JP2003207665A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JP2003207665A JP2003207665A JP2002004307A JP2002004307A JP2003207665A JP 2003207665 A JP2003207665 A JP 2003207665A JP 2002004307 A JP2002004307 A JP 2002004307A JP 2002004307 A JP2002004307 A JP 2002004307A JP 2003207665 A JP2003207665 A JP 2003207665A
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- core layer
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高次モードを全体的に抑制することができる
ハイメサ形の光導波路を提供する。 【解決手段】 基板１１と、基板１１上に突出するよう
に設けられたアンダクラッド層１２と、アンダクラッド
層１２上に設けられてアンダクラッド層１２よりも大き
い屈折率を有するコア層１３と、コア層１３上に設けら
れてコア層１３よりも小さい屈折率を有するオーバクラ
ッド層１４とを備えたハイメサ形の光導波路１０におい
て、コア層１３の厚さｄcoreを０．４〜０．７μｍに設
定し、アンダクラッド層１２の厚さ（加工深さ）ｄe を
１μｍ以下に設定した。
ハイメサ形の光導波路を提供する。 【解決手段】 基板１１と、基板１１上に突出するよう
に設けられたアンダクラッド層１２と、アンダクラッド
層１２上に設けられてアンダクラッド層１２よりも大き
い屈折率を有するコア層１３と、コア層１３上に設けら
れてコア層１３よりも小さい屈折率を有するオーバクラ
ッド層１４とを備えたハイメサ形の光導波路１０におい
て、コア層１３の厚さｄcoreを０．４〜０．７μｍに設
定し、アンダクラッド層１２の厚さ（加工深さ）ｄe を
１μｍ以下に設定した。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光交換、
光情報処理等に使用されるハイメサ形の光導波路に関す
る。
光情報処理等に使用されるハイメサ形の光導波路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、インターネットを核としたデータ
トラヒックの急増とそれに続く高度情報化社会の構築の
ため、大容量かつ柔軟なネットワーク構築が重要な課題
となっている。その要求に応えるべく波長多重（Wavele
ngth Division Multiplexing：ＷＤＭ）技術等のような
光の優位性を活かした次世代光通信ネットワークに関す
る研究開発が各所で精力的に行われている。
トラヒックの急増とそれに続く高度情報化社会の構築の
ため、大容量かつ柔軟なネットワーク構築が重要な課題
となっている。その要求に応えるべく波長多重（Wavele
ngth Division Multiplexing：ＷＤＭ）技術等のような
光の優位性を活かした次世代光通信ネットワークに関す
る研究開発が各所で精力的に行われている。
【０００３】このような次世代光通信ネットワークを実
現するには、スプリッタや波長合分波器、レーザやフォ
トダイオード等のような基本となる各種の受動光デバイ
スや能動光デバイスはもちろんのこと、これらの機能を
複合した高機能な光集積デバイスが必要である。
現するには、スプリッタや波長合分波器、レーザやフォ
トダイオード等のような基本となる各種の受動光デバイ
スや能動光デバイスはもちろんのこと、これらの機能を
複合した高機能な光集積デバイスが必要である。
【０００４】特に、半導体光導波路は、半導体レーザや
フォトダイオード、半導体光増幅器等のような機能の光
デバイスをモノリシック集積することができ、高機能な
光集積デバイスをワンチップで構成することが可能であ
るので、通信装置の小型化や低コスト化等を図ることが
でき、次世代光通信ネットワークを構成するキーエレメ
ントとして期待されている。
フォトダイオード、半導体光増幅器等のような機能の光
デバイスをモノリシック集積することができ、高機能な
光集積デバイスをワンチップで構成することが可能であ
るので、通信装置の小型化や低コスト化等を図ることが
でき、次世代光通信ネットワークを構成するキーエレメ
ントとして期待されている。
【０００５】このような高機能な光集積デバイスを作製
するには、半導体光導波路を用いてスプリッタや波長合
分波器等の受動光デバイスを構成する技術が必要であ
る。一般に、半導体は、石英系ガラス等のような他の材
料に比べて、伝播損失が大きく、偏波依存性が大きくな
る傾向を有するため、受動光デバイス用の光導波路の材
料にあまり適していないという問題があった。
するには、半導体光導波路を用いてスプリッタや波長合
分波器等の受動光デバイスを構成する技術が必要であ
る。一般に、半導体は、石英系ガラス等のような他の材
料に比べて、伝播損失が大きく、偏波依存性が大きくな
る傾向を有するため、受動光デバイス用の光導波路の材
料にあまり適していないという問題があった。
【０００６】しかしながら、この問題は、光導波路の構
造をハイメサ形とすることにより解決できることが判明
した（例えば、神徳正樹”ハイメサ導波路を用いた半導
体アレー導波路格子の研究”電子情報通信学会論文誌C-
I,vol.J82-C-I,no.10,pp.579-586(Oct.1999)等参照）。
造をハイメサ形とすることにより解決できることが判明
した（例えば、神徳正樹”ハイメサ導波路を用いた半導
体アレー導波路格子の研究”電子情報通信学会論文誌C-
I,vol.J82-C-I,no.10,pp.579-586(Oct.1999)等参照）。
【０００７】このハイメサ形の光導波路は、図６に示す
ように、基板１１１上のアンダクラッド層１１２とオー
バクラッド層１１４との間にコア層１１３を設けた構造
をなし、コア層１１３の両側面が屈折率の小さな空気層
で覆われることから、横方向の光の閉じ込めを極めて強
くすることができる。
ように、基板１１１上のアンダクラッド層１１２とオー
バクラッド層１１４との間にコア層１１３を設けた構造
をなし、コア層１１３の両側面が屈折率の小さな空気層
で覆われることから、横方向の光の閉じ込めを極めて強
くすることができる。
【０００８】このため、曲げ半径を小さくすることがで
き、光素子のサイズを飛躍的に小型化することができる
ので、通常、伝搬損失が問題になることはほとんどない
