JP2009020538A - 光半導体素子および光半導体集積回路 - Google Patents
光半導体素子および光半導体集積回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009020538A JP2009020538A JP2008271384A JP2008271384A JP2009020538A JP 2009020538 A JP2009020538 A JP 2009020538A JP 2008271384 A JP2008271384 A JP 2008271384A JP 2008271384 A JP2008271384 A JP 2008271384A JP 2009020538 A JP2009020538 A JP 2009020538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- waveguide
- semiconductor
- region
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/131—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using epitaxial growth
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
- H01S5/06206—Controlling the frequency of the radiation, e.g. tunable twin-guide lasers [TTG]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0654—Single longitudinal mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
- H01S5/101—Curved waveguide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
- H01S5/1017—Waveguide having a void for insertion of materials to change optical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1025—Extended cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
- H01S5/1085—Oblique facets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1221—Detuning between Bragg wavelength and gain maximum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】光導波路領域R61、溝部A61、半導体板B61および光導波路領域R62を光導波方向に沿って半導体基板701に順次形成し、溝部A61の幅および半導体板B61の厚さは、光導波路領域R61と溝部A61との界面で反射した光が、溝部A61と半導体板B61との界面で反射した光および半導体板B61と光導波路領域R62との界面で反射した光によって弱められるように設定する。
【選択図】図10
Description
mλB=2nΛ ・・・(1)
に従って変化するためである。ここで、mは回折の次数、Λは回折格子の周期である。
∂/∂T(nDLD+nRLR)
=LD∂nD/∂T+nD∂LD/∂T+LR∂nR/∂T+nR∂LR/∂T=0
・・・(2)
ただし、∂nD/∂Tおよび∂LD/∂Tは通常正であるため、∂nR/∂Tおよび∂LR/∂Tは負となる。
R=((N1−N2)/(N1+N2))2 ・・・(3)
ここで、入射角θ1がブリュースター(Brewster)角θBに一致する場合、入射面に平行な成分の反射をなくすことができ、ブリュースター角θBは、以下の(5)式で表すことができる。
ところで、一般的に、半導体導波路には、埋め込みヘテロ(HB)構造やリッジ構造などが広く用いられている。そして、半導体のエッチングや埋め込み成長では、エッチングや埋め込みに適した結晶方位が存在する。
題があり、さらなる改善が望まれる。
本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザについて図面を参照しながら説明する。この第1の実施形態によれば、屈折率の温度特性の異なる材料を組み合わせて、発振波長の温度依存性を制御することが可能な半導体レーザを提供することができる。以下、本実施形態に係るいくつかの具体的な実施例について説明する。
次に、本発明の第2の実施形態に係る集積光導波路について図面を参照しながら説明する。この第2の実施形態によれば、半導体光導波路とその半導体光導波路とは屈折率の異なる材料からなる光導波路との集積構造、ならびにこれを用いた光半導体素子および光半導体集積回路を提供することができる。特に、本実施形態により、屈折率の異なる材料が接合された界面において反射を低減させることが可能となる。以下、本実施形態に係るいくつかの具体的な実施例について説明する。
N1d1>λ/2n、N2d2>λ/2m、N1d1+N2d2<λ/4(2l+1)
・・・(6)
(l、m、nはn+m=lの関係を満たす整数)
もしくは、
N1d1<λ/2n、N2d2<λ/2m、N1d1+N2d2>λ/4(2l+1)
・・・(7)
(l、m、nはn+m=l−1の関係を満たす整数)
の範囲で示すことができる。
N1d1>nλ/2±δx、
N2d2>mλ/2±δx、
N1d1+N2d2=λ/4×(2l+1)±δx、
となる。これらは、他の三角形の領域でも同様である。
N1d1+N2d2
=±λ/(2π)[cos−1{±(N1 2+N2 2)/(N1+N2)2}+2mπ]
・・・(8)
N1d1−N2d2=λ/2n ・・・(9)
を満たせばよい。これは、各三角形の領域のほぼ中心に相当する。
(nは整数)
図21は、図19の溝部A132、半導体板B132および光導波路領域R132で構成される光導波路の反射率と半導体板B132の厚さd4との関係を示す図である。なお、入射波長は1.55μmとした。
(nは整数)
ここで、図19の全体の光導波路は、光導波路領域R131、溝部A131、半導体板B131および溝部A132で構成される左側光導波路と、溝部A132、半導体板B132および光導波路領域R132で構成される右側光導波路とを接続したものであり、左側光導波路の後端と右側光導波路の前端とは同じ屈折率であるから、この部分では反射は生じない。このため、分割前の光導波路全体を考えても、入射波長λの時、光導波路領域R131と光導波路領域R132との結合部での反射を0とすることができる。これは、溝部A132の幅d3には依存しない。
λ/2(n+1/4)<N1d3<λ/2(n+1)
(nは整数)
とすればよい。また、領域aの波長幅を広げるには、
λ/2(m+3/8)<N1d3<λ/2(m+3/4)
(mは整数)
とすればよい。
次に、本発明の第3の実施形態に係る集積光導波路について図面を参照しながら説明する。この第3の実施形態によれば、導波方向の設計の自由度を向上させることを可能にしつつ、屈折率が互いに異なる導波路間における反射および屈折による導波路損失を低減し、半導体基板上に集積化が可能な光導波路および光デバイスを提供することができる。以下、本実施形態に係るいくつかの具体的な実施例について説明する。
cosθ1=sinθ2
∴θ2=π/2−θ1 ・・・(12)
このため、図28の第2導波領域1402の中点に対して点対称になるように、第1導波路1401および第3導波路1403を第2導波領域1402に接続することにより、第1導波路1401と第2導波領域1402との境界面1404および第2導波領域1402と第3導波路1403との境界面1405における傾斜角をブリュースター角に一致させることを可能としつつ、第1導波路1201と第3導波路1203との方向を互いに平行にすることが可能となる。
θ12=π/2−2θ1 ・・・(13)
図31は、屈折率N1の物質側から屈折率N2の物質側に光が入射した場合の導波方向の成す角θ12と屈折率比N2/N1との関係を示す図である。なお、導波方向の成す角θ12は、図26の構成では、第1導波路1201を光が導波する方向と、第2導波領域1202を光が導波する方向との成す角、図28の構成では、第1導波路1401の方向と第2導波路1402の方向との成す角を示す。
R=|tan(θ1−sin−1(N2/N1sinθ1))/
tan(θ1+sin−1(N2/N1sinθ1))|2 ・・・(14)
ここで、反射率Rが小さくなる入射角θ1として、入射角θ1が0度の時の反射率Rの1/3になる場合を例にとると、ブリュースター角θBの4/5の角度から、ブリュースター角θBより全反射角θAとブリュースター角θBの差の2/3だけ大きい角度の範囲内とすることができる。すなわち、反射率Rが小さくなる入射角θ1は、以下の(16)式により与えることができる。
このように、入射角θ1、つまり、第1導波路1401における光の伝播方向に対する第1導波路1401と第2導波路1402との境界面1404との成す角をブリュースター角θBに一致させることにより、境界面1404に平行な成分の反射率を0とすることができる。通常、導波路を伝播する光は、境界面に平行な成分のみを持つTEモードであるから、第1導波路1401を伝播する光は、境界面1404による損失を受けることなく、第2導波路1402に透過させることができる。また、入射角θ1を(16)式で示される範囲に設定することにより、反射による損失を小さくすることができる。
102,202,302,408a,502 活性層
103,203,303,404,503 温度補償材料
104 活性層
105,205,305,405,505 電極
106,406 電極
107,207,307,407,507 裏面電極
108,208,308,508 反射防止膜
109,209 反射防止膜
110,210,310,408b,510 クラッド層
111,211,312 除去領域
204,409a,409b 半導体層
311,411,511 高反射膜
402 分布ブラッグ反射層
403 活性領域
512 反射鏡
601,611,621,631,641 半導体基板
602,612,622,632,642 バッファ層
603,613,623,633,643 光閉じ込め層
604,614,624,634,644 コア層
605,615,625,645 光閉じ込め層
606,616,626,636,646 キャップ層
607,617,627,637,647 埋め込み層
701,711,801,811,901,911,1001,1011,1101,1201,1111 半導体基板
702a,702b,712a,712b,712c,802a,802b,812a,812b,812c,902,912a,912b,912c,912d,912e,1002,1012a,1012b,1012c,1012d,1012e,1012f,1102a,1102b,1102c,1102d,1112b,1112c,1112d,1112e,1202b,1202c コア層
703a,703b,713a,713b,713c,803a,803b,813a,813b,813c,903,913a,913b,913c,913d,913e,1013a,1013b,1013c,1013d,1013e,1013f,1103a,1103b,1103c,1103d,1113a,1113b,1113c,1113d,1113e、1113f,1203a,1203b,1203c,1203d 上部クラッド層
704a,714a,714b,804a,814a,814b,914a,914b,914c,914d,1014a,1014b,1014d,1014e,1104a,1104c,1114a,1114b,1114d,1114e,1204a,1204c 溝
704b,714c,804b,814c 段差
705a,715a,715b,915a,915b,915c,915d 充填材料
705b 光導波路材料
805a,805b,807a,807b,815a,815b,815c,817a,817b,817c,1003,1015a,1015b,1015c,1015d,1015e,1017a,1017b,1017c,1017d,1017e,1105a,1105b,1105c、1107a,1107b,1107c,1115a,1115b,1115c,1115d,1115e,1117a,1117b,1117c,1117d,1117e,1205a,1205b,1205c,1207a,1207b,1207c クラッド層
806a,806b,816a,816b,816c,1016a,1016b,1016c,1016d,1016d,1016e,1106a,1106b,1106c,1116a,1116b,1116c,1116d,1116e,1206a,1206b,1206c コア層
904a,904b 埋め込み層
1014c,1104b,1114c,1204b 凹部
1112a,1112f,1202a,1202d 活性層
1118a,1118b,1208a,1208b,1208c 電極
1200,1300,1400,1500,1600,1700,1800,1900 半導体基板
1201,1203,1401,1402,1403,1601,1602,1603,1701,1702,1703,1704,1705,1801,1802,1803 導波路
1202 導波領域
1204,1205,1404,1405,1604,1605,1706,1707,1708,1709,1804,1805 境界面
1301,1501,1901 コア層
1302,1902 上部クラッド層
1303,1304,1903,1905 埋め込み層
1502 クラッド層
1906,1907 電極
A61,A71,A111,A112,A121,A122,A131,A132,A141,A142,A151,A152,A153,A154,A161,A162,A163,A164,A171,A172,A73,A174 溝部
B61,B71,B111,B112,B121,B122,B131,B132,B141,B142,B151,B152,B153,B154,B161,B162,B163,B164,B171,B172,B173,B174 半導体板
F1 水平方向の光フィールド分布
F2 垂直方向の光フィールド分布
R1,R11,R21,R31,R41 利得領域
R2 利得領域
R3,R13,R22,R32,R42 伝搬領域
R12 反射領域
R61,R62,R71,R72、R111,R112,R113,R121,R122,R123,R131,R132,R141,R142,R151,R152,R161,R162,R16,R171,R172,R173 光導波路領域
WG1,WG2,WG3 導波路
Claims (16)
- 第1光導波路と、
前記第1光導波路に光学的に結合され、前記第1光導波路と屈折率の異なる第2光導波路と、
前記第1光導波路の光路を横切るように前記第1光導波路と前記第2光導波路との界面から所定間隔だけ隔てて配置された溝部とを備え、
前記界面からの間隔と前記溝部の幅は、前記第1光導波路と前記第2光導波路との境界での反射が弱められるように設定されていることを特徴とする集積光導波路。 - 半導体基板上に形成された第1光導波路と、
前記半導体基板上に形成され、前記第1光導波路と屈折率の異なる第2光導波路と、
前記第1光導波路と前記第2光導波路との境界に配置され、前記第1光導波路から溝部を隔てて導波方向と垂直になるように前記半導体基板上に形成された半導体板とを備え、
前記溝部の幅および前記半導体板の厚さは、前記第1光導波路と前記溝部との界面で反射した光が、前記溝部と前記半導体板との界面で反射した光および前記半導体板と前記第2光導波路との界面で反射した光によって弱められるように設定されていることを特徴とする集積光導波路。 - 前記溝部には、前記第1光導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する物質が充填され、前記第1光導波路および前記半導体板の屈折率が等しく、かつ前記第2光導波路および前記溝部に充填された物質の屈折率が等しく、前記溝部の屈折率および幅をそれぞれN1、d1、前記半導体板の屈折率および厚さをそれぞれN2、d2とし、導波光の波長をλとすると、
N1d1>λ/2n、N2d2>λ/2m、N1d1+N2d2<λ/4(2l+1)
(l、m、nはn+m=lの関係を満たす整数)
もしくは、
N1d1<λ/2n、N2d2<λ/2m、N1d1+N2d2>λ/4(2l+1)
(l、m、nはn+m=l−1の関係を満たす整数)
の関係を満たすことを特徴とする請求項2記載の集積光導波路。 - 前記溝部には、前記第1光導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する物質が充填され、前記溝部の屈折率および幅をそれぞれN1、d1、前記半導体板の屈折率および厚さをそれぞれN2、d2、導波光の波長をλとすると、
N1d1+N2d2
=±λ/(2π)[cos−1{±(N1 2+N2 2)/(N1+N2)2}+2mπ]
N1d1−N2d2=λ/2n
(m、nは整数)
の関係を満たすことを特徴とする請求項2記載の集積光導波路。 - 半導体基板上に形成された第1光導波路と、
前記半導体基板上に形成され、前記第1光導波路と屈折率の異なる第2光導波路と、
前記第1光導波路と前記第2光導波路との境界に配置され、前記第1光導波路から第1溝部を隔てて導波方向と垂直になるように前記半導体基板上に形成された第1半導体板と、
前記第1半導体板から第2溝部を隔てて導波方向と垂直になるように前記半導体基板上に形成された第2半導体板とを備え、
前記第1溝部および前記第2溝部の幅ならびに前記第1半導体基板および前記第2半導体基板の厚さは、前記第1光導波路と前記第1溝部との界面で反射した光が、前記第1溝部と前記第1半導体板との界面で反射した光、前記第1半導体板と前記第2溝部と界面で反射した光、前記第2溝部と前記第2半導体板との界面で反射した光および前記第2半導体板と前記第2光導波路との界面で反射した光によって弱められるように設定されていることを特徴とする集積光導波路。 - 前記第1半導体板と前記第2半導体板との厚さが互いに異なるか、または前記第1溝部と前記第2溝部との幅が互いに異なることを特徴とする請求項5記載の集積光導波路。
- 前記第1溝部および前記第2溝部には、前記第1光導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する物質が充填され、前記第1光導波路、前記第1半導体板および前記第2半導体板の屈折率が等しく、かつ前記第2光導波路、前記第1溝部および前記第2溝部の屈折率が等しく、前記第1溝部の屈折率および幅をそれぞれN1、d1とし、前記第1半導体板の屈折率および厚さをそれぞれN2、d2、導波光の波長をλとすると、
N1d1>λ/2n、N2d2>λ/2m、N1d1+N2d2<λ/4(2l+1)
(l、m、nはn+m=lの関係を満たす整数)
もしくは、
N1d1<λ/2n、N2d2<λ/2m、N1d1+N2d2>λ/4(2l+1)
(l、m、nはn+m=l−1の関係を満たす整数)
の関係を満たすことを特徴とする請求項5または6記載の集積光導波路。 - 前記第1溝部および前記第2溝部には、前記第1光導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する物質が充填され、前記第1光導波路、前記第1半導体板および前記第2半導体板の屈折率が等しく、かつ前記第2光導波路、前記第1溝部および前記第2溝部の屈折率が等しく、前記第2半導体板の屈折率および厚さをそれぞれN2、d4とし、導波光の波長をλとすると、
λ/2n−λ/16<N2d4<λ/2n+λ/16
(nは整数)
の関係を満たすことを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項記載の集積光導波路。 - 前記第1溝部および前記第2溝部には、前記第1光導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する物質が充填され、前記第1光導波路、前記第1半導体板および前記第2半導体板の屈折率が等しく、かつ前記第2光導波路、前記第1溝部および前記第2溝部の屈折率が等しく、前記第2溝部の屈折率および幅をそれぞれN1、d3とし、導波光の波長をλとすると、
λ/2(n+1/4)<N1d3<λ/2(n+1)
(nは整数)
の関係を満たすことを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項記載の集積光導波路。 - 前記第1溝部および前記第2溝部には、前記第1光導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する物質が充填され、前記第2半導体板と同じ厚みの半導体板が、前記第2溝部と同じ幅の溝部をそれぞれ隔てて導波方向に沿って繰り返し配置されていることを特徴とする請求項5〜9のいずれか1項記載の集積光導波路。
- 前記第2光導波路は負の屈折率温度微分係数を有する材料により構成されていることを特徴とする請求項2〜10のいずれか1項記載の集積光導波路。
- 請求項2〜11のいずれか1項記載の集積光導波路が2個互いに対向配置され、前記第2光導波路の端面同士が接続されていることを特徴とする集積光導波路。
- 請求項12記載の集積光導波路が複数回繰り返し縦列接続されていることを特徴とする集積光導波路。
- 前記第1光導波路は、
前記半導体基板上に形成されたコア層と、
前記コア層上に積層され、前記半導体基板と導電型の異なる上部クラッド層と、
前記上部クラッド層上に形成された第1電極と、
前記半導体基板の裏面に形成された第2電極と
を備えることを特徴とする請求項2〜13のいずれか1項記載の光デバイス。 - 前記第1光導波路(または前記第2光導波路のいずれか少なくとも一方)は波長選択性を持つことを特徴とする請求項5〜14のいずれか1項記載の光デバイス。
- 請求項5〜15のいずれか1項記載の集積光導波路を備えることを特徴とする光デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008271384A JP4669540B2 (ja) | 2003-03-31 | 2008-10-21 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003094696 | 2003-03-31 | ||
JP2003400156 | 2003-11-28 | ||
JP2003412062 | 2003-12-10 | ||
JP2008271384A JP4669540B2 (ja) | 2003-03-31 | 2008-10-21 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005504307A Division JP4295278B2 (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-30 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009020538A true JP2009020538A (ja) | 2009-01-29 |
JP4669540B2 JP4669540B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=33135755
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005504307A Expired - Fee Related JP4295278B2 (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-30 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
JP2008271385A Pending JP2009016883A (ja) | 2003-03-31 | 2008-10-21 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
JP2008271384A Expired - Fee Related JP4669540B2 (ja) | 2003-03-31 | 2008-10-21 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005504307A Expired - Fee Related JP4295278B2 (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-30 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
JP2008271385A Pending JP2009016883A (ja) | 2003-03-31 | 2008-10-21 | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7738520B2 (ja) |
EP (3) | EP1610426B1 (ja) |
JP (3) | JP4295278B2 (ja) |
KR (4) | KR100804371B1 (ja) |
DE (1) | DE602004028878D1 (ja) |
WO (1) | WO2004088802A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011066174A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積素子 |
JP2017028125A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100524980C (zh) * | 2003-03-19 | 2009-08-05 | 宾奥普迪克斯股份有限公司 | 高smsr单向蚀刻激光器和低背反射光子器件 |
JP4608334B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2011-01-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子の波長調整方法 |
JP2007072433A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Ricoh Co Ltd | 光集積素子及び光制御素子 |
JP4868827B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | レーザ誘導光配線装置 |
JP2007157888A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発振波長温度無依存半導体レーザ |
JP5191143B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2013-04-24 | アンリツ株式会社 | 半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、および半導体レーザモジュールを用いたラマン増幅器 |
US7616854B2 (en) * | 2007-05-09 | 2009-11-10 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Optical coupling structure |
JP2009188262A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子及び半導体光集積素子 |
WO2009113469A1 (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | 日本電気株式会社 | 光デバイス、その製造方法とそれを用いた光集積デバイス |
DE102008029726A1 (de) * | 2008-06-23 | 2009-12-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Lichtleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen von Lichtleiteranordnungen |
WO2010116460A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | 富士通株式会社 | 光素子及びその製造方法 |
JP5477148B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-04-23 | 日本電気株式会社 | 半導体光配線装置 |
JP5703598B2 (ja) | 2010-06-11 | 2015-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、およびプロジェクター |
JP5772466B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2015-09-02 | 富士通株式会社 | 光半導体素子、光送信モジュール、光伝送システム及び光半導体素子の製造方法 |
JP5957855B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体集積素子 |
JP5957856B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体集積素子 |
EP2738889B1 (en) | 2011-12-20 | 2016-08-10 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Laser, passive optical network system and apparatus, and method for controlling wavelength |
JP5880065B2 (ja) | 2012-01-18 | 2016-03-08 | 住友電気工業株式会社 | 光集積素子の製造方法 |
JP2013149724A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子の製造方法 |
JP5880063B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-03-08 | 住友電気工業株式会社 | 光集積素子の製造方法 |
US9645311B2 (en) | 2013-05-21 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Optical component with angled-facet waveguide |
US9644966B2 (en) * | 2014-09-11 | 2017-05-09 | Honeywell International Inc. | Integrated optic circuit with waveguides stitched at supplementary angles for reducing coherent backscatter |
US10809591B2 (en) | 2016-04-28 | 2020-10-20 | Analog Photonics LLC | Optical phase shifter device |
US10921525B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-02-16 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Grating coupler and integrated grating coupler system |
JP7206393B2 (ja) * | 2019-01-04 | 2023-01-17 | 華為技術有限公司 | 半導体レーザ、光伝送部品、光回線端末および光ネットワークユニット |
US10923884B2 (en) * | 2019-05-15 | 2021-02-16 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Two-section edge-emitting laser |
US11381056B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-07-05 | Silc Technologies, Inc. | Laser cavity construction for reduced wavelengths |
CN112993751B (zh) * | 2021-01-28 | 2022-08-19 | 湖北光安伦芯片有限公司 | 一种纳米柱vcsel光源结构及其制备方法 |
US20220368105A1 (en) * | 2021-05-14 | 2022-11-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Laser having reduced coherence via phaser shifter |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01118806A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 複合光導波型デバイス |
JP2002182051A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-06-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路モジュール |
JP2002328244A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光部品 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3605037A (en) * | 1969-05-02 | 1971-09-14 | Bell Telephone Labor Inc | Curved junction laser devices |
JPS51123585A (en) * | 1975-04-21 | 1976-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
