JPH10242591A

JPH10242591A - 多波長レーザ

Info

Publication number: JPH10242591A
Application number: JP4746097A
Authority: JP
Inventors: Takuya Tanaka; 拓也田中; Hiroshi Takahashi; 浩高橋; Yasubumi Yamada; 泰文山田; Toshikazu Hashimoto; 俊和橋本
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1997-03-03
Filing date: 1997-03-03
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】グレーティングの反射波長の一括制御をし、
多波長レーザの製造コストの低減を図る。【解決手段】複数の半導体レーザとこれら各半導体レ
ーザに対応して設けられた光導波路とが同一基板上に搭
載され、かつそれぞれの光導波路に光誘起グレーティン
グが形成された多波長レーザにおいて、各光誘起グレー
ティングのパターンが各光導波路において同一であると
ともに、少なくとも該光誘起グレーティングが形成され
ている部分の前記導波路のコア幅が各導波路ごとに異な
って形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多波長レーザに係
り、特に、波長多重光通信の光源に用いられる多波長レ
ーザの構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】情報化社会を実現するために大容量伝送
技術の開発がなされ、そのなかでも、１本の光ファイバ
に複数の波長の光を伝送することで、複数の信号を同時
に搬送するいわゆる波長多重通信技術の開発が重要とな
っている。

【０００３】そして、そのキーデバイスの一つとして多
波長光源があり、この多波長光源としては、たとえば石
英系導波路中の光誘起グレーティングと半導体レーザで
構成される外部共振型の周波数安定化レーザが、単一モ
ード発振しその発振波長の制御が簡単である等の理由
で、注目されるに到っている（特願平8-253479公報、T.
Tanaka,et.al.,Electron.Lett.,Vol.32,no.13,1202,(19
96)参照）。

【０００４】図７は、このような周波数安定化レーザの
一例を示す斜視図である。同図において、１１は半導体
レーザダイオード（ＬＤ）であり、１３は石英導波路
（光導波路）のコアであり、１４は石英導波路のクラッ
ドである。以後、石英導波路と光導波路を同じ意味に用
いる。また、１５はグレーティングであり、１６はＳｉ
の基板であり、１８は半導体レーザダイオード１１を搭
載するために石英ガラスを取り除いた部分でシリコンテ
ラスと称されている。

【０００５】このような構成において、半導体レーザダ
イオード１１に注入電流を流し発光させると、グレーテ
ィング１５の反射波長の光のみが該グレーティング１５
で反射されるようになる。このため、半導体レーザダイ
オード１１の後端面からグレーティング１５までの区間
をレーザキャビティとして発振することになる。この場
合、レーザキャビティ長が１ｃｍ程度とすると縦モード
の波長間隔は０．１ｎｍ程度となる。これに対し、グレ
ーティング１５のＦＷＨＭは０．３ｎｍ程度であるの
で、縦モードのうちグレーティング１５の反射中心波長
に最も近いものだけが選択されて発振するようになる。
この場合、レーザの発振波長は、グレーティングの反射
中心波長から０．１ｎｍ以内の精度で定まる。

【０００６】また、このような周波数安定化レーザの製
造方法の一例を図８を用いて簡単に説明する。

【０００７】まず、同図（１）に示すように、エッチン
グにより段差のあるＳｉ基板１６を作成する。同図
（２）に示すように、光ファイバの作成技術を応用した
火災堆積法とＬＳＩの製造に用いられるフォトリソグラ
フィ技術を用いて石英導波路を該Ｓｉ基板１６の表面に
形成する。ここで、図中、１３は石英導波路のコア、１
４は石英導波路のクラッドを示している。同図（３）に
示すように、石英層を一部エッチングし、半導体レーザ
ダイオードの搭載部であるシリコンテラス１８を形成す
る。同図（４）に示すように、シリコンテラス１８上に
半導体レーザダイオード搭載用の半田パターン１９を形
成する。次に、同図（５）に示すように、エキシマレー
ザ光３１をフェイズマスク３０を通して導波路に照射す
ることにより、光誘起グレーティング１５を形成する。
さらに、同図（６）に示すように、半導体レーザダイオ
ード１１を位置合わせした後に固定する。

