JP2009541599A - Aldおよびcvd用のバッチ処理プラットフォーム - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1B
Description
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、基板を処理するための装置に関する。より具体的には、本発明は、基板上で原子層堆積(ALD)および化学気相堆積(CVD)を実行するためのバッチ処理プラットフォームに関する。
[0002]半導体デバイスを形成するプロセスは、通常、複数のチャンバを含む基板処理プラットフォーム内で実施される。幾つかの例では、マルチチャンバ処理プラットフォームまたはクラスタツールの目的は、制御された環境下で、基板上で2つ以上のプロセスを順次実行することである。しかし、他の例では、マルチチャンバ処理プラットフォームは、基板上で1回処理ステップを実行するだけであり、追加のチャンバは、基板がプラットフォームによって処理される速度を最大にするように意図されている。後者の場合、基板上で実行されるプロセスは、典型的にはバッチプロセスであり、比較的多数の基板(例えば、25または50枚)が、所定のチャンバ内で同時に処理される。バッチ処理は、例えばALDプロセスおよび幾つかの化学気相堆積(CVD)プロセスなどに関して、経済的に採算のとれる方法で、個々の基板について実行するには時間がかかりすぎるプロセスにとっては特に有益である。
[0036]本実施形態においては、複数のアームを有するロボットが、複数のブレードで構成されたアームを用いてステージングカセットと処理カセットとの間で基板を移送することにより、移送時間を減少させる。基板の移送中、処理チャンバはアイドル状態であるため、システムのスループットには、基板を処理カセットへ、およびそこから搬出するのに必要な時間を最小にすることが有益である。ロボットはまた、単一ブレードで構成された別のアームを用いて基板輸送ポッドとステージングカセットとの間で基板を移送して、基板輸送ポッドとステージングカセットとの間の基板間隔の差を調整する。構成には、直角座標ロボットベースのプラットフォーム、および、2つのバッチ処理チャンバと、プラットフォームの全ての構成要素がプラットフォームへ側面からアクセスせずに、メンテナンスのためにアクセスされることを可能にする、2つのバッチ処理チャンバの間の共通のアクセス空間とを有する構成を含む。
[0041]図1Bは、アクセスパネル120A、120Bと明確にすべく省略された施設タワー130とを有するシステム100の斜視図である。図1Aおよび図1Bを参照すると、バッチ処理ステーション101Aは、内部プロセス容積127を収容した反応器121Aと、反応器121Aに隣接して配置されたバッファチャンバ122Aと、ステージングカセット(図示せず)の反応器121Aを支持するように適合されたステージングプラットフォーム123Aとを含んでいる。同様に、バッチ処理ステーション101Bは、反応器121Bと、バッファチャンバ122Bと、ステージングカセット(図示せず)の反応器121Bを支持するように適合されたステージングプラットフォーム123Bとを含む。
[0056]図1Cを再度参照すると、FI102は、移送ロボットアセンブリ103と、移送領域135と、環境制御アセンブリ110と、1つまたは複数のロードステーション104A〜C(図1Aに図示)とを含む。FI102は、ファン駆動の空気濾過装置によって、清浄なミニ環境として、すなわち局所的大気圧の低汚染環境として、移送領域135を維持する。FI102は、ロードステーション104A〜Cのいずれかの上に配置されたFOUPと反応器121A、121Bとの間で、基板が移送される清浄な環境(すなわち移送領域135)を提供するように意図されている。最も新しく処理された基板はまた、システム100から出てFUOPに入る前に、移送領域135の低汚染環境内で処理した後に冷却されることができる。
[0059]図1Fは、FI102内で移送ロボットアセンブリ103として用いられるロボットアセンブリ11の一構成を図示している。ロボットアセンブリ11は、一般に、ロボットハードウェアアセンブリ85と、垂直ロボットアセンブリ95と、水平ロボットアセンブリ90とを含む。この結果、システムコントローラ111によって送られるコマンドから、ロボットハードウェアアセンブリ85と垂直ロボットアセンブリ95と水平ロボットアセンブリ90との協働運動によって、基板を移送領域135内の任意の所望のx、yおよびz位置に配置することができる。
[0070]基板のALDおよびCVD処理については、一般的に3つの方法があり、これらの方法では、化学前駆体を用いて処理チャンバのプロセス容積に送出できるプロセス流体を生成することにより、基板上に所望の材料層を堆積する。本明細書で用いられる用語のプロセス流体は、一般的に、気体、蒸気または液体を含むものとする。第1処理方法は、アンプル内で固体形である前駆体が制御されたプロセスを用いて気化される昇華プロセスであり、これにより前駆体をアンプル内で固体から気体または蒸気に状態変化させることができる。次に、前駆体を含む気体または蒸気が処理チャンバのプロセス容積に送出される。前駆体を含んだプロセスガスを生成するのに用いられる第2の方法は蒸発方法によるものであり、この蒸発方法では、キャリアガスが温度制御された液体前駆体を通過して気泡になり、流れているキャリアガスと共に運び去られる。前駆体を生成するために用いられる第3プロセスは、ポンプを使用することによって、液体前駆体が気化器に送出される液体送出システムである。液体送出システムでは、液体前駆体は、気化器から伝達されたエネルギーを加えることによって、液体から気体に状態を変化させる。加えられたエネルギーは、典型的には、液体に加えられた熱の形をしている。前駆体を含んだプロセス流体を生成するための上述の3つの方法はいずれも、典型的には、前駆体アンプルの温度と、アンプルと処理チャンバとの間の流体送出ラインとを制御する必要がある。これは特にALDプロセスについて言えることであり、この場合、上記の送出ラインの温度制御がプロセスの再現性を達成するのに極めて重要である。したがって、前駆体温度を厳密に制御する必要がある場合、前駆体アンプルと、この前駆体アンプルによって機能する処理チャンバとの間の距離を最小にして、不必要なシステムコストと複雑さと信頼性を回避する。
[0075]単一基板処理システムと異なり、システム100などのバッチ処理システムは、典型的には、複数のFOUPからの基板を同時に処理する。例えば、標準的なFOUPが最大25枚の基板を収容するのに対して、システム100によって処理される基板バッチは、50枚から100枚の基板であってもよい。システム100が、2つ以上のバッチ処理ステーションを含んでもよいことを考えると、最大12枚以上のFOUPに相当する、100〜200枚の多量の基板が常に、システム100内で処理されてもよい。しかし、システム100の設置面積を最小にするために、FI102は、典型的には、図1Aで図示されるとおり、2つまたは3つのロードステーション104A〜Cのみを含む。したがって、処理された基板を待つ空のFOUPは、基板を他のFOUPから装填および取り出すことを可能にするために、ロードステーション104A〜Cから取り出されなければならない。さらに、処理後に、各FOUPをロードステーション104A〜Cに正しく段階分けすることにより、正しい基板をロードステーションに装填しなければならない。さらに、FOUPは、オーバーヘッドモノレールFOUP輸送システムなどの製造工場の中心FOUP輸送システムから受け取られ、およびそこへ戻されなければならない。したがって、スループットを低下することなく、またはシステム100の設置面積を不当に拡大することなく、処理中に多数のFOUPを管理することが重要な考慮事項である。
[0080]本発明の一態様においては、複数のアームロボットプラットフォームは、このプラットフォーム間に置かれたサービス通路を有して構成された2つのバッチ処理チャンバを含み、これにより移送ロボットと堆積ステーションへの必要なサービスアクセスを提供する。必要なサービス領域は、一般的に、基板処理システムのCOO算出における設置面積の一部として含まれ、システムの設置面積全体の大きな部分を構成することが多い。さらに、必要に応じて、アクセス領域は減少されるだけでなく、処理システムの両側で削減されて、1つの処理システムが他のシステムと当接して置かれてもよく、これにより床面積を最大限に効率よく使用する。したがって、側面アクセスの必要性をなくするようにして、必要なサービス領域全てを基板処理システムの他の領域に組み入れることにより、有効設置面積を大幅に減少させることができる。
[0089]本発明の別の実施形態では、カセットハンドラは、チャンバのアイドル時間を最小にするために、処理チャンバと冷却ステーションとの間で処理カセットを移送する。単一アームのロボットが、基板輸送ポッドと処理カセットとの間で個々の基板を移送する。一態様においては、カセットハンドラは、1つまたは複数の処理チャンバと冷却ステーションとの間で処理カセットを移送するように適合された直線移動装置である。別の態様では、カセットハンドラは、未処理の基板のカセットを、処理済みの基板のカセットと交換するように適合された回転テーブルである。
[0090]図3Aは、本発明の一態様である、直線移動装置を含むバッチ処理プラットフォーム(以降、システム300と称す)の概略的な平面図である。直線移動体ロボットは、ステージングプラットフォームと、少なくとも1つのバッチ処理チャンバと、カセット積載ステーションとの間で処理カセットを移送するように適合されている。図3Bは、システム300の概略的な側面図である。
