JP3337403B2 - 周波数安定化レーザ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路中の光誘
起グレーティングと半導体ＬＤ（レーザダイオード）で
構成される外部共振器型の周波数安定化レーザにおい
て、モードホップが抑制された周波数安定化レーザの構
造に関するものである。
起グレーティングと半導体ＬＤ（レーザダイオード）で
構成される外部共振器型の周波数安定化レーザにおい
て、モードホップが抑制された周波数安定化レーザの構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】石英系導波路中の光誘起グレーティング
と半導体ＬＤで構成されるレーザは、グレーティングの
周波数選択性を利用して単一モード発振をする、温度係
数が半導体レーザに比較して小さい、発振周波数の制御
が容易である等の特徴を有するため、光通信、光情報処
理、光計測、分光用光源として様々な応用が期待されて
いる(T. Tanaka, et al., Electron. Lett., vol.32, n
o.13, 1202, (1996)および田中他１９９７年電子情報通
信学会総合大会講演論文集、Ｃ−３−１６０）。なお、
光誘起グレーティングの作製技術については、ケニース
・オー・ヒル等により発明されている（特開平７−１４
０３１１号公報）。以後、光誘起グレーティングを名称
の簡略化のためグレーティングと言い換える。
と半導体ＬＤで構成されるレーザは、グレーティングの
周波数選択性を利用して単一モード発振をする、温度係
数が半導体レーザに比較して小さい、発振周波数の制御
が容易である等の特徴を有するため、光通信、光情報処
理、光計測、分光用光源として様々な応用が期待されて
いる(T. Tanaka, et al., Electron. Lett., vol.32, n
o.13, 1202, (1996)および田中他１９９７年電子情報通
信学会総合大会講演論文集、Ｃ−３−１６０）。なお、
光誘起グレーティングの作製技術については、ケニース
・オー・ヒル等により発明されている（特開平７−１４
０３１１号公報）。以後、光誘起グレーティングを名称
の簡略化のためグレーティングと言い換える。
【０００３】図１３は従来の技術を用いて作製した周波
数安定化レーザの模式的斜視図である。１１は半導体Ｌ
Ｄであり、１３は石英導波路のコアであり、１４は石英
導波路のクラッドである。１５はグレーティングであ
り、１６はＳｉ基板であり、１８は半導体ＬＤを搭載す
るために石英ガラスを取り除いた部分でシリコンテラス
と呼ばれている。
数安定化レーザの模式的斜視図である。１１は半導体Ｌ
Ｄであり、１３は石英導波路のコアであり、１４は石英
導波路のクラッドである。１５はグレーティングであ
り、１６はＳｉ基板であり、１８は半導体ＬＤを搭載す
るために石英ガラスを取り除いた部分でシリコンテラス
と呼ばれている。
【０００４】石英系導波路中のグレーティングと半導体
ＬＤで構成される周波数安定化レーザの発振モードを以
下に説明する。半導体ＬＤに注入電流を流し発光させる
と、グレーティングの反射スペクトルに対応した周波数
の光のみがグレーティングで反射される。従って、半導
体ＬＤの後端面からグレーティングまでの区間をレーザ
キャビティとして発振する。なお、グレーティングおよ
び半導体ＬＤの後端面以外からの半導体ＬＤへの反射戻
り光が無いように、半導体ＬＤの出力面には空気との界
面に対する反射防止膜が施され、石英導波路のＬＤ側の
端面はコアの近傍部がコアの光軸に直交する方向に対し
て傾いている（特開平５−１５５２３号公報参照）。一
般にグレーティングの反射周波数の帯域は５０ＧＨｚ程
度である。一方、レーザキャビティ長が０．５ｃｍ程度
であるので縦モードの周波数間隔は２０ＧＨｚ程度とな
り、縦モードが３本程度存在し得る。従って、この中で
グレーティングの反射中心周波数に最も近いものだけが
選択されて発振する。なお、一般にグレーティングの反
射率は４０〜９９％、半導体ＬＤと石英系導波路との光
の結合損失は４ｄＢ±１．５ｄＢ程度になっている。
ＬＤで構成される周波数安定化レーザの発振モードを以
下に説明する。半導体ＬＤに注入電流を流し発光させる
と、グレーティングの反射スペクトルに対応した周波数
の光のみがグレーティングで反射される。従って、半導
体ＬＤの後端面からグレーティングまでの区間をレーザ
キャビティとして発振する。なお、グレーティングおよ
び半導体ＬＤの後端面以外からの半導体ＬＤへの反射戻
り光が無いように、半導体ＬＤの出力面には空気との界
面に対する反射防止膜が施され、石英導波路のＬＤ側の
端面はコアの近傍部がコアの光軸に直交する方向に対し
て傾いている（特開平５−１５５２３号公報参照）。一
般にグレーティングの反射周波数の帯域は５０ＧＨｚ程
度である。一方、レーザキャビティ長が０．５ｃｍ程度
であるので縦モードの周波数間隔は２０ＧＨｚ程度とな
り、縦モードが３本程度存在し得る。従って、この中で
グレーティングの反射中心周波数に最も近いものだけが
選択されて発振する。なお、一般にグレーティングの反
射率は４０〜９９％、半導体ＬＤと石英系導波路との光
の結合損失は４ｄＢ±１．５ｄＢ程度になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
周波数安定化レーザでは、選択される縦モードの周波数
が温度に依存するので、温度変化と共に発振するモード
が変わる現象を生じる（以後モードホップと呼ぶ）。以
下にその理由を説明する。従来の周波数安定化レーザの
縦モードの温度係数は、近似的に式（１）に示される。
周波数安定化レーザでは、選択される縦モードの周波数
が温度に依存するので、温度変化と共に発振するモード
が変わる現象を生じる（以後モードホップと呼ぶ）。以
下にその理由を説明する。従来の周波数安定化レーザの
縦モードの温度係数は、近似的に式（１）に示される。
【０００６】
【数１】
【０００７】ただし、ｍLDおよびｍWGは、それぞれ半導
体ＬＤの共振器の共振周波数の温度係数および石英導波
路で作製した共振器の共振周波数の温度係数である。ｎ
LDおよびｎWGは、それぞれ半導体ＬＤの導波層の等価屈
折率および石英導波路の等価屈折率である。ＬLDおよび
ＬWGは、それぞれ半導体ＬＤの共振器長および半導体Ｌ
Ｄの出射端からグレーティングの中心までの石英導波路
長を表す。グレーティングは、石英導波路中に書き込ま
れており、反射中心周波数の温度係数は、石英導波路の
温度係数ｍWGに等しい。ｍLD≒１０ｍWGなので、縦モー
ドの温度係数ｍの大きさは、グレーティングの反射中心
周波数の温度係数ｍWGの大きさよりも大きい。
体ＬＤの共振器の共振周波数の温度係数および石英導波
路で作製した共振器の共振周波数の温度係数である。ｎ
LDおよびｎWGは、それぞれ半導体ＬＤの導波層の等価屈
折率および石英導波路の等価屈折率である。ＬLDおよび
ＬWGは、それぞれ半導体ＬＤの共振器長および半導体Ｌ
Ｄの出射端からグレーティングの中心までの石英導波路
長を表す。グレーティングは、石英導波路中に書き込ま
れており、反射中心周波数の温度係数は、石英導波路の
温度係数ｍWGに等しい。ｍLD≒１０ｍWGなので、縦モー
ドの温度係数ｍの大きさは、グレーティングの反射中心
周波数の温度係数ｍWGの大きさよりも大きい。
【０００８】すなわち、縦モードの温度係数とグレーテ
ィングの反射中心周波数の温度係数は等しくない。
ィングの反射中心周波数の温度係数は等しくない。
【０００９】図１４にモードホップの説明図を示す。Ｎ
番目の縦モードで発振していたとすると、温度変化によ
りグレーティングの反射中心周波数に最も近い縦モード
がＮ＋１番目に移り、モードホップが生じる。文献T. T
anaka, et. al., Electronn.Lett., vol.32, no.13, 12
02, (1996) の例では温度変化により５℃おきにモード
ホップが生じていた。モードホップは伝送信号の誤り確
率を上昇させるため、抑制方法の実現が望まれていた。
番目の縦モードで発振していたとすると、温度変化によ
りグレーティングの反射中心周波数に最も近い縦モード
がＮ＋１番目に移り、モードホップが生じる。文献T. T
anaka, et. al., Electronn.Lett., vol.32, no.13, 12
02, (1996) の例では温度変化により５℃おきにモード
ホップが生じていた。モードホップは伝送信号の誤り確
率を上昇させるため、抑制方法の実現が望まれていた。
【００１０】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであり、本発明の目的は、グレーティン
グの反射中心周波数の温度係数と縦モードの温度係数を
一致させることにより、温度変化に起因するモードホッ
プが抑圧された周波数安定化レーザを提供することにあ
る。
になされたものであり、本発明の目的は、グレーティン
グの反射中心周波数の温度係数と縦モードの温度係数を
一致させることにより、温度変化に起因するモードホッ
プが抑圧された周波数安定化レーザを提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明による周波数安定化レーザは、基板上に
搭載された半導体レーザダイオードと、前記基板上に作
製された光導波路と、該光導波路に形成された光誘起グ
レーティングからなる集積型外部共振器を用いた周波数
安定化レーザにおいて、前記半導体レーザダイオードの
屈折率温度係数と逆符号の屈折率温度係数を有する材料
が、前記半導体レーザダイオードと前記光誘起グレーテ
ィングの間の光導波路の上部クラッドとコアを除去した
