JP2009130010A - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板10上に、窒化アルミニウム層11を成長させる。この窒化アルミニウム層11の一部を除去し、それぞれ区画された複数の小領域を形成する。トリメチルガリウムとアンモニアガスを成長ガスとして使用し、窒化ガリウム層13を成長させる。シリコンとトリメチルガリウムの反応により、メルトバックエッチングが生じ、小領域上に選択的に窒化ガリウム層13が成長する。
【選択図】図1
Description
D.M.Follstaedt、他2名、"MICROSTRUCTURE OF GaN FROWN ON (111)Si BY MOCVD"、MRS Internet J.Nitride Semicon.Res.4SI、G3.72.、1999年
Claims (2)
- ガリウム、アルミニウム、及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素からなるV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層を備えた窒化物半導体装置の製造方法において、
シリコン基板上に、窒化アルミニウムあるいは窒化インジウムからなる第1の半導体層を成長させる工程と、
該第1の半導体層の一部を除去し、それぞれ区画された前記第1の半導体層からなる複数の小領域を形成する工程と、
少なくともトリメチルガリウムを含む前記III族元素のトリメチル化合物を成長ガスとして使用し、ガリウムを含む前記III−V族窒化物半導体層からなる第2の半導体層を、前記小領域上に選択的に成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
前記第1の半導体層の一部を格子状に除去し、それぞれ区画された前記第1の半導体層からなる複数の前記小領域を形成する工程と、
前記第2の半導体層を、前記小領域上に選択的に成長させる工程と、
該第2の半導体層表面に、半導体素子を形成する工程と、
前記小領域間の前記シリコン基板を前記格子状に切断し、個片化した半導体装置を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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