JPS55123188A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Toshiba Corp | Spectral bragg reflection mirror |
JPS5743485A (en) | 1980-08-13 | 1982-03-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor ring laser device |
DE3138968A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optische steuervorrichtung zum steuern der in einem optischen wellenleiter gefuehrten strahlung, insbesondere optischer schalter |
GB2115217B (en) * | 1982-02-09 | 1986-04-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor lasers |
US4464762A (en) * | 1982-02-22 | 1984-08-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Monolithically integrated distributed Bragg reflector laser |
JPS60207389A (ja) | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ装置 |
JPS62202583A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | Toshiba Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
JPS63116485A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPS6425586A (en) | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Hitachi Ltd | Photo-semiconductor device |
JPH0769494B2 (ja) | 1988-09-12 | 1995-07-31 | 横浜国立大学長 | 光導波路 |
US5022042A (en) * | 1990-09-10 | 1991-06-04 | General Dynamics Corp. | High power laser array with stable wavelength |
JPH04132274A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Eastman Kodak Japan Kk | 発光ダイオード |
US5155737A (en) * | 1990-11-07 | 1992-10-13 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Semiconductor wavelength conversion device |
JP2757615B2 (ja) * | 1991-08-14 | 1998-05-25 | 日本電気株式会社 | 半導体光第2高調波発光素子 |
WO1994017448A2 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-04 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical device packaging |
JP3129028B2 (ja) | 1993-05-28 | 2001-01-29 | 松下電器産業株式会社 | 短波長レーザ光源 |
US5544268A (en) * | 1994-09-09 | 1996-08-06 | Deacon Research | Display panel with electrically-controlled waveguide-routing |
JP3751052B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2006-03-01 | シャープ株式会社 | 集積型光制御素子およびその作製方法、並びにそれを備えた光集積回路素子および光集積回路装置 |
JPH08211342A (ja) | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | 半導体光機能素子 |
US5617436A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-01 | Cornell Research Foundation, Inc. | Strain-compensated multiple quantum well laser structures |
JP2713256B2 (ja) * | 1995-07-21 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 光通信等に用いる波長可変半導体レーザ |
JPH0992924A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
GB2310316A (en) * | 1996-02-15 | 1997-08-20 | Sharp Kk | Semiconductor laser |
JPH09331102A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Canon Inc | レーザ出射端面が傾いている波長多重光源 |
US6075799A (en) | 1996-08-28 | 2000-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Polarization selective semiconductor laser, optical transmitter using the same, optical communication system using the same and fabrication method of the same |
JP4117854B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2008-07-16 | シャープ株式会社 | 導波路型光集積回路素子及びその製造方法 |
DE69722462T2 (de) * | 1997-08-04 | 2004-02-19 | International Business Machines Corp. | Gekrümmter lichtwellenleiter zur verbindung von monomode-lichtwellenleitern |
JP3337403B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2002-10-21 | 日本電信電話株式会社 | 周波数安定化レーザ |
US6195478B1 (en) | 1998-02-04 | 2001-02-27 | Agilent Technologies, Inc. | Planar lightwave circuit-based optical switches using micromirrors in trenches |
JP3479220B2 (ja) * | 1998-07-03 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | 光集積モジュール |
JP2000124554A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Hitachi Cable Ltd | 高消光比半導体光増幅器及びそれを用いた光スイッチ |
US6501776B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Temperature-insensitive semiconductor laser |
JP2000223784A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Canon Inc | 波長安定化半導体レーザー |
JP2000223787A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Canon Inc | 半導体レーザー |
JP3054707B1 (ja) * | 1999-03-19 | 2000-06-19 | 東京大学長 | 光アイソレ―タ |
JP2001021775A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学装置 |
JP3485260B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2004-01-13 | 日本電信電話株式会社 | 分布反射光導波路及びこれを含む光素子 |
JP2002076513A (ja) | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 温度無依存分布ブラッグ反射型ミラー及び面型光学素子 |
US6580740B2 (en) * | 2001-07-18 | 2003-06-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device having selective absorption qualities |
EP1283571B1 (de) * | 2001-08-06 | 2015-01-14 | nanoplus GmbH Nanosystems and Technologies | Laser mit schwach gekoppeltem Gitterbereich |
US20030044119A1 (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-06 | Takashi Sasaki | Optical waveguide module |
US6711323B1 (en) * | 2002-04-08 | 2004-03-23 | Jamshid Nayyer | Wide deflection-angle optical switches and method of fabrication |
-
2004
- 2004-03-30 EP EP04724370.4A patent/EP1610426B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-30 DE DE602004028878T patent/DE602004028878D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-30 JP JP2005504307A patent/JP4295278B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-30 KR KR1020067020307A patent/KR100804371B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-30 US US10/527,355 patent/US7738520B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-30 EP EP07107222A patent/EP1813975B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-30 EP EP07107220.1A patent/EP1813974B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-30 KR KR1020057004475A patent/KR100681714B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-30 KR KR1020077006316A patent/KR100799797B1/ko active IP Right Grant
- 2004-03-30 WO PCT/JP2004/004517 patent/WO2004088802A1/ja active Application Filing
-
2006
- 2006-09-29 KR KR1020060095288A patent/KR20060107499A/ko not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-05-30 US US11/755,688 patent/US7471864B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2007-05-30 US US11/755,654 patent/US7474817B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-10-21 JP JP2008271385A patent/JP2009016883A/ja active Pending
- 2008-10-21 JP JP2008271384A patent/JP4669540B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01118806A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 複合光導波型デバイス |
JP2002182051A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-06-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路モジュール |
JP2002328244A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光部品 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011066174A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積素子 |
JP2017028125A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070041635A (ko) | 2007-04-18 |
US7471864B2 (en) | 2008-12-30 |
EP1610426A4 (en) | 2006-07-26 |
JP4669540B2 (ja) | 2011-04-13 |
US20070223856A1 (en) | 2007-09-27 |
KR20050040943A (ko) | 2005-05-03 |
EP1813975B1 (en) | 2010-08-25 |
US7474817B2 (en) | 2009-01-06 |
US20060050752A1 (en) | 2006-03-09 |
DE602004028878D1 (de) | 2010-10-07 |
EP1813974A3 (en) | 2007-10-31 |
EP1610426A1 (en) | 2005-12-28 |
EP1813974A2 (en) | 2007-08-01 |
EP1610426B1 (en) | 2014-01-08 |
KR100681714B1 (ko) | 2007-02-15 |
JP4295278B2 (ja) | 2009-07-15 |
KR100799797B1 (ko) | 2008-02-01 |
EP1813975A3 (en) | 2007-10-17 |
EP1813974B1 (en) | 2019-02-27 |
EP1813975A2 (en) | 2007-08-01 |
KR20060110012A (ko) | 2006-10-23 |
JPWO2004088802A1 (ja) | 2006-07-06 |
US7738520B2 (en) | 2010-06-15 |
KR20060107499A (ko) | 2006-10-13 |
JP2009016883A (ja) | 2009-01-22 |
US20070223857A1 (en) | 2007-09-27 |
WO2004088802A1 (ja) | 2004-10-14 |
KR100804371B1 (ko) | 2008-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4669540B2 (ja) | 光半導体素子および光半導体集積回路 | |
JP6224495B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US7450624B2 (en) | Grating—outcoupled surface-emitting lasers | |
US4185256A (en) | Mode control of heterojunction injection lasers and method of fabrication | |
CN101144873B (zh) | 光半导体元件和光半导体集成电路 | |
EP0125608A2 (en) | Single longitudinal mode semiconductor laser | |
JP2002353559A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
JPS63244694A (ja) | 分布帰還形半導体レ−ザ | |
US20220216669A1 (en) | Single-mode hybrid iii-v on silicon laser of simplified construction | |
WO2018197015A1 (en) | Curved waveguide laser | |
US6647048B2 (en) | Grating-outcoupled surface-emitting lasers using quantum wells with thickness and composition variation | |
WO2021148121A1 (en) | Dfb laser with angled central waveguide section | |
JP4523131B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH0230195B2 (ja) | ||
JP2007157888A (ja) | 発振波長温度無依存半導体レーザ | |
JPS59152685A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
JP2003283046A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JPS6381305A (ja) | 光集積回路 | |
JPH04340782A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2013021120A (ja) | 半導体光反射器及び半導体レーザ、並びにそれらの駆動方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100402 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100525 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100527 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110107 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110114 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4669540 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |