JP2009158804A - 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子 - Google Patents
半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009158804A JP2009158804A JP2007337167A JP2007337167A JP2009158804A JP 2009158804 A JP2009158804 A JP 2009158804A JP 2007337167 A JP2007337167 A JP 2007337167A JP 2007337167 A JP2007337167 A JP 2007337167A JP 2009158804 A JP2009158804 A JP 2009158804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor material
- composition
- superlattice composite
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 65
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 12
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/151—Compositional structures
- H01L29/152—Compositional structures with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
- H01L29/155—Comprising only semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
- H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/0251—Graded layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】Si基板10上又はこの上に形成した中間層20上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層30を形成し、該組成傾斜層30の上に、AlYGa1-YNの組成からなるからなる高Al含有層41とAlZGa1-ZNの組成からなる低Al含有層42とを交互に積層してなる超格子複合層40を形成し、該超格子複合層40の上に、窒化物半導体層50を形成してなる半導体材料を提供する。
【選択図】図1
Description
(1)Si基板上又はこの上に形成した中間層上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層を形成し、該組成傾斜層の上に、AlYGa1-YN(ただし、0.5≦Y≦1とする。)の組成からなる高Al含有層と、AlZGa1-ZN(ただし、0≦Z≦0.5とする。)の組成からなる低Al含有層とを交互に積層してなる超格子複合層を形成し、該超格子複合層の上に、窒化物半導体層を形成してなることを特徴とする半導体材料。
本発明のSi基板10としては、特に限定はされないが、通常使用される高品質の単結晶シリコンからなる基板を用いることができる。
本発明の組成傾斜層30は、図1に示すように、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向Lに連続又は不連続に減少(漸減)するように組成を傾斜させた層である。前記Al含有比を結晶成長方向Lに漸減するように組成を傾斜させることで、前記AlXGa1-XNの熱膨張率が、前記組成傾斜層30中の前記基板10と接する下面21ではSiに近づき、前記超格子複合層40と接する上面22ではその窒化物半導体層の熱膨張率に近づくため、前記窒化物半導体層50内の内部応力を低減させる結果、クラックの発生を抑制することができる。
本発明の超格子複合層40は、図1に示すように、前記組成傾斜層30の上に形成され、AlYGa1-YN(ただし、0.5≦Y≦1とする。)の組成からなる高Al含有層41と、AlZGa1-ZN(ただし、0≦Z≦0.5とする。)の組成からなる低Al含有層42とを交互に積層してなる複合層である。この超格子複合層40を形成すれば、前記Si基板10と前記窒化物半導体層50との、格子定数や熱膨張率差を緩和することができる結果、前記窒化物半導体層50に発生するクラックを抑制することができる。さらに、上述したように、前記組成傾斜層30の上に形成することで、前記窒化物半導体層50に発生するピットについても抑制できるという効果を奏する。
さらにまた、前記超格子複合層40は、図1に示すように、それを構成する最下層が高Al含有層41であり、最上層が低Al含有層42であることが、前記窒化物半導体層50のクラック及びピットの発生を抑制する効果がより発揮される点で好ましい。
本発明の窒化物半導体層50は、図1に示すように、前記超格子複合層50の上に形成される層である。窒化物半導体の種類としては、例えば、GaN、AlXGa1-XN、InXGa1-XN又はAlXInYGa1-X-YN等が挙げられる。
本発明による半導体材料の製造方法は、Si基板上又はこの上に形成した中間層上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に漸減するように組成を傾斜させた組成傾斜層を形成し、該組成傾斜層の上に、AlYGa1-YN(ただし、0.5≦Y≦1、好ましくはY=1とする。)の組成からなる高Al含有層と、AlZGa1-ZN(ただし、0≦Z≦0.5、好ましくは0≦Z≦0.3とする。)の組成からなる低Al含有層とを交互に積層、好ましくは合計で2〜100層積層させて超格子複合層を形成し、該超格子複合層の上に、窒化物半導体層を形成する。
また、組成傾斜層、超格子複合層ともに、AlGaN系の窒化物であるが、AlGaInN系の窒化物としても同様の効果が期待できる。
(実施例1)
実施例1は、図1に示すように、直径4インチで結晶面が(111)、膜厚525umのSi基板10を用意し、MOCVD法を用い、水素及び窒素雰囲気中で、前記Si基板10を1100℃に加熱した後、トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)、NH3の供給量を調整することにより、前記Si基板10上に、膜厚100nmの中間層20であるAlN層を形成し、該AlN層上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比Xが結晶成長方向にX=1からX=0となるように連続的に変化する組成傾斜層30(膜厚3.5μm)を形成した。その後、トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)、NH3の供給量を調整することにより、前記組成傾斜層30の上に、AlNからなる高Al含有層41(膜厚5nm)とAl0.15Ga0.85Nからなる低Al含有層42(膜厚20nm)を交互に50層ずつ、計100層積層させた超格子複合層40を形成し、更にその上に厚さ1μmのGaN層50と薄いAl0.26Ga0.74N層60を順次形成することで、サンプルとなる半導体材料を作製した。
実施例2は、超格子複合層40を、AlNからなる高Al含有層41(膜厚5nm)とGaNからなる低Al含有層42(膜厚20nm)を交互に20層ずつ、計40層積層させて形成したこと以外は、実施例1と同様の方法により、サンプルとなる半導体材料を作製した。
実施例3は、超格子複合層40を、AlNからなる高Al含有層41(膜厚5nm)とAl0.15Ga0.85Nからなる低Al含有層42(膜厚20nm)を交互に1層ずつ、計2層積層させて形成したこと以外は、実施例1と同様の方法により、サンプルとなる半導体材料を作製した。
比較例1は、図4に示すように、図1の半導体材料と同様の条件により、前記Si基板10上に、AlNからなる第一中間層20を形成し、その上にAlGaNからなる第二中間層21を形成し、その上に前記組成傾斜層30を形成することなく、AlNからなる高Al含有層41(膜厚5nm)とAl0.15Ga0.85Nからなる低Al含有層42(膜厚20nm)を交互に160層ずつ、計320層積層させた超格子複合層40を形成し、その上に厚さ1μmのGaN層と、Al0.26Ga0.74N層60とを順次形成することで、サンプルとなる半導体材料を作製した。
比較例2は、図5に示すように、図1の半導体材料と同様の条件により、前記Si基板10上に、AlNからなる中間層20を形成し、該中間層20上に、組成傾斜層30を形成した。その後、前記組成傾斜層30上に、超格子複合層40を形成することなく、厚さ1μmのGaN層と、Al0.26Ga0.74N層60とを順次形成することで、サンプルとなる半導体材料を作製した。
(1)ピット数
上記実施例及び比較例で作製した半導体材料の、GaN層50の表面を光学顕微鏡(倍率100倍)を用いて観察し、4インチウエハの任意の5点の視野範囲のピット数を計測し視野面積よりピット密度(個/cm2)に換算、以下の基準に従って評価した。
○:1000個/cm2以下
×:1000個/cm2超え
上記実施例及び比較例で作製した半導体材料の、GaN層50の表面を光学顕微鏡(倍率100倍)を用いて観察し、クラックの有無を観察し、以下の基準に従って評価した。
○:4インチウエハ外周5mm以内にクラック無し
×:4インチウエハ外周5mm以内にクラック有り
上記実施例及び比較例で作製した半導体材料の、GaN層50の結晶面(2024)面を、X線回折装置を用いて、回折線の半値幅を測定し、以下の基準に従って評価した。
○:1200arcsec以下
△:1200arcsec以上、1300arcsec以下
×:1300arcsec超え
10 Si基板
20 中間層
21 第二中間層
30 組成傾斜層
31 下面
32 上面
40 超格子複合層
41 高Al含有層
42 低Al含有層
50 窒化物半導体層
60 カバー層