だけでなく、その幅やコア層１１３の厚さを制御するこ
とにより、偏波依存性を解消することができる。
き、光素子のサイズを飛躍的に小型化することができる
ので、通常、伝搬損失が問題になることはほとんどない
だけでなく、その幅やコア層１１３の厚さを制御するこ
とにより、偏波依存性を解消することができる。
【０００９】さらに、ハイメサ形の光導波路１１０は、
エピタキシャル成長による埋め込みを必要としないの
で、作製プロセスを簡単にすることができ、他の能動光
デバイスとのモノリシック集積に適しているという優位
な特徴を有している。
エピタキシャル成長による埋め込みを必要としないの
で、作製プロセスを簡単にすることができ、他の能動光
デバイスとのモノリシック集積に適しているという優位
な特徴を有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、ハイメサ
形の光導波路１１０は、受動光デバイス用や、受動光デ
バイスと能動光デバイスとをモノリシック集積した高機
能な光集積デバイス用として優れた特徴を有しているも
のの、高次の横モードが発生しやすいという問題があっ
た。高次モードの発生は、マッハ−ツェンダ干渉計やア
レイ導波路回折格子等のような光波回路において特性劣
化の要因となる。
形の光導波路１１０は、受動光デバイス用や、受動光デ
バイスと能動光デバイスとをモノリシック集積した高機
能な光集積デバイス用として優れた特徴を有しているも
のの、高次の横モードが発生しやすいという問題があっ
た。高次モードの発生は、マッハ−ツェンダ干渉計やア
レイ導波路回折格子等のような光波回路において特性劣
化の要因となる。
【００１１】図７は、従来のハイメサ形の半導体アレイ
導波路回折格子の透過波長特性を表すグラフである。図
７からわかるように、従来のハイメサ形の半導体アレイ
導波路回折格子は、本来必要な０次モードによる透過ピ
ークＳ0 の他に、高次モードの影響によるゴーストイメ
ージのピークＳH が現れてしまう。
導波路回折格子の透過波長特性を表すグラフである。図
７からわかるように、従来のハイメサ形の半導体アレイ
導波路回折格子は、本来必要な０次モードによる透過ピ
ークＳ0 の他に、高次モードの影響によるゴーストイメ
ージのピークＳH が現れてしまう。
【００１２】このようなゴーストイメージのピークＳH
は、クロストークの要因となり、特性を著しく劣化させ
てしまう。このようなゴーストイメージのピークＳH を
発生させる高次モードは、光ファイバと光導波路との接
続点や、直線導波路と曲がり導波路との接続点や、幅の
異なった導波路の接続点等のように、導波路の接続点で
主に励起され、回路の構造や光の入射条件等により、そ
の強度が種々異なっている。
は、クロストークの要因となり、特性を著しく劣化させ
てしまう。このようなゴーストイメージのピークＳH を
発生させる高次モードは、光ファイバと光導波路との接
続点や、直線導波路と曲がり導波路との接続点や、幅の
異なった導波路の接続点等のように、導波路の接続点で
主に励起され、回路の構造や光の入射条件等により、そ
の強度が種々異なっている。
【００１３】特に、上記半導体アレイ導波路回折格子
は、クロストーク特性が極めて重要であり、実用化を図
るためには少なくとも２０ｄＢ以上のクロストークを有
する必要があるものの、直線導波路と曲がり導波路との
接続部や、チャンネル導波路とスラブ導波路との接続部
や、中心から離れた入射ポートからの入射による斜め結
合等のように、高次モードの発生の要因となる多数の接
続点を有する構造をなしているため、高次モードの抑制
を図ることが実用化を図るのに必要不可欠な条件となっ
ている。
は、クロストーク特性が極めて重要であり、実用化を図
るためには少なくとも２０ｄＢ以上のクロストークを有
する必要があるものの、直線導波路と曲がり導波路との
接続部や、チャンネル導波路とスラブ導波路との接続部
や、中心から離れた入射ポートからの入射による斜め結
合等のように、高次モードの発生の要因となる多数の接
続点を有する構造をなしているため、高次モードの抑制
を図ることが実用化を図るのに必要不可欠な条件となっ
ている。
【００１４】このようなハイメサ形の光導波路における
高次モードの問題は、今までも種々検討されている。例
えば、直線導波路と曲がり導波路とのオフセット量を最
適化する手段（例えば、T.Hirono et al.,"Optimized o
ffset to eliminate first-order mode excitation at
the junction of straight and curved multimode wave
guides",IEEE Photon. Technol. Lett.,vol.10,no.7,p
p.982-984(1998)等参照）や、アディアバティックな曲
がり導波路を利用する手段（例えば、C.K.Nadleret a
l.,"Polarization insensitive,low-loss,low-crosstal
k wavelength multiplexer modules",IEEE J.Selected
Topics in Quantum Electron.,vol.5,no.5,pp.1407-141
2(1999)等参照）や、導波路の一部に高次モードを除去
するフィルタを挿入する手段（例えば、特開平１１−５
２１４９号公報等参照）等が挙げられる。
高次モードの問題は、今までも種々検討されている。例
えば、直線導波路と曲がり導波路とのオフセット量を最
適化する手段（例えば、T.Hirono et al.,"Optimized o
ffset to eliminate first-order mode excitation at
the junction of straight and curved multimode wave
guides",IEEE Photon. Technol. Lett.,vol.10,no.7,p
p.982-984(1998)等参照）や、アディアバティックな曲
がり導波路を利用する手段（例えば、C.K.Nadleret a
l.,"Polarization insensitive,low-loss,low-crosstal
k wavelength multiplexer modules",IEEE J.Selected
Topics in Quantum Electron.,vol.5,no.5,pp.1407-141
2(1999)等参照）や、導波路の一部に高次モードを除去
するフィルタを挿入する手段（例えば、特開平１１−５
２１４９号公報等参照）等が挙げられる。
【００１５】しかしながら、これらの各種手段は、高次
モードを光導波路の特定の箇所のみ抑制することができ
るものの、光導波路の全体で抑制することができないた
め、問題を根本的に解決することができなかった。
モードを光導波路の特定の箇所のみ抑制することができ
るものの、光導波路の全体で抑制することができないた
め、問題を根本的に解決することができなかった。
【００１６】このようなことから、本発明は、高次モー
ドを全体的に抑制することができるハイメサ形の光導波
路を提供することを目的とする。
ドを全体的に抑制することができるハイメサ形の光導波
路を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ための、第一番目の発明による光導波路は、基板上に突
出するように設けられたアンダクラッド層と、前記アン
ダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッド層より
も大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に設け
られて当該コア層よりも小さい屈折率を有するオーバク
ラッド層とを備えた凸状構造をなすハイメサ形の光導波
路において、前記コア層の厚さが０．４〜０．７μｍに
設定され、前記アンダクラッド層の厚さが１μｍ以下に
設定されていることを特徴とする。
ための、第一番目の発明による光導波路は、基板上に突
出するように設けられたアンダクラッド層と、前記アン
ダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッド層より
も大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に設け
られて当該コア層よりも小さい屈折率を有するオーバク
ラッド層とを備えた凸状構造をなすハイメサ形の光導波
路において、前記コア層の厚さが０．４〜０．７μｍに
設定され、前記アンダクラッド層の厚さが１μｍ以下に
設定されていることを特徴とする。
【００１８】第二番目の発明による光導波路は、基板上
に突出するように設けられたアンダクラッド層と、前記
アンダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッド層
よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に
設けられて当該コア層よりも小さい屈折率を有するオー
バクラッド層とを備えた凸状構造をなすハイメサ形の光
導波路において、基本モードの等価屈折率が前記基板の
屈折率よりも大きく設定され、高次モードの等価屈折率
が前記基板の屈折率よりも小さく設定され、高次モード
の伝播損失が、２０ｄＢを導波路長で除した値以上の大
きさに設定されていることを特徴とする。
に突出するように設けられたアンダクラッド層と、前記
アンダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッド層
よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に
設けられて当該コア層よりも小さい屈折率を有するオー
バクラッド層とを備えた凸状構造をなすハイメサ形の光
導波路において、基本モードの等価屈折率が前記基板の
屈折率よりも大きく設定され、高次モードの等価屈折率
が前記基板の屈折率よりも小さく設定され、高次モード
の伝播損失が、２０ｄＢを導波路長で除した値以上の大
きさに設定されていることを特徴とする。
【００１９】第三番目の発明による光導波路は、基板上
に突出するように設けられたアンダクラッド層と、前記
アンダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッド層
よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に
設けられて当該コア層よりも小さい屈折率を有するオー
バクラッド層とを備えた凸状構造をなすハイメサ形の光
導波路において、等価屈折率と前記アンダクラッド層の
厚さとの積が３．２μｍ以下に設定され、等価屈折率と
前記コア層の厚さとの積が２．３μｍ以下に設定され、
前記コア層と前記アンダクラッド層との比屈折率差が
３．５％以下に設定されていることを特徴とする。
に突出するように設けられたアンダクラッド層と、前記
アンダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッド層
よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に
設けられて当該コア層よりも小さい屈折率を有するオー
バクラッド層とを備えた凸状構造をなすハイメサ形の光
導波路において、等価屈折率と前記アンダクラッド層の
厚さとの積が３．２μｍ以下に設定され、等価屈折率と
前記コア層の厚さとの積が２．３μｍ以下に設定され、
前記コア層と前記アンダクラッド層との比屈折率差が
３．５％以下に設定されていることを特徴とする。
【００２０】第四番目の発明による光導波路は、第一番
目から第三番目の発明のいずれかにおいて、前記アンダ
クラッド層、前記コア層、前記オーバクラッド層が、半
導体材料からなることを特徴とする。
目から第三番目の発明のいずれかにおいて、前記アンダ
クラッド層、前記コア層、前記オーバクラッド層が、半
導体材料からなることを特徴とする。
【００２１】第五番目の発明による光導波路は、第四番
目の発明において、前記アンダクラッド層および前記オ
ーバクラッド層がＩｎＰからなり、前記コア層が組成波
長１．１μｍ以下となるＩｎＧａＡｓＰからなることを
特徴とする。
目の発明において、前記アンダクラッド層および前記オ
ーバクラッド層がＩｎＰからなり、前記コア層が組成波
長１．１μｍ以下となるＩｎＧａＡｓＰからなることを
特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明による光導波路の実施の形
態を図１を用いて説明する。図１は、光導波路の概略構
造図である。なお、本発明は以下に説明する実施の形態
に限定されるものではない。
態を図１を用いて説明する。図１は、光導波路の概略構
造図である。なお、本発明は以下に説明する実施の形態
に限定されるものではない。
【００２３】図１に示すように、本実施の形態によるハ
イメサ形の光導波路１０は、基板１１と、基板１１上に
突出するように設けられたアンダクラッド層１２と、ア
ンダクラッド層１２上に設けられてアンダクラッド層１
２よりも大きい屈折率を有するコア層１３と、コア層１
３上に設けられてコア層１３よりも小さい屈折率を有す
るオーバクラッド層１４とを備えている。つまり、前記
クラッド層１２，１４は、コア層１３よりも小さい屈折
率を有する、言い換えれば、コア層１３は、前記クラッ
ド層１２，１４よりも大きい屈折率を有しているのであ
る。
イメサ形の光導波路１０は、基板１１と、基板１１上に
突出するように設けられたアンダクラッド層１２と、ア
ンダクラッド層１２上に設けられてアンダクラッド層１
２よりも大きい屈折率を有するコア層１３と、コア層１
３上に設けられてコア層１３よりも小さい屈折率を有す
るオーバクラッド層１４とを備えている。つまり、前記
クラッド層１２，１４は、コア層１３よりも小さい屈折
率を有する、言い換えれば、コア層１３は、前記クラッ
ド層１２，１４よりも大きい屈折率を有しているのであ
る。
【００２４】なお、光導波路１０は、半導体材料からな
る場合、通常、上記クラッド層１２，１４が基板１１と
同じ材料からなる、すなわち、例えば、基板１１がＩｎ
Ｐの場合には上記クラッド層１２，１４にＩｎＰが使用
されるので、基板１１をエッチング等により加工してア
ンダクラッド層１２を形成することも可能である。ま
た、光導波路１０にコーティングを施すようにしてもよ
い。
る場合、通常、上記クラッド層１２，１４が基板１１と
同じ材料からなる、すなわち、例えば、基板１１がＩｎ
Ｐの場合には上記クラッド層１２，１４にＩｎＰが使用
されるので、基板１１をエッチング等により加工してア
ンダクラッド層１２を形成することも可能である。ま
た、光導波路１０にコーティングを施すようにしてもよ
い。
【００２５】このようなハイメサ形の光導波路１０は、
図１からわかるように、コア層１３と基板１１との間に
距離を有するようにアンダクラッド層１２が基板１１上
に設けられると共に、前記クラッド層１２，１４および
コア層１３が基板１１上に凸状に突出するような構造を
なしている。
図１からわかるように、コア層１３と基板１１との間に
距離を有するようにアンダクラッド層１２が基板１１上
に設けられると共に、前記クラッド層１２，１４および
コア層１３が基板１１上に凸状に突出するような構造を
なしている。
【００２６】本実施の形態による光導波路１０は、コア
層１３の厚さｄcoreが０．４〜０．７μｍとなってお
り、アンダクラッド層１２の厚さ、すなわち、加工深さ
ｄe が１μｍ以下となっている。このようにコア層１３
の厚さｄcoreを０．４〜０．７μｍとし、アンダクラッ
ド層１２の加工深さｄe を１μｍ以下とすることにより
得られる本実施の形態のハイメサ形の光導波路１０の作
用効果を以下に説明する。
層１３の厚さｄcoreが０．４〜０．７μｍとなってお
り、アンダクラッド層１２の厚さ、すなわち、加工深さ
ｄe が１μｍ以下となっている。このようにコア層１３
の厚さｄcoreを０．４〜０．７μｍとし、アンダクラッ
ド層１２の加工深さｄe を１μｍ以下とすることにより
得られる本実施の形態のハイメサ形の光導波路１０の作
用効果を以下に説明する。
【００２７】通常、ハイメサ形の光導波路は、基本モー
ドが伝播モードとして存在すると共に、高次モードが放
射モードとして存在するように、各種パラメータの値が
設定される。具体的には、高次モードの等価屈折率が、
前記クラッド層およびコア層の両側面を覆っている空気
層よりも大きくなるように設定すると共に、基板の屈折
率よりも小さくなるように設定することにより、基板と
水平な方向に光を閉じ込めながらも、基板側に光を放射
できるようにしている。
ドが伝播モードとして存在すると共に、高次モードが放
射モードとして存在するように、各種パラメータの値が
設定される。具体的には、高次モードの等価屈折率が、
前記クラッド層およびコア層の両側面を覆っている空気
層よりも大きくなるように設定すると共に、基板の屈折
率よりも小さくなるように設定することにより、基板と
水平な方向に光を閉じ込めながらも、基板側に光を放射
できるようにしている。
【００２８】このような基板側への光の放射の強度等に
よって、既に説明したゴーストイメージ等のような高次
モードの影響による特性の劣化を生じる場合がある。
よって、既に説明したゴーストイメージ等のような高次
モードの影響による特性の劣化を生じる場合がある。
【００２９】図２は、ハイメサ形の光導波路のコア層の
厚さｄcoreと基本モードの伝播損失との関係を表すグラ
フであり、コア層に組成波長１．０５μｍのＩｎＧａＡ
ｓＰ（波長１．５５μｍにおける屈折率３．２５４）を
使用し、クラッド層にＩｎＰ（波長１．５５μｍにおけ
る屈折率３．１６８）を使用し、アンダクラッド層の加
工深さｄe を１．０μｍとした場合の結果を示してい
る。
厚さｄcoreと基本モードの伝播損失との関係を表すグラ
フであり、コア層に組成波長１．０５μｍのＩｎＧａＡ
ｓＰ（波長１．５５μｍにおける屈折率３．２５４）を
使用し、クラッド層にＩｎＰ（波長１．５５μｍにおけ
る屈折率３．１６８）を使用し、アンダクラッド層の加
工深さｄe を１．０μｍとした場合の結果を示してい
る。
【００３０】図２からわかるように、コア層の厚さｄ
coreが０．４μｍより小さくなると、基本モードの伝播
損失が急激に大きくなることから、コア層の厚さｄcore
を０．４μｍ以上とする必要がある。
coreが０．４μｍより小さくなると、基本モードの伝播
損失が急激に大きくなることから、コア層の厚さｄcore
を０．４μｍ以上とする必要がある。
【００３１】ところで、コア層の厚さｄcoreと基本モー
ドの伝播損失との関係は、前記クラッド層とコア層との
比屈折率差やアンダクラッド層の加工深さｄe によって
厳密には若干異なる。
ドの伝播損失との関係は、前記クラッド層とコア層との
比屈折率差やアンダクラッド層の加工深さｄe によって
厳密には若干異なる。
【００３２】具体的には、比屈折率差をあまり大きくす
ると、偏波無依存化が難しくなるので、クラッド層にＩ
ｎＰを使用した場合、コア層に組成波長が１．１μｍよ
り大きいＩｎＧａＡｓＰ（波長１．５５μｍにおける屈
折率３．２８５）を使用すると、実用性に欠けて、現実
的ではない。
ると、偏波無依存化が難しくなるので、クラッド層にＩ
ｎＰを使用した場合、コア層に組成波長が１．１μｍよ
り大きいＩｎＧａＡｓＰ（波長１．５５μｍにおける屈
折率３．２８５）を使用すると、実用性に欠けて、現実
的ではない。
【００３３】また、アンダクラッド層の加工深さｄe を
大きくし過ぎると、結晶成長やエッチング等の作製プロ
セスに大きな負担を強いることになることから、アンダ
クラッド層の加工深さｄe を２μｍ以下にすることが現
実的である。