【０００８】上述した波長安定化レーザはそれが１個の
場合について説明したものである。多波長光源を得るた
めには所望の波長のこのような波長安定化レーザを複数
個集積化すればよいことになる。

【０００９】図９は、このような波長安定化レーザを８
個集積化した多波長レーザの一例を示した平面図であ
る。同図において、１１−１から１１−８は半導体レー
ザダイオード、１３−１から１３−８は石英導波路のコ
ア、１４は石英導波路のクラッド、２５−１から２５−
８はグレーティングである。

【００１０】この多波長光源の発振波長がλ１からλ８
となるように、２５−１から２５−８のグレーティング
の反射中心波長をそれぞれ制御している。

【００１１】このため、グレーティング製造工程を８回
繰り返して行う必要があった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな多波長レーザは、上述したように、その製造工程に
おいて各波長安定化レーザの発振波長をそれぞれ別個に
制御する必要があった。

【００１３】すなわち、別個の波長安定化レーザごとに
グレーティングの反射波長を制御する必要があり、Ｎ波
の多重通信の光源のためには、Ｎ回のグレーティングの
作成工程が必要となる。

【００１４】このため、波長多重数が増加するに従い、
製造コストが上昇してしまうということが指摘されるに
到った。

【００１５】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、グレーティングの反射中
心波長の一括制御ができる多波長レーザの構造を提供す
ることにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。

【００１７】手段１．複数の半導体レーザとこれら各半
導体レーザに対応して設けられた光導波路とが同一基板
上に搭載され、かつそれぞれの光導波路に光誘起グレー
ティングが形成された多波長レーザにおいて、各光誘起
グレーティングのパターンが各光導波路において同一で
あるとともに、少なくとも該光誘起グレーティングが形
成されている部分の前記導波路のコア幅が各導波路ごと
に異なって形成されていることを特徴とする。

【００１８】このように構成した多波長レーザは、各波
長安定化レーザごとにグレーティングの反射波長を制御
するのに、各導波路の幅をたとえばフォトリソグラフィ
技術で制御でき、このため１回のグレーティングの作成
工程を要するのみとなる。

【００１９】すなわち、（１）複数の光導波路は、同一
基板上に形成されているので、１枚のフェイズマスクを
複数の光導波路に同時に密着させ、一括露光により各々
の導波路にグレーティングを形成することができる。
（２）個々のグレーティングが形成される部分の導波路
の等価屈折率は、該導波路のコア幅を変化させることで
制御されるので、個別のグレーティングの反射中心波長
は一括露光と同時に制御される。

【００２０】このため、グレーティングの反射中心波長
の一括制御ができるようになる。

【００２１】手段２．前記手段２の構成において、光誘
起グレーティングが形成されている部分の各導波路のコ
ア幅は３μｍから２０μｍの範囲にあることを特徴とす
る。

【００２２】このようにした理由は、導波路の幅が３μ
ｍ以下では、コア／クラッド界面によりロスが大きくな
って、レーザ発振のしきい値電流が上昇してしまうとい
う不都合が生じ、また、２０μｍ以上では導波路が許容
する（横）モードの数が増え、発振（横）モードの競合
発振が起こる場合があるからである。そして、横モード
ごとに等価屈折率が異なるので、競合発振していれば、
横モードのそれぞれが等価屈折率に応じて異なる波長で
発振してしまうからある。

【００２３】手段３．複数の半導体レーザとこれら各半
導体レーザに対応して設けられた光導波路とが同一基板
上に搭載され、かつそれぞれの光導波路に光誘起グレー
ティングが形成された多波長レーザにおいて、各光誘起
グレーティングのパターンが各光導波路において同一で
あるとともに、少なくとも該光誘起グレーティングが形
成されている部分の前記導波路の光軸とグレーティング
ベクトルがなす角度が各導波路ごとに異なって形成され
ていることを特徴とする。