部分または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去し
た部分に搭載されていることを特徴とする。
ために、本発明による周波数安定化レーザは、基板上に
搭載された半導体レーザダイオードと、前記基板上に作
製された光導波路と、該光導波路に形成された光誘起グ
レーティングからなる集積型外部共振器を用いた周波数
安定化レーザにおいて、前記半導体レーザダイオードの
屈折率温度係数と逆符号の屈折率温度係数を有する材料
が、前記半導体レーザダイオードと前記光誘起グレーテ
ィングの間の光導波路の上部クラッドとコアを除去した
部分または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去し
た部分に搭載されていることを特徴とする。
【００１２】ここで、好ましくは前記光導波路が石英系
ガラスで構成される。前記上部クラッドとコアを除去し
た部分または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去
した部分が導波路を好ましくは８０〜９０度、さらに好
ましくは８０〜８７度の角度で横切っている。
ガラスで構成される。前記上部クラッドとコアを除去し
た部分または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去
した部分が導波路を好ましくは８０〜９０度、さらに好
ましくは８０〜８７度の角度で横切っている。
【００１３】さらに、好ましくは、前記上部クラッドと
コアを除去した部分または上部クラッドとコアと下部ク
ラッドを除去した部分が複数本の溝から構成される。前
記複数本の溝を連結する溝を有し、前記連結用の溝に液
だめが連結されていることも好ましいことである。
コアを除去した部分または上部クラッドとコアと下部ク
ラッドを除去した部分が複数本の溝から構成される。前
記複数本の溝を連結する溝を有し、前記連結用の溝に液
だめが連結されていることも好ましいことである。
【００１４】好ましくは、前記半導体レーザダイオード
の屈折率温度係数と逆符号の屈折率温度係数を有する材
料の屈折率温度係数の絶対値が１×１０-4（１／Ｋ）以
上である。
の屈折率温度係数と逆符号の屈折率温度係数を有する材
料の屈折率温度係数の絶対値が１×１０-4（１／Ｋ）以
上である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明による周波数安定化レーザ
は、基板上に搭載された半導体レーザダイオードと、同
じ基板上に作製された光導波路と、光導波路に形成され
た光誘起グレーティングを備え、半導体レーザダイオー
ドの屈折率温度係数と逆符号の屈折率温度係数を有する
材料が、半導体レーザダイオードと光誘起グレーティン
グの間の光導波路の上部クラッドとコアを除去した部分
または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去した部
分に搭載されている。
は、基板上に搭載された半導体レーザダイオードと、同
じ基板上に作製された光導波路と、光導波路に形成され
た光誘起グレーティングを備え、半導体レーザダイオー
ドの屈折率温度係数と逆符号の屈折率温度係数を有する
材料が、半導体レーザダイオードと光誘起グレーティン
グの間の光導波路の上部クラッドとコアを除去した部分
または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去した部
分に搭載されている。
【００１６】本発明の上述した構成によってモードホッ
プを抑制できる。すなわち、屈折率温度係数が半導体Ｌ
Ｄの屈折率温度係数と逆の材料をグレーティングと半導
体ＬＤの間に搭載することで、周波数安定化レーザのレ
ーザキャビティ中において温度変化による半導体ＬＤの
光路長変化を打ち消すことができ、その結果レーザキャ
ビティの共振周波数の温度係数を小さくすることができ
る。従って、屈折率温度係数が半導体ＬＤの屈折率温度
係数と逆の材料を搭載する領域の大きさを適切に設計す
ることにより、縦モードの温度係数をグレーティングの
反射中心周波数の温度係数に一致させることができる。
プを抑制できる。すなわち、屈折率温度係数が半導体Ｌ
Ｄの屈折率温度係数と逆の材料をグレーティングと半導
体ＬＤの間に搭載することで、周波数安定化レーザのレ
ーザキャビティ中において温度変化による半導体ＬＤの
光路長変化を打ち消すことができ、その結果レーザキャ
ビティの共振周波数の温度係数を小さくすることができ
る。従って、屈折率温度係数が半導体ＬＤの屈折率温度
係数と逆の材料を搭載する領域の大きさを適切に設計す
ることにより、縦モードの温度係数をグレーティングの
反射中心周波数の温度係数に一致させることができる。
【００１７】以後、屈折率温度係数が半導体ＬＤの屈折
率温度係数と逆の材料を温度係数調整材料と記載する。
率温度係数と逆の材料を温度係数調整材料と記載する。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１９】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２０】（実施例１）実施例１は、光導波路が石英
系ガラスで構成された周波数安定化レーザを例に挙げて
説明する。
系ガラスで構成された周波数安定化レーザを例に挙げて
説明する。
【００２１】図１、図２に本発明の第１の実施例を示
す。図１は、レーザの断面図であり、図２は、レーザの
上面図である。１１は半導体ＬＤ、１２は石英導波路と
直角方向に設けた溝中に搭載した温度係数調整材料、１
３は石英導波路のコア、１４は石英導波路のクラッド、
１５はグレーティング、１６はＳｉ基板、１８はシリコ
ンテラスである。
す。図１は、レーザの断面図であり、図２は、レーザの
上面図である。１１は半導体ＬＤ、１２は石英導波路と
直角方向に設けた溝中に搭載した温度係数調整材料、１
３は石英導波路のコア、１４は石英導波路のクラッド、
１５はグレーティング、１６はＳｉ基板、１８はシリコ
ンテラスである。
【００２２】半導体ＬＤの波長は１．５５μｍである。
従って周波数安定化レーザのおおよその光の周波数は式
（２）で表される。
従って周波数安定化レーザのおおよその光の周波数は式
（２）で表される。
【００２３】
【数２】 ν＝１９３（ＴＨｚ） （２） 図１、図２に示した周波数安定化レーザの縦モードの温
度係数ｍは近似的に式（３）で表される。
度係数ｍは近似的に式（３）で表される。
【００２４】
【数３】
【００２５】ただし、ｍLD、ｍWG、ｍm は、それぞれ半
導体ＬＤの共振器の共振周波数の温度係数、石英導波路
部分を共振器とした場合の共振周波数の温度係数、温度
係数調整材料の共振周波数の温度係数である。ｎLD、ｎ
WG、ｎm は、それぞれ半導体ＬＤの導波層の等価屈折
率、半導体ＬＤとグレーティングの間の石英導波路の等
価屈折率、温度係数調整材料の屈折率である。ＬLD、Ｌ
m 、ＬWGは、それぞれ半導体ＬＤの共振器長、温度係数
調整材料が搭載された部分の長さ、半導体ＬＤの出射端
からグレーティング中心までの石英導波路部分の長さ
（温度係数調整材料が封入された領域を除く）を表す。
モードホップの温度間隔Ｔは、縦モードの周波数間隔を
縦モードの温度係数ｍとグレーティングの温度係数、す
なわち石英導波路の温度係数ｍWGの差で割ることにより
式（４）で得られる。
導体ＬＤの共振器の共振周波数の温度係数、石英導波路
部分を共振器とした場合の共振周波数の温度係数、温度
係数調整材料の共振周波数の温度係数である。ｎLD、ｎ
WG、ｎm は、それぞれ半導体ＬＤの導波層の等価屈折
率、半導体ＬＤとグレーティングの間の石英導波路の等
価屈折率、温度係数調整材料の屈折率である。ＬLD、Ｌ
m 、ＬWGは、それぞれ半導体ＬＤの共振器長、温度係数
調整材料が搭載された部分の長さ、半導体ＬＤの出射端
からグレーティング中心までの石英導波路部分の長さ
（温度係数調整材料が封入された領域を除く）を表す。
モードホップの温度間隔Ｔは、縦モードの周波数間隔を
縦モードの温度係数ｍとグレーティングの温度係数、す
なわち石英導波路の温度係数ｍWGの差で割ることにより
式（４）で得られる。
【００２６】
【数４】
【００２７】ただし、ｃは光の速さを表し、ｃ＝３．０
×１０8 （ｍ／ｓ）である。
×１０8 （ｍ／ｓ）である。
【００２８】本実施例１において、温度係数調整材料が
封入された領域を除く石英導波路部分の共振周波数の温
度係数ｍWGの具体的な数値を得るための計算を記す。こ
こで、グレーティングが形成されている領域も形成され
ていない領域も温度係数の値は同じである。
封入された領域を除く石英導波路部分の共振周波数の温
度係数ｍWGの具体的な数値を得るための計算を記す。こ
こで、グレーティングが形成されている領域も形成され
ていない領域も温度係数の値は同じである。
【００２９】一般に、屈折率ｎ、線膨張係数αの材料で
作製した共振器の共振周波数の温度係数は、光弾性効果
を無視すると式（５）で表されることが知られている。
作製した共振器の共振周波数の温度係数は、光弾性効果
を無視すると式（５）で表されることが知られている。
【００３０】
【数５】
【００３１】屈折率の温度係数は、材料は石英であるの
で式（６）で表される。
で式（６）で表される。
【００３２】
【数６】
【００３３】石英導波路部分の線膨張係数を求める。図
１のレーザでは、コア１３、クラッド１４の石英部分の
厚みが合わせて６０μｍ程度であるのに対して、Ｓｉ基
板１６の厚みは１ｍｍ程度と十分大きい。従って、石英
導波路部分の線膨張係数αWGはＳｉ基板の線膨張係数で
表される（式（７））。
１のレーザでは、コア１３、クラッド１４の石英部分の
厚みが合わせて６０μｍ程度であるのに対して、Ｓｉ基
板１６の厚みは１ｍｍ程度と十分大きい。従って、石英
