JP2009123718A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009123718A5
JP2009123718A5 JP2007286691A JP2007286691A JP2009123718A5 JP 2009123718 A5 JP2009123718 A5 JP 2009123718A5 JP 2007286691 A JP2007286691 A JP 2007286691A JP 2007286691 A JP2007286691 A JP 2007286691A JP 2009123718 A5 JP2009123718 A5 JP 2009123718A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound semiconductor
nitride compound
semiconductor device
group iii
iii nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007286691A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009123718A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007286691A priority Critical patent/JP2009123718A/ja
Priority claimed from JP2007286691A external-priority patent/JP2009123718A/ja
Priority to TW097101381A priority patent/TW200838000A/zh
Priority to KR1020097014525A priority patent/KR101151167B1/ko
Priority to PCT/JP2008/050336 priority patent/WO2008087930A1/ja
Priority to EP08703200.9A priority patent/EP2105973A4/en
Priority to US12/306,609 priority patent/US20090194784A1/en
Publication of JP2009123718A publication Critical patent/JP2009123718A/ja
Publication of JP2009123718A5 publication Critical patent/JP2009123718A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2007286691A 2007-01-16 2007-11-02 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体素子及びその製造方法、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ Pending JP2009123718A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007286691A JP2009123718A (ja) 2007-01-16 2007-11-02 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体素子及びその製造方法、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
TW097101381A TW200838000A (en) 2007-01-16 2008-01-14 Group-III nitride compound semiconductor device and production method thereof, group-III nitride compound semiconductor light-emitting device and production method thereof, and lamp
KR1020097014525A KR101151167B1 (ko) 2007-01-16 2008-01-15 Ⅲ족 질화물 화합물 반도체 소자 및 그의 제조 방법, ⅲ족 질화물 화합물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법, 및 램프
PCT/JP2008/050336 WO2008087930A1 (ja) 2007-01-16 2008-01-15 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体素子及びその製造方法、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
EP08703200.9A EP2105973A4 (en) 2007-01-16 2008-01-15 III-NITRIDE-COMPOSITE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, LIGHT-EMITTING III-NITRIDE-COMPOSITE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND LAMP
US12/306,609 US20090194784A1 (en) 2007-01-16 2008-01-15 Group-iii nitride compound semiconductor device and production method thereof, group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device and production method thereof, and lamp

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007006790 2007-01-16
JP2007184456 2007-07-13
JP2007274458 2007-10-22
JP2007286691A JP2009123718A (ja) 2007-01-16 2007-11-02 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体素子及びその製造方法、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009123718A JP2009123718A (ja) 2009-06-04
JP2009123718A5 true JP2009123718A5 (enExample) 2010-06-17

Family

ID=39635934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007286691A Pending JP2009123718A (ja) 2007-01-16 2007-11-02 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体素子及びその製造方法、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090194784A1 (enExample)
EP (1) EP2105973A4 (enExample)
JP (1) JP2009123718A (enExample)
KR (1) KR101151167B1 (enExample)
TW (1) TW200838000A (enExample)
WO (1) WO2008087930A1 (enExample)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5272390B2 (ja) * 2007-11-29 2013-08-28 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
JP5262206B2 (ja) * 2008-03-12 2013-08-14 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
US7829359B2 (en) * 2008-03-26 2010-11-09 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating highly reflective ohmic contact in light-emitting devices
JP5465469B2 (ja) * 2008-09-04 2014-04-09 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板、半導体デバイス基板、およびｈｅｍｔ素子
JP5196160B2 (ja) * 2008-10-17 2013-05-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5504618B2 (ja) 2008-12-03 2014-05-28 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US8421056B2 (en) * 2009-03-03 2013-04-16 Hitachi Cable, Ltd. Light-emitting device epitaxial wafer and light-emitting device
JP2010263189A (ja) * 2009-04-07 2010-11-18 Sharp Corp 窒化物半導体発光ダイオード
JP2011018869A (ja) * 2009-06-09 2011-01-27 Nichia Corp 窒化物半導体素子
JP5220687B2 (ja) 2009-06-15 2013-06-26 昭和電工株式会社 植物栽培用の照明装置および植物栽培システム
JP5246081B2 (ja) * 2009-07-14 2013-07-24 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
WO2011004890A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 昭和電工株式会社 半導体発光素子の製造方法およびランプ、電子機器、及び機械装置
JP5246079B2 (ja) * 2009-07-10 2013-07-24 豊田合成株式会社 半導体素子の製造方法
JP2011029218A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子構造とその形成方法
JP2011060900A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法およびランプ、電子機器、機械装置
JP5636693B2 (ja) * 2010-03-01 2014-12-10 豊田合成株式会社 半導体素子の製造方法
JP5310604B2 (ja) 2010-03-05 2013-10-09 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置
JP5353802B2 (ja) * 2010-04-12 2013-11-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法およびランプ、電子機器、機械装置
JP5353821B2 (ja) * 2010-05-31 2013-11-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子と、その製造方法およびランプ、電子機器、機械装置
JP5353827B2 (ja) * 2010-06-14 2013-11-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置
JP5934575B2 (ja) * 2012-05-16 2016-06-15 サンケン電気株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
KR20140010587A (ko) * 2012-07-13 2014-01-27 삼성전자주식회사 도핑된 버퍼층을 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN103296157B (zh) * 2013-05-31 2015-08-26 华南理工大学 生长在铝酸锶钽镧衬底上的led外延片及制备方法
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
WO2015181657A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 The Silanna Group Pty Limited Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices
JP6817072B2 (ja) 2014-05-27 2021-01-20 シランナ・ユー・ブイ・テクノロジーズ・プライベート・リミテッドＳｉｌａｎｎａ Ｕｖ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｐｔｅ Ｌｔｄ 光電子デバイス
CN106415854B (zh) 2014-05-27 2019-10-01 斯兰纳Uv科技有限公司 包括n型和p型超晶格的电子装置
US11322643B2 (en) 2014-05-27 2022-05-03 Silanna UV Technologies Pte Ltd Optoelectronic device
US9876143B2 (en) * 2014-10-01 2018-01-23 Rayvio Corporation Ultraviolet light emitting device doped with boron
US20160359004A1 (en) * 2015-06-03 2016-12-08 Veeco Instruments, Inc. Stress control for heteroepitaxy
DE102015114478A1 (de) * 2015-08-31 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US10541514B2 (en) 2016-02-25 2020-01-21 Ngk Insulators, Ltd. Surface-emitting device, vertical external-cavity surface-emitting laser, and method for manufacturing surface-emitting device
JP6688109B2 (ja) * 2016-02-25 2020-04-28 日本碍子株式会社 面発光素子、外部共振器型垂直面発光レーザー、および面発光素子の製造方法
JP2017220586A (ja) * 2016-06-08 2017-12-14 国立大学法人 東京大学 半導体発光素子
US10643843B2 (en) 2016-06-12 2020-05-05 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Film forming method and aluminum nitride film forming method for semiconductor apparatus
CN107492478B (zh) * 2016-06-12 2019-07-19 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的成膜方法以及半导体设备的氮化铝成膜方法
US10121932B1 (en) * 2016-11-30 2018-11-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Tunable graphene light-emitting device
JP2020188143A (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 スタンレー電気株式会社 半導体多層膜反射鏡を用いた垂直共振器型発光素子及びその製造方法
GB202014592D0 (en) * 2020-09-16 2020-10-28 Spts Technologies Ltd Deposition method

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365917A (ja) 1986-09-06 1988-03-24 Kurita Mach Mfg Co Ltd 濾過ユニット
JPH088217B2 (ja) 1991-01-31 1996-01-29 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
JP3778609B2 (ja) * 1996-04-26 2006-05-24 三洋電機株式会社 半導体素子の製造方法
JP3644191B2 (ja) * 1996-06-25 2005-04-27 住友電気工業株式会社 半導体素子
JP3897448B2 (ja) * 1998-04-27 2007-03-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3700492B2 (ja) * 1999-09-21 2005-09-28 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
US6713789B1 (en) * 1999-03-31 2004-03-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device and method of producing the same
US6531719B2 (en) * 1999-09-29 2003-03-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device
JP3888668B2 (ja) * 2000-12-28 2007-03-07 日本碍子株式会社 半導体発光素子
JP4683731B2 (ja) * 2001-01-15 2011-05-18 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
US6891201B2 (en) * 2001-01-15 2005-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor laser element and optical device containing it
JP2002270516A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Nec Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子
JP3886341B2 (ja) * 2001-05-21 2007-02-28 日本電気株式会社 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
US7638346B2 (en) * 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
JP3656606B2 (ja) 2002-02-15 2005-06-08 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
JP2005531154A (ja) * 2002-06-26 2005-10-13 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン 窒化物半導体レーザ素子及びその性能を向上させる方法
JP4088111B2 (ja) * 2002-06-28 2008-05-21 日立電線株式会社 多孔質基板とその製造方法、ＧａＮ系半導体積層基板とその製造方法
US7255742B2 (en) * 2003-07-02 2007-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing Group III nitride crystals, method of manufacturing semiconductor substrate, Group III nitride crystals, semiconductor substrate, and electronic device
JP4554287B2 (ja) * 2003-07-02 2010-09-29 パナソニック株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法、および半導体基板の製造方法
US20050082562A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
JP4396816B2 (ja) * 2003-10-17 2010-01-13 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法
US7242705B2 (en) * 2003-12-17 2007-07-10 Palo Alto Research Center, Incorporated Grating-outcoupled cavity resonator having uni-directional emission
US7339255B2 (en) * 2004-08-24 2008-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having bidirectionally inclined toward <1-100> and <11-20> relative to {0001} crystal planes
JP4833616B2 (ja) * 2004-09-13 2011-12-07 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
US7087922B2 (en) * 2004-11-16 2006-08-08 Formosa Epitaxy Incorporation Light-emitting diode structure
JP4563230B2 (ja) * 2005-03-28 2010-10-13 昭和電工株式会社 ＡｌＧａＮ基板の製造方法
JPWO2007129773A1 (ja) * 2006-05-10 2009-09-17 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体積層構造体
WO2008020599A1 (fr) * 2006-08-18 2008-02-21 Showa Denko K.K. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent comportant un semi-conducteur formé d'un nitrure du groupe iii, dispositif électroluminescent correspondant et lampe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009123718A5 (enExample)
JP2004193617A5 (enExample)
US7737429B2 (en) Nitride based semiconductor device using nanorods and process for preparing the same
CN103500780B (zh) 一种氮化镓基led外延结构及其制备方法
JP5596222B2 (ja) 半導体積層体及びその製造方法、並びに半導体素子
US20140048770A1 (en) Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for growing nitride semiconductor crystal
CN104319330B (zh) 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法
CN101807522A (zh) 半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法
WO2008153130A1 (ja) 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体の製造方法
CN109360876A (zh) 一种发光二极管的外延片及其制备方法
US8969891B2 (en) Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer
JP4939014B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
CN100350638C (zh) 氮化物半导体及其制备方法
JP2010239066A5 (enExample)
WO2017181710A1 (zh) 一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法
CN102790155B (zh) 氮化物半导体器件和晶片以及制造氮化物半导体层的方法
CN208352326U (zh) 一种紫外发光二极管的外延结构
JP2014022685A (ja) 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子
CN103035804A (zh) 氮化物半导体发光器件及其制造方法
JP5327778B2 (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP2004048076A (ja) 半導体素子およびその製造方法
CN104465916A (zh) 氮化镓发光二极管外延片
CN101276864A (zh) 发光元件
CN105914276B (zh) 一种发光二级管的外延结构及其制备方法
JP2007095786A (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子