【００２４】このように構成した多波長レーザは、各波
長安定化レーザごとにグレーティングの反射波長を制御
するのに、各導波路の光軸のグレーティングベクトルと
の成す角度をたとえばフォトリソグラフィ技術で制御で
き、このため１回のグレーティングの作成工程を要する
のみとなる。

【００２５】すなわち、（１）複数の光導波路は、同一
基板上に形成されているので１枚のフェイズマスクを複
数の光導波路に同時に密着させ、一括露光により各々の
導波路にグレーティングを形成できる。（２）グレーテ
ィングベクトルとグレーティングが形成される不部分の
導波路の光軸のなす角度は、該導波路の光軸の方向を個
々に変化させることで制御されるので、個別のグレーテ
ィングの反射中心波長は一括露光と同時に制御される。

【００２６】このため、グレーティングの反射中心波長
の一括制御ができるようになる。

【００２７】手段４．前記手段３の構成において、光誘
起グレーティングが形成されている部分の前記導波路の
光軸とグレーティングベクトルがなす角度は−１０ｄｅ
ｇから１０ｄｅｇの範囲にあることを特徴とする。

【００２８】このようにした理由は、光誘起グレーティ
ングのグレーティングベクトルと導波路の光軸が一致し
ない場合、グレーティングで反射された光の伝搬方向も
導波路の光軸とずれることになる。このため、光誘起グ
レーティングのグレーティングベクトルと導波路の光軸
のなす角度が１０ｄｅｇ以上になると、反射光は導波路
外に放射されて反射特性が顕著に低下する現象が生じる
からである。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明による多波長レーザ
の実施例について図面を用いて説明する。

【００３０】まず、図１０は、各実施例について共通な
グレーティングの作製原理について説明している。

【００３１】同図において、１４は石英導波路のクラッ
ド、１３は石英導波路のコア、１５はグレーティング、
１６はＳｉ基板、３０はフェイズマスク、そして、３１
はエキシマレーザ光である。また、３２はフェイズマス
ク３０により回折したエキシマレーザ光の中で＋１次の
回折光、３３は−１次の回折光である。

【００３２】フェィズマスク３０を石英導波路に密着さ
せ、波長１９３ｎｍまたは２４８ｎｍのエキシマレーザ
光を該フェイズマスク３０を介して石英導波路に露光す
る。

【００３３】ここで、フェィズマスク３０は、その表面
を凹凸に加工した石英ガラスによって構成されている。

【００３４】このようなフェィズマスク３０に入射した
エキシマレーザ光はフェィズマスク３０の凹凸の部分に
より回折され、＋１次の回折光３２と−１次の回折光３
３が生じる。そして、この＋１次の回折光３２と−１次
の回折光３３は石英導波路内で干渉し、その結果として
干渉縞を形成する。

【００３５】ここで、コア１３にはその屈折率を高くす
るためにＧｅがドープされているが、Ｇｅがドープされ
た石英ガラスにおいては、エキシマレーザ光が照射され
た部分の屈折率が光強度に応じて変化することが知られ
ている。

【００３６】このため、コア１３にエキシマレーザ光の
干渉縞の強度分布に応じて屈折率の変調が生じ、グレー
ティング１５が形成されることになる。

【００３７】なお、同図においては、フェィズマスク３
０の表面の凹凸が繰り返される方向と石英導波路の光軸
とが平行な場合について説明している。この場合、グレ
ーティング１５の屈折率の変調のピッチＬとフェイズマ
スク３０のピッチΛとが次式（１）のような関係になる
ことが一般的に成立する。