導波路部分の線膨張係数αWGはＳｉ基板の線膨張係数で
表される（式（７））。
【００３４】
【数７】 α＝αWG＝２．３３×１０-6（１／Ｋ） （７） 従って、半導体ＬＤ端からグレーティングまでの石英導
波路部分の温度係数ｍWGは、石英導波路の等価屈折率ｎ
＝ｎWG＝１．４５および、式（２）、式（６）、式
（７）を式（５）へ代入することで、式（８）で得られ
る。
波路部分の温度係数ｍWGは、石英導波路の等価屈折率ｎ
＝ｎWG＝１．４５および、式（２）、式（６）、式
（７）を式（５）へ代入することで、式（８）で得られ
る。
【００３５】
【数８】
【００３６】同様の計算手順で温度調整材料の温度係数
を求める。
を求める。
【００３７】温度係数調整材料には、シリコーン樹脂を
用いている。シリコーン樹脂の屈折率ｎm は１．３９、
屈折率の温度係数は、式（９）で表される。
用いている。シリコーン樹脂の屈折率ｎm は１．３９、
屈折率の温度係数は、式（９）で表される。
【００３８】
【数９】
【００３９】温度係数調整材料は、石英導波路の上部ク
ラッドとコアまたは上部クラッドとコアと下部クラッド
を除去することで作製した深さ３０μｍ〜６０μｍの溝
中に封入されており、温度係数調整材料の厚みはＳｉ基
板の厚み１ｍｍに比較して小さい。溝の作製方法につい
ては後で述べる作製工程の中で説明する。従って、温度
係数調整材料搭載領域の線膨張係数αm はＳｉ基板の線
膨張係数となり、式（１０）で表される。
ラッドとコアまたは上部クラッドとコアと下部クラッド
を除去することで作製した深さ３０μｍ〜６０μｍの溝
中に封入されており、温度係数調整材料の厚みはＳｉ基
板の厚み１ｍｍに比較して小さい。溝の作製方法につい
ては後で述べる作製工程の中で説明する。従って、温度
係数調整材料搭載領域の線膨張係数αm はＳｉ基板の線
膨張係数となり、式（１０）で表される。
【００４０】
【数１０】 α＝αm ＝２．３３×１０-6（１／Ｋ） （１０） 式（２）、（９）、（１０）とｎ＝ｎm ＝１．３９を式
（５）へ代入することにより温度係数調整材料搭載部分
の共振周波数の温度係数ｍm は式（１１）で表される。
（５）へ代入することにより温度係数調整材料搭載部分
の共振周波数の温度係数ｍm は式（１１）で表される。
【００４１】
【数１１】 ｍm ＝５４（ＧＨｚ／Ｋ） （１１） また、半導体ＬＤの長さＬLDは０．６０ｍｍ、半導体Ｌ
Ｄの導波層の等価屈折率ｎLDは３．５、石英導波路の等
価屈折率ｎWGは１．４５である。ＬＤ出射端面からグレ
ーティングの手前までの長さは１．５ｍｍであり、グレ
ーティングの長さは３．０ｍｍである。従って、半導体
ＬＤ端からグレーティング中心までの石英導波路部分の
長さ（但し、温度係数調整材料が封入された領域を除
く）ＬWGは、（３．０−Ｌm ）ｍｍである。また、半導
体ＬＤの温度係数はｍLD＝−１２．９（ＧＨｚ／Ｋ）で
ある。そこで第１実施例の設計においては、式（４）に
おいて上記のパラメータと式（３）、式（８）、式（１
１）に基づき、モードホップ温度間隔Ｔ＝１４０℃とな
るように温度補償材料封入領域の全長Ｌm を０．３０ｍ
ｍと設計した。
Ｄの導波層の等価屈折率ｎLDは３．５、石英導波路の等
価屈折率ｎWGは１．４５である。ＬＤ出射端面からグレ
ーティングの手前までの長さは１．５ｍｍであり、グレ
ーティングの長さは３．０ｍｍである。従って、半導体
ＬＤ端からグレーティング中心までの石英導波路部分の
長さ（但し、温度係数調整材料が封入された領域を除
く）ＬWGは、（３．０−Ｌm ）ｍｍである。また、半導
体ＬＤの温度係数はｍLD＝−１２．９（ＧＨｚ／Ｋ）で
ある。そこで第１実施例の設計においては、式（４）に
おいて上記のパラメータと式（３）、式（８）、式（１
１）に基づき、モードホップ温度間隔Ｔ＝１４０℃とな
るように温度補償材料封入領域の全長Ｌm を０．３０ｍ
ｍと設計した。
【００４２】図１、図２の周波数安定化レーザを上記の
パラメータに従って設計し、作製を行った。作製工程を
図３に示す。作製工程は、以下の８工程からなる。
（１）エッチングにより段差のあるＳｉ基板１６を作
る。（２）光ファイバの作製技術を応用した火炎堆積法
とＬＳＩの作製に用いられるフォトリソグラフィ技術を
用いて石英導波路をＳｉ基板上に形成する。１３は石英
導波路のコア、１４は石英導波路のクラッドを示す。
（３）フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチン
グを用い、石英層を一部エッチングして半導体レーザ搭
載部１８（Ｓｉテラス）を作製する。（４）Ｓｉテラス
上に半導体レーザ搭載用の半田パターン１９を形成す
る。（５）エキシマレーザ光（あるいはアルゴンレーザ
の第２高調波）３１をフェイズマスク３０を通して導波
路に照射することにより、グレーティング１５を作製す
る。（６）溝２１をダイシングソーで加工し、幅３００
μｍの溝を１本作製する。（７）半導体レーザ１１を位
置合わせした後、固定する。（８）溝にシリコーン樹脂
を充填し、加熱してシリコーン樹脂を硬化させる。
パラメータに従って設計し、作製を行った。作製工程を
図３に示す。作製工程は、以下の８工程からなる。
（１）エッチングにより段差のあるＳｉ基板１６を作
る。（２）光ファイバの作製技術を応用した火炎堆積法
とＬＳＩの作製に用いられるフォトリソグラフィ技術を
用いて石英導波路をＳｉ基板上に形成する。１３は石英
導波路のコア、１４は石英導波路のクラッドを示す。
（３）フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチン
グを用い、石英層を一部エッチングして半導体レーザ搭
載部１８（Ｓｉテラス）を作製する。（４）Ｓｉテラス
上に半導体レーザ搭載用の半田パターン１９を形成す
る。（５）エキシマレーザ光（あるいはアルゴンレーザ
の第２高調波）３１をフェイズマスク３０を通して導波
路に照射することにより、グレーティング１５を作製す
る。（６）溝２１をダイシングソーで加工し、幅３００
μｍの溝を１本作製する。（７）半導体レーザ１１を位
置合わせした後、固定する。（８）溝にシリコーン樹脂
を充填し、加熱してシリコーン樹脂を硬化させる。
【００４３】図４は本実施例１の周波数安定化レーザの
発振周波数の温度依存性の測定結果を表している。測定
の結果、モードホップの抑制が−１５℃から６５℃まで
の範囲で確認できた。また発振のためのしきい値電流は
１５０ｍＡであった。
発振周波数の温度依存性の測定結果を表している。測定
の結果、モードホップの抑制が−１５℃から６５℃まで
の範囲で確認できた。また発振のためのしきい値電流は
１５０ｍＡであった。
【００４４】（実施例２）図５に実施例２の周波数安定
化レーザの上面図を示す。実施例１との相違点は、実施
例２においては溝と石英導波路がなす角度が８２度であ
る点である。その他の構成および作製工程は実施例１の
周波数安定化レーザと同様である。
化レーザの上面図を示す。実施例１との相違点は、実施
例２においては溝と石英導波路がなす角度が８２度であ
る点である。その他の構成および作製工程は実施例１の
周波数安定化レーザと同様である。
【００４５】溝と石英導波路がなす角度を８２度にした
理由を以下に記載する。石英導波路との屈折率差が大き
な温度係数調整用材料を用いる場合は、屈折率差が大き
いため、石英導波路と温度係数調整用材料の界面で光の
反射が大きくなる。大量の反射光が半導体ＬＤに戻った
場合、周波数安定化レーザの発振が不安定になる。従っ
て、温度係数調整用材料の種類によっては、温度変化に
対するモードホップの抑制を困難にする場合が生じる。
ところが、溝と石英導波路がなす角度を８２度にすれ
ば、反射光は導波路のコアからクラッドに抜けることで
ＬＤに戻らず、周波数安定化レーザの発振は安定にな
る。すなわち、周波数安定化レーザのモードホップの抑
制に石英導波路との屈折率差が大きな温度係数調整用材
料も用いることができるようになる。
理由を以下に記載する。石英導波路との屈折率差が大き
な温度係数調整用材料を用いる場合は、屈折率差が大き
いため、石英導波路と温度係数調整用材料の界面で光の
反射が大きくなる。大量の反射光が半導体ＬＤに戻った
場合、周波数安定化レーザの発振が不安定になる。従っ
て、温度係数調整用材料の種類によっては、温度変化に
対するモードホップの抑制を困難にする場合が生じる。
ところが、溝と石英導波路がなす角度を８２度にすれ
ば、反射光は導波路のコアからクラッドに抜けることで
ＬＤに戻らず、周波数安定化レーザの発振は安定にな
る。すなわち、周波数安定化レーザのモードホップの抑
制に石英導波路との屈折率差が大きな温度係数調整用材
料も用いることができるようになる。
【００４６】図６は本実施例２の周波数安定化レーザの
発振周波数の温度依存性の測定結果を表している。モー
ドホップの抑制が実施例１と同様に−１５度から６０度
まで確認できた。しきい値電流は１５０ｍＡであった。
発振周波数の温度依存性の測定結果を表している。モー
ドホップの抑制が実施例１と同様に−１５度から６０度
まで確認できた。しきい値電流は１５０ｍＡであった。
【００４７】（実施例３）図７および図８に実施例３の
周波数安定化レーザの断面図および上面図を示す。実施
例２との相違点は実施例３においては溝が複数本あり、
それぞれに温度係数調整用材料１２が搭載されているこ
とである。要するに、３００μｍの溝を複数本の狭い溝
に分割していることを特徴としている。具体的には、溝
をダイシングソーで加工する際に細溝加工用のブレード
を用い、幅２５μｍの溝を１２本作製している。その他
の構成および作製工程は実施例２の周波数安定化レーザ
と同様である。測定の結果モードホップの抑制が−１５
度から６５度まで確認され、しきい値電流は、実施例２