[0098]図4Aは、本発明の一態様である、バッチ処理プラットフォーム(以降、システム400と称す)の概略的な平面図であり、このバッチ処理プラットフォームでは、回転交差ロボットが、2つの反応器と2つの真空ロードロックとの間で2組の処理カセットを回転式に交換するように適合されている。図4Bは、システム400の概略的な側面図である。
[0104]図5は、本発明の一態様である、バッチ処理プラットフォーム(以降、システム500と称す)の概略的な平面図であり、このバッチ処理プラットフォームでは、直線水平運動を有する回転テーブルが、2つのステージングプラットフォームと2つのバッチ処理ステーションとの間で処理カセットを移送する。
Claims (15)
- 第1基板処理チャンバと、
前記基板処理チャンバに隣接して配置された第1バッファチャンバであって、前記第1バッファチャンバの内部容積が、前記第1基板処理チャンバの内部プロセス容積と選択的に流体連通している、第1バッファチャンバと、
2枚以上の基板を第1間隔で支持するように適合された処理カセットであって、前記処理カセットが、前記第1バッファチャンバと前記第1基板処理チャンバとの間で移送可能である、処理カセットと、
前記バッファチャンバと流体連通し、前記第1バッファチャンバ内の圧力を大気圧より低い圧力に低減するように適合された、真空ポンプと、
大気移送領域を有するファクトリインターフェースと、
前記大気移送領域と前記第1バッファチャンバの前記内部容積との間に配置され、前記内部容積を前記大気移送領域から流体的に隔離するように適合されたスリット弁と、
前記大気移送領域内に配置され、2枚以上の基板を前記第1間隔で支持するように適合された、ステージカセットと、
前記大気移送領域内に配置され、単一の基板取り扱いブレードを用いて、基板輸送ポッドと前記ステージカセットとの間で基板を移送し、複数の基板取り扱いブレードを用いて、前記ステージカセットと前記処理カセットとの間で基板を移送するように適合された移送ロボットと、
を備える、基板処理装置。 - 前記ファクトリインターフェースが、
前記大気移送領域へ濾過空気を供給するよう適合された濾過装置と、
前記大気移送領域に隣接して前記基板輸送ポッドを取り付けるための少なくとも1つのロードステーションであって、前記少なくとも1つのロードステーションがさらに、前記基板輸送ポッドの内部が前記大気移送領域と流体連通するために前記基板輸送ポッドを開放するように適合され、前記基板輸送ポッドが、2枚以上の基板を第2間隔で水平に収容するように適合されている、少なくとも1つのロードステーションと、
をさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 第2基板処理チャンバと、
前記第2基板処理チャンバと隣接して配置された第2バッファチャンバであって、前記第2バッファチャンバの内部容積が、前記第2基板処理チャンバの内部プロセス容積と選択的に流体連通している、第2バッファチャンバと、
2枚以上の基板を前記第1間隔で支持するように適合された第2処理カセットであって、前記第2処理カセットが、前記第2バッファチャンバと前記第2基板処理チャンバとの間で移送可能である、第2処理カセットと、
2枚以上の基板を前記第1間隔で支持するように適合され、前記移送ロボットが、前記複数の基板取り扱いブレードを用いて、前記第2ステージカセットと前記第2処理カセットとの間で基板を移送するようさらに適合された、第2ステージカセットと、
をさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 前記第1基板処理チャンバの前記内部プロセス容積と流体連通する流体送出システムをさらに備え、前記流体送出システムが、化学気相堆積(CVD)または原子層堆積(ALD)プロセスが、内部に配置された1枚または複数の基板上で実行きるように、前記内部プロセス容積に前駆体含有流体を送出するように適合されている、請求項1に記載の装置。
- 前記処理カセットを前記第1基板処理チャンバに、およびそこから移送するように適合された垂直リフト機構をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記移送ロボットが、
2棒リンクアームと、
前記2棒リンクアームを線形経路に沿って位置合わせするように適合された運動アセンブリであって、前記線形経路が、前記少なくとも1つのロードステーションと前記第1基板処理チャンバとに近接した位置を含む、運動アセンブリと、
を備える、請求項1に記載の装置。 - 第2基板処理チャンバと、
前記第1基板処理チャンバと前記第2基板処理チャンバとの間の前記大気移送領域内に配置され、前記移送ロボットと前記第1および第2処理チャンバに対して必要なサービスアクセスを全て提供するように適合されたサービス通路と、