【００３８】Ｌ＝Λ／２ ………………………………（１）そして、フェイズマスク３０の表面の凹凸が繰り返され
る方向を石英導波路の光軸から角度θだけ傾けてグレー
ティング１５を形成すると、グレーティングベクトルと
石英導波路の光軸がなす角度がθである斜めグレーティ
ングが形成できる。

【００３９】図１１は、斜めグレーティング１５を石英
導波路に形成した平面図を示しており、グレーティング
１５の反射中心波長λは、グレーティング１５のピッチ
Ｌおよび石英導波路の等価屈折率ｎを用いて次式（２）
のような関係が成立する。

【００４０】 λ＝２ｎＬ／ｃｏｓθ …………………（２）そして、上式（１）および（２）からグレーティング１
５の反射波長は次式（３）で表される。

【００４１】 λ＝ｎΛ／ｃｏｓθ ……………………（３）上式（３）から明らかとなるように、グレーティング１
５の反射波長は、フェイズマスク３０のピッチΛ、角度
θ、および等価屈折率ｎの３つのパラメータに依存する
ことになる。

【００４２】このため、グレーティング１５の反射波長
を制御する方法としては、フェィズマスク３０のピッチ
Λを調整する方法の他に、以下の２種類があることがわ
かる。（I）グレーティング領域の等価屈折率を調整す
る。等価屈折はコア幅に依存するとを利用し、コア幅を
換えることによって調整可能となる。この場合、等価屈
折率は、コアの屈折率とクラッドの屈折率の間で可変さ
せることができ、この範囲はそれほど大きなものではな
いが、１ｎｍオーダの波長調整を行う本願の目的には有
効となる。（II）グレーティングベクトルと導波路の光
軸がなす角度θを調整する。

【００４３】以下、図面を参照して本発明の実施例１お
よび実施例２を詳細に説明する。なお、実施例を説明す
るための全図において同一機能を有するものには同一符
号を付け、その繰返しの説明は省略する。

【００４４】実施例１．図１は、本発明による多波長レ
ーザの第１の実施例を示す平面図で、特に、上記（Ｉ）
の方法を用いて構成された多波長レーザを示している。

【００４５】同図においては、表１に示すように、波長
１．５μｍ帯、波長間隔１．６ｎｍ（周波数換算で２０
０ＧＨｚ）、波長数８としている。

【００４６】

【表１】

【００４７】図中１１−１から１１−８は半導体レーザ
ダイオード、２０−１から２０−８は光導波路のコア、
１５−１から１５−８はグレーティングである。また、
ｗ１からｗ８は、光導波路のコア２０−１から２０−８
において、グレーティングが１５−１から１５−８が形
成されている部分のコア幅である。光導波路２０−１か
ら２０−８のそれぞれは全て平行となっており、各光導
波路ごとの間隔は１ｍｍであり、コアの高さは６μｍ、
コアとクラッドの比屈折率は０．７５％である。

【００４８】ここで、グレーティングの反射中心波長の
コア幅依存性を測定した結果を以下に示す。図２は、そ
れぞれコア幅が異なる（コアの高さ：６μｍ、コアとク
ラッドの比屈折率：０．７５％）石英導波路中のコアの
中にグレーティングを形成し、グレーティングの反射中
心波長のコア幅依存性を測定した結果を示すグラフであ
る。

【００４９】なお、グレーティングベクトルと光導波路
の光軸は平行である。グレーティング作製に用いたエキ
シマレーザ光の強度は５００ｍＪ、露光時間は３０分で
あり、フェイズマスクのピッチは１０７０．０ｎｍであ
る。図２の結果に従い、形成されるグレーティングの反
射中心波長が表１の目標発振波長に一致するように表２
のようにｗ１からｗ８のコア幅を設計した。

