JP2004140266A - 薄膜層ウェハ製造方法、及び薄膜層ウェハ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハ1の表面1a及び半導体ウェハ1の表面1aに極めて近い領域のみを局部的に加熱し、薄膜層3と絶縁基板2を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くする。
【解決手段】半導体ウェハ3に表面3aから水素イオンを注入することにより、半導体ウェハ1の内部に表面3aに対して平行な微小気泡層6を形成し、半導体ウェハ1の表面1aと絶縁基板2の一面2aと貼り合わせ、レーザ光7を外側から絶縁基板2に向かって照射することにより、微小気泡層6を劈開面として半導体ウェハ1を薄膜状に剥離すると共に、剥離された薄膜層3と絶縁基板2を強固に結合する。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体ウェハ3に表面3aから水素イオンを注入することにより、半導体ウェハ1の内部に表面3aに対して平行な微小気泡層6を形成し、半導体ウェハ1の表面1aと絶縁基板2の一面2aと貼り合わせ、レーザ光7を外側から絶縁基板2に向かって照射することにより、微小気泡層6を劈開面として半導体ウェハ1を薄膜状に剥離すると共に、剥離された薄膜層3と絶縁基板2を強固に結合する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハと透明な絶縁基板を用いて、薄膜層を有した薄膜層ウェハを製造する薄膜層ウェハ製造方法、及び薄膜層ウェハに関する。
【0002】
【従来技術】
従来の薄膜層ウェハ製造方法の先行技術として下記の特許文献1に示すものがあり、この薄膜層ウェハ製造方法は、公知のイオン剥離法(特開平11−145438号公報、特開2001−210810号公報等参照)に基づき、Siウェハ(半導体ウェハの1つ)と透明なガラス基板(絶縁基板の1つ)を用いて、SOI(Silicon−On−Insulator)薄膜層(薄膜層の1つ)を有したSOI薄膜層ウェハ(薄膜層ウェハの1つ)を製造する方法であって、次のような態様を有している。
【0003】
即ち、前記Siウェハに表面から水素イオン又は希ガスイオンを注入することにより、前記Siウェハの内部に前記表面に対して平行な微小気泡層を形成する(イオン注入工程)。次に、前記Siウェハの前記表面と前記ガラス基板の一面を貼り合わせる(貼り合わせ工程)。
【0004】
前記貼り合わせ工程が終了した後に、前記Siウェハ及び前記ガラス基板を炉内において100〜300℃で熱処理して、前記Siウェハと前記ガラス基板を仮接合する(第1熱処理工程)。そして、前記Siウェハが所定の厚さになるように、前記Siウェハに対してアルカリエッチング処理を行って、前記Siウェハを薄片化する(エッチング工程)。
【0005】
前記エッチング工程が終了した後に、前記Siウェハ及び前記ガラス基板を前記炉内において500℃以上で熱処理して、前記微小気泡層を劈開面として前記Siウェハを薄膜状に剥離する(第2熱処理工程)。更に、剥離された前記SOI層及び前記ガラス基板を前記炉内において800℃以上で熱処理して、前記SOI層と前記ガラス基板を強固に結合する(第3熱処理工程)。
【0006】
以上により、前記SOI薄膜層を有した前記SOI薄膜層ウェハを製造することができる。
【0007】
【特許文献1】
特開平11−145438号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記SOI層と前記ガラス基板を強固に結合するには前記SOI層及び前記ガラス基板を前記炉内において800℃以上で熱処理する必要があるため、前記ガラス基板の構成材料として融点の低いものを用いることができず、前記ガラス基板の構成材料は例えば石英等のように800℃よりもかなり高い融点を有する高価なものに限られる。そのため、様々な構成材料からなる絶縁基板を前記薄膜層ウェハの製造に用いることができないと共に、前記薄膜層ウェハの製造コストが高くなる。
【0009】
また、前記SOI層と前記ガラス基板における構成材料の線膨張係数差によって、前記SOI層と前記ガラス基板を強固に結合する際に前記SOI層に割れ等が生じないように、前記Siウェハを薄片化しているが、前述のように、前記微小気泡層を劈開面として前記Siウェハを薄膜状に剥離する前に、前記第1熱処理工程と前記エッチング工程が必要となる。そのため、前記薄膜層ウェハの製造するための工程数が増え、前記薄膜層ウェハの製造作業が煩雑化して、作業時間が長くなる。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明にあっては、半導体ウェハと透明な絶縁基板を用いて、薄膜層ウェハを製造する薄膜層ウェハ製造方法において、