大きくし過ぎると、結晶成長やエッチング等の作製プロ
セスに大きな負担を強いることになることから、アンダ
クラッド層の加工深さｄe を２μｍ以下にすることが現
実的である。
【００３４】このような現実的な設計や作製にかかる条
件を考慮しつつ、コア層の厚さｄco reと基本モードの伝
播損失との関係を求めても、図２に示した特性に大きな
変化を生じることはないことから、コア層の厚さｄcore
を０．４μｍ以上としても、実用化に特に問題を生じる
ことはない。
件を考慮しつつ、コア層の厚さｄco reと基本モードの伝
播損失との関係を求めても、図２に示した特性に大きな
変化を生じることはないことから、コア層の厚さｄcore
を０．４μｍ以上としても、実用化に特に問題を生じる
ことはない。
【００３５】次に、偏波無依存化の観点から、クラッド
層にＩｎＰを使用した場合、コア層に組成波長が１．１
μｍより大きいＩｎＧａＡｓＰ（波長１．５５μｍにお
ける屈折率３．２８５）を使用すると、実用性に欠け
て、現実的でない理由を説明する。
層にＩｎＰを使用した場合、コア層に組成波長が１．１
μｍより大きいＩｎＧａＡｓＰ（波長１．５５μｍにお
ける屈折率３．２８５）を使用すると、実用性に欠け
て、現実的でない理由を説明する。
【００３６】ハイメサ形の光導波路は、その幅およびコ
ア層の厚さｄcoreを調整することにより、偏波依存性を
制御することができる。つまり、ハイメサ形の光導波路
の設計は、前記クラッド層およびコア層の材料とコア層
の厚さｄcoreを決定した後に、偏波無依存となるように
幅を決定するのである。なお、前記クラッド層とコア層
との比屈折率差が非常に大きいような場合であっても、
偏波無依存とすることは理論上可能であるが、現実的に
は極めて困難である。
ア層の厚さｄcoreを調整することにより、偏波依存性を
制御することができる。つまり、ハイメサ形の光導波路
の設計は、前記クラッド層およびコア層の材料とコア層
の厚さｄcoreを決定した後に、偏波無依存となるように
幅を決定するのである。なお、前記クラッド層とコア層
との比屈折率差が非常に大きいような場合であっても、
偏波無依存とすることは理論上可能であるが、現実的に
は極めて困難である。
【００３７】図３は、偏波無依存となる導波路幅ｗにお
ける、導波路複屈折率Ｂの導波路幅に関する微分係数∂
Ｂ／∂ｗを比屈折率差Δの関数で表したグラフである。
ここで、コア層の屈折率をｎcore、クラッド層の屈折率
をｎcladとすると、比屈折率差Δを下記の式（１）で表
すことができ、基本モードのＴＥモードの等価屈折率を
ｎeqTE、基本モードのＴＭモードの等価屈折率をｎeqTM
とすると、導波路複屈折率Ｂを下記の式（２）で表すこ
とができる。
ける、導波路複屈折率Ｂの導波路幅に関する微分係数∂
Ｂ／∂ｗを比屈折率差Δの関数で表したグラフである。
ここで、コア層の屈折率をｎcore、クラッド層の屈折率
をｎcladとすると、比屈折率差Δを下記の式（１）で表
すことができ、基本モードのＴＥモードの等価屈折率を
ｎeqTE、基本モードのＴＭモードの等価屈折率をｎeqTM
とすると、導波路複屈折率Ｂを下記の式（２）で表すこ
とができる。
【００３８】
Δ＝（ｎcore 2 −ｎclad 2 ）／２ｎcore 2 （１）
Ｂ＝ｎeqTE−ｎeqTM （２）
【００３９】図３からわかるように、比屈折率差Δが大
きくなるほど、導波路複屈折率Ｂの導波路幅に関する微
分係数∂Ｂ／∂ｗが大きくなっていく、すなわち、導波
路幅の微小なずれが偏波依存性の要因となっている。偏
波依存性の許容可能な大きさは、用途によって異なる。
きくなるほど、導波路複屈折率Ｂの導波路幅に関する微
分係数∂Ｂ／∂ｗが大きくなっていく、すなわち、導波
路幅の微小なずれが偏波依存性の要因となっている。偏
波依存性の許容可能な大きさは、用途によって異なる。
【００４０】例えば、現在開発が進められているＷＤＭ
システムでは、チャンネル間隔が、２００ＧＨｚ、１０
０ＧＨｚ、５０ＧＨｚのいずれかとするものが主流であ
ることから、最も条件が緩やかな２００ＧＨｚ用のアレ
イ導波路回折格子に適用する場合を考えると、偏波によ
る透過波長のずれΔλをチャンネル間隔の１／１０、す
なわち、２０ＧＨｚ以内に抑制する必要がある。
システムでは、チャンネル間隔が、２００ＧＨｚ、１０
０ＧＨｚ、５０ＧＨｚのいずれかとするものが主流であ
ることから、最も条件が緩やかな２００ＧＨｚ用のアレ
イ導波路回折格子に適用する場合を考えると、偏波によ
る透過波長のずれΔλをチャンネル間隔の１／１０、す
なわち、２０ＧＨｚ以内に抑制する必要がある。
【００４１】ここで、ＴＥモードの中心波長をλTE、Ｔ
Ｍモードの中心波長をλTMとすると、偏波による透過波
長のずれΔλを下記の式（３）で表すことができる。
Ｍモードの中心波長をλTMとすると、偏波による透過波
長のずれΔλを下記の式（３）で表すことができる。
【００４２】Δλ＝｜λTE−λTM｜ （３）
【００４３】偏波による透過波長のずれΔλは、使用波
長λと導波路の等価屈折率ｎeqとの積で真空中の光の速
度ｃを除したファクタを導波路複屈折率Ｂに乗じること
によって概算することができる。このため、透過波長の
ずれΔλを２０ＧＨｚ以内に抑制するには、導波路複屈
折率Ｂを３×１０-4以内にする必要がある。よって、導
波路幅ｗの作製誤差δｗが下記の式（４）の条件を満た
すように調整しなくてはならない。
長λと導波路の等価屈折率ｎeqとの積で真空中の光の速
度ｃを除したファクタを導波路複屈折率Ｂに乗じること
によって概算することができる。このため、透過波長の
ずれΔλを２０ＧＨｚ以内に抑制するには、導波路複屈
折率Ｂを３×１０-4以内にする必要がある。よって、導
波路幅ｗの作製誤差δｗが下記の式（４）の条件を満た
すように調整しなくてはならない。
【００４４】
（∂Ｂ／∂ｗ）・δｗ＜３×１０-4 （４）
【００４５】実際の作製プロセスにおいては、導波路幅
ｗの作製誤差δｗを０．１μｍ程度にすることが十分に
可能である。しかしながら、これ以上の精度で再現性よ
く作製することは、プロセス技術上極めて難しい。この
ような条件を考慮し、作製誤差δｗを０．１μｍとすれ
ば、透過波長のずれΔλを２０ＧＨｚ以内に抑制する場
合には、上記式（４）から下記の式（５）が導出され
る。
ｗの作製誤差δｗを０．１μｍ程度にすることが十分に
可能である。しかしながら、これ以上の精度で再現性よ
く作製することは、プロセス技術上極めて難しい。この
ような条件を考慮し、作製誤差δｗを０．１μｍとすれ
ば、透過波長のずれΔλを２０ＧＨｚ以内に抑制する場
合には、上記式（４）から下記の式（５）が導出され
