JP6265328B2 - 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 - Google Patents
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Description
本実施例において、まず4インチ径の厚み525μmの(111)面Si単結晶基板を用い、これを所定のMOCVD装置の反応菅内に設置した。MOCVD装置は、キャリアガスあるいは反応ガスとして、少なくともH2、N2、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)、およびNH3が、反応管内に供給可能とされている。キャリアガスとして水素を流量20SLM及び窒素を流量10SLMで流しながら、反応管内の圧力を100Torrに保ちつつ、基板を1210℃まで昇温した後、10分間保持し、基板のサーマルクリーニングを実施した。
実施例1同様に、まず4インチ径の厚み525μmの(111)面Si単結晶基板を用い、これを所定のMOCVD装置の反応菅内に設置し、キャリアガスとして水素を流量20SLM及び窒素を流量10SLMで流しながら、反応管内の圧力を100Torrに保ちつつ、基板を1210℃まで昇温した後、10分間保持し、基板のサーマルクリーニングを実施した。
歪緩和層の構成は、実施例1および実施例2とは異なり、比較例1は超格子層のみ、比較例2は組成傾斜層上に超格子層、比較例3は超格子層上に組成傾斜層を形成した。歪緩和層の総厚は、実施例1および実施例2と同様に、総厚を2.9μmとした。
実施例1および実施例2、さらに比較例1〜3の半導体エピウェーハの反り量を測定した。反り量の測定は図6のように行い、基板のオリフラ方向とこれに直角方向の平均とした。測定結果を図7に示す。ウェーハの反り量は実施例2(構造5)が最も小さくなった。
実施例1、実施例2、および比較例1〜3の半導体エピウェーハの(0004)面、および(20−24)面のX線回折によるロッキングカーブ半値幅の測定結果をそれぞれ図8および図9に示す。両面ともに実施例2が最も半値幅が小さく、実施例1も比較的小さな半値幅が得られた。
実施例1、実施例2、および比較例1〜3の半導体エピウェーハのらせん転位密度、および刃状転位密度を測定した結果を表1に示す。実施例2が、らせん転位密度および刃状転位密度ともに小さく、実施例1も比較的小さな転位密度であった。
シート抵抗については、実施例1(構造4)が最も小さくなった。シートキャリア密度については、実施例1および実施例2、比較例1〜3について大きな差異は見られなかった。キャリア移動度は、比較例2を除いてデータの幅が大きいが、実施例1および実施例2は比較的大きなキャリア移動度が得られた。
Claims (11)
- 基板上にバッファ層、歪緩和層、デバイス層からなるAlGaN系半導体層あるいはInAlN系半導体層を順次設け、前記歪緩和層が組成傾斜層と超格子層からなり、前記超格子層が前記組成傾斜層からなる2層の中間に存在する半導体積層構造であって、前記超格子層の平均組成が、基板に近い一方の組成傾斜層Al X1 Ga 1 − X1 Nの最終に形成される組成と他方の組成傾斜層Al X2 Ga 1 − X2 Nの最初に形成される組成と一致し、前記基板に近い一方の組成傾斜層Al X1 Ga 1 − X1 NのAl含有率X1が膜成長方向に1〜0.45、他方の組成傾斜層Al X2 Ga 1 − X2 NのAl含有率X2が膜成長方向に0.45〜0、前記超格子層の平均組成がAl 0.45 Ga 0.55 Nである半導体積層構造。
- 前記組成傾斜層Al X Ga 1−X NのXが、膜成長方向に連続的に減少する、あるいは膜成長方向に膜厚10nm〜100nm毎に階段状に減少する請求項1に記載の半導体積層構造。
- 前記超格子層を構成する一方の組成がAlNであり、他方の組成がAl X3 G a1 − X3 Nであり、X3が0〜0.2である請求項1または2に記載の半導体積層構造。
- 前記超格子を構成する一方の組成がAlNであり、他方の組成がAl X3 G a1 − X3 Nであり、X3が0〜0.2の場合、その膜厚比が1:2〜1:4である請求項3に記載の半導体積層構造。
- 前記組成傾斜層の厚みが0.1〜1.0μm、前記超格子層の厚みが1.0〜5.0μmである請求項1〜4のいずれかに記載の半導体積層構造。
- 前記デバイス層がチャネル層およびバリア層を含む、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体積層構造。
- 前記チャネル層がi‐GaN、前記バリア層がi‐Al X G a1 − X N(0.1≦X≦0.3)あるいはi‐In X Al 1 − X N(0.1≦X≦0.3)である、請求項6に記載の半導体積層構造。
- 前記デバイス層が、第1の導電型半導体層、活性層、および第1の導電型と反対の第2の導電型半導体層を順次積層してなる受発光層である請求項1〜5のいずれかに記載の半導体積層構造。
- 前記基板がSi単結晶である請求項1〜8のいずれかに記載の半導体積層構造。
- 請求項6または7の半導体積層構造にソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成したHEMT素子。
- 請求項8の半導体積層構造にカソード電極およびアノード電極を形成した受発光素子。
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