JP2628735B2 - 面発光型半導体レーザ - Google Patents
面発光型半導体レーザInfo
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- JP2628735B2 JP2628735B2 JP1002309A JP230989A JP2628735B2 JP 2628735 B2 JP2628735 B2 JP 2628735B2 JP 1002309 A JP1002309 A JP 1002309A JP 230989 A JP230989 A JP 230989A JP 2628735 B2 JP2628735 B2 JP 2628735B2
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- emitting semiconductor
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Description
【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明は基板の垂直方向にレーザ光を出射するための
面発光型半導体レーザに関する。
面発光型半導体レーザに関する。
『従来の技術』 面発光型半導体レーザの一つとして、第２図に示すも
のがある。
のがある。
かかる面発光型半導体レーザは、第２図を参照して明
らかな通り、基板（ｎ−InP）１上に、クラッド層（ｎ
−GaInAsP）２、活性層（ｐ−GaInAsP）３、クラッド層
（ｐ−InP）４、キャップ層（ｐ−GaInAsP）５がエピタ
キシャル成長により順次形成されおり、かつ、基板１の
下面には、Auからなる反射ミラー６、Au−Snからなるｎ
側電極７がそれぞれ設けられているとともに、キャップ
層５の上面には、Auからなる反射ミラー８、Au−Znから
なるｐ側電極９がそれぞれ設けられている。
らかな通り、基板（ｎ−InP）１上に、クラッド層（ｎ
−GaInAsP）２、活性層（ｐ−GaInAsP）３、クラッド層
（ｐ−InP）４、キャップ層（ｐ−GaInAsP）５がエピタ
キシャル成長により順次形成されおり、かつ、基板１の
下面には、Auからなる反射ミラー６、Au−Snからなるｎ
側電極７がそれぞれ設けられているとともに、キャップ
層５の上面には、Auからなる反射ミラー８、Au−Znから
なるｐ側電極９がそれぞれ設けられている。
第２図の面発光型半導体レーザにおいては、活性層３
と反射ミラー６、８とが共振器を形成するようになり、
レーザ発振によるレーザ光は、基板１と垂直な図示の矢
印方向へ出射される。
と反射ミラー６、８とが共振器を形成するようになり、
レーザ発振によるレーザ光は、基板１と垂直な図示の矢
印方向へ出射される。
かかる面発光型半導体レーザは、その共振器長が約10
μｍで通常のファブリペロー型半導体レーザの1/30程度
であるから、縦モード間隔も100〜200オングストローム
程度と広く単色性に優れており、しかも、レーザ光の出
射角が数度と狭いので、光ファイバとの結合が容易であ
るとともに、他にも、通常のレーザと異なり、劈開面を
必要としないため、ウエハ単位での検査が可能である利
点も有する。
μｍで通常のファブリペロー型半導体レーザの1/30程度
であるから、縦モード間隔も100〜200オングストローム
程度と広く単色性に優れており、しかも、レーザ光の出
射角が数度と狭いので、光ファイバとの結合が容易であ
るとともに、他にも、通常のレーザと異なり、劈開面を
必要としないため、ウエハ単位での検査が可能である利
点も有する。
『発明が解決しようとする課題』 しかし、第２図の面発光型半導体レーザでは、横基本
モードでレーザ発振させるのに、活性層３の幅を数μｍ
以下にしなければならないので、製造プロセス上の困難
をともない。しかも、活性層３を狭くした場合は、共振
器方向に導波構造がないため回折損失が増大する。
モードでレーザ発振させるのに、活性層３の幅を数μｍ
以下にしなければならないので、製造プロセス上の困難
をともない。しかも、活性層３を狭くした場合は、共振
器方向に導波構造がないため回折損失が増大する。
本発明は上述した課題に鑑み、既得の特性の損なうこ
となしに、効率よく横基本モード発振させることのでき
る面発光型半導体レーザを提供しようとするものであ
る。
となしに、効率よく横基本モード発振させることのでき
る面発光型半導体レーザを提供しようとするものであ
る。
『課題を解決するための手段』 本発明は所期の目的を達成するために下記の課題解決
手段を特徴とする。
手段を特徴とする。
すなわち本発明は、基板と垂直な方向に共振器が形成
され、その基板の垂直方向にレーザ光を出射するための
面発光型半導体レーザにおいて、曲面状の突出部が光出
射面側に形成されており、該曲面状突出部の表面が共振
器の一端面を構成していることを特徴とする。
され、その基板の垂直方向にレーザ光を出射するための
面発光型半導体レーザにおいて、曲面状の突出部が光出
射面側に形成されており、該曲面状突出部の表面が共振
器の一端面を構成していることを特徴とする。
『実 施 例』 本発明に係る面発光型半導体レーザの実施例につき、
第１図を参照して説明する。
第１図を参照して説明する。
第１図において、基板（ｎ−InP）11上に、クラッド
層（ｎ−GaInAsP）12、活性層（ｐ−GaInAsP）13、クラ
ッド層（ｐ−InP）14、キャップ層（ｐ−GaInAsP）15が
エピタキシャル成長により順次形成されおり、かつ、基
板11の下面には、SiO2、ａ−Siの誘電対多層膜からなる
反射率反射ミラー16と、Au−Snからなるｎ側電極17とが
それぞれ設けられているとともに、キャップ層15の上面
には、上記と同じ誘電対多層膜からなる基板11の下面反
射ミラー18と、Au−Znからなるｐ側電極19とがそれぞれ
設けられている。
層（ｎ−GaInAsP）12、活性層（ｐ−GaInAsP）13、クラ
ッド層（ｐ−InP）14、キャップ層（ｐ−GaInAsP）15が
エピタキシャル成長により順次形成されおり、かつ、基
板11の下面には、SiO2、ａ−Siの誘電対多層膜からなる
反射率反射ミラー16と、Au−Snからなるｎ側電極17とが
それぞれ設けられているとともに、キャップ層15の上面
には、上記と同じ誘電対多層膜からなる基板11の下面反
射ミラー18と、Au−Znからなるｐ側電極19とがそれぞれ
設けられている。
上述した構成は、前記第２図のものと同じであり、活
性層13と反射ミラー16、18とが共振器を形成するので、
レーザ発振によるレーザ光は、基板11と垂直な図示の矢
印方向へ出射される。
性層13と反射ミラー16、18とが共振器を形成するので、
レーザ発振によるレーザ光は、基板11と垂直な図示の矢
印方向へ出射される。
本発明の面発光型半導体レーザは、かかる構成におい
て、第１図のごとき曲面状の突出部20が光出射面（共振
器端面）側に形成されている。
て、第１図のごとき曲面状の突出部20が光出射面（共振
器端面）側に形成されている。
このような突出部20が、面発光型半導体レーザの光出
射面側に形成されている場合、活性層13の幅を広くする
ことができ、しかも、当該曲面部20は、高次横モードが
発振する条件においても、基本モードに対して殆ど損失
を与えず、高次モードにのみ大きな損失を与えるので、
横基本モードでの発振が可能となる。
射面側に形成されている場合、活性層13の幅を広くする
ことができ、しかも、当該曲面部20は、高次横モードが
発振する条件においても、基本モードに対して殆ど損失
を与えず、高次モードにのみ大きな損失を与えるので、
横基本モードでの発振が可能となる。
その他、上記突出部20は、面発光型半導体レーザとし
て既得の優れた特性を、なんら損うことがない。
て既得の優れた特性を、なんら損うことがない。
第１図に例示した面発光型半導体レーザは、以下のよ
うにしてつくられる。
うにしてつくられる。
はじめ、MOCVD法、MBE法、LPE法など、任意の薄膜結
晶成長技術を介して、基板11上に、クラッド層12、活性
層13、クラッド層14、キャップ層15をエピタキシャル成
長させる。
晶成長技術を介して、基板11上に、クラッド層12、活性
層13、クラッド層14、キャップ層15をエピタキシャル成
長させる。
つぎに、フォトリソグラフィ技術、塩素ガスを用いた
ドライエッチング技術を介して、キャップ層15の上面に
直径10μｍ程度の曲面部20を形成する。
ドライエッチング技術を介して、キャップ層15の上面に
直径10μｍ程度の曲面部20を形成する。
その後、プラズマCVD法を介して、基板11の下面、キ
ャップ層15の上面に、反射ミラー16、18をそれぞれ形成
する。
ャップ層15の上面に、反射ミラー16、18をそれぞれ形成
する。
以下は、基板11の下面、キャップ層15の上面にｎ側オ
ーミック電極、ｐ側オーミック電極として電極17、19を
それぞれ取りつける。
ーミック電極、ｐ側オーミック電極として電極17、19を
それぞれ取りつける。
なお、突出部20は、キャップ層15の上面側に代えて、
基板11の下面側に設けられてもよく、さらには、キャッ
プ層15の上面側と基板11の下面側など、これら両面側に
設けられてもよい。
基板11の下面側に設けられてもよく、さらには、キャッ
プ層15の上面側と基板11の下面側など、これら両面側に
設けられてもよい。
その他、突出部20は、埋め込み構造を有する面発光型
半導体レーザの光出射面側に、上記いずれかの態様で設
けるのも有効である。
半導体レーザの光出射面側に、上記いずれかの態様で設
けるのも有効である。
『発明の効果』 以上説明した通り、本発明に係る面発光型半導体レー
ザは、光出射面側に、突出した曲面部が形成されている
から、活性層の幅を広くすることができ、しかも、活性
層の幅が広くても、既得の特性の損なうことなしに、横
基本モード発振させることができる。
ザは、光出射面側に、突出した曲面部が形成されている
から、活性層の幅を広くすることができ、しかも、活性
層の幅が広くても、既得の特性の損なうことなしに、横
基本モード発振させることができる。
第１図は本発明に係る面発光型半導体レーザの一実施例
を示した積層構造の断面斜視図、第２図は従来の面発光
型半導体レーザを示した積層構造の断面斜視図である。 １……基板 12……クラッド層 13……活性層 14……クラッド層 15……キャップ層 16……反射ミラー 17……電極 18……反射ミラー 19……電極 20……突出部
を示した積層構造の断面斜視図、第２図は従来の面発光
型半導体レーザを示した積層構造の断面斜視図である。 １……基板 12……クラッド層 13……活性層 14……クラッド層 15……キャップ層 16……反射ミラー 17……電極 18……反射ミラー 19……電極 20……突出部
Claims (1)
- 【請求項１】基板と垂直な方向に共振器が形成され、そ
の基板の垂直方向にレーザ光を出射するための面発光型
半導体レーザにおいて、曲面状の突出部が光出射面側に
形成されており、該曲面状突出部の表面が共振器の一端
面を構成していることを特徴とする面発光型半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002309A JP2628735B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 面発光型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002309A JP2628735B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 面発光型半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181988A JPH02181988A (ja) | 1990-07-16 |
| JP2628735B2 true JP2628735B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=11525753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002309A Expired - Lifetime JP2628735B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 面発光型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628735B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575207A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 共振器型半導体光装置及びその製法 |
| US10873174B2 (en) * | 2016-11-02 | 2020-12-22 | Sony Corporation | Light-emitting element and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143486A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Toshiba Corp | 面発光型発光素子 |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1002309A patent/JP2628735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02181988A (ja) | 1990-07-16 |
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