る。
【００４６】
（∂Ｂ／∂ｗ）＜３×１０-3［μｍ-1］ （５）
【００４７】後述するように、高次モードの抑制の観点
から、導波路幅ｗを０．７μｍ以下とする必要があるの
で、これを考慮すれば、比屈折率差Δを３．５％以下と
しなければならないことが図３からわかる。
から、導波路幅ｗを０．７μｍ以下とする必要があるの
で、これを考慮すれば、比屈折率差Δを３．５％以下と
しなければならないことが図３からわかる。
【００４８】したがって、偏波無依存のハイメサ形の光
導波路を作製するには、実用上、前記クラッド層とコア
層との比屈折率差Δを３．５％以下、すなわち、前記ク
ラッド層をＩｎＰとした場合、コア層として組成波長が
１．１μｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ（波長１．５５μｍに
おける屈折率３．２８５）を用いる必要がある。
導波路を作製するには、実用上、前記クラッド層とコア
層との比屈折率差Δを３．５％以下、すなわち、前記ク
ラッド層をＩｎＰとした場合、コア層として組成波長が
１．１μｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ（波長１．５５μｍに
おける屈折率３．２８５）を用いる必要がある。
【００４９】図４は、ハイメサ形の光導波路のコア層の
厚さｄcoreごとの、アンダクラッド層の加工深さｄe と
高次モードの伝播損失との関係を表すグラフであり、コ
ア層として組成波長１．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰ（波
長１．５５μｍにおける屈折率３．２５４）、クラッド
層としてＩｎＰ（波長１．５５μｍにおける屈折率３．
１６８）を用いた場合の結果を示している。
厚さｄcoreごとの、アンダクラッド層の加工深さｄe と
高次モードの伝播損失との関係を表すグラフであり、コ
ア層として組成波長１．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰ（波
長１．５５μｍにおける屈折率３．２５４）、クラッド
層としてＩｎＰ（波長１．５５μｍにおける屈折率３．
１６８）を用いた場合の結果を示している。
【００５０】前述したような半導体アレイ導波路回折格
子等のような応用上重要な受動光デバイスの場合、導波
路長が２〜１０ｍｍ程度となるため、実用上、最低限必
要な２０ｄＢ以上のクロストークを確保するには、高次
モードの伝播損失を１００ｄＢ／ｃｍ以上にする必要が
ある。
子等のような応用上重要な受動光デバイスの場合、導波
路長が２〜１０ｍｍ程度となるため、実用上、最低限必
要な２０ｄＢ以上のクロストークを確保するには、高次
モードの伝播損失を１００ｄＢ／ｃｍ以上にする必要が
ある。
【００５１】この条件を満たすには、コア層の厚さｄ
coreが０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．７μ
ｍの場合、アンダクラッド層の加工深さｄe をそれぞれ
１．４μｍ以下、１．０μｍ以下、０．８μｍ以下、
０．３μｍ以下にしなければならないことが図３からわ
かる。また、コア層の厚さｄcoreが０．７μｍを超える
と、高次モードの伝播損失を１００ｄＢ以上にすること
が構造上難しくなることがわかる。
coreが０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．７μ
ｍの場合、アンダクラッド層の加工深さｄe をそれぞれ
１．４μｍ以下、１．０μｍ以下、０．８μｍ以下、
０．３μｍ以下にしなければならないことが図３からわ
かる。また、コア層の厚さｄcoreが０．７μｍを超える
と、高次モードの伝播損失を１００ｄＢ以上にすること
が構造上難しくなることがわかる。
【００５２】このように、前記クラッド層をＩｎＰとし
た場合、実用的には、組成波長を１．１μｍ（波長１．
５５μｍにおける屈折率３．２８５）以下とする必要が
あることを考慮すれば、図４に示した関係をアンダクラ
ッド層の加工深さｄe を決定する指針とすることができ
る。
た場合、実用的には、組成波長を１．１μｍ（波長１．
５５μｍにおける屈折率３．２８５）以下とする必要が
あることを考慮すれば、図４に示した関係をアンダクラ
ッド層の加工深さｄe を決定する指針とすることができ
る。
【００５３】以上のことから、基本モードの伝播損失を
増大させることなく高次モードの伝播損失を１００ｄＢ
以上にすることにより、高次モードの影響による素子特
性の劣化を抑制するには、コア層の厚さｄcoreを０．４
〜０．７μｍとすると共に、アンダクラッド層の加工深
さｄe を１．０μｍ以下とする必要があることが判明し
た。
増大させることなく高次モードの伝播損失を１００ｄＢ
以上にすることにより、高次モードの影響による素子特
性の劣化を抑制するには、コア層の厚さｄcoreを０．４
〜０．７μｍとすると共に、アンダクラッド層の加工深
さｄe を１．０μｍ以下とする必要があることが判明し
た。
【００５４】つまり、ハイメサ形の光導波路において、
基本モードの損失増加要因となることなく高次モードの
伝播を著しく大きくする構造とすることにより、高次モ
ードの放射の強度を調整するようにしたのである。
基本モードの損失増加要因となることなく高次モードの
伝播を著しく大きくする構造とすることにより、高次モ
ードの放射の強度を調整するようにしたのである。
【００５５】図５は、本発明によるハイメサ形の光導波
路の構造を適用した半導体アレイ導波路回折格子の透過
波長特性を表すグラフであり、コア層として組成波長
１．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰ、クラッド層としてＩｎ
Ｐ、アンダクラッド層の加工深さｄe ＝０．５μｍ、導
波路幅ｗ＝２．６μｍとした場合の結果を示している。
路の構造を適用した半導体アレイ導波路回折格子の透過
波長特性を表すグラフであり、コア層として組成波長
１．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰ、クラッド層としてＩｎ
Ｐ、アンダクラッド層の加工深さｄe ＝０．５μｍ、導
波路幅ｗ＝２．６μｍとした場合の結果を示している。
【００５６】図５からわかるように、本発明によるハイ
メサ形の光導波路の構造を適用した半導体アレイ導波路
回折格子によれば、０次モードによる透過ピークＳ0 の
みが現れ、図７に示した従来の半導体アレイ導波路回折
格子で現れた高次モードの影響によるゴーストイメージ
のピークＳH を抑制することができるので、クロストー