L 結晶の成長方向
Claims (11)
- Si基板上又はこの上に形成した中間層上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層を形成し、該組成傾斜層の上に、AlYGa1-YN(ただし、0.5≦Y≦1とする。)の組成からなる高Al含有層と、AlZGa1-ZN(ただし、0≦Z≦0.5とする。)の組成からなる低Al含有層とを交互に積層してなる超格子複合層を形成し、該超格子複合層の上に、窒化物半導体層を形成してなることを特徴とする半導体材料。
- 前記超格子複合層は、前記高Al含有層がAlN層(Y=1)であり、前記低Al含有層がAlZGa1-ZN層(ただし、0≦Z≦0.3とする。)であることを特徴とする請求項1記載の半導体材料。
- 前記超格子複合層は、前記高Al含有層と前記低Al含有層との合計数が、2〜100層であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体材料。
- 前記超格子複合層は、それを構成する最下層が高Al含有層であり、最上層が低Al含有層であることを特徴とする請求項1、2又は3記載の半導体材料。
- 前記傾斜層は、前記AlXGa1-XNのXの値が、前記Si基板又は前記中間層と接する下面で0.5〜1の範囲であり、前記超格子複合層と接する上面で0〜0.5の範囲であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体材料。
- 前記窒化物半導体層は、GaN層であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体材料。
- 前記GaN層のピット密度は1000個/cm2以下であることを特徴とする請求項6記載の半導体材料。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載の半導体材料を用い、該半導体材料に電極を設けてなる半導体素子。
- Si基板上又はこの上に形成した中間層上に、AlXGa1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層を形成し、該組成傾斜層の上に、AlYGa1-YN(ただし、0.5≦Y≦1とする。)の組成からなる高Al含有層と、AlZGa1-ZN(ただし、0≦Z≦0.5とする。)の組成からなる低Al含有層とを交互に積層させて超格子複合層を形成し、該超格子複合層の上に、窒化物半導体層を形成することを特徴とする半導体材料の製造方法。
- 前記超格子複合層を形成する工程は、前記高Al含有層としてAlN層を形成し、前記低Al含有層としてAlZGa1-ZN層(0≦Z≦0.3)を形成することを特徴とする請求項9記載の半導体材料の製造方法。
- 前記超格子複合層を形成する工程は、前記高Al含有層と前記低Al含有層とを、合計で2〜100層積層させることを特徴とする請求項9又は10記載の半導体材料の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007337167A JP4592742B2 (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子 |
US12/735,259 US8344356B2 (en) | 2007-12-27 | 2008-12-17 | Semiconductor material, method of making the same, and semiconductor device |
PCT/JP2008/072911 WO2009084431A1 (ja) | 2007-12-27 | 2008-12-17 | 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007337167A JP4592742B2 (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009158804A true JP2009158804A (ja) | 2009-07-16 |
JP4592742B2 JP4592742B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=40824151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007337167A Active JP4592742B2 (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8344356B2 (ja) |
JP (1) | JP4592742B2 (ja) |
WO (1) | WO2009084431A1 (ja) |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011024979A1 (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP2011066333A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにiii族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板 |
WO2011055774A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
JP2011187654A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなるhemt、およびその製造方法 |
CN102214701A (zh) * | 2010-04-08 | 2011-10-12 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物半导体元件 |
WO2011135963A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
JP2011243644A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法 |
JP2011249843A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-12-08 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2012094802A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Jiaotong Univ | 窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法 |
WO2013008461A1 (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2013026321A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Sharp Corp | 窒化物系半導体層を含むエピタキシャルウエハ |
JP2013513944A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP2013077822A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
JP2013084913A (ja) * | 2012-08-15 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法 |
JP2013128103A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-27 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法 |
WO2013108733A1 (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | シャープ株式会社 | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ |
JP2013531361A (ja) * | 2010-04-27 | 2013-08-01 | フォン ケネル ハンス | 基板のパターン化を使用するマスクレスプロセスによる転位及び応力管理と装置製造のための方法 |
JP5362085B1 (ja) * | 2012-09-05 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体素子及び窒化物半導体ウェーハの製造方法 |
JP2014003056A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Nagoya Institute Of Technology | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
JP2014022685A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Nagoya Institute Of Technology | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
JP2014053607A (ja) * | 2013-09-02 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2014072429A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP5492984B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-05-14 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
US8742396B2 (en) | 2012-01-13 | 2014-06-03 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | III nitride epitaxial substrate and deep ultraviolet light emitting device using the same |
US8809101B2 (en) | 2011-05-16 | 2014-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer |
JP2014222730A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
WO2015005157A1 (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体および電界効果トランジスタ |
JP2015512148A (ja) * | 2012-02-03 | 2015-04-23 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 異種基板を有するiii族窒化物デバイスに適するバッファ層構造 |
JP2015185809A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板の製造方法及び半導体装置 |
WO2016039178A1 (ja) * | 2014-09-10 | 2016-03-17 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体積層構造及びそれを用いた電子デバイス |
JP2016074549A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 古河機械金属株式会社 | 自立基板、及び、自立基板の製造方法 |
JP2016149410A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板および高電子移動度トランジスタならびにそれらの製造方法 |
JPWO2015152411A1 (ja) * | 2014-04-04 | 2017-04-13 | 古河電気工業株式会社 | 窒化物半導体装置およびその製造方法、ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ |
US9660133B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-05-23 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Group III nitride heterostructure for optoelectronic device |
KR101823685B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2018-03-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 성장기판, 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP2018067712A (ja) * | 2017-10-19 | 2018-04-26 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
KR20200066141A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법 |
WO2020111789A3 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-07-16 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법 |
US11955520B2 (en) | 2020-12-11 | 2024-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5634681B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-12-03 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体素子 |
JP5334057B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-11-06 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物積層基板 |
EP2538435B1 (en) * | 2010-02-16 | 2019-09-11 | NGK Insulators, Ltd. | Epitaxial substrate and method for producing same |
CN102870196A (zh) * | 2010-06-08 | 2013-01-09 | 日本碍子株式会社 | 外延基板以及外延基板的制造方法 |
JP5781292B2 (ja) | 2010-11-16 | 2015-09-16 | ローム株式会社 | 窒化物半導体素子および窒化物半導体パッケージ |
JP6018360B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2016-11-02 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US20120153351A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | International Rectifier Corporation | Stress modulated group III-V semiconductor device and related method |
US8633468B2 (en) * | 2011-02-11 | 2014-01-21 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Light emitting device with dislocation bending structure |
US8957454B2 (en) * | 2011-03-03 | 2015-02-17 | International Rectifier Corporation | III-Nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayer transition modules |
KR101855063B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2018-05-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
WO2013096821A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Aluminum nitride based semiconductor devices |
US9691855B2 (en) * | 2012-02-17 | 2017-06-27 | Epistar Corporation | Method of growing a high quality III-V compound layer on a silicon substrate |
WO2013137476A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 次世代パワーデバイス技術研究組合 | 半導体積層基板、半導体素子、およびその製造方法 |
JP6151487B2 (ja) * | 2012-07-10 | 2017-06-21 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP5768027B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2015-08-26 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体層の形成方法 |
CN105144345B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-05-08 | 晶体公司 | 与赝配电子和光电器件的平面接触 |
JP2014220407A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | ローム株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP6138359B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-05-31 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 窒化物系化合物半導体素子を製造する方法 |
TWI574407B (zh) * | 2013-08-16 | 2017-03-11 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體功率元件 |
WO2015029578A1 (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US20150115327A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | International Rectifier Corporation | Group III-V Device Including a Buffer Termination Body |