【００５０】

【表２】

【００５１】図３に示すようにエキシマレーザを照射し
てグレーティングを形成した導波路のコア１９−１と１
９−８との距離は７ｍｍであり、長さ４ｍｍのグレーテ
ィングを１９−１から１９−８までのコアに同時に作成
するために、（凹凸の生じている面の）サイズが４ｍｍ
×７ｍｍであるフェイズマスクを用いた。フェイズマス
クピッチは１０７０．０ｎｍであり、強度５００ｍＪ、
露光時間３０分でエキシマレーザ光を照射し一度に８つ
のグレーティングが得られた。

【００５２】その後、半導体レーザダイオードを搭載し
て、温度２５℃での発振スペクトルを測定した結果を図
４に示す。注入電流４０ｍＡで８波長単一モード同時発
振が得られ、表１に示した目標波長からの発振波長の誤
差は全波長とも０．１ｎｍ以内であった。

【００５３】なお、上述した多波長レーザの製造工程に
おける石英導波路のコアパターンの形成方法としては、
ＬＳＩの製造に用いられるフォトリソグラフィ技術を用
いており、その加工精度は０．１μｍ以下である。この
ため、フォトリソグラフィ用のフォトマスクを設計する
ことによってコア幅を導波路ごとに制御することは容易
であり、本発明の多波長レーザの製造工程において、グ
レーティング作製工程以外の工程が、従来の波長安定化
レーザに比較して複雑になることはない。

【００５４】実施例２．図５は、本発明による多波長レ
ーザの第２の実施例を示す平面図で、特に、上記（II）
の方法を用いて構成された多波長レーザを示している。

【００５５】同図においては、上述と同様に、波長１．
５μｍ帯、波長間隔１．６ｎｍ（周波数換算で２００Ｇ
Ｈｚ）、波長数８としている。

【００５６】２１−１から２１−８は石英導波路のコア
であり、その光軸の方向は互いに異なったものとなって
いる。すなわち、θ１からθ８は２１−１から２１−８
のそれぞれの光軸とグレーティングベクトル（フェイズ
マスクの凹凸の方向）とのなす角度となっている。

【００５７】コア２１−１から２１−８はその高さが６
μｍ、幅が６μｍとなっており、クラッドとの間の比屈
折率は０．７５％となっている。そして、半導体レーザ
ダイオード１１−１から１１−８のそれぞれの間隔は１
ｍｍとなっており、これによりコア２１−１から２１−
８までのそれぞれの導波路の間隔は１ｍｍ以下となって
いる。

【００５８】角度θ１からθ８は、多波長レーザの発振
波長が表１の値になるように設計されている。

【００５９】そして、上式（３）の結果から、θ＝０ｄ
ｅｇでグレーティングの反射中心波長が最も短波長にな
るので、表１で最も短波の波長１５４６．１ｎｍに反射
中心を有するグレーティングを形成するために必要なフ
ェイズマスクのピッチΛを求める。

【００６０】そして、図２の結果からコア径６μｍ×６
μｍの導波路には光強度５００ｍＪ、露光時間２０ｍｉ
ｎで、ピッチ１０７０ｎｍのフェイズマスクを用いて形
成されるグレーティングの反射中心波長は１５４９．３
ｎｍであることがわかる。

【００６１】ここで、上式（３）の結果からグレーティ
ングの反射波長とフェイズマスクのピッチが比例するの
で、ピッチ１０６７．７ｎｍのフェイズマスクをもちい
れば上記の露光条件で反射中心波長が１５４６．１ｎｍ
のグレーティングが形成されることがわかる。

【００６２】上式（３）に従い、表１の発振波長にグレ
ィテングの反射波長を一致させるように、角度θ１から
θ８を表３のように設計した。

【００６３】

【表３】

【００６４】その後、図６に示す方法で、エキシマレー
ザ光を照射した。導波路のコア２１−１から２１−８ま
でのそれぞれの間隔は１ｍｍ以内であるので、導波路の
コア２１−１と２１−８との間の距離は７ｍｍ以内であ
る。このため、フェイズマスク３０においてその凹凸の
生じている面のサイズが４ｍｍ×７ｍｍであるものを用
いて、長さ４ｍｍのグレーティングを導波路のコア２１
−１から２１−８に同時に作成した。この際の露光とし
ては、その強度を５００ｍＪ、露光時間を３０ｍｉｎと
した。

