JP5310604B2 - 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置 - Google Patents
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Description
また、サファイア単結晶などからなる基板上にバッファ層を介して、GaN下地層およびn型GaNコンタクト層(第一n型半導体層)を第一の成長室で形成し、その上に第二の成長室でn型GaNコンタクト層(第一n型半導体層の再成長層、または単に再成長層)を形成すると、再成長層表面の平坦性が悪化する場合が多かった。
また、Siをドーパントとしてドープする際、ドーパント濃度を低くすると結晶性が高くなる一方で、抵抗が高くなるという問題が生じてしまう。また、nクラッド層のドーパント濃度を高めると抵抗が低くなる一方で、結晶性が低くなるという問題が生じていた。
このようにnクラッド層の結晶性が低下すると、その後の工程において第二の成長室でnクラッド層表面上に発光層(MQW層)やp型半導体層を成長させる際、これらの結晶性が低下してしまう。そのため、LEDチップの製品歩留まりが低下するという問題が生じやすかった。
〔1〕 第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一n型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一n型半導体層上に前記第一n型半導体層の再成長層と第二n型半導体層と発光層とpクラッド層およびpコンタクト層からなるp型半導体層とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二n型半導体層を積層する工程において、前記再成長層形成時よりも少量の前記Siをドーパントとして供給することにより第二n型半導体層第一層を形成する工程(1)と、前記Siを前記工程(1)よりも多く供給することにより第二n型半導体層第二層を形成する工程(2)と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
〔2〕 前記第二n型半導体層第二層を、少なくとも前記発光層側の界面から0nm〜60nmの領域内に形成することを特徴とする〔1〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔3〕 前記第二n型半導体層第一層に前記Siを1×1016/cm3〜5×1017/cm3の濃度で含有させ、前記第二n型半導体層第二層に前記Siを1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有させることを特徴とする〔1〕または〔2〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔4〕 前記第二n型半導体層第二層の前記発光層側界面に前記Siを、1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有させることを特徴とする〔1〕乃至〔3〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔5〕 前記工程(1)において前記第二n型半導体層第一層を10nm〜100nmの膜厚で形成し、前記工程(2)において前記第二n型半導体層第二層を4nm〜60nmの膜厚で形成することを特徴とする〔1〕乃至〔4〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔6〕 前記工程(1)および前記工程(2)において、前記第二n型半導体層の原料ガスとともに前記Siを含有するドーパントガスを供給することにより、前記第二n型半導体層を形成することを特徴とする〔1〕乃至〔5〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔7〕 前記pコンタクト層を、pコンタクト下層と、pコンタクト上層とを積層することにより形成し、前記pコンタクト下層にMgを1×1019/cm3〜2×1020/cm3程度の濃度で含有させ、前記pコンタクト上層に前記Mgを2×1020/cm3〜5×1020/cm3程度の濃度で含有させることを特徴とする〔1〕乃至〔6〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔8〕 基板上に第一n型半導体層と前記第一n型半導体層の再成長層と第二n型半導体層と発光層とpクラッド層およびpコンタクト層からなるp型半導体層とが積層された半導体発光素子であって、前記第二n型半導体層が、前記再成長層よりもSi含有量が少ない第二n型半導体層第一層と、前記第二n型半導体層第一層よりも前記Si含有量の多い第二n型半導体層第二層とがこの順で積層された構成であることを特徴とする半導体発光素子。
〔9〕 前記第二n型半導体層第二層が、少なくとも発光層側の界面から0nm〜60nmの領域内に形成されていることを特徴とする〔8〕に記載の半導体発光素子。