前記半導体ウェハに表面から水素イオン又は希ガスイオンを注入することにより、前記半導体ウェハの内部に前記表面に対して平行な微小気泡層を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程が終了した後に、前記半導体ウェハの前記表面と前記絶縁基板の一面と貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせ工程が終了した後に、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することにより、前記微小気泡層を劈開面として前記半導体ウェハを薄膜状に剥離すると共に、剥離された前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するレーザ光照射工程と、
を備えてなることを特徴とする。
【0011】
ここで、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することによって、前記半導体ウェハの前記表面及び前記半導体ウェハの前記表面に極めて近い領域のみを局部的に加熱でき、また、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するまでの加熱時間(レーザ光の照射時間)を極めて短くできる。
【0012】
また、レーザ光を外側から透明な前記絶縁基板に向かって照射しても、大部分のレーザ光は前記絶縁基板を透過して、前記絶縁基板の直接加熱に寄与するものではない。
【0013】
請求項2に記載の発明にあっては、請求項1に記載の発明特定事項の他に、前記レーザ光が前記絶縁基板を十分に透過しかつ前記レーザ光の光エネルギーが前記半導体ウェハに十分に吸収されるように、予め前記レーザ光の波長を選択することを特徴とする。
【0014】
請求項3に記載の発明にあっては、請求項1又は請求項2に記載の発明特定事項の他に、前記半導体ウェハは、Siウェハ,GaAsウェハ,SiCウェハ,InPウェハのいずれかであって、前記絶縁基板は、ガラス基板又はプラスチック基板であることを特徴とする。
【0015】
請求項4に記載の発明にあっては、請求項1から請求項3のうちのいずれかの請求項に記載の薄膜層ウェハ製造方法により製造されたことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0017】
図1は、本発明の実施の形態に係わる薄膜層ウェハの製造方法のフロー図であって、図2は、レーザ光の波長とガラスにおけるレーザ光の透過率との関係を示す図であって、図3は、レーザ光の波長とシリコンにおけるレーザ光の吸収係数との関係を示す図である。
【0018】
図1に示すように、本発明の実施の形態に係わる薄膜層ウェハ製造方法は、公知のイオン剥離法(特開平11−145438号公報、特開2001−210810号公報等参照)に基づき、Siウェハ1(図1(a)参照)と透明なガラス基板2(図1(a)参照)を用いて、SOI(Silicon−On−Insulator)薄膜層3を有したSOI薄膜層ウェハ4(図1(e)参照)を製造する方法であって、次のような、▲1▼イオン注入工程、▲2▼貼り合わせ工程、▲3▼レーザ光照射工程を備えている。即ち、
▲1▼ イオン注入工程
Siウェハ1に表面1aから水素イオン5又は希ガスイオンを注入することにより、Siウェハ1の内部に表面1aに対して平行な微小気泡層6を形成する(図1(b)参照)。ここで、イオン注入の際の加速電圧を制御することによりSiウェハ1の表面1aから所定の深さ位置に微小気泡層6を形成することができる。
【0019】
▲2▼ 貼り合わせ工程
前記▲1▼イオン注入工程が終了した後に、Siウェハ1の表面1aとガラス基板2の一面2aと貼り合わせる(図1(c)参照)。
【0020】
▲3▼ レーザ光照射工程
前記▲2▼貼り合わせ工程が終了した後に、レーザ照射装置(図示省略)によってレーザ光(本発明の実施の形態にあっては例えばYAGレーザの2倍波)7を外側からガラス基板2に向かって照射する。これによって、微小気泡層6を劈開面としてSiウェハ1を薄膜状に剥離すると共に、剥離されたSOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合する。なお、レーザ光7を照射する際に、貼り合わせたSiウェハ1及びガラス基板2をレーザ光7の光軸に対して直交する方向へ相対的に移動させる。
【0021】