クを大幅に改善することができ、特性を大幅に向上させ
ることができる。
メサ形の光導波路の構造を適用した半導体アレイ導波路
回折格子によれば、０次モードによる透過ピークＳ0 の
みが現れ、図７に示した従来の半導体アレイ導波路回折
格子で現れた高次モードの影響によるゴーストイメージ
のピークＳH を抑制することができるので、クロストー
クを大幅に改善することができ、特性を大幅に向上させ
ることができる。
【００５７】なお、本実施の形態では、光通信の分野で
使用する材料として重要なＩｎＰ系の半導体材料を使用
した場合について説明したが、これ以外にも、例えば、
Ｓｉ系やＧａＡｓ系の半導体材料や、石英等のガラス材
料や、ポリイミド等のポリマ材料や、ニオブ酸リチウム
等の誘導体結晶材料等のような他の材料を用いたハイメ
サ形の光導波路にも適用することができる。
使用する材料として重要なＩｎＰ系の半導体材料を使用
した場合について説明したが、これ以外にも、例えば、
Ｓｉ系やＧａＡｓ系の半導体材料や、石英等のガラス材
料や、ポリイミド等のポリマ材料や、ニオブ酸リチウム
等の誘導体結晶材料等のような他の材料を用いたハイメ
サ形の光導波路にも適用することができる。
【００５８】このような上述したＩｎＰ系の半導体材料
以外の材料を適用する場合には、屈折率がＩｎＰ系の半
導体材料の場合と異なるため、適用する材料の屈折率を
考慮して、コア層の厚さｄcoreやアンダクラッド層の加
工深さｄe を換算する、すなわち、使用する波長の光が
実効的に感じる屈折率（等価屈折率）をコア層の厚さｄ
coreやアンダクラッド層の加工深さｄe に乗じて規格化
しておく。
以外の材料を適用する場合には、屈折率がＩｎＰ系の半
導体材料の場合と異なるため、適用する材料の屈折率を
考慮して、コア層の厚さｄcoreやアンダクラッド層の加
工深さｄe を換算する、すなわち、使用する波長の光が
実効的に感じる屈折率（等価屈折率）をコア層の厚さｄ
coreやアンダクラッド層の加工深さｄe に乗じて規格化
しておく。
【００５９】具体的には、基本モードの伝播損失が増大
しないように、光導波路の基本モードにおける等価屈折
率を基板の屈折率よりも大きくすると共に、光導波路の
高次モードの等価屈折率を基板の屈折率よりも小さく設
定し、さらに、高次モードによる影響を２０ｄＢ以下に
抑制するため、高次モードの伝播損失が、導波路長で２
０ｄＢを除した値以上の大きさとなるように、コア層の
厚さｄcoreやアンダクラッド層の加工深さｄe を設定す
るのである。
しないように、光導波路の基本モードにおける等価屈折
率を基板の屈折率よりも大きくすると共に、光導波路の
高次モードの等価屈折率を基板の屈折率よりも小さく設
定し、さらに、高次モードによる影響を２０ｄＢ以下に
抑制するため、高次モードの伝播損失が、導波路長で２
０ｄＢを除した値以上の大きさとなるように、コア層の
厚さｄcoreやアンダクラッド層の加工深さｄe を設定す
るのである。
【００６０】より具体的には、コア層の厚さｄcoreと光
導波路の等価屈折率との積が２．３［μｍ］以下となる
ように設定すると共に、アンダクラッド層の加工深さｄ
e と光導波路の等価屈折率との積が３．２［μｍ］以下
となるように設定し、さらに、偏波無依存化のため、コ
ア層と前記クラッド層との比屈折率差を３．５％以下と
なるように設定するのである。
導波路の等価屈折率との積が２．３［μｍ］以下となる
ように設定すると共に、アンダクラッド層の加工深さｄ
e と光導波路の等価屈折率との積が３．２［μｍ］以下
となるように設定し、さらに、偏波無依存化のため、コ
ア層と前記クラッド層との比屈折率差を３．５％以下と
なるように設定するのである。
【００６１】このようにすることにより、上述したＩｎ
Ｐ系の半導体材料以外の材料を適用する場合であって
も、本実施の形態の場合と同様にして適用することがで
きる。
Ｐ系の半導体材料以外の材料を適用する場合であって
も、本実施の形態の場合と同様にして適用することがで
きる。
【００６２】なお、ＩｎＰ系の半導体材料の場合、通
常、クラッド層にＩｎＰを使用するため、本実施の形態
では、クラッド層にＩｎＰを使用したが、これ以外に
も、例えば、ＩｎＰやＩｎＧａＡｓＰに不純物をドーピ
ングしたり、組成波長を全体にシフトしたりすることに
より、屈折率を全体にシフトさせるようにしたハイメサ
形の光導波路にも同様に適用することができる。
常、クラッド層にＩｎＰを使用するため、本実施の形態
では、クラッド層にＩｎＰを使用したが、これ以外に
も、例えば、ＩｎＰやＩｎＧａＡｓＰに不純物をドーピ
ングしたり、組成波長を全体にシフトしたりすることに
より、屈折率を全体にシフトさせるようにしたハイメサ
形の光導波路にも同様に適用することができる。
【００６３】また、本実施の形態では、コア層、アンダ
クラッド層、オーバクラッド層をそれぞれ一層とした
が、本発明は、これに限らず、例えば、多重量子井戸構
造等のような積層構造であっても適用することができ、
本実施の形態の場合と同様な効果を得ることができる。
クラッド層、オーバクラッド層をそれぞれ一層とした
が、本発明は、これに限らず、例えば、多重量子井戸構
造等のような積層構造であっても適用することができ、
本実施の形態の場合と同様な効果を得ることができる。
【００６４】なお、本明細書では、Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓ
y Ｐ1-x （ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｘ≦１）を単にＩ
ｎＧａＡｓＰと記載している。ここで、上記ｘ，ｙは、
ＩｎＰとの格子整合性やバンドギャップ等の条件により
適宜選定される値である。
y Ｐ1-x （ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｘ≦１）を単にＩ
ｎＧａＡｓＰと記載している。ここで、上記ｘ，ｙは、
ＩｎＰとの格子整合性やバンドギャップ等の条件により
適宜選定される値である。
【００６５】
【発明の効果】本発明の光導波路によれば、高次モード
の抑制により、良好な特性を発現させることができ、特
に、半導体アレイ導波路格子のクロストーク特性の向上
等を図ることができるので、半導体アレイ導波路格子
や、半導体アレイ導波路格子と能動光デバイスとをモノ
リシック集積した高機能モノリシック集積デバイス等の
ような波長多重通信システムの進展のための重要な光デ
バイスを得ることができる。
の抑制により、良好な特性を発現させることができ、特
に、半導体アレイ導波路格子のクロストーク特性の向上
等を図ることができるので、半導体アレイ導波路格子
や、半導体アレイ導波路格子と能動光デバイスとをモノ
リシック集積した高機能モノリシック集積デバイス等の
ような波長多重通信システムの進展のための重要な光デ
バイスを得ることができる。
【図１】本発明による光導波路の実施の形態の概略構造
図である。
図である。
【図２】ハイメサ形の光導波路のコア層の厚さｄcoreと
基本モードの伝播損失との関係を表すグラフである。
基本モードの伝播損失との関係を表すグラフである。
【図３】偏波無依存となる導波路幅ｗにおける、導波路
複屈折率Ｂの導波路幅に関する微分係数∂Ｂ／∂ｗを比
屈折率差Δの関数で表したグラフである。
複屈折率Ｂの導波路幅に関する微分係数∂Ｂ／∂ｗを比
屈折率差Δの関数で表したグラフである。
【図４】ハイメサ形の光導波路のコア層の厚さｄcoreご
との、アンダクラッド層の加工深さｄe と高次モードの
伝播損失との関係を表すグラフである。
との、アンダクラッド層の加工深さｄe と高次モードの
伝播損失との関係を表すグラフである。
【図５】本発明によるハイメサ形の光導波路の構造を適
用した半導体アレイ導波路回折格子の透過波長特性を表
すグラフである。
用した半導体アレイ導波路回折格子の透過波長特性を表
すグラフである。
【図６】従来の光導波路の一例の概略構造図である。
【図７】従来のハイメサ形の半導体アレイ導波路回折格
子の透過波長特性を表すグラフである。
子の透過波長特性を表すグラフである。
１０ 光導波路
１１ 基板
１２ アンダクラッド層
１３ コア層
１４ オーバクラッド層
ｄcore コア層の厚さ
ｄe アンダクラッド層の厚さ（加工深さ）
ｗ 導波路幅
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 吉國 裕三
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
Ｆターム(参考） 2H047 KA05 LA21 PA05 PA06 PA13
PA14 PA24 QA02 RA08 TA17
TA36 TA42
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に突出するように設けられたアン
ダクラッド層と、 前記アンダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッ
ド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、 前記コア層上に設けられて当該コア層よりも小さい屈折
率を有するオーバクラッド層とを備えた凸状構造をなす
ハイメサ形の光導波路において、 前記コア層の厚さが０．４〜０．７μｍに設定され、 前記アンダクラッド層の厚さが１μｍ以下に設定されて
いることを特徴とする光導波路。 - 【請求項２】 基板上に突出するように設けられたアン
ダクラッド層と、 前記アンダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッ
ド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、 前記コア層上に設けられて当該コア層よりも小さい屈折
率を有するオーバクラッド層とを備えた凸状構造をなす
ハイメサ形の光導波路において、 基本モードの等価屈折率が前記基板の屈折率よりも大き
く設定され、 高次モードの等価屈折率が前記基板の屈折率よりも小さ
く設定され、 高次モードの伝播損失が、２０ｄＢを導波路長で除した
値以上の大きさに設定されていることを特徴とする光導
波路。 - 【請求項３】 基板上に突出するように設けられたアン
ダクラッド層と、 前記アンダクラッド層上に設けられて当該アンダクラッ
ド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、 前記コア層上に設けられて当該コア層よりも小さい屈折
率を有するオーバクラッド層とを備えた凸状構造をなす
ハイメサ形の光導波路において、 等価屈折率と前記アンダクラッド層の厚さとの積が３．
２μｍ以下に設定され、 等価屈折率と前記コア層の厚さとの積が２．３μｍ以下
に設定され、 前記コア層と前記アンダクラッド層との比屈折率差が
３．５％以下に設定されていることを特徴とする光導波
路。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかにおい
て、 前記アンダクラッド層、前記コア層、前記オーバクラッ
ド層が、半導体材料からなることを特徴とする光導波
路。 - 【請求項５】 請求項４において、 前記アンダクラッド層および前記オーバクラッド層がＩ
ｎＰからなり、 前記コア層が組成波長１．１μｍ以下となるＩｎＧａＡ
ｓＰからなることを特徴とする光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002004307A JP2003207665A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 光導波路 |
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|---|---|---|---|
| JP2002004307A JP2003207665A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003207665A true JP2003207665A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27643663
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|---|---|---|---|
| JP2002004307A Pending JP2003207665A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 光導波路 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117539A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 |
| JP2009170710A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積素子および光集積素子の製造方法 |
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