【００６５】このようにして製造した多波長レーザを２
５℃で４０ｍＡの電流で駆動したところ８波長単一モー
ドの同時発振を得ることができた。この場合の出力の波
長は、表４に示すようになった。表４から明らかとなる
ように表１に示した目標波長からの誤差は全波長とも
０．１ｎｍ以内となった。

【００６６】

【表４】

【００６７】上述した多波長レーザの製造工程におい
て、そのグレーティング作製以外では、導波路群を堆積
する工程で導波路のコアの光軸の傾きを制御する点が従
来と異なっている。

【００６８】この場合、石英導波路のコアパターンを作
成する方法としてＬＳＩの製造に用いられるフォトリソ
グラフィ技術を使用し、そのフォトマスクを設計するこ
とでコアの中心軸の傾きを０．１ｄｅｇの精度で容易に
制御することができるようになる。

【００６９】このことから、本発明の多波長レーザの製
造工程において、グレーティングの作製工程以外が従来
の波長安定化レーザに比較して複雑になることはない。

【００７０】比較例なお、比較例として従来の多波長レーザを図９に示す。
同図は、従来の波長安定化レーザを集積した１．５μｍ
帯、波長間隔１．６ｎｍの８波長レーザの平面図を示し
ている。

【００７１】本多波長光源の発振波長が表１の値となる
ように、ピッチが１０７０．０ｎｍから１０７７．７ｎ
ｍまで（１．１ｎｍ間隔）の８枚のフェイズマスクが用
意されていた。

【００７２】そして、８個のグレーティングの反射中心
波長は、１個１個のフェイズマスクで順次制御されてい
た。

【００７３】１個のグレーティングを作成するための露
光条件は、強度５００ｍＪ、露光時間３０分であり、８
個のグレーティングを作成するためにエキシマレーザ光
の照射時間に加え、さらに８回のセットアップ時間を加
えて合計５時間の作業を要していた。

【００７４】半導体レーザを搭載した後、温度２５℃で
の発振スペクトルを測定した結果は、注入電流４０ｍＡ
で８波長単一モード同時発振が得られ、表１に示した目
標波長からの誤差は全波長とも０．１ｎｍであった。

【００７５】上述した各実施例では、波長多重数が８波
である場合を説明したが、その数に限定されることはな
い。一般的に波長多重数が複数でありさえすれば、グレ
ーティングの一括制御が可能であるという本発明の特徴
は製造コスト低減に有効となる。

【００７６】また、グレーティング作成のために導波路
に照射した光はエキシマレーザ光を用いたが、これに限
定されることはない。たとえば波長１７０ｎｍから波長
３００ｎｍの範囲の紫外光を用いても同様の効果が得ら
れるからである。

【００７７】このように構成できる多波長レーザは、た
とえば次に示す各構成の多波長レーザに適用できること
はいうまでもない。

【００７８】（１）各波長の出力光を合波するためアレ
ー格子型１×Ｎ波長合分波器あるいは１×Ｎカプラが集
積されている多波長レーザ。

【００７９】（２）（１）の構成に合波した出力光を増
幅するために半導体光アンプが集積されている多波長レ
ーザ。

【００８０】（３）（１）または（２）の構成におい
て、各波長出力を高速に変調するため半導体レーザにＥ
Ａ変調器が集積されている多波長レーザ。

【００８１】（４）（１）または（２）の構成におい
て、各波長出力を高速に変調するためＬｉＮｂＯ₃変調
器が集積されている多波長レーザ。

【００８２】（５）（１）または（２）の構成におい
て、モードホップを抑制するため、グレーティングまた
は半導体レーザと該グレーティングの間の光導波路の上
またはその直下の基板裏面に該基板と熱膨張係数の異な
る板状の材料が形成されている多波長レーザ（特願平８
−２５３４７９号公報参照）。