ここで、レーザ光7を外側からガラス基板2に向かって照射することによって、Siウェハ1の表面1a及びSiウェハ1の表面1aに極めて近い領域(本発明の実施の形態にあっては表面1aから厚さ方向へ数百nmの領域)のみを局部的に加熱でき、また、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合するまでの加熱時間(レーザ光7の照射時間)を極めて短くできる(本発明の実施の形態にあっては加熱時間は数百n秒である)。一方、レーザ光7を外側から透明なガラス基板2に向かって照射しても、大部分のレーザ光7はガラス基板2を透過して、ガラス基板2の直接加熱に寄与するものではない。
【0022】
更に、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過しかつレーザ光7の光エネルギーがSiウェハ1に十分に吸収されるように、予めレーザ光7の波長を選択してある。即ち、図2に示すようにレーザ光7の波長が380nm以上で2200nm以下の場合にはガラスにおけるレーザ光7の透過率が90%になって、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過することが判明している。また、Si(シリコン)のバンドギャップを光の波長に変換すると1100nm程度であることもあって、図2に示すようにレーザ光7の波長が780nm以下の場合であっても、レーザ光7の光エネルギーがSiウェハ1に十分に吸収されることが判明している。従って、380nm以上で780nm以下のレーザ光7の波長を予め選択することによって、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過しかつレーザ光7の光エネルギーがSiウェハ1に十分に吸収されることを確保できる。特に、本発明の実施の形態にあっては、前記所定の深さ位置の微小気泡層6を劈開面としてSiウェハ1を薄膜状に剥離するために、レーザ光7の波長として380nm以上で780nm以上の中から532nmを予め選択している。
【0023】
また、レーザ光7の発振は、パルス波又は連続波のいれでも差し支えない。
【0024】
なお、前記レーザ照射工程が終了した後に、SOI薄膜層3の表面3aを鏡面研磨することが望ましい。
【0025】
以上の如き、本発明の実施の形態によれば、レーザ光7を外側から透明なガラス基板2に向かって照射しても、大部分のレーザ光7はガラス基板2を透過して、ガラス基板2の直接加熱に寄与するものではなく、また、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、Siウェハ1の構成材料が例えば石英等の高い融点を有する高価なものに限られず、融点の低い安価なものもSiウェハ1の構成材料として用いることができる。そのため、様々な構成材料からなるガラス基板2をSOI薄膜層ウェハ4の製造に用いることができると共に、SOI薄膜層ウェハ4の製造コストの低下を図ることができる。
【0026】
また、レーザ光7を外側からガラス基板2に向かって照射することによって、Siウェハ1の表面1a及びSiウェハ1の表面1aに極めて近い領域のみを局部的に加熱でき、また、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、Siウェハ1を薄片化しなくても、SOI薄膜層3とガラス基板2における構成材料の線膨張係数差によって、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合する際にSOI薄膜層3に割れ等が生じることがない。そのため、SOI薄膜層ウェハ4を製造する一連の工程の中から、Siウェハ1を薄片化する工程を省くことができ、SOI薄膜層ウェハ4の製造作業を短くして、作業能率が向上する。特に、微小気泡層6を劈開面としてSiウェハ1を薄膜状に剥離する処理、剥離されたSOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合する処理を同一工程により行うことができるため、SOi薄膜層ウェハ4の製造作業を更に短くして、作業能率がより一層向上する。
【0027】
なお、本発明は、前述の発明の実施の形態の説明に限るものではなく、例えば、半導体ウェハとしてSiウェハ1の代わりに、GaAsウェハ,SiCウェハ,InPウェハのいずれかを用いたり、透明な絶縁基板として透明なガラス基板2の代わりに透明なプラスチック基板を用いる等、適宜の変更を行うことにより、その他様々な形態で実施可能である。
【0028】
【発明の効果】