に比較して１桁以上低い１０ｍＡが得られた。
周波数安定化レーザの断面図および上面図を示す。実施
例２との相違点は実施例３においては溝が複数本あり、
それぞれに温度係数調整用材料１２が搭載されているこ
とである。要するに、３００μｍの溝を複数本の狭い溝
に分割していることを特徴としている。具体的には、溝
をダイシングソーで加工する際に細溝加工用のブレード
を用い、幅２５μｍの溝を１２本作製している。その他
の構成および作製工程は実施例２の周波数安定化レーザ
と同様である。測定の結果モードホップの抑制が−１５
度から６５度まで確認され、しきい値電流は、実施例２
に比較して１桁以上低い１０ｍＡが得られた。
【００４８】以下、狭い複数個の溝を作製して低しきい
値電流が得られた理由を記載する。
値電流が得られた理由を記載する。
【００４９】導波路中に上部クラッドとコアを除去した
部分または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去し
た部分、すなわち、溝を作製し、導波路構成材料と別の
材料をこの溝に搭載すると導波路を透過する光の導波モ
ードが変化する。従って溝がない場合に比較して透過損
失が生じる。特に、溝の導波路方向の全長が長くなるほ
ど損失が急速に増加する。従って、一つの太い溝に一括
して温度係数調整材料を搭載する場合に比較して、複数
個の細い溝に分けて温度係数調整材料を搭載する場合の
方が透過光のロスが少なくなる。よって前者に比較して
後者の手段を用いた方がレーザキャビティ中の損失を減
少させ、周波数安定化レーザのしきい値電流を減少させ
ている。
部分または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去し
た部分、すなわち、溝を作製し、導波路構成材料と別の
材料をこの溝に搭載すると導波路を透過する光の導波モ
ードが変化する。従って溝がない場合に比較して透過損
失が生じる。特に、溝の導波路方向の全長が長くなるほ
ど損失が急速に増加する。従って、一つの太い溝に一括
して温度係数調整材料を搭載する場合に比較して、複数
個の細い溝に分けて温度係数調整材料を搭載する場合の
方が透過光のロスが少なくなる。よって前者に比較して
後者の手段を用いた方がレーザキャビティ中の損失を減
少させ、周波数安定化レーザのしきい値電流を減少させ
ている。
【００５０】（実施例４）図９に実施例４の周波数安定
化レーザの上面図を示す。実施例３の構成との違いは、
複数本の溝を連結する溝４１を有し、連結用の溝４１に
液だめ４２が連結されていることを特徴としている。そ
のため作製工程における実施例３との相違点は、実施例
３ではダイシングソーで溝加工を行っていたのに対し
て、本実施例４においてはフォトリソグラフィーおよび
反応性イオンエッチングによって溝加工を行うことで、
連結用の溝と液だめを複数本の溝と同時に一括して作製
している点である。
化レーザの上面図を示す。実施例３の構成との違いは、
複数本の溝を連結する溝４１を有し、連結用の溝４１に
液だめ４２が連結されていることを特徴としている。そ
のため作製工程における実施例３との相違点は、実施例
３ではダイシングソーで溝加工を行っていたのに対し
て、本実施例４においてはフォトリソグラフィーおよび
反応性イオンエッチングによって溝加工を行うことで、
連結用の溝と液だめを複数本の溝と同時に一括して作製
している点である。
【００５１】反応性イオンエッチングによる溝加工の利
点は溝の設計の自由度が大きくなる点である。また、反
応性イオンエッチングの利点はダイシングソーに比較し
て幅の狭い溝を作製できる点である。ダイシングソーを
用いた溝加工では２２〜２５μｍの幅が限界であるが、
反応性イオンエッチングを用いた場合、再現性よく加工
できる溝の最小幅は１５μｍまで可能である。実施例３
でも記載したが、幅の合計の長さが同じ溝に温度係数調
整材料を搭載する場合、より細い溝に分割して温度係数
調整材料を搭載する場合の方が透過損失を低減すること
ができる。例えば合計の幅が３００μｍの溝を作製する
場合、２５μｍの溝を１２本作製するよりも１５μｍの
溝を２０本作製するほうが損失が少ない。従って、反応
性イオンエッチングを用いて溝を作製することにより、
ダイシングソーで溝加工を行った場合に比較して、周波
数安定化レーザのレーザキャビティ中の損失を低下さ
せ、しきい値電流を低減させる。
点は溝の設計の自由度が大きくなる点である。また、反
応性イオンエッチングの利点はダイシングソーに比較し
て幅の狭い溝を作製できる点である。ダイシングソーを
用いた溝加工では２２〜２５μｍの幅が限界であるが、
反応性イオンエッチングを用いた場合、再現性よく加工
できる溝の最小幅は１５μｍまで可能である。実施例３
でも記載したが、幅の合計の長さが同じ溝に温度係数調
整材料を搭載する場合、より細い溝に分割して温度係数
調整材料を搭載する場合の方が透過損失を低減すること
ができる。例えば合計の幅が３００μｍの溝を作製する
場合、２５μｍの溝を１２本作製するよりも１５μｍの
溝を２０本作製するほうが損失が少ない。従って、反応
性イオンエッチングを用いて溝を作製することにより、
ダイシングソーで溝加工を行った場合に比較して、周波
数安定化レーザのレーザキャビティ中の損失を低下さ
せ、しきい値電流を低減させる。
【００５２】作製工程において、Ｓｉテラスの作製と同
時に溝のパターンを作製している。全体の作製工程を図
１０に示す。（１）、（２）の工程は図３の工程と同じ
である。（３）のＳｉテラスおよび溝の作製工程におい
て、Ｓｉテラス１８を作製するためのフォトマスクに１
５μｍの溝を２０本作製する設計および連結用の溝と液
だめを作製する設計を加え、Ｓｉテラスの作製と同時
に、１５μｍの溝を２０本、連結用の溝および液だめを
作製している。この方法を用いることによりダイシング
ソーで溝加工を行った場合に比較して、溝加工の工程が
無い分、作製の効率を上昇させることができる。（４）
以降の工程は図３とほぼ同様である。
時に溝のパターンを作製している。全体の作製工程を図
１０に示す。（１）、（２）の工程は図３の工程と同じ
である。（３）のＳｉテラスおよび溝の作製工程におい
て、Ｓｉテラス１８を作製するためのフォトマスクに１
５μｍの溝を２０本作製する設計および連結用の溝と液
だめを作製する設計を加え、Ｓｉテラスの作製と同時
に、１５μｍの溝を２０本、連結用の溝および液だめを
作製している。この方法を用いることによりダイシング
ソーで溝加工を行った場合に比較して、溝加工の工程が
無い分、作製の効率を上昇させることができる。（４）
以降の工程は図３とほぼ同様である。
【００５３】注入したシリコーン樹脂は液体であるの
で、液だめ４２に注入することにより一括して各溝に適
量のシリコーン樹脂を注入することができる。この液だ
めは、溝への注入時に液体である材料であればすべての
温度係数調整材料に適用できる。実施例３では、液だめ
がないので、シリコーン樹脂を充填する際、樹脂が溢れ
出す場合が生じ、注入量の調整が難しかった。これに比
較して実施例４では、液だめを用いて、一括して適量を
充填できるので充填の工程の効率化が図れる。
で、液だめ４２に注入することにより一括して各溝に適
量のシリコーン樹脂を注入することができる。この液だ
めは、溝への注入時に液体である材料であればすべての
温度係数調整材料に適用できる。実施例３では、液だめ
がないので、シリコーン樹脂を充填する際、樹脂が溢れ
出す場合が生じ、注入量の調整が難しかった。これに比
較して実施例４では、液だめを用いて、一括して適量を
充填できるので充填の工程の効率化が図れる。
【００５４】作製した周波数安定化レーザの発振周波数
の温度依存性を測定した結果、実施例３と同様に実施例
４においてもモードホップの抑制が−１５度から＋６５
度の範囲で確認できた。しきい値電流は８．０ｍＡであ
り、実施例３に比較してさらにしきい値電流の低減が確
認された。反応性イオンエッチングを用いて溝を細かく
分割したことによる効果である。
の温度依存性を測定した結果、実施例３と同様に実施例
４においてもモードホップの抑制が−１５度から＋６５
度の範囲で確認できた。しきい値電流は８．０ｍＡであ
り、実施例３に比較してさらにしきい値電流の低減が確
認された。反応性イオンエッチングを用いて溝を細かく
分割したことによる効果である。
【００５５】実施例１、実施例２、実施例３、実施例４
において、温度係数調整材料にはシリコーン樹脂を用い
たが、本発明はこれに限定されることはなく、屈折率温
度係数ｄｎ／ｄＴの符号が半導体ＬＤの屈折率温度係数
と反対であれば良く、その大きさ（絶対値）は１×１０
-4以上のものが好ましい。そのような材料として、低分
子材料、高分子材料、低分子材料を架橋により高分子化
した材料、高分子と低分子の混合系などがある、低分子
材料は、ほとんどの有機材料の屈折率温度係数の大きさ
が条件を満たしており、本発明の周波数安定化レーザに
適用できる。例えば、ベンゼン、トルエン等の芳香族化
合物、シクロヘキサン等の環状炭化水素化合物、イソオ
クタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ
−ヘキサデカン等の直鎖炭化水素化合物、四塩化炭素等
の塩化物、２硫化炭素等の硫化物、メチルエチルケトン
等のケトン類などである。また、高分子材料もほとんど
がｄｎ／ｄＴの絶対値がが１×１０-4以上であるため、
適用できる。例えば、ポリシロキサンまたはポリシロキ
サンの架橋物がある。また、例えば、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリブチレン等のポリオレフィン、ポリ
ブタジエン、天然ゴム等のポリジエン、ポリスチレン、
ポリ酢酸ビニル、ポリメチルビニルエーテル、ポリアク