【００８３】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によればグレーティングの反射波長の一括制御が
可能な多波長レーザの構造を提供できるので、製造コス
ト低減に有効であり、波長多重通信の発展において多大
な貢献が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の多波長レーザの構造を説
明する平面図である。

【図２】グレーティングの反射中心波長のコア幅依存性
の測定結果を示すグラフである。

【図３】本発明の第１実施例における多波長レーザのグ
レーティングの作製方法を説明する斜視図である。

【図４】本発明の第１実施例における多波長レーザから
の出力光の測定結果を示すグラフである。

【図５】本発明の第２実施例の多波長レーザの構造を示
す平面図である。

【図６】本発明の第２実施例における多波長レーザのグ
レーティングの作製方法を説明する斜視図である。

【図７】従来の波長安定化レーザの構造を説明する斜視
図である。

【図８】従来の波長安定化レーザの製造方法を示す工程
図である。

【図９】従来の波長安定化レーザを集積した多波長レー
ザの構造を説明する平面図である。

【図１０】フェィズマスクを用いたグレーティング作成
の原理を説明する断面図である。

【図１１】斜めグレーティングを説明する平面図であ
る。

【符号の説明】

１１、１１−１、１１−２、〜、１１−８…半導体レー
ザ、１５、１５−１、１５−２、〜、１５−８、２５−
１、２５−２、〜、２５−８…グレーティング、１３、
１３−１、１３−２、〜、１３−８、２０−１、２０−
２、〜、２０−８、２１−１、２１−２、〜、２１−８
…石英導波路（光導波路）のコア、１９、１９−１、１
９−２、〜、１９−８…半導体レーザ搭載用の半田パタ
ーン、ｗ１、ｗ２、〜、ｗ８…グレーティングが形成さ
れている部分のコア幅、λ１、λ２、〜、λ８…発振波
長、Λ…フェイズマスクのピッチ、１４…石英導波路の
クラッド、Ｌ…グレーティングのピッチ、１６…Ｓｉ基
板、１８…Ｓｉテラス、３０…フェイズマスク、３１…
エキシマレーザ光、３２…エキシマレーザ光の＋１次回
折光、３３…エキシマレーザ光の−１次回折光、５０…
波長安定化レーザ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者橋本俊和東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の半導体レーザとこれら各半導体レ
ーザに対応して設けられた光導波路とが同一基板上に搭
載され、かつそれぞれの光導波路に光誘起グレーティン
グが形成された多波長レーザにおいて、各光誘起グレーティングのパターンが各光導波路におい
て同一であるとともに、少なくとも該光誘起グレーティ
ングが形成されている部分の前記導波路のコア幅が各導
波路ごとに異なって形成されていることを特徴とする多
波長レーザ。
【請求項２】光誘起グレーティングが形成されている
部分の各導波路のコア幅は３μｍから２０μｍの範囲に
あることを特徴とする請求項１記載の多波長レーザ。
【請求項３】複数の半導体レーザとこれら各半導体レ
ーザに対応して設けられた光導波路とが同一基板上に搭
載され、かつそれぞれの光導波路に光誘起グレーティン
グが形成された多波長レーザにおいて、各光誘起グレーティングのパターンが各光導波路におい
て同一であるとともに、少なくとも該光誘起グレーティ
ングが形成されている部分の前記導波路の光軸とグレー
ティングベクトルがなす角度が各導波路ごとに異なって
形成されていることを特徴とする多波長レーザ。
【請求項４】光誘起グレーティングが形成されている
部分の前記導波路の光軸とグレーティングベクトルがな
す角度は−１０ｄｅｇから１０ｄｅｇの範囲にあること
を特徴とする請求項３記載の多波長レーザ。