請求項1から請求項4のうちのいずれかの請求項に記載の発明によれば、レーザ光を外側から透明な前記絶縁基板に向かって照射しても、大部分のレーザ光は前記絶縁基板を透過して、前記絶縁基板の直接加熱に寄与するものではなく、また、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、前記半導体ウェハの構成材料が例えば石英等の高い融点を有する高価なものに限られず、融点の低い安価なものも前記半導体ウェハの構成材料として用いることができる。そのため、様々な構成材料からなる絶縁基板を前記薄膜層ウェハの製造に用いることができると共に、前記薄膜層ウェハの製造コストの低下を図ることができる。
【0029】
また、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することによって、前記半導体ウェハの前記表面及び前記半導体ウェハの前記表面に極めて近い領域のみを局部的に加熱でき、また、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、前記半導体ウェハを薄片化しなくても、前記薄膜層と前記絶縁基板における構成材料の線膨張係数差によって、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合する際に前記薄膜層に割れ等が生じることがない。そのため、前記薄膜層ウェハを製造する一連の工程の中から、前記半導体ウェハを薄片化する工程を省くことができ、前記薄膜層ウェハの製造作業を短くして、作業能率が向上する。特に、前記微小気泡層を劈開面として前記半導体ウェハを薄膜状に剥離する処理、剥離された前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合する処理を同一工程により行うことができるため、前記薄膜層ウェハの製造作業を更に短くして、作業能率がより一層向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わる薄膜層ウェハの製造方法のフロー図である。
【図2】レーザ光の波長とガラスにおけるレーザ光の透過率との関係を示す図である。
【図3】レーザ光の波長とシリコンにおけるレーザ光の吸収係数との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 Siウェハ
2 ガラス基板
3 SOI薄膜層
4 薄膜層ウェハ
5 水素イオン
6 微小気泡層
7 レーザ光
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハと透明な絶縁基板を用いて、薄膜層を有した薄膜層ウェハを製造する薄膜層ウェハ製造方法、及び薄膜層ウェハに関する。
【0002】
【従来技術】
従来の薄膜層ウェハ製造方法の先行技術として下記の特許文献1に示すものがあり、この薄膜層ウェハ製造方法は、公知のイオン剥離法(特開平11−145438号公報、特開2001−210810号公報等参照)に基づき、Siウェハ(半導体ウェハの1つ)と透明なガラス基板(絶縁基板の1つ)を用いて、SOI(Silicon−On−Insulator)薄膜層(薄膜層の1つ)を有したSOI薄膜層ウェハ(薄膜層ウェハの1つ)を製造する方法であって、次のような態様を有している。
【0003】
即ち、前記Siウェハに表面から水素イオン又は希ガスイオンを注入することにより、前記Siウェハの内部に前記表面に対して平行な微小気泡層を形成する(イオン注入工程)。次に、前記Siウェハの前記表面と前記ガラス基板の一面を貼り合わせる(貼り合わせ工程)。
【0004】
前記貼り合わせ工程が終了した後に、前記Siウェハ及び前記ガラス基板を炉内において100〜300℃で熱処理して、前記Siウェハと前記ガラス基板を仮接合する(第1熱処理工程)。そして、前記Siウェハが所定の厚さになるように、前記Siウェハに対してアルカリエッチング処理を行って、前記Siウェハを薄片化する(エッチング工程)。
【0005】
前記エッチング工程が終了した後に、前記Siウェハ及び前記ガラス基板を前記炉内において500℃以上で熱処理して、前記微小気泡層を劈開面として前記Siウェハを薄膜状に剥離する(第2熱処理工程)。更に、剥離された前記SOI層及び前記ガラス基板を前記炉内において800℃以上で熱処理して、前記SOI層と前記ガラス基板を強固に結合する(第3熱処理工程)。
【0006】
以上により、前記SOI薄膜層を有した前記SOI薄膜層ウェハを製造することができる。
【0007】
【特許文献1】
特開平11−145438号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記SOI層と前記ガラス基板を強固に結合するには前記SOI層及び前記ガラス基板を前記炉内において800℃以上で熱処理する必要があるため、前記ガラス基板の構成材料として融点の低いものを用いることができず、前記ガラス基板の構成材料は例えば石英等のように800℃よりもかなり高い融点を有する高価なものに限られる。そのため、様々な構成材料からなる絶縁基板を前記薄膜層ウェハの製造に用いることができないと共に、前記薄膜層ウェハの製造コストが高くなる。
【0009】
また、前記SOI層と前記ガラス基板における構成材料の線膨張係数差によって、前記SOI層と前記ガラス基板を強固に結合する際に前記SOI層に割れ等が生じないように、前記Siウェハを薄片化しているが、前述のように、前記微小気泡層を劈開面として前記Siウェハを薄膜状に剥離する前に、前記第1熱処理工程と前記エッチング工程が必要となる。そのため、前記薄膜層ウェハの製造するための工程数が増え、前記薄膜層ウェハの製造作業が煩雑化して、作業時間が長くなる。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明にあっては、半導体ウェハと透明な絶縁基板を用いて、薄膜層ウェハを製造する薄膜層ウェハ製造方法において、
前記半導体ウェハに表面から水素イオン又は希ガスイオンを注入することにより、前記半導体ウェハの内部に前記表面に対して平行な微小気泡層を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程が終了した後に、前記半導体ウェハの前記表面と前記絶縁基板の一面と貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせ工程が終了した後に、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することにより、前記微小気泡層を劈開面として前記半導体ウェハを薄膜状に剥離すると共に、剥離された前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するレーザ光照射工程と、
を備えてなることを特徴とする。
【0011】
ここで、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することによって、前記半導体ウェハの前記表面及び前記半導体ウェハの前記表面に極めて近い領域のみを局部的に加熱でき、また、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するまでの加熱時間(レーザ光の照射時間)を極めて短くできる。
【0012】
また、レーザ光を外側から透明な前記絶縁基板に向かって照射しても、大部分のレーザ光は前記絶縁基板を透過して、前記絶縁基板の直接加熱に寄与するものではない。
【0013】
請求項2に記載の発明にあっては、請求項1に記載の発明特定事項の他に、前記レーザ光が前記絶縁基板を十分に透過しかつ前記レーザ光の光エネルギーが前記半導体ウェハに十分に吸収されるように、予め前記レーザ光の波長を選択することを特徴とする。
【0014】
請求項3に記載の発明にあっては、請求項1又は請求項2に記載の発明特定事項の他に、前記半導体ウェハは、Siウェハ,GaAsウェハ,SiCウェハ,InPウェハのいずれかであって、前記絶縁基板は、ガラス基板又はプラスチック基板であることを特徴とする。
【0015】
請求項4に記載の発明にあっては、請求項1から請求項3のうちのいずれかの請求項に記載の薄膜層ウェハ製造方法により製造されたことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0017】
図1は、本発明の実施の形態に係わる薄膜層ウェハの製造方法のフロー図であって、図2は、レーザ光の波長とガラスにおけるレーザ光の透過率との関係を示す図であって、図3は、レーザ光の波長とシリコンにおけるレーザ光の吸収係数との関係を示す図である。
【0018】
図1に示すように、本発明の実施の形態に係わる薄膜層ウェハ製造方法は、公知のイオン剥離法(特開平11−145438号公報、特開2001−210810号公報等参照)に基づき、Siウェハ1(図1(a)参照)と透明なガラス基板2(図1(a)参照)を用いて、SOI(Silicon−On−Insulator)薄膜層3を有したSOI薄膜層ウェハ4(図1(e)参照)を製造する方法であって、次のような、▲1▼イオン注入工程、▲2▼貼り合わせ工程、▲3▼レーザ光照射工程を備えている。即ち、
▲1▼ イオン注入工程
Siウェハ1に表面1aから水素イオン5又は希ガスイオンを注入することにより、Siウェハ1の内部に表面1aに対して平行な微小気泡層6を形成する(図1(b)参照)。ここで、イオン注入の際の加速電圧を制御することによりSiウェハ1の表面1aから所定の深さ位置に微小気泡層6を形成することができる。
【0019】
▲2▼ 貼り合わせ工程
前記▲1▼イオン注入工程が終了した後に、Siウェハ1の表面1aとガラス基板2の一面2aと貼り合わせる(図1(c)参照)。
【0020】
▲3▼ レーザ光照射工程