リル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸、ポ
リメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリ
メタクリル酸ヘキシル、ポリメタクリル酸ドデシル等の
ビニル重合体、直鎖オレフィン系のポリエーテルや、ポ
リフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、およびその共重合体
やブレンド体、エーテル基とスルホン酸基を混在させた
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、エーテル基とカルボ
ニル基を混在させたポリエーテルケトン基（ＰＥＫ）、
チオエーテル基を持つポリフェニレンスルフィド（ＰＰ
Ｓ）やポリスルフォン（ＰＳＯ）等のポリエーテル、お
よびその共重合体やブレンド体、またはポリオレフィン
の末端にＯＨ基、チオール基、カルボニル基、ハロゲン
基などの置換基を少なくとも一つ有するもの、例えばＨ
Ｏ−（Ｃ−Ｃ−Ｃ−Ｃ−）n −（Ｃ−Ｃ−Ｃ−Ｃ−）m
−ＯＨなど、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオ
キシド等のポリオキシドやポリブチルイソシアナート、
ポリフッ化ビニリデンが挙げられる。さらには、エポキ
シ樹脂等の低分子、オリゴマ物と硬化剤による架橋物が
ある。実際にはこれらの材料を単独または屈折率温度係
数を合わせるため２種以上を混合し、使用する。なお、
上記の材料を温度係数調整材料として用いる場合、温度
係数調整材料の屈折率および屈折率温度係数の値を用い
て、実施例１に記載した方法で材料を搭載する部分の長
さＬm を設計する。
において、温度係数調整材料にはシリコーン樹脂を用い
たが、本発明はこれに限定されることはなく、屈折率温
度係数ｄｎ／ｄＴの符号が半導体ＬＤの屈折率温度係数
と反対であれば良く、その大きさ（絶対値）は１×１０
-4以上のものが好ましい。そのような材料として、低分
子材料、高分子材料、低分子材料を架橋により高分子化
した材料、高分子と低分子の混合系などがある、低分子
材料は、ほとんどの有機材料の屈折率温度係数の大きさ
が条件を満たしており、本発明の周波数安定化レーザに
適用できる。例えば、ベンゼン、トルエン等の芳香族化
合物、シクロヘキサン等の環状炭化水素化合物、イソオ
クタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ
−ヘキサデカン等の直鎖炭化水素化合物、四塩化炭素等
の塩化物、２硫化炭素等の硫化物、メチルエチルケトン
等のケトン類などである。また、高分子材料もほとんど
がｄｎ／ｄＴの絶対値がが１×１０-4以上であるため、
適用できる。例えば、ポリシロキサンまたはポリシロキ
サンの架橋物がある。また、例えば、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリブチレン等のポリオレフィン、ポリ
ブタジエン、天然ゴム等のポリジエン、ポリスチレン、
ポリ酢酸ビニル、ポリメチルビニルエーテル、ポリアク
リル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸、ポ
リメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリ
メタクリル酸ヘキシル、ポリメタクリル酸ドデシル等の
ビニル重合体、直鎖オレフィン系のポリエーテルや、ポ
リフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、およびその共重合体
やブレンド体、エーテル基とスルホン酸基を混在させた
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、エーテル基とカルボ
ニル基を混在させたポリエーテルケトン基（ＰＥＫ）、
チオエーテル基を持つポリフェニレンスルフィド（ＰＰ
Ｓ）やポリスルフォン（ＰＳＯ）等のポリエーテル、お
よびその共重合体やブレンド体、またはポリオレフィン
の末端にＯＨ基、チオール基、カルボニル基、ハロゲン
基などの置換基を少なくとも一つ有するもの、例えばＨ
Ｏ−（Ｃ−Ｃ−Ｃ−Ｃ−）n −（Ｃ−Ｃ−Ｃ−Ｃ−）m
−ＯＨなど、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオ
キシド等のポリオキシドやポリブチルイソシアナート、
ポリフッ化ビニリデンが挙げられる。さらには、エポキ
シ樹脂等の低分子、オリゴマ物と硬化剤による架橋物が
ある。実際にはこれらの材料を単独または屈折率温度係
数を合わせるため２種以上を混合し、使用する。なお、
上記の材料を温度係数調整材料として用いる場合、温度
係数調整材料の屈折率および屈折率温度係数の値を用い
て、実施例１に記載した方法で材料を搭載する部分の長
さＬm を設計する。
【００５６】本発明の実施例２、実施例３および実施例
４において溝と導波路のなす角度を８２度とすることで
反射戻り光を低減したが、その角度が８０度〜８７度の
間であれば効果は同じである。
４において溝と導波路のなす角度を８２度とすることで
反射戻り光を低減したが、その角度が８０度〜８７度の
間であれば効果は同じである。
【００５７】実施例１および実施例２においては３００
μｍの溝を１本作製し、実施例３においては合計の長さ
が３００μｍの溝を作製するために幅２５μｍの溝を１
２本作製し、実施例４においては幅１５μｍの溝を２０
本作製したが、溝の間隔と本数の設計はこれに限定され
ることはなく、幅１５〜５０μｍの溝を複数本作製し、
合計の長さが作製誤差も含めて３００μｍ±５０μｍと
なるようにすれば、実施例１、実施例２、実施例３およ
び実施例４の結果と同様にモードホップ抑制の効果が得
られる。
μｍの溝を１本作製し、実施例３においては合計の長さ
が３００μｍの溝を作製するために幅２５μｍの溝を１
２本作製し、実施例４においては幅１５μｍの溝を２０
本作製したが、溝の間隔と本数の設計はこれに限定され
ることはなく、幅１５〜５０μｍの溝を複数本作製し、
合計の長さが作製誤差も含めて３００μｍ±５０μｍと
なるようにすれば、実施例１、実施例２、実施例３およ
び実施例４の結果と同様にモードホップ抑制の効果が得
られる。
【００５８】実施例１から実施例４までにおいては単体
の周波数安定化レーザを説明したが、本発明の効果は単
体の周波数安定化レーザに限定されることはない。周波
数安定化レーザを同一基板上に複数個集積した構成のレ
ーザにも本発明の構成は効果がある。以下に詳しく具体
例を記載する。
の周波数安定化レーザを説明したが、本発明の効果は単
体の周波数安定化レーザに限定されることはない。周波
数安定化レーザを同一基板上に複数個集積した構成のレ
ーザにも本発明の構成は効果がある。以下に詳しく具体
例を記載する。
【００５９】（１）周波数安定化レーザを複数個集積す
ることで作製したレーザアレイにおいても本発明の構成
は有効である。図１１は本発明の周波数安定化レーザを
８個集積したレーザアレイの模式的上面図である。この
例では、分割された複数の溝が、各周波数安定化レーザ
の導波路を横切る角度を８２度としている。このような
構造は、実施例４と同様に、フォトリソグラフィーと反
応性イオンエッチングによって作製できる。レーザアレ
イの出力数は８に限定されるものでなく複数であればよ
い。
ることで作製したレーザアレイにおいても本発明の構成
は有効である。図１１は本発明の周波数安定化レーザを
８個集積したレーザアレイの模式的上面図である。この
例では、分割された複数の溝が、各周波数安定化レーザ
の導波路を横切る角度を８２度としている。このような
構造は、実施例４と同様に、フォトリソグラフィーと反
応性イオンエッチングによって作製できる。レーザアレ
イの出力数は８に限定されるものでなく複数であればよ
い。
【００６０】（２）また、上述の複数の周波数安定化レ
ーザを集積したレーザアレイ構成において、グレーティ
ング１５の各々の反射中心周波数（または波長）を制御
し、アレー格子型１×Ｎ波長合分波器または１×Ｎカプ
ラを集積した多波長レーザ（波長λ1 ，λ2 …λn ）に
対しても、本発明は有効である。図１２は本発明の周波
数安定化レーザを集積した多波長レーザの模式的上面図
である。２０は、アレー格子型１×Ｎ波長合分波器また
は１×Ｎカプラを示す。この例では、連結用の溝および
液だめをそれぞれ２つ設け、分割された複数の溝が、各
周波数安定化レーザの導波路を横切る角度を８２度とし
ている。ここで、多波長レーザの波長多重数として８の
場合を例示しているが、これに限定されるものでなく、
複数であればよい。なお、周波数を決定すると同時に波
長が決定されるので、周波数および波長の安定化ないし
制御は同じ意味で用いることができる。要するに、周波
数安定化レーザと波長安定化レーザとは同義で用いるこ
とができる。
ーザを集積したレーザアレイ構成において、グレーティ
ング１５の各々の反射中心周波数（または波長）を制御
し、アレー格子型１×Ｎ波長合分波器または１×Ｎカプ
ラを集積した多波長レーザ（波長λ1 ，λ2 …λn ）に
対しても、本発明は有効である。図１２は本発明の周波
数安定化レーザを集積した多波長レーザの模式的上面図
である。２０は、アレー格子型１×Ｎ波長合分波器また
は１×Ｎカプラを示す。この例では、連結用の溝および
液だめをそれぞれ２つ設け、分割された複数の溝が、各
周波数安定化レーザの導波路を横切る角度を８２度とし
ている。ここで、多波長レーザの波長多重数として８の
場合を例示しているが、これに限定されるものでなく、
複数であればよい。なお、周波数を決定すると同時に波
長が決定されるので、周波数および波長の安定化ないし
制御は同じ意味で用いることができる。要するに、周波
数安定化レーザと波長安定化レーザとは同義で用いるこ
とができる。
【００６１】（３）また、上記アレー格子型１×Ｎ波長
合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レーザの
構成において、特願平９−４７４６０号に提案されてい
るような、反射中心波長が異なるグレーティングを一括
して作製するために、グレーティングが形成されている
部分の導波路のコア幅が導波路ごとに異なり、またはグ
レーティングが形成されている部分の導波路の光軸とグ
レーティングベクトルがなす角が導波路ごとに異なるこ
とを特徴とする多波長レーザにおいても、本発明の構成
は有効である。
合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レーザの
構成において、特願平９−４７４６０号に提案されてい
るような、反射中心波長が異なるグレーティングを一括
して作製するために、グレーティングが形成されている
部分の導波路のコア幅が導波路ごとに異なり、またはグ
レーティングが形成されている部分の導波路の光軸とグ
レーティングベクトルがなす角が導波路ごとに異なるこ
とを特徴とする多波長レーザにおいても、本発明の構成
は有効である。
【００６２】（４）さらに、上記複数の周波数安定化レ
ーザを集積したレーザアレイ、またはアレー格子型１×
Ｎ波長合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レ
ーザの構成において、合波した出力光を増幅するために
半導体光増幅器が集積されていることを特徴とする多波
長レーザにおいても、本発明の構成は有効である。
ーザを集積したレーザアレイ、またはアレー格子型１×
Ｎ波長合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レ
ーザの構成において、合波した出力光を増幅するために
半導体光増幅器が集積されていることを特徴とする多波
長レーザにおいても、本発明の構成は有効である。
【００６３】（５）また、上記複数の周波数安定化レー
ザを集積したレーザアレイ、またはアレー格子型１×Ｎ
波長合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レー
ザ、またはさらに半導体光増幅器が集積されている構成
において、各波長出力を高速に変調するため半導体ＬＤ
にＥＡ変調器が集積されていることを特徴とする多波長
レーザにおいても、本発明の構成は有効である。
ザを集積したレーザアレイ、またはアレー格子型１×Ｎ
波長合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レー
ザ、またはさらに半導体光増幅器が集積されている構成
において、各波長出力を高速に変調するため半導体ＬＤ
にＥＡ変調器が集積されていることを特徴とする多波長
レーザにおいても、本発明の構成は有効である。
【００６４】（６）また、上記複数の周波数安定化レー
ザを集積したレーザアレイ、またはアレー格子型１×Ｎ
波長合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レー
ザ、またはさらに半導体光増幅器が集積されている構成
において、各波長出力を高速に変調するためＬｉＮｂＯ
3 変調器が集積されていることを特徴とする多波長レー
ザにおいても、本発明の構成は有効である。
ザを集積したレーザアレイ、またはアレー格子型１×Ｎ
波長合分波器または１×Ｎカプラを集積した多波長レー
ザ、またはさらに半導体光増幅器が集積されている構成
において、各波長出力を高速に変調するためＬｉＮｂＯ
3 変調器が集積されていることを特徴とする多波長レー
ザにおいても、本発明の構成は有効である。
【００６５】実施例１から実施例４では、基板上に搭載
する半導体ＬＤを発振波長１．５５μｍの半導体ＬＤと
したが、一般的には他の発振波長の半導体ＬＤを用いて
も、光導波路のサイズや、温度係数調整材料の搭載領域
の全長を適切に設計することでモードホップの抑制が可
能であることは言うまでもない。
する半導体ＬＤを発振波長１．５５μｍの半導体ＬＤと
したが、一般的には他の発振波長の半導体ＬＤを用いて
も、光導波路のサイズや、温度係数調整材料の搭載領域
の全長を適切に設計することでモードホップの抑制が可
能であることは言うまでもない。
【００６６】半導体ＬＤを搭載したデバイスを実現化す
るにあたり、ＬＤを樹脂で封止することにより、半導体
ＬＤを湿気にさらさないようにすることで、長期的信頼
性を確保することが一般的に行われている。実施例１か
ら実施例４で述べた温度係数調整材料が樹脂封止材料を
兼ねる材料である場合、温度係数調整材料を搭載するた
めの溝から半導体ＬＤまでを覆う全領域にこの温度係数
調整材料を一括して搭載することにより、モードホップ
の抑制と半導体ＬＤの信頼性確保が同時に可能になるこ
とは言うまでもない。ただし、この場合、温度係数調整
材料は半導体ＬＤと石英導波路の間の僅かな隙間にも搭
載されているので、半導体ＬＤの前端面の反射防止膜は
温度係数調整材料の屈折率に対して設計されていること
が必要である。このような構成において、温度係数調整
材料の屈折率が石英導波路の屈折率ｎ＝１．４５に等し
い場合、石英導波路の半導体ＬＤ側の端面と温度係数調
整材料との間で光の反射が生じない。従って、石英導波
路の半導体ＬＤ側の端面はコアの近傍部がコアの光軸に
対して直交していてもよい。
るにあたり、ＬＤを樹脂で封止することにより、半導体
ＬＤを湿気にさらさないようにすることで、長期的信頼
性を確保することが一般的に行われている。実施例１か
ら実施例４で述べた温度係数調整材料が樹脂封止材料を
兼ねる材料である場合、温度係数調整材料を搭載するた
めの溝から半導体ＬＤまでを覆う全領域にこの温度係数
調整材料を一括して搭載することにより、モードホップ
の抑制と半導体ＬＤの信頼性確保が同時に可能になるこ
とは言うまでもない。ただし、この場合、温度係数調整
材料は半導体ＬＤと石英導波路の間の僅かな隙間にも搭
載されているので、半導体ＬＤの前端面の反射防止膜は
温度係数調整材料の屈折率に対して設計されていること
が必要である。このような構成において、温度係数調整
材料の屈折率が石英導波路の屈折率ｎ＝１．４５に等し
い場合、石英導波路の半導体ＬＤ側の端面と温度係数調
整材料との間で光の反射が生じない。従って、石英導波
路の半導体ＬＤ側の端面はコアの近傍部がコアの光軸に
対して直交していてもよい。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、溝、
すなわち上部クラッドとコアを除去した部分または上部
クラッドとコアと下部クラッドを除去した部分に温度係
数調整材料を封入するという簡便な方法を用いることに
より、縦モードの温度係数とグレーティングの反射中心
波長の温度係数を一致させ、従来問題となっていたモー
ドホップを容易に抑制することができる。従って本発明
を用いれば低コストで、温度依存性が小さく安定した単
一モードレーザの実現が可能となり、光通信等レーザを
用いる分野において多大な効果が期待される。
すなわち上部クラッドとコアを除去した部分または上部
クラッドとコアと下部クラッドを除去した部分に温度係
数調整材料を封入するという簡便な方法を用いることに
より、縦モードの温度係数とグレーティングの反射中心
波長の温度係数を一致させ、従来問題となっていたモー
ドホップを容易に抑制することができる。従って本発明
を用いれば低コストで、温度依存性が小さく安定した単
一モードレーザの実現が可能となり、光通信等レーザを
用いる分野において多大な効果が期待される。
【図１】本発明の第１実施例の構造を示す模式的断面図
である。
である。
【図２】本発明の第１実施例の構造を示す模式的上面図
である。
である。
【図３】第１実施例の波長安定化レーザの作製工程を説
明する模式図である。
明する模式図である。
【図４】本発明の第１実施例における発振周波数の温度
依存性の測定結果を示す図である。
依存性の測定結果を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例の構造を示す模式的上面図
である。
である。
【図６】本発明の第２実施例における発振周波数の温度
依存性の測定結果を示す図である。
依存性の測定結果を示す図である。
【図７】本発明の第３実施例の構造を示す模式的断面図
である。
である。
【図８】本発明の第３実施例の構造を示す模式的上面図
である。
である。
【図９】本発明の第４実施例の構造を示す模式的上面図
である。
である。
【図１０】本発明の第４実施例の周波数安定化レーザの
作製工程を示す模式図である。
作製工程を示す模式図である。
【図１１】本発明の実施例を集積して作製したレーザア
レイを示す模式的上面図である。
レイを示す模式的上面図である。
【図１２】本発明の実施例を集積して作製した多波長レ
ーザを示す模式的上面図である。
ーザを示す模式的上面図である。
【図１３】従来のグレーティングを用いた周波数安定化
レーザの模式的斜視図である。
レーザの模式的斜視図である。
【図１４】従来のグレーティングを用いた周波数安定化
レーザにおいて温度変化によるモードホップを説明する
図である。
レーザにおいて温度変化によるモードホップを説明する
図である。
１１ 半導体ＬＤ １２ 温度係数調整材料（シリコーン樹脂） １３ 石英導波路のコア層 １４ 石英導波路のクラッド層 １５ グレーティング １６ Ｓｉ基板 １８ シリコンテラス １９ 半導体レーザ搭載用の半田パターン ２０ アレー格子型１×Ｎ波長合分波器あるいは１×Ｎ
カプラ ２１ 溝 ３０ フェイズマスク ３１ エキシマレーザ光あるいはアルゴンレーザの第２