〔10〕 前記第二n型半導体層のうち、前記第二n型半導体層第一層に前記Siが1×1016/cm3〜5×1017/cm3の濃度で含有され、前記第二n型半導体層第二層に前記Siが1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有されることを特徴とする〔8〕または〔9〕に記載の半導体発光素子。
〔11〕 前記第二n型半導体層第二層の前記発光層側界面に前記Siが、1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有されることを特徴とする請求項〔8〕乃至〔10〕に記載の半導体発光素子。
〔12〕 前記第二n型半導体層第一層が10nm〜100nm、前記第二n型半導体層第二層が4nm〜60nmの膜厚でそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項〔8〕乃至〔11〕に記載の半導体発光素子。
〔13〕 前記pコンタクト層は、pコンタクト下層と、pコンタクト上層とが積層してなり、前記pコンタクト下層にMgが1×1019/cm3〜1×1020/cm3の濃度で含有され、前記pコンタクト上層に前記Mgが2×1020/cm3〜5×1020/cm3の濃度で含有されることを特徴とする〔8〕乃至〔12〕に記載の半導体発光素子。
〔14〕 〔1〕乃至〔7〕のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法を用いて製造された半導体発光素子を備えることを特徴とするランプ。
〔15〕 〔14〕に記載のランプが組み込まれていることを特徴とする電子機器。
〔16〕 〔15〕に記載の電子機器が組み込まれていることを特徴とする機械装置。
図1に示す本実施形態の半導体発光素子1は、基板11と、基板11上に積層された積層半導体層20と、積層半導体層20の上面に積層された透光性電極15と、透光性電極15上に積層されたp型ボンディングパッド電極16と、積層半導体層20の露出面20a上に積層されたn型電極17と、から概略構成されている。
また、p型半導体層14の上面には、透光性電極15およびp型ボンディングパッド電極16が積層されている。これら、透光性電極15およびp型ボンディングパッド電極16によって、p型電極18が構成されている。
以下、それぞれの構成について詳細に説明する。
基板11としては、例えば、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等からなる基板を用いることができる。上記基板の中でも、特に、c面を主面とするサファイア基板を用いることが好ましい。
バッファ層21は、設けられていなくてもよいが、基板11と下地層22との格子定数の違いを緩和して、基板11の(0001)C面上にC軸配向した単結晶層の形成を容易にするために、設けられていることが好ましい。バッファ層21の上に単結晶の下地層22を積層すると、より一層結晶性の良い下地層22が積層できる。
バッファ層21は、例えば、多結晶のAlxGa1−xN(0≦x≦1)からなる厚さ0.01μm〜0.5μmのものとすることができる。バッファ層21の膜厚が0.01μm未満であると、バッファ層21により基板11と下地層22との格子定数の違い緩和する効果が十分に得られない場合がある。また、バッファ層21の膜厚が0.5μmを超えると、バッファ層21としての機能には変化が無いのにも関わらず、バッファ層21の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する問題がある。
下地層22の材料としては、AlxGa1−xN(0≦x<1)を用いると結晶性の良い下地層22を形成できるため特に好ましいが、AlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)を用いてもかまわない。
下地層22の膜厚は0.1μm以上であることが好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も好ましい。この膜厚以上にした方が結晶性の良好なAlxGa1−xN層が得られやすい。また、下地層22の膜厚は10μm以下が好ましい。
下地層22の結晶性を良くするために、下地層22には不純物をドーピングしない方が望ましい。しかし、p型あるいはn型の導電性が必要な場合には、下地層22にアクセプター不純物あるいはドナー不純物を添加することができる。
(n型半導体層12)
n型半導体層12はさらに、nコンタクト層12a(第一n型半導体層12cおよび再成長層12d)と、nクラッド層12b(第二n型半導体層)とから構成されている。
nコンタクト層12aは、n型電極17を設けるための層であり、後述する第一工程において形成された第一n型半導体層12cと、後述する第二工程において形成された再成長層12dとからなる。第一n型半導体層12cと再成長層12dとは、好ましくは同一の材料からなるものがよく、第一n型半導体層12cの膜厚が、再成長層12dの膜厚よりも厚くなっている。
また、本実施形態においては、図1に示すように、第一n型半導体層12cにn型電極17を設けるための露出面20aが形成されている。なお、n型電極17を設けるための露出面20aは、再成長層12dに形成されていてもよい。
再成長層12dの膜厚が0.05μm以上であると、nコンタクト層12aの成長を中断し成長室内から取り出して、その後別の装置の成長室内でnコンタクト層12aの成長を再開したことによるnコンタクト層12aの結晶性への影響を少なくすることができ、半導体発光素子の出力を向上させる効果がより顕著となる。
また、再成長層12dには、第一n型半導体層12cと同じく、n型不純物(ドーパント)としてSiが、例えば5×1018/cm3程度で含有されている。
また、本実施形態のnクラッド層12bはSi含有量が再成長層12dよりも少ない第二n型半導体層第一層と、Si含有量が第二n型半導体層第一層よりも多い第二n型半導体層第二層が、この順で積層した構成となっている。
また、第二n型半導体層第一層に含有されるSiの濃度は、1×1016/cm3〜5×1017/cm3の範囲内であることが好ましい。また、Si濃度が5×1017/cm3を超えると、第二n型半導体層第一層の結晶性が低下するため、半導体発光素子1の発光出力が低下する。
また、第二n型半導体層第二層は、4nm〜60nmの膜厚で形成されていることが好ましい。第二n型半導体層第二層が4nm未満であると、第二n型半導体層に電流を流した際の駆動電圧Vfが十分低くならず、半導体発光素子1の発光出力が低下する。また、第二n型半導体層第二層の膜厚が60nmを超えると、第二n型半導体層第二層表面は十分な平坦性で形成されない。そのため、第二n型半導体層第二層上に結晶性の良好な発光層(MQW層)やP型半導体層を形成することができず、半導体発光素子1の発光出力が低下する。
また、第二n型半導体層第二層の発光層側の界面には、Siが1×1018/cm3〜2×1019/cm3の範囲で、なおかつ第二n型半導体層第二層と同じかそれ以上の濃度で含有されていることが特に好ましい。第二n型半導体層第二層以上のSiが含有されている層の厚さは、4nm〜40nmの範囲であることが好ましい。第二n型半導体層第二層の発光層側の界面のSi濃度を高くすることにより、発光層へのキャリアの注入効率を高めることができる。
このように、本実施形態のnクラッド層12b(第二n型半導体層)は、高結晶の第二n型半導体層第一層上に、低抵抗の第二n型半導体層第二層が積層した構成である。また、nクラッド層12b(第二n型半導体層)のうち、一部にSi濃度が高い層を形成することができる。そのため、高電流LEDであっても、駆動電流を均一に拡散させて発光箇所の集中を効果的に防ぐと共に、発光出力を向上させることが可能となる。これは、発光箇所が集中しやすい高電流LEDにおいては特に顕著な効果となる。
発光層13は、障壁層13aと井戸層13bとが交互に複数積層された多重量子井戸構造からなる。多重量子井戸構造における積層数は3層から10層であることが好ましく、4層から7層であることがさらに好ましい。
井戸層13bの膜厚は、15オングストローム以上50オングストローム以下の範囲であることが好ましい。井戸層13bの膜厚が上記範囲内であることにより、より高い発光出力を得ることができる。
また、井戸層13bは、Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体であることが好ましい。Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体は、青色の波長領域の強い光を発光するものであるため、好ましい。また、井戸層13bには、不純物をドープすることができる。また、本実施形態におけるドーパントとしてはSiを用いることが好ましい。ドープ量は1×1016cm−3〜1×1017cm−3程度が好適である。
障壁層13aの膜厚は、20オングストローム以上100オングストローム未満の範囲であることが好ましい。障壁層13aの膜厚が薄すぎると、障壁層13a上面の平坦化を阻害し、発光効率の低下やエージング特性の低下を引き起こす。また、障壁層13aの膜厚が厚すぎると、駆動電圧の上昇や発光の低下を引き起こす。このため、障壁層13aの膜厚は70オングストローム以下であることがより好ましい。
また、障壁層13aは、GaNやAlGaNのほか、井戸層を構成するInGaNよりもIn比率の小さいInGaNで形成することができる。中でも、GaNが好適である。また、障壁層13aには、不純物をドープすることができる。本実施形態におけるドーパントとしてはSiを用いることが好ましい。ドープ量は1×1017cm−3〜1×1018cm−3程度が好適である。
p型半導体層14は、通常、pクラッド層14aおよびpコンタクト層14bから構成される。また、pコンタクト層14bがpクラッド層14aを兼ねることも可能である。
pクラッド層14aは、発光層13へのキャリアの閉じ込めとキャリアの注入を行なう層である。pクラッド層14aとしては、発光層13のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層13へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、AlxGa1−xN(0≦x≦0.4)からなるものであることが好ましい。pクラッド層14aが、このようなAlGaNからなるものである場合、発光層13へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。
pコンタクト層14bは、正極を設けるための層である。pコンタクト層14bは、AlxGa1−xN(0≦x≦0.4)からなるものであることが、良好な結晶性の維持およびpオーミック電極との良好なオーミック接触の点で好ましい。また、pコンタクト層14bがp型不純物(ドーパント)を1×1018〜1×1021/cm3を5×1019〜5×1020/cm3の濃度で含有しているものである場合、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましい。p型不純物としては、特に限定されないが、例えばMgを用いることが好ましい。
n型電極17は、ボンディングパットを兼ねており、積層半導体層20のn型半導体層12に接するように形成されている。このため、n型電極17を形成する際には、少なくともp半導体層14および発光層13の一部を除去してn型半導体層12を露出させ、n型半導体層12の露出面20a上にボンディングパッドを兼ねるn型電極17を形成する。n型電極17としては、各種組成や構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
透光性電極15は、p型半導体層14の上に積層されるものであり、p型半導体層14との接触抵抗が小さいものであることが好ましい。また、透光性電極15は、発光層13からの光を効率良く半導体発光素子1の外部に取り出すために、光透過性に優れたものであることが好ましい。また、透光性電極15は、p型半導体層14の全面に渡って均一に電流を拡散させるために、優れた導電性を有していることが好ましい。
p型ボンディングパッド電極16はボンディングパットを兼ねており、透光性電極15の上に積層されている。p型ボンディングパッド電極16としては、各種組成や構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
p型ボンディングパッド電極16は、透光性電極15上であれば、どこへでも形成することができる。例えばn型電極17から最も遠い位置に形成してもよいし、半導体発光素子1の中心などに形成してもよい。しかし、あまりにもn型電極17に近接した位置に形成すると、ボンディングした際にワイヤ間、ボール間のショートを生じてしまうため好ましくない。
図示しない保護膜層は、必要に応じて透光性電極15の上面および側面と、n型半導体層12の露出面20a、発光層13およびp型半導体層14の側面、n型電極17およびp型ボンディングパッド電極16の側面や周辺部を覆うよう形成される。保護膜層を形成することにより、半導体発光素子1の内部への水分等の浸入を防止でき、半導体発光素子1の劣化を抑制することができる。
保護膜層としては、絶縁性を有し、300〜550nmの範囲の波長において80%以上の透過率を有する材料を用いることが好ましく、例えば、酸化シリコン(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タンタル(Ta2O5)、窒化シリコン(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN)等を用いることができる。このうちSiO2、Al2O3は、CVD成膜で緻密な膜が容易に作製でき、より好ましい。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体発光素子1の寸法関係とは異なっている。
はじめに、サファイア等からなる基板11を用意する。
次に、基板11を第一MOCVD装置(第一有機金属化学気相成長装置)の成長室内に設置し、MOCVD法によって、基板11上に、バッファ層21と、下地層22を順次積層する。なお、本発明では、サファイア等からなる基板11上に、RFスパッタリング法を用いてAlNからなるバッファ層21を形成し、さらに第一MOCVD装置の成長室内で当該基板上に下地層22を順次積層してもよい。
次いで前記下地層22を有する基板上に、nコンタクト層12aの一部を構成する第一n型半導体層12cを積層する。
また、第一n型半導体層12cを成長させる原料としては、トリメチルガリウム(TMG)などのIII族金属の有機金属原料とアンモニア(NH3)などの窒素原料とを用い、熱分解によりバッファ層上にIII族窒化物半導体層を堆積させる。MOCVD装置の成長室内の圧力は15〜80kPaとすることが好ましい。
なお、本実施形態における半導体発光素子の製造方法では、第一MOCVD装置において用いられる基板は、第一n型半導体層がMOCVD法によって積層できる基板であればよく、例えば基板11上に、バッファ層21と、下地層22を順次積層した基板が用いられる。
第二工程はさらに、第一n型半導体層12c上に第一n型半導体層12cの再成長層12dを形成する工程と、nクラッド層12b(第二n型半導体層)を形成する工程と、発光層13を形成する工程と、p型半導体層14を形成する工程と、から構成されている。以下それぞれについて詳細を説明する。
まず、第一n型半導体層12cまでの各層の形成された基板11を第二MOCVD装置(第二有機金属化学気相成長装置)の成長室内に設置する。次いで、MOCVD法によって第一n型半導体層12c上に、nコンタクト層12aの再成長層12dを形成する。
本実施形態においては、再成長層12d形成の際に原料ガスとともに、たとえばSiH4などSiを含有するドーパントガスを供給することにより、Siを再成長層12dにドープさせる。ここでは、Siをたとえば5×1018/cm3程度でドープさせる。
なお、第一n型半導体層12cの表面が汚染されたままである場合、逆方向電流(IR)が十分に低くならず、また、静電気放電(ESD)耐圧が不足する恐れがある。そのため、半導体発光素子1の信頼性が低下してしまう。
次いで、再成長層12d上にnクラッド層12bを形成する。
本実施形態のnクラッド層12b形成工程においては、第二MOCVD装置内に、nクラッド層12b(第二n型半導体層)の原料ガスとともに、たとえばSiH4などのSiを含有するドーパントガスを供給する。これにより、nクラッド層12bにSiがドーパントとしてドープされる。
また、本実施形態のnクラッド層12b形成工程はさらに、工程(1)および工程(2)からなり、それぞれにおいて、異なる量のSiをドーパントとして供給する。これにより、Si含有量が再成長層12dよりも少ない第二n型半導体層第一層と、Si含有量が第二n型半導体層第一層よりも多い第二n型半導体層第二層とがこの順で積層した構成のnクラッド層12b(第二n型半導体層)が形成される。
また、本実施形態のnクラッド層12bは超格子構造とすることができる。超格子層を形成するには、膜厚100オングストローム以下の組成の異なる2種類の層を、交互に10ペア(20層)〜40ペア(80層)積層する。
次いで、多重量子井戸構造の発光層13を形成する。まず、井戸層13bと障壁層13aとを交互に繰返し積層する。このとき、n型半導体層12側及びp型半導体層14側に障壁層13aが配されるように積層することが好ましい。
井戸層13bおよび障壁層13aの組成や膜厚は、所定の発光波長になるように適宜設定することができる。また、発光層13の成長温度は600〜900℃とすることができ、キャリアガスとしては窒素ガスを用いることができる。
p型半導体層14の形成は、pクラッド層14aと、pコンタクト層14bとを順次積層すればよい。なお、pクラッド層14aを、超格子構造を含む層とする場合には、膜厚100オングストローム以下のIII族窒化物半導体からなるp側第一層と、p側第一層と組成が異なる膜厚100オングストローム以下III族窒化物半導体からなるp側第二層とを交互に繰返し積層すればよい。
以上のようにして、図2に示す積層半導体層20が製造される。
続いて、例えばフォトリソグラフィーの手法によりパターニングして、所定の領域の積層半導体層20の一部をエッチングしてnコンタクト層12aの第一n型半導体層12cの一部を露出させ、nコンタクト層12aの露出面20aにn型電極17を形成する。
その後、透光性電極15の上にp型ボンディングパッド電極16を形成する。
以上のようにして、図1に示す半導体発光素子1が製造される。
本実施形態のランプ3は、本発明の半導体発光素子1を備えるものであり、上記の半導体発光素子1と蛍光体とを組み合わせてなるものである。本実施形態のランプ3は、当業者周知の手段によって当業者周知の構成とすることができる。例えば、本実施形態のランプ3においては、半導体発光素子1と蛍光体と組み合わせることによって発光色を変える技術を何ら制限されることなく採用できる。
(実施例1)
以下に示す方法により、図1に示す半導体発光素子1を製造した。
実施例1の半導体発光素子1では、第一MOCVD炉の成長室内において、サファイアからなる基板11上に、AlNからなるバッファ層21、厚さ6μmのアンドープGaNからなる下地層22、厚さ2μmのSiドープn型GaNからなる第一n型半導体層12cを形成した。
なお、再成長層12dは、水素をキャリアガスとしてTMGとNH3を成長室内に導入して成長させた。n型ドーピングのガスとしてはモノシラン(SiH4)を用いた。このとき、基板温度を1080℃、成長室内の圧力を40kPaとした。
膜厚20nmの第二n型半導体層第一層と膜厚60nmの第二n型半導体層第二層からなるnクラッド層12b(第二n型半導体層)は、以下に示す成長条件で形成させた。
膜厚20nmの第二n型半導体層第一層は、Ga0.99In0.01Nからなる厚さ2nmのn側第1層と、GaNからなる厚さ2nmのn側第2層とからなる薄膜層とを交互に5ペア繰り返し成長させて形成した。キャリア濃度は1×1017/cm3とした。続いて、膜厚60nmの第二n型半導体層第二層は、Ga0.99In0.01Nからなる厚さ2nmのn側第1層と、GaNからなる厚さ2nmのn側第2層とからなる薄膜層とが交互に15ペア繰り返し成長させてなる形成した。但し、第二n型半導体層第一層の上には第二n型半導体層第二層の一部を構成するn側第1層と接する構造とした。また、キャリア濃度は7×1018/cm3とした。
このような方法により、厚さ80nmの超格子構造のnクラッド層12bを成長させた。また、n側第1層の成膜には、III族原料としてGa源であるトリエチルガリウム(TEG)およびIn源であるトリメチルインジウム(TMI)を用い、n側第2層の成膜にはトリエチルガリウム(TEG)を用いた。
次に、フォトリソグラフィの手法を用いてエッチングを施し、所望の領域にnコンタクト層12aの露出面20aを形成し、その上にTi/Auの二層構造のn型電極17を形成した。
また、透光性電極15の上に、200nmのAlからなる金属反射層と80nmのTiからなるバリア層と1100nmのAuからなるボンディング層とからなる3層構造のp型ボンディングパッド構造16を、フォトリソグラフィの手法を用いて形成した。
以上のようにして、図1に示す実施例1の半導体発光素子1を得た。
また、半導体発光素子1としての特性は、順方向電圧Vf=3.0V、発光出力Po=24mW、逆方向電流IR(@20V)=0.1μAであった。
実施例1の第二n型半導体層第二層のSi含有濃度を1×1019/cm3とし、第二n型半導体層第二層の発光層13側の界面のSi含有濃度を1×1019/cm3に変えた以外は、実施例1と同様な操作を行い、半導体発光素子1としての特性は、順方向電圧Vf=2.9V、発光出力Po=24mW、逆方向電流IR(@20V)=0.2μAであった。
実施例1の第二n型半導体層第一層の膜厚を40nm、Si含有濃度を3×1017/cm3とし、第二n型半導体層第二層の膜厚を40nm、Si含有濃度を7×1018/cm3とし、第二n型半導体層第二層の発光層13側の界面のSi含有濃度を7×1018/cm3に変えた以外は、実施例1と同様な操作を行い、半導体発光素子1としての特性は、順方向電圧Vf=3.0V、発光出力Po=23mW、逆方向電流IR(@20V)=0.1μAであった。
実施例1の第二n型半導体層第二層の膜厚を20nmに変えた以外は、実施例1と同様な操作を行い、半導体発光素子1としての特性は、順方向電圧Vf=3.1V、発光出力Po=23mW、逆方向電流IR(@20V)=0.1μAであった。
実施例1の第二n型半導体層第一層及び第二n型半導体層第二層の超格子構造をそれぞれ単層構造に変え、また、第二n型半導体層第二層の発光層13側の界面のSi含有濃度を1×1019/cm3に変えた以外は、実施例1と同様な操作を行い、半導体発光素子1としての特性は、順方向電圧Vf=3.0V、発光出力Po=23mW、逆方向電流IR(@20V)=0.2μAであった。
実施例1の第二n型半導体層第一層の膜厚を80nm、Si含有濃度を5×1018/cm3に変え、第二n型半導体層第二層の膜厚を0nmとした以外は、実施例1と同様な操作を行い、半導体発光素子1としての特性は、順方向電圧Vf=3.2V、発光出力Po=20mW、逆方向電流IR(@20V)=1.0μAであった。但し、第二n型半導体層第一層は、超格子構造から単層構造に変えた。
なお、実施例及び比較例の半導体発光素子1についての順方向電圧Vfは、プローブ針による通電で電流印加値20mAにおける電圧を測定したものである。同じく、実施例及び比較例の半導体発光素子1についての発光出力(Po)は、それぞれTO−18缶パッケージに実装し、テスターによって印加電流20mAにおける発光出力を測定したものである。また、逆方向電流(IR)は、発光素子に対して端子を逆方向に20V印加した時の漏れ電流を測定した時の値である。
一方、nクラッド層12b(第二n型半導体層)の膜厚を80nm、Si含有濃度を5×1018/cm3とした比較例1では、実施例1〜実施例5と比較して発光出力(Po)が低く、順方向電圧が比較的高く、漏れ電流(逆方向電流(IR)が大きかった。
また、比較例1では、印加電流を大きくすることによる発光出力の向上効果が、印加電流を大きくするのに伴って小さくなっており、印加電流が大きいほど実施例1〜実施例5と比較例1との発光出力(Po)の差が大きくなっている。
Claims (16)
- 第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一n型半導体層を積層する第一工程と、
第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一n型半導体層上に前記第一n型半導体層の再成長層と第二n型半導体層と発光層とpクラッド層およびpコンタクト層からなるp型半導体層とを順次積層する第二工程とを具備し、