前記▲2▼貼り合わせ工程が終了した後に、レーザ照射装置(図示省略)によってレーザ光(本発明の実施の形態にあっては例えばYAGレーザの2倍波)7を外側からガラス基板2に向かって照射する。これによって、微小気泡層6を劈開面としてSiウェハ1を薄膜状に剥離すると共に、剥離されたSOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合する。なお、レーザ光7を照射する際に、貼り合わせたSiウェハ1及びガラス基板2をレーザ光7の光軸に対して直交する方向へ相対的に移動させる。
【0021】
ここで、レーザ光7を外側からガラス基板2に向かって照射することによって、Siウェハ1の表面1a及びSiウェハ1の表面1aに極めて近い領域(本発明の実施の形態にあっては表面1aから厚さ方向へ数百nmの領域)のみを局部的に加熱でき、また、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合するまでの加熱時間(レーザ光7の照射時間)を極めて短くできる(本発明の実施の形態にあっては加熱時間は数百n秒である)。一方、レーザ光7を外側から透明なガラス基板2に向かって照射しても、大部分のレーザ光7はガラス基板2を透過して、ガラス基板2の直接加熱に寄与するものではない。
【0022】
更に、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過しかつレーザ光7の光エネルギーがSiウェハ1に十分に吸収されるように、予めレーザ光7の波長を選択してある。即ち、図2に示すようにレーザ光7の波長が380nm以上で2200nm以下の場合にはガラスにおけるレーザ光7の透過率が90%になって、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過することが判明している。また、Si(シリコン)のバンドギャップを光の波長に変換すると1100nm程度であることもあって、図2に示すようにレーザ光7の波長が780nm以下の場合であっても、レーザ光7の光エネルギーがSiウェハ1に十分に吸収されることが判明している。従って、380nm以上で780nm以下のレーザ光7の波長を予め選択することによって、レーザ光7がガラス基板2を十分に透過しかつレーザ光7の光エネルギーがSiウェハ1に十分に吸収されることを確保できる。特に、本発明の実施の形態にあっては、前記所定の深さ位置の微小気泡層6を劈開面としてSiウェハ1を薄膜状に剥離するために、レーザ光7の波長として380nm以上で780nm以上の中から532nmを予め選択している。
【0023】
また、レーザ光7の発振は、パルス波又は連続波のいれでも差し支えない。
【0024】
なお、前記レーザ照射工程が終了した後に、SOI薄膜層3の表面3aを鏡面研磨することが望ましい。
【0025】
以上の如き、本発明の実施の形態によれば、レーザ光7を外側から透明なガラス基板2に向かって照射しても、大部分のレーザ光7はガラス基板2を透過して、ガラス基板2の直接加熱に寄与するものではなく、また、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、Siウェハ1の構成材料が例えば石英等の高い融点を有する高価なものに限られず、融点の低い安価なものもSiウェハ1の構成材料として用いることができる。そのため、様々な構成材料からなるガラス基板2をSOI薄膜層ウェハ4の製造に用いることができると共に、SOI薄膜層ウェハ4の製造コストの低下を図ることができる。
【0026】
また、レーザ光7を外側からガラス基板2に向かって照射することによって、Siウェハ1の表面1a及びSiウェハ1の表面1aに極めて近い領域のみを局部的に加熱でき、また、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、Siウェハ1を薄片化しなくても、SOI薄膜層3とガラス基板2における構成材料の線膨張係数差によって、SOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合する際にSOI薄膜層3に割れ等が生じることがない。そのため、SOI薄膜層ウェハ4を製造する一連の工程の中から、Siウェハ1を薄片化する工程を省くことができ、SOI薄膜層ウェハ4の製造作業を短くして、作業能率が向上する。特に、微小気泡層6を劈開面としてSiウェハ1を薄膜状に剥離する処理、剥離されたSOI薄膜層3とガラス基板2を強固に結合する処理を同一工程により行うことができるため、SOi薄膜層ウェハ4の製造作業を更に短くして、作業能率がより一層向上する。
【0027】
なお、本発明は、前述の発明の実施の形態の説明に限るものではなく、例えば、半導体ウェハとしてSiウェハ1の代わりに、GaAsウェハ,SiCウェハ,InPウェハのいずれかを用いたり、透明な絶縁基板として透明なガラス基板2の代わりに透明なプラスチック基板を用いる等、適宜の変更を行うことにより、その他様々な形態で実施可能である。
【0028】
【発明の効果】
請求項1から請求項4のうちのいずれかの請求項に記載の発明によれば、レーザ光を外側から透明な前記絶縁基板に向かって照射しても、大部分のレーザ光は前記絶縁基板を透過して、前記絶縁基板の直接加熱に寄与するものではなく、また、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、前記半導体ウェハの構成材料が例えば石英等の高い融点を有する高価なものに限られず、融点の低い安価なものも前記半導体ウェハの構成材料として用いることができる。そのため、様々な構成材料からなる絶縁基板を前記薄膜層ウェハの製造に用いることができると共に、前記薄膜層ウェハの製造コストの低下を図ることができる。
【0029】
また、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することによって、前記半導体ウェハの前記表面及び前記半導体ウェハの前記表面に極めて近い領域のみを局部的に加熱でき、また、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くできるため、前記半導体ウェハを薄片化しなくても、前記薄膜層と前記絶縁基板における構成材料の線膨張係数差によって、前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合する際に前記薄膜層に割れ等が生じることがない。そのため、前記薄膜層ウェハを製造する一連の工程の中から、前記半導体ウェハを薄片化する工程を省くことができ、前記薄膜層ウェハの製造作業を短くして、作業能率が向上する。特に、前記微小気泡層を劈開面として前記半導体ウェハを薄膜状に剥離する処理、剥離された前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合する処理を同一工程により行うことができるため、前記薄膜層ウェハの製造作業を更に短くして、作業能率がより一層向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わる薄膜層ウェハの製造方法のフロー図である。
【図2】レーザ光の波長とガラスにおけるレーザ光の透過率との関係を示す図である。
【図3】レーザ光の波長とシリコンにおけるレーザ光の吸収係数との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 Siウェハ
2 ガラス基板
3 SOI薄膜層
4 薄膜層ウェハ
5 水素イオン
6 微小気泡層
7 レーザ光
Claims (4)
- 半導体ウェハと透明な絶縁基板を用いて、薄膜層を有した薄膜層ウェハを製造する薄膜層ウェハ製造方法において、
前記半導体ウェハに表面から水素イオン又は希ガスイオンを注入することにより、前記半導体ウェハの内部に前記表面に対して平行な微小気泡層を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程が終了した後に、前記半導体ウェハの前記表面と前記絶縁基板の一面と貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせ工程が終了した後に、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することにより、前記微小気泡層を劈開面として前記半導体ウェハを薄膜状に剥離すると共に、剥離された前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するレーザ光照射工程と、
を備えてなることを特徴とする薄膜層ウェハ製造方法。 - 前記レーザ光が前記絶縁基板を十分に透過しかつ前記レーザ光の光エネルギーが前記半導体ウェハに十分に吸収されるように、予め前記レーザ光の波長を選択することを特徴とする請求項1に記載の薄膜層ウェハ製造方法。
- 前記半導体ウェハは、Siウェハ,GaAsウェハ,SiCウェハ,InPウェハのいずれかであって、前記絶縁基板は、ガラス基板又はプラスチック基板であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の薄膜層ウェハ製造方法。
- 請求項1から請求項3のうちのいずれかの請求項に記載の薄膜層ウェハ製造方法により製造されたことを特徴とする薄膜層ウェハ。
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