前記第1基板処理チャンバに近接する第1ロードステーションであって、前記第1移送ロボットが、前記第1ロードステーションと前記第1基板処理チャンバとに近接している、第1ロードステーションと、
前記第2基板処理チャンバに近接する第2ロードステーションと、
前記第2ロードステーションと前記第2基板処理チャンバとに近接した前記大気移送領域内に配置された第2移送ロボットであって、前記第2移送ロボットが、前記第2ロードステーションと前記第2基板処理チャンバとの間で基板を移送するように適合され、前記第2移送ロボットが、複数の基板取り扱いブレードを備えた少なくとも1つの基板移送アームを有する、第2移送ロボットと、
をさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 第1基板処理チャンバと、
2枚以上の基板を支持するように適合された処理カセットと、
カセット移送領域内に配置されたステージプラットフォームであって、前記カセット移送領域が、大気圧より低い圧力に維持されている、ステージプラットフォームと、
前記ステージプラットフォームと前記基板処理チャンバとの間で前記処理カセットを移送するように適合されたカセットハンドラロボットと、
基板輸送ポッドと前記処理カセットとの間で基板を移送するように適合された基板移送ロボットと、
大気圧領域から前記カセット移送領域への前記処理カセットの前記移送を支援するように適合された第1ロードロックと、
を備える、基板処理装置。 - 前記カセットハンドラロボットが、
前記カセット移送領域と前記第1基板処理チャンバとの間、および、前記カセット移送領域と前記第1ロードロックとの間で前記処理カセットを垂直に移送するように構成されたリフト機構であって、前記第1基板処理チャンバと前記第1ロードロックが、前記カセット移送領域の上に置かれている、リフト機構と、
前記処理カセットを、前記第1基板処理チャンバと前記第1ロードロックの下の位置まで水平移動させるように構成された直線移動装置と、
を備える、請求項17に記載の装置。 - 第2基板処理チャンバをさらに備え、前記カセットハンドラロボットが、前記処理カセットを、前記第1基板処理チャンバと前記第2基板処理チャンバと前記第1ロードロックの下の位置まで水平移動させるようにさらに適合されている、請求項19に記載の装置。
- 第2ロードロックと、
第2基板処理チャンバと、
備えた装置であって、
前記第1および第2基板処理チャンバと前記第1および第2ロードロックとが前記カセット移送領域の上に置かれ、前記カセットハンドラロボットが、
前記処理カセットを垂直に移送するよう構成されたリフト機構と、
回転テーブルと、
を備え、
前記回転テーブルが、
各ロードロックの下および各堆積チャンバの下に処理カセットを回転可能に配置し、
前記堆積チャンバと前記カセット移送領域との間で2つの処理カセットを垂直に移送し、
前記ロードロックと前記カセット移送領域との間で2つの処理カセットを垂直に移送するよう適合されている、
請求項17に記載の装置。 - 基板処理チャンバと、
2枚以上の基板を支持するように適合された第1処理カセットと、
大気圧に維持されたカセット移送領域内に置かれたステージプラットフォームと、
前記ステージプラットフォームと前記基板処理チャンバとの間で前記第1処理カセットを移送するように適合されたカセットハンドラロボットと、
基板輸送ポッドと前記処理カセットとの間で基板を移送するように適合された基板移送ロボットと、
内部容積を形成する1つまたは複数の壁面を有するバッファチャンバであって、前記内部容積が、前記基板処理チャンバの下に配置されているバッファチャンバと、
前記カセット移送領域と前記バッファチャンバの前記内部容積との間に密封式に配置され、前記カセット移送領域から前記内部容積を流体的に隔離するように適合されたスリット弁と、
を備える、基板処理装置。 - 前記カセットハンドラロボットが、直線移動装置であり、前記直線移動装置が、リフト機構を含むように適合されている、請求項23に記載の装置。
- 前記カセットハンドラロボットが、
処理カセットを垂直に移送するよう構成されたリフト機構と、
前記リフト機構から前記第1処理カセットと第2処理カセットを受け入れ、前記第1処理カセットと前記第2処理カセットの位置を回転式に交換し、前記リフト機構を用いて、前記第1処理カセットを、前記第1基板処理チャンバと前記カセット移送領域との間で移動することができるように前記第1処理カセットを配置するように適合された回転テーブルとを備える、請求項23に記載の装置。 - 前記回転テーブルが、前記バッファチャンバの前記内部容積内に収容されている、請求項28に記載の装置。
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