CN103633134B (zh) * | 2013-12-12 | 2016-09-14 | 中山大学 | 一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法 |
CN104733511A (zh) * | 2013-12-21 | 2015-06-24 | 江西省昌大光电科技有限公司 | 一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构 |
US9847401B2 (en) * | 2014-02-20 | 2017-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method of forming the same |
US10199535B2 (en) | 2014-02-22 | 2019-02-05 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure |
US9412902B2 (en) | 2014-02-22 | 2016-08-09 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure |
TWI566430B (zh) | 2015-05-06 | 2017-01-11 | 嘉晶電子股份有限公司 | 氮化物半導體結構 |
JP6653750B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2020-02-26 | サンケン電気株式会社 | 半導体基体及び半導体装置 |
WO2017179944A1 (ko) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광모듈 |
CN106098749A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-09 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种硅衬底上AlGaN/GaN异质结构及其生长方法 |
US10636899B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-04-28 | Infineon Technologies Austria Ag | High electron mobility transistor with graded back-barrier region |
CN107634128A (zh) * | 2017-09-14 | 2018-01-26 | 厦门三安光电有限公司 | 氮化物半导体元件 |
TWI631668B (zh) | 2017-11-22 | 2018-08-01 | 聯鈞光電股份有限公司 | 氮化物半導體結構 |
JP2019110168A (ja) | 2017-12-15 | 2019-07-04 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体素子 |
US11515407B2 (en) * | 2018-12-26 | 2022-11-29 | Intel Corporation | High breakdown voltage structure for high performance GaN-based HEMT and MOS devices to enable GaN C-MOS |
WO2022170564A1 (zh) * | 2021-02-10 | 2022-08-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 外延结构、发光器件和外延结构的制作方法 |
TWI818379B (zh) * | 2021-12-08 | 2023-10-11 | 財團法人工業技術研究院 | 高電子遷移率電晶體元件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230447A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2001358407A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2006222191A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
JP2007088426A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-04-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2007258230A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Dowa Holdings Co Ltd | 半導体基板及び半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6535536B2 (en) | 2000-04-10 | 2003-03-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser element |
US6649287B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
JP2007067077A (ja) | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
US7619238B2 (en) * | 2006-02-04 | 2009-11-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Heterostructure including light generating structure contained in potential well |
-
2007
- 2007-12-27 JP JP2007337167A patent/JP4592742B2/ja active Active
-
2008
- 2008-12-17 US US12/735,259 patent/US8344356B2/en active Active
- 2008-12-17 WO PCT/JP2008/072911 patent/WO2009084431A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230447A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2001358407A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2006222191A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
JP2007088426A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-04-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2007258230A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Dowa Holdings Co Ltd | 半導体基板及び半導体装置 |
Cited By (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102598316B (zh) * | 2009-08-24 | 2015-08-05 | 同和电子科技有限公司 | 氮化物半导体器件及其生产方法 |
KR101313989B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2013-10-01 | 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8680509B2 (en) | 2009-08-24 | 2014-03-25 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and method of producing the same |
JP2011205053A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-10-13 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
WO2011024979A1 (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
CN102598316A (zh) * | 2009-08-24 | 2012-07-18 | 同和电子科技有限公司 | 氮化物半导体器件及其生产方法 |
JP2011066333A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにiii族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板 |
WO2011055774A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
US8415690B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-04-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Epitaxial substrate for semiconductor element, semiconductor element, and method for producing epitaxial substrate for semiconductor element |
