JP4608334B2 - 半導体光素子の波長調整方法 - Google Patents
半導体光素子の波長調整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4608334B2 JP4608334B2 JP2005034952A JP2005034952A JP4608334B2 JP 4608334 B2 JP4608334 B2 JP 4608334B2 JP 2005034952 A JP2005034952 A JP 2005034952A JP 2005034952 A JP2005034952 A JP 2005034952A JP 4608334 B2 JP4608334 B2 JP 4608334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- semiconductor
- wavelength
- optical device
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
図1に、本発明の第1の実施形態に係る半導体光素子の構造を示す。図1(a)は、第1の実施形態に係る半導体光素子の斜視図であり、図1(b)は、図1(a)の線分I−I’での半導体光素子の断面図であり、図1(c)は、図(a)の線分II−II’での半導体光素子の断面図である。
図4に、本発明の第2実施形態に係る半導体光素子の構造を示す。図4(a)は、第2の実施形態に係る半導体光素子の斜視図であり、図4(b)は、図4(a)の線分III−III’での半導体光素子の断面図であり、図4(c)は、図4(a)の線分IV−IV’での半導体光素子の断面図である。
図6に、本発明の第3の実施形態に係る半導体素子の構造を示す。図6(a)は、第3の実施形態に係る半導体光素子の上面図であり、図6(b)は、図6(a)の線分V−V’での半導体光素子の部分断面図であり、図6(c)は、図6(a)の線分VI−VI’での半導体光素子の部分断面図である。
101、201、301 基板
102、202 ガイド層(光閉じ込め層)
103、203、303 コア層(活性層)
104、204 ガイド層(光閉じ込め層)
105、205、304 上部クラッド層
106、206 埋め込み層(電流ブロック層)
207 絶縁膜
208 下部電極
209 上部電極
110、210、310 コア(コア層)
111、211、311、312 クラッド(クラッド層)
WG11、WG13、WG21、WG23、WG31 半導体導波路
WG12、WG22、WG32 半導体以外の材料による導波路
Claims (5)
- 半導体材料よりなる第1の光導波路と、有機材料よりなり、前記第1の光導波路と光学的に結合された第2の光導波路とを含む半導体光素子の動作波長を、当該素子を作製した後に調整する波長調整方法であって、
前記第2の光導波路の表面を削って、前記半導体光素子の動作波長を所望の値に調整することを特徴とする波長調整方法。 - 請求項1に記載の波長調整方法において、前記第2の光導波路の表面は、エッチングにより削られることを特徴とする波長調整方法。
- 請求項1または2に記載の波長調整方法において、前記第1の光導波路は、回折格子を備えることを特徴とする波長調整方法。
- 請求項3に記載の波長調整方法において、前記回折格子は、結合係数が200cm−1以上であることを特徴とする波長調整方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の波長調整方法において、前記第2の光導波路の屈折率は、負の温度依存性を有することを特徴とする波長調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005034952A JP4608334B2 (ja) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | 半導体光素子の波長調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005034952A JP4608334B2 (ja) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | 半導体光素子の波長調整方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222305A JP2006222305A (ja) | 2006-08-24 |
JP4608334B2 true JP4608334B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=36984392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005034952A Expired - Fee Related JP4608334B2 (ja) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | 半導体光素子の波長調整方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4608334B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8515225B2 (en) | 2008-03-13 | 2013-08-20 | Nec Corporation | Optical device, method for manufacturing the same and optical integrated device using the same |
JP2011192877A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 半導体レーザー装置 |
JP5870693B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-03-01 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
GB2516679C (en) | 2013-07-30 | 2019-08-28 | Rushmere Tech Limited | Optical source |
JP6468180B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2019-02-13 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004088802A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
-
2005
- 2005-02-10 JP JP2005034952A patent/JP4608334B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004088802A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006222305A (ja) | 2006-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107431331B (zh) | 波长可变激光元件以及激光模块 | |
JP5177285B2 (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
US8005123B2 (en) | Wavelength tunable laser | |
US5815615A (en) | Integrated optical control element and a method for fabricating the same and optical integrated circuit element and optical integrated circuit device using the same | |
JP5182362B2 (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
US20060203858A1 (en) | Wavelength tunable semiconductor laser apparatus | |
JP5365510B2 (ja) | 半導体集積素子 | |
WO2016152274A1 (ja) | 波長可変レーザ素子およびレーザモジュール | |
JP2003046190A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4608334B2 (ja) | 半導体光素子の波長調整方法 | |
JP4630128B2 (ja) | 半導体レーザ装置および波長制御方法 | |
US20050074197A1 (en) | Integrated surface emitting laser and light amplifier | |
KR100582114B1 (ko) | 반도체 디바이스 제작 방법 및 반도체 광 디바이스 | |
JPH07154036A (ja) | 傾斜した活性ストライプを有する導波路とこの導波路を有するレーザとこのレーザを用いた光ファイバ伝送システム | |
JP4699137B2 (ja) | 半導体レーザ装置および波長制御方法 | |
Fujii et al. | Wide-wavelength range membrane laser array using selectively grown InGaAlAs MQWs on InP-on-insulator | |
GB2409570A (en) | A semiconductor optoelectronic component including a distributed Bragg reflector and electro-absorption modulator | |
JP5515447B2 (ja) | 導波路型波長ロッカー及び光モジュールの製造方法 | |
JP2002289971A (ja) | 半導体光素子および半導体光素子の製造方法 | |
JP3485260B2 (ja) | 分布反射光導波路及びこれを含む光素子 | |
JP5092928B2 (ja) | 光半導体装置 | |
WO2004008595A1 (ja) | 分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム | |
JP5034572B2 (ja) | 光源装置 | |
JP7159844B2 (ja) | 半導体レーザ | |
EP4311042A1 (en) | Opto-electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100402 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100510 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101001 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |