウェーハの表面に20nmの熱酸化膜を形成し、その酸化膜を通してボンドウェーハ内部に水素イオンを注入した(注入エネルギー35keV、ドーズ量5E16/cm2)。
その後、ボンドウェーハの貼り合わせ界面に対し、室温での貼り合わせ強度を高めるための窒素プラズマ処理を行った後、ベースウェーハを室温で貼り合わせ、ボンドウェーハを剥離するための熱処理を行った。その際、熱処理は、第1の温度及び第2の温度での熱処理工程を有するプレアニールを含む熱処理条件とし、プレアニールにおける第1の温度での熱処理を200℃で4時間保持、第2の温度での熱処理を350℃で2時間保持するものとし、その後、500℃まで昇温して30分保持し、ボンドウェーハを剥離した。
剥離後の貼り合わせウェーハ(SOIウェーハ)に対し、1200℃の高温でSOI表面の平坦化熱処理を行い、製品となるSOIウェーハを完成させた。
尚、完成品であるSOIウェーハ表面に検出された0.25μm以上のサイズの欠陥を、別途、SEM観察したところ、それらのほとんどは、ブリスターに起因した欠陥であった。
熱処理におけるプレアニールを200℃、4時間保持の1ステップのみとした以外は実施例2と同一条件で貼り合わせウェーハ(SOIウェーハ)を作製し、同様に0.25μm以上のサイズの欠陥数を求めたところ、平均2.3個/ウェーハであった。
熱処理におけるプレアニールを350℃、2時間保持の1ステップのみとした以外は実施例2と同一条件で貼り合わせウェーハ(SOIウェーハ)を作製し、同様に0.25μm以上のサイズの欠陥数を求めたところ、平均3.4個/ウェーハであった。
Claims (1)
- 少なくとも、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンのうち少なくとも1種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する工程と、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいはシリコン酸化膜を介して密着させる工程と、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させる熱処理工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記剥離させる熱処理工程は、500℃未満の温度でプレアニールを行い、その後500℃以上の温度で剥離熱処理をすることで行われ、
前記プレアニールは、少なくとも、貼り合わせ界面に吸着している水分を脱離するための、200±20℃である第1の温度で保持する熱処理をした後に、350±20℃である第2の温度で保持する熱処理をすることで行われることによって、350℃で1ステップのみのプレアニールと比べてブリスター発生率及びボイド発生率を低減することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
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