JPWO2011055774A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2013-03-28 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
JP2014099623A (ja) * | 2009-11-06 | 2014-05-29 | Ngk Insulators Ltd | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
JP5524235B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2014-06-18 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
JP2018190988A (ja) * | 2009-12-11 | 2018-11-29 | ナショナル セミコンダクター コーポレーションNational Semiconductor Corporation | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP2021158391A (ja) * | 2009-12-11 | 2021-10-07 | ナショナル セミコンダクター コーポレーションNational Semiconductor Corporation | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP2013513944A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP7273279B2 (ja) | 2009-12-11 | 2023-05-15 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | ガリウム窒化物又は他の窒化物ベースの半導体デバイスの裏側応力補償 |
JP2011249843A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-12-08 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
US8735938B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-05-27 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing the same |
JP2011187654A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなるhemt、およびその製造方法 |
JP2011222722A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Panasonic Corp | 窒化物半導体素子 |
CN102214701A (zh) * | 2010-04-08 | 2011-10-12 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物半导体元件 |
JP2013531361A (ja) * | 2010-04-27 | 2013-08-01 | フォン ケネル ハンス | 基板のパターン化を使用するマスクレスプロセスによる転位及び応力管理と装置製造のための方法 |
JP5492984B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-05-14 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
WO2011135963A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
CN102870195A (zh) * | 2010-04-28 | 2013-01-09 | 日本碍子株式会社 | 外延基板以及外延基板的制造方法 |
JP2011243644A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法 |
TWI414004B (zh) * | 2010-10-25 | 2013-11-01 | Univ Nat Chiao Tung | 具有氮化鎵層的多層結構基板及其製法 |
JP2012094802A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Jiaotong Univ | 窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法 |
US9478706B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer |
US8809101B2 (en) | 2011-05-16 | 2014-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer |
JP2013021124A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Iii族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法 |
US10727303B2 (en) | 2011-07-11 | 2020-07-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Group III nitride epitaxial substrate and method for manufacturing the same |
WO2013008461A1 (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2013026321A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Sharp Corp | 窒化物系半導体層を含むエピタキシャルウエハ |
KR101823685B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2018-03-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 성장기판, 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP2013077822A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
JP2013128103A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-27 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法 |
US8742396B2 (en) | 2012-01-13 | 2014-06-03 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | III nitride epitaxial substrate and deep ultraviolet light emitting device using the same |
WO2013108733A1 (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | シャープ株式会社 | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ |
JP2013145821A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Sharp Corp | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ |
US9111839B2 (en) | 2012-01-16 | 2015-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Epitaxial wafer for heterojunction type field effect transistor |
JP2015512148A (ja) * | 2012-02-03 | 2015-04-23 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 異種基板を有するiii族窒化物デバイスに適するバッファ層構造 |
US9685323B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-06-20 | Transphorm Inc. | Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates |
JP2014003056A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Nagoya Institute Of Technology | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
JP2014022685A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Nagoya Institute Of Technology | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
JP2013084913A (ja) * | 2012-08-15 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法 |
US9053931B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer |
JP5362085B1 (ja) * | 2012-09-05 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体素子及び窒化物半導体ウェーハの製造方法 |
KR101528428B1 (ko) * | 2012-09-05 | 2015-06-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 발광 디바이스, 및 반도체 발광 디바이스의 제조 방법 |
JP2014072429A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2014222730A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ |
WO2015005157A1 (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体および電界効果トランジスタ |
JP2014053607A (ja) * | 2013-09-02 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
US9660133B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-05-23 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Group III nitride heterostructure for optoelectronic device |
USRE48943E1 (en) | 2013-09-23 | 2022-02-22 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Group III nitride heterostructure for optoelectronic device |
US10535793B2 (en) | 2013-09-23 | 2020-01-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Group III nitride heterostructure for optoelectronic device |
JP2015185809A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板の製造方法及び半導体装置 |
JPWO2015152411A1 (ja) * | 2014-04-04 | 2017-04-13 | 古河電気工業株式会社 | 窒化物半導体装置およびその製造方法、ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ |
WO2016039178A1 (ja) * | 2014-09-10 | 2016-03-17 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体積層構造及びそれを用いた電子デバイス |
JP2016074549A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 古河機械金属株式会社 | 自立基板、及び、自立基板の製造方法 |
JP2016149410A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板および高電子移動度トランジスタならびにそれらの製造方法 |
JP2018067712A (ja) * | 2017-10-19 | 2018-04-26 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
KR20200066141A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법 |
WO2020111789A3 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-07-16 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법 |
KR102211209B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2021-02-03 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법 |
US11978629B2 (en) | 2018-11-30 | 2024-05-07 | Korea Polytechnic University Industry Academic Cooperation Foundation | Method for manufacturing aluminum nitride-based transistor |
US11955520B2 (en) | 2020-12-11 | 2024-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4592742B2 (ja) | 2010-12-08 |
WO2009084431A1 (ja) | 2009-07-09 |
US8344356B2 (en) | 2013-01-01 |
US20110001127A1 (en) | 2011-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4592742B2 (ja) | 半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子 | |
JP5665676B2 (ja) | Iii族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法 | |
JP5631034B2 (ja) | 窒化物半導体エピタキシャル基板 | |
TWI655790B (zh) | 包含在緩衝層堆疊上的三五族主動半導體層的半導體結構以及用於產生半導體結構的方法 | |
JP4670055B2 (ja) | 半導体基板及び半導体装置 | |
JP5133927B2 (ja) | 化合物半導体基板 | |
JP5334057B2 (ja) | Iii族窒化物積層基板 | |
JP2004524250A (ja) | 窒化ガリウム材料および方法 | |
JP2006100501A (ja) | 半導体素子の形成に使用するための板状基体及びその製造方法 | |
JP2010010678A (ja) | 量子ドットデバイスおよびその製造方法 | |
US8946773B2 (en) | Multi-layer semiconductor buffer structure, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device using the multi-layer semiconductor buffer structure | |
JP6265328B2 (ja) | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | |
JPH11145514A (ja) | 窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法 | |
KR20110120019A (ko) | 반도체 소자 | |
JP2009130010A (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法 | |
JP5159858B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体基板とその製造方法 | |
JP6512669B2 (ja) | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | |
JP2006310403A (ja) | エピタキシャル基板およびそれを用いた半導体装置並びにその製造方法 | |
JP6138974B2 (ja) | 半導体基板 | |
JP2014022685A (ja) | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | |
JP5824814B2 (ja) | 半導体ウエーハ及び半導体素子及びその製造方法 | |
JP6226627B2 (ja) | Iii族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 | |
EP2525417A2 (en) | Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer | |
Mino et al. | Characteristics of epitaxial lateral overgrowth AlN templates on (111) Si substrates for AlGaN deep‐UV LEDs fabricated on different direction stripe patterns | |
JP2014003056A (ja) | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090415 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100412 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20100412 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100723 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4592742 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |