JPS63116485A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents

半導体レ−ザ素子

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Publication number
JPS63116485A
JPS63116485A JP61262487A JP26248786A JPS63116485A JP S63116485 A JPS63116485 A JP S63116485A JP 61262487 A JP61262487 A JP 61262487A JP 26248786 A JP26248786 A JP 26248786A JP S63116485 A JPS63116485 A JP S63116485A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
face
type
layer
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61262487A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Kaneiwa
進治 兼岩
Haruhisa Takiguchi
治久 瀧口
Hiroaki Kudo
裕章 工藤
Tomohiko Yoshida
智彦 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP61262487A priority Critical patent/JPS63116485A/ja
Publication of JPS63116485A publication Critical patent/JPS63116485A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体レーザ素子に関し、特に、単−縦モー
ドで発振するような分布帰還形の半導体レーザ素子に関
する。
［従来の技術］ 光ファイバを利用した光情報伝送システムあるいは光計
測システムにおける光源として、半導体レーザが利用さ
れている。このような半導体レーザは単一縦モードで発
振する動作特性を有することが望ましい。単一縦モード
のレーザ特性を得るためのレーザ素子構造としては、活
性領域もしくは活性領域に近接して周期的な凹凸形状の
回折格子を形成した分布帰還形のレーザ素子が知られて
いる。
第２図は従来の一般的な分布帰還形半導体レーザ素子の
構造の横断面図である。第２図において、ｎ型（１００
）ＩｎＰ基板１上にレーザ発振動作用の回折格子２が形
成され、その上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層３．ノ
ンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層４．　　ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層５．　　ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層６の順
に積層されている。
また、基板１とコンタクト層６には、それぞれｎ側、ｐ
側のオーミック電極７，８がそれぞれ形成されている。
レーザ光出射面９は（０１１）　％開面であり、−刃裏
面１０はエツチングまたは研磨により斜面に処理されて
いる。
［発明が解決しようとする問題点］ 上述の斜面処理は、相対する２つの壁間面により形成さ
れる共振器のファブリ・ペローモードを抑制するために
施されている。ところが、エツチングや研磨ともに操作
が煩雑であるため、歩留りが低下し、作業手順の増加な
どにより、生産コストの増大を招くという欠点があった
。
それゆえに、この発明の主たる目的は、（１１０）基板
を用い、（１１１）面をレーザ光出射端面とすることに
より、ファブリ・ベローモードを抑制して、生産性の高
い分布帰還形の半導体レーザ素子を提供することである
。
［問題点を解決するための手段］ この発明は半導体基板上に活性層および活性層に近接し
て回折格子の形成された層を含む積層構造を有する分布
帰還形の半導体レーザ素子であって、半導体基板を（１
１０）面とし、レーザ光出射端面を（１１１）面とする
ように構成したものである。
［作用コ この発明に係る半導体レーザ素子は、（１１０）基板を
用い、（１１１）　男開面をレーザ光出射面とすること
により、ファブリ・ベローモードを抑制できるとともに
、生産を高めることができる。
［発明の実施例］ 第１図はこの発明の一実施例の縦断面図である。
第１図において、ｎ型（１１０）ＩｎＰ基板１上には回
折格子２が形成される。さらに、回折格子２上には、ｎ
型Ｉ　ｎＧａＡｓ　Ｐ光ガイド層３．ノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層４．　　ｐ型ＩｎＰクラッド層５．　　
ｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタクト層６が順に積層される。
基板１とコンタクト層６には、それぞれｎ側、ｐ側にオ
ーミック電極７，８が形成されている。
レーザ共振器を＜００１＞方向とすると、（００１）面
でなく、（１１１）面で襞間が起こるため、基板面（１
１０）に対して、レーザ出射端面（１１１）１１は３５
，３°の傾きを有する。このため、レーザ光が端面で反
射し、共振器に帰還することがないので、ファブリ・ペ
ローモードが抑制され、安定な単一縦モード発振の得ら
れる分布帰還形レーザ素子を容易に作製できる。
なお、上述の実施例では、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系分
布帰還形レーザ素子について説明したが、これに限定さ
れることなく、ＧａＡｌｊＡｓ／ＧａＡｓ系など他の材
料を用いた分布帰還形レーザにも適用可能であることは
言うまでもない。
［発明の効果コ 以上のように、この発明によれば、（１１０）基板を用
い、（１１１）壁開面をレーザ光出射面とすることによ
り、エツチング、研磨などの複雑な操作を経ることなく
、ファブリ・ペローモードを抑制することができ、生産
性の高い分布帰還形の半導体レーザ素子を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の分布帰還形半導体レーザ
素子の共振方向に平行な方向で切断した断面図である。 第２図は従来の分布帰還形半導体レーザの断面図である
。 図において、１はｎ型ＩｎＰ基板、２は回折格子、３は
ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、４はノンドープＩ　ｎＧａ
Ａｓ　Ｐ活性層、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｐ型
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、７．８はオーミック電極
、１０はエツチングまたは研磨斜面、１１は襞開斜面を
示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体基板上に活性層および該活性層に近接して回折格
    子の形成された層を含む積層構造を有する分布帰還形半
    導体レーザ素子において、 前記半導体基板を（１１０）面とし、レーザ光出射面を
    （１１１）面とするようにしたことを特徴とする、半導
    体レーザ素子。
JP61262487A 1986-11-04 1986-11-04 半導体レ−ザ素子 Pending JPS63116485A (ja)

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JP61262487A JPS63116485A (ja) 1986-11-04 1986-11-04 半導体レ−ザ素子

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JP61262487A JPS63116485A (ja) 1986-11-04 1986-11-04 半導体レ−ザ素子

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Publication Number Publication Date
JPS63116485A true JPS63116485A (ja) 1988-05-20

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ID=17376475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61262487A Pending JPS63116485A (ja) 1986-11-04 1986-11-04 半導体レ−ザ素子

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JP (1) JPS63116485A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1610426A4 (en) * 2003-03-31 2006-07-26 Nippon Telegraph & Telephone OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND INTEGRATED OPTICAL SEMICONDUCTOR CIRCUIT

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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