高調波 ４１ 連結用溝 ４２ 液だめ
カプラ ２１ 溝 ３０ フェイズマスク ３１ エキシマレーザ光あるいはアルゴンレーザの第２
高調波 ４１ 連結用溝 ４２ 液だめ
フロントページの続き (72)発明者 姫野 明 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 井上 靖之 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−98230（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−324204（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−22184（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−43440（ＪＰ，Ａ) Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，1996年，32［13］，ｐ．1202− 1203 Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔ ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，1984 年，16，ｐ．463−469 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，1999年，35［２］，ｐ．149−150 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に搭載された半導体レーザダイオ
ードと、前記基板上に作製された光導波路と、該光導波
路に形成された光誘起グレーティングからなる集積型外
部共振器を用いた周波数安定化レーザにおいて、前記半
導体レーザダイオードの屈折率温度係数と逆符号の屈折
率温度係数を有する材料が、前記半導体レーザダイオー
ドと前記光誘起グレーティングの間の光導波路の上部ク
ラッドとコアを除去した部分または上部クラッドとコア
と下部クラッドを除去した部分に搭載されていることを
特徴とする周波数安定化レーザ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の周波数安定化レーザに
おいて、前記光導波路が石英系ガラスで構成されたこと
を特徴とする周波数安定化レーザ。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の周波数安定化
レーザにおいて、前記上部クラッドとコアを除去した部
分または上部クラッドとコアと下部クラッドを除去した
部分が導波路を８０〜９０度の角度で横切っていること
を特徴とする周波数安定化レーザ。 - 【請求項４】 請求項２に記載の周波数安定化レーザに
おいて、前記上部クラッドとコアを除去した部分または
上部クラッドとコアと下部クラッドを除去した部分が導
波路を８０〜８７度の角度で横切っていることを特徴と
する周波数安定化レーザ。 - 【請求項５】 請求項２から４のいずれか１項に記載の
周波数安定化レーザにおいて、前記上部クラッドとコア
を除去した部分または上部クラッドとコアと下部クラッ
ドを除去した部分が複数本の溝から構成されることを特
徴とする周波数安定化レーザ。 - 【請求項６】 請求項５に記載の周波数安定化レーザに
おいて、前記複数本の溝を連結する溝を有し、前記連結
用の溝に液だめが連結されていることを特徴とする周波
数安定化レーザ。 - 【請求項７】 請求項２から６のいずれか１項に記載の
周波数安定化レーザにおいて、前記半導体レーザダイオ
ードの屈折率温度係数と逆符号の屈折率温度係数を有す
る材料の屈折率温度係数の絶対値が１×１０-4（１／
Ｋ）以上であることを特徴とする周波数安定化レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25512297A JP3337403B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 周波数安定化レーザ |
| US09/156,500 US6320888B1 (en) | 1997-09-19 | 1998-09-18 | Frequency stabilized laser and method for preparing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25512297A JP3337403B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 周波数安定化レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197784A JPH1197784A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3337403B2 true JP3337403B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=17274406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25512297A Expired - Fee Related JP3337403B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 周波数安定化レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6320888B1 (ja) |
| JP (1) | JP3337403B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001094205A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光デバイス、信号光を発生する方法、信号光を送出する方法、光通信システム、並びにアイソレーション値を決定する方法 |
| DK199901580A (da) * | 1999-11-03 | 2001-05-04 | Nkt Res As | Silicium mesa struktur integreret i en glas på silicium bølgeleder, samt fremgangsmåde til fremstiiling heraf |
| JP2002055370A (ja) * | 1999-12-06 | 2002-02-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換モジュール |
| KR100387240B1 (ko) * | 2001-05-22 | 2003-06-12 | 삼성전기주식회사 | 공기층을 포함하는 반사막을 이용한 레이저 다이오드 및그 제조 방법 |
| US6693946B2 (en) * | 2001-07-05 | 2004-02-17 | Lucent Technologies Inc. | Wavelength-tunable lasers |
| US7027469B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-04-11 | Optitune Plc | Tunable filter |
| WO2004038871A2 (en) * | 2002-08-22 | 2004-05-06 | Xponent Photonics Inc. | Grating-stabilized semiconductor laser |
| US7245793B2 (en) * | 2002-11-19 | 2007-07-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical waveguide circuit |
| DE10254190B4 (de) * | 2002-11-20 | 2005-12-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Infrarothalbleiterlaser |
| US6920159B2 (en) * | 2002-11-29 | 2005-07-19 | Optitune Plc | Tunable optical source |
| US6980573B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-12-27 | Infraredx, Inc. | Tunable spectroscopic source with power stability and method of operation |
| US7099360B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-08-29 | Intel Corporation | Method and apparatus to generate and monitor optical signals and control power levels thereof in a planar lightwave circuit |
| CN101144873B (zh) * | 2003-03-31 | 2010-12-01 | 日本电信电话株式会社 | 光半导体元件和光半导体集成电路 |
| KR100681714B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2007-02-15 | 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 | 광반도체 소자 |
| US20040223712A1 (en) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Ruolin Li | Technique for stabilizing laser wavelength and phase |
| KR100547897B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-31 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변형 레이저 장치 |
| US7376294B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-05-20 | Finisar Corporation | Optoelectronic component with an adjustable optical property and method for producing the layer structure |
| US7822082B2 (en) * | 2004-01-27 | 2010-10-26 | Hrl Laboratories, Llc | Wavelength reconfigurable laser transmitter tuned via the resonance passbands of a tunable microresonator |
| US7901870B1 (en) | 2004-05-12 | 2011-03-08 | Cirrex Systems Llc | Adjusting optical properties of optical thin films |
| EP1779478A2 (en) * | 2004-06-24 | 2007-05-02 | Koheras A/S | A system comprising a low phase noise waveguide laser, a method of its manufacturing and its use |
| US7565084B1 (en) | 2004-09-15 | 2009-07-21 | Wach Michael L | Robustly stabilizing laser systems |
| KR20060055606A (ko) * | 2004-11-18 | 2006-05-24 | 한국전자통신연구원 | 온도 무의존 외부 공진 레이저 |
| WO2006135887A2 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Vullfort, Inc. | Laser wavelength stabilization for pumping purposes using adjusted fabry-perot filter |
| US7580441B2 (en) * | 2005-12-07 | 2009-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Athermal external cavity laser |
| US7711222B2 (en) * | 2006-03-03 | 2010-05-04 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Tunable dispersion compensation apparatus |
| WO2008050537A1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-05-02 | Ntt Electronics Corporation | Semiconductor laser device, and its driving method |
| BRPI0909474A2 (pt) * | 2008-03-28 | 2015-12-29 | Nortel Networks Ltd | fonte de luz protegida para múltiplas redes ópticas passivas multiplexadas por divisão de comprimento de onda (wdm-pons) |
| US8902944B2 (en) * | 2009-10-08 | 2014-12-02 | Kaiam Corp. | High power multi-wavelength laser source |
| WO2013034813A2 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | Epicrystals Oy | Wavelength conversion unit |
| US8885679B1 (en) | 2013-05-31 | 2014-11-11 | Aurrion, Inc. | Mode-hop free athermal laser |
| EP3076501B1 (en) | 2013-11-27 | 2019-03-06 | NGK Insulators, Ltd. | Grating element and external-resonator-type light emitting device |
| US9007723B1 (en) | 2013-12-13 | 2015-04-14 | HGST Netherlands B.V. | Microwave-assisted magnetic recording (MAMR) head employing advanced current control to establish a magnetic resonance state |
| US8908481B1 (en) | 2014-01-27 | 2014-12-09 | HGST Netherlands B.V. | Thermally-assisted magnetic recording head that suppresses effects of mode hopping |
| US9484712B2 (en) * | 2015-02-05 | 2016-11-01 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Combined Gain-SOA chip |
| US20200026080A1 (en) * | 2017-11-28 | 2020-01-23 | North Inc. | Wavelength combiner photonic integrated circuit with edge coupling of lasers |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150887A (en) | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Oscillating frequency stabilized semiconductor laser device |
| GB2115217B (en) * | 1982-02-09 | 1986-04-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor lasers |
| US5367588A (en) | 1992-10-29 | 1994-11-22 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Communications | Method of fabricating Bragg gratings using a silica glass phase grating mask and mask used by same |
| JP3147564B2 (ja) | 1993-02-02 | 2001-03-19 | 日本電信電話株式会社 | 光回路 |
| JPH10242591A (ja) | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多波長レーザ |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP25512297A patent/JP3337403B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-18 US US09/156,500 patent/US6320888B1/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９６年，３２［１３］，ｐ．１２０２−１２０３ |
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９９年，３５［２］，ｐ．１４９−１５０ |
| Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，１９８４年，１６，ｐ．４６３−４６９ |
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| US6320888B1 (en) | 2001-11-20 |
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