前記第二n型半導体層を積層する工程において、前記再成長層形成時よりも少量の前記Siをドーパントとして供給することにより第二n型半導体層第一層を形成する工程(1)と、前記Siを前記工程(1)よりも多く供給することにより第二n型半導体層第二層を形成する工程(2)と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記第二n型半導体層第二層を、少なくとも前記発光層側の界面から0nm〜60nmの領域内に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第二n型半導体層第一層に前記Siを1×1016/cm3〜5×1017/cm3の濃度で含有させ、前記第二n型半導体層第二層に前記Siを1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第二n型半導体層第二層の前記発光層側界面に前記Siを、1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有させることを特徴とする請求項1乃至3に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記工程(1)において前記第二n型半導体層第一層を10nm〜100nmの膜厚で形成し、前記工程(2)において前記第二n型半導体層第二層を4nm〜60nmの膜厚で形成することを特徴とする請求項1乃至4に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記工程(1)および前記工程(2)において、前記第二n型半導体層の原料ガスとともに前記Siを含有するドーパントガスを供給することにより、前記第二n型半導体層を形成することを特徴とする請求項1乃至5に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記pコンタクト層を、pコンタクト下層と、pコンタクト上層とを積層することにより形成し、前記pコンタクト下層にMgを1×1019/cm3〜1×1020/cm3程度の濃度で含有させ、前記pコンタクト上層に前記Mgを2×1020/cm3〜5×1020/cm3程度の濃度で含有させることを特徴とする請求項1乃至6に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 基板上に第一n型半導体層と前記第一n型半導体層の再成長層と第二n型半導体層と発光層とpクラッド層およびpコンタクト層からなるp型半導体層とが積層された半導体発光素子であって、
前記第二n型半導体層が、前記再成長層よりもSi含有量の少ない第二n型半導体層第一層と、前記第二n型半導体層第一層よりも前記Si含有量の多い第二n型半導体層第二層とがこの順で積層された構成であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第二n型半導体層第二層が、少なくとも発光層側の界面から0nm〜60nmの領域内に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子。
- 前記第二n型半導体層のうち、前記第二n型半導体層第一層に前記Siが1×1016/cm3〜5×1017/cm3の濃度で含有され、前記第二n型半導体層第二層に前記Siが1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有されることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体発光素子。
- 前記第二n型半導体層第二層の前記発光層側界面に前記Siが、1×1018/cm3〜2×1019/cm3の濃度で含有されることを特徴とする請求項8乃至10に記載の半導体発光素子。
- 前記第二n型半導体層第一層が10nm〜100nm、前記第二n型半導体層第二層が4nm〜60nmの膜厚でそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項8乃至11に記載の半導体発光素子。
- 前記pコンタクト層は、pコンタクト下層と、pコンタクト上層とが積層してなり、前記pコンタクト下層にMgが1×1019/cm3〜1×1020/cm3の濃度で含有され、前記pコンタクト上層に前記Mgが2×1020/cm3〜5×1020/cm3の濃度で含有されることを特徴とする請求項8乃至12に記載の半導体発光素子。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法を用いて製造された半導体発光素子を備えることを特徴とするランプ。
- 請求項14に記載のランプが組み込まれていることを特徴とする電子機器。
- 請求項15に記載の電子機器が組み込まれていることを特徴とする機械装置。
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