JP3349950B2 - 波長分波回路 - Google Patents
波長分波回路Info
- Publication number
- JP3349950B2 JP3349950B2 JP09242698A JP9242698A JP3349950B2 JP 3349950 B2 JP3349950 B2 JP 3349950B2 JP 09242698 A JP09242698 A JP 09242698A JP 9242698 A JP9242698 A JP 9242698A JP 3349950 B2 JP3349950 B2 JP 3349950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wavelength
- wavelength demultiplexing
- demultiplexing circuit
- waveguide region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
し、特に光通信、光制御などに用いられ、波長多重光伝
送方式などに用いて好適な平面型光集積回路に関する。
重された複数の信号光を、分波する、あるいは複数の信
号光を1本の導波路に合波する機能のデバイスが不可欠
である。そのような機能を有する光デバイスとして、ア
レイ導波路格子を用いた素子(以下、「AWG」(Arr
ay Wave Guide)という)が有力視されている。そ
の一例として、高橋らによって、1992年発行の電子
情報通信学会春季大会予稿第4分冊の第272頁に開示
されたAWGの平面構造を図13に示す。
いては、Si基板からなる導波路基板51上に石英系の
光導波路を形成しており、11本の入力光導波路52、
凹面構造のスラブ導波路からなる入力側スターカップラ
53、アレイ導波路格子54、出力側スターカップラ5
5、及び、出力導波路56を備えている。11本の入力
導波路52の内の1本の導波路から入力された、波長の
異なる複数の信号光は、アレイ導波路格子部54で波長
によって決定される位相シフトを受け、異なる出力ポー
トに出力される。すなわち、波長多重された信号光を分
波することができる。
い、1.5μm波長帯において、周波数間隔10GH
z、チャンネル数11の合分波器を製作し、クロストー
ク−14dB、挿入損失8dB、3dB透過帯域幅6.
5GHzの特性を得ている。比屈折率差は75%、基板
サイズは4cm×6cmである。なお、同様のAWG素
子は、例えば特公平7−117612号公報にも開示さ
れている。
た従来のAWG素子は下記記載の問題点を有している。
る、ということである。その理由は、光の進む進路一つ
一つに、個別に導波路を作成する必要があり、各導波路
の曲げ半径に制限があるからである。
難である、ということである。その理由は、導波路を構
成するコアとクラッドの屈折率差をいくら大きくしても
ある程度の光信号の染み出しを避けられず、また上記サ
イズの制限からしても、導波路ピッチを十分大きくとる
ことは不可能である、からである。
てなされたものであって、その目的は、サイズの小型化
を達成し、高速化、伝送効率等の素子特性、性能向上を
図り、高集積化に好適とされる波長分波回路を提供する
ことにある。
明は、波長一つ一つに導波路を形成することなく、基板
自体に波長偏向特性を持たせるようにしたものである。
より詳細には、本発明の波長分波回路は、基板自体に、
全体的に2次元格子状に屈折率の異なる媒質からなる周
期構造が形成されており、前記基板は、高次モードが出
現せずにシングルモードを保ちながら光信号が前記基板
内に十分に閉じ込められる所定の光閉じ込め率に対応し
た基板厚とされており、前記2次元周期配置によって光
の波長分散特性が制御される、構成とされている。
いて以下に説明する。本発明の波長分波回路は、その好
ましい実施の形態において、基板自体に、全体的に2次
元格子状に屈折率の異なる媒質からなる周期構造が形成
されている。基板の周期構造により、2次元状のフォト
ニック結晶が形成され、これにより、屈折率分散の異方
性が生じる。
長の光を同一進路で入射しても、異なる進路で伝播する
ようになる。つまり、通常の光学結晶のプリズム効果に
似た振る舞いを示す。
晶に比べ、格段に大きな偏向特性が得られると共に、吸
収を伴わないという点で、実際のデバイスに利用でき
る。
て説明する。図1は、本発明に係る波長分波回路の好ま
しい実施の形態の概略構成を模式的に示す分解斜視図で
ある。
は、その好ましい実施の形態において、基板1の両面
を、第一のクラッド2及び第二のクラッド3で挟み込ん
だ構造となっている。そして、基板1は、背景媒質4に
原子媒質5を2次元三角配置状に周期的に埋め込んだ構
造とされている。
に平行に切断した平面形状を示す図である。図2を参照
すると、光信号の入射面6は、入射方向に対して一定の
角度で傾いており、出射面7から出力される構造とされ
ている。
合わせて設計されており、基板1の厚さは、光信号が基
板1内に十分閉じ込められ、かつ、光の進行方向が基板
面から大きく逸れないように設計されている。
図10を参照して説明する。
に入射した後、波長毎に別れて伝播光9となって進行す
る。出射光10は、図示のごとく、ほぼ等間隔に出射さ
れる。この原理については、以下の実施例で詳しく説明
する。
に説明する。図3は、本発明の一実施例を説明するため
の図であり、基板を、クラッドと対向する面に平行に切
断した平面の具体的構成を示す図である。なお、本発明
の一実施例の波長分波回路の全体の構成は、図1に示し
た構成と同一である。
いては、基板1において、背景媒質4をSi(シリコ
ン)とし、原子媒質5を空気とする。つまり、基板1
を、Si基板中に貫通穴を設けて構成したものである。
り、原子媒質5の形状は円柱状(図1参照)とし、開口
径0.77μmであり、そのアスペクト比は2.6とな
る。このアスペクト比であれば、原子媒質5をなす貫通
穴は、エッチング加工による作製も可能である。そして
原子媒質5の配列ピッチは0.83μmピッチとする。
そして、図1に示すように、この基板1の両面に、クラ
ッド2及び3となる十分な厚さのSiO2を貼り付け
る。
状とし、光入射面をJ面(図3に示した、逆格子空間の
J点方向に垂直な面)に、光出射面をX面(図中のBri
llouin Zone;ブリルアンゾーン参照)にとる。結晶
長は1mmとする。
する。
示した、この結晶構造で得られるフォトニックバンド構
造を、図4に示す。ここでは、磁場の偏波面がSi面内
にあるTMモードのみを示しており、これを例に説明す
る。
射する光の分散直線(ω=ck)であり、Γ―X間では
結晶内の分散曲線と2点で交差する。ここではより微係
数の小さい下から3番目の分枝(実線で示す)を用い
る。この分枝は、電子系との類似性から、“Heavy
Photon”(ヘヴィフォトン;重い光子)と呼ば
れる。図5に、この分枝の拡大詳細図を示す。
り結晶内でのビーム伝播特性が得られる。図8に、反射
率(Refrective Index)の波長(Wavelength)依存
性を、図6に伝播角(Angle)の波長依存性を、また図
9に結晶長1mmの出射端での空間分布(縦軸は距離μ
m)を示す。図9に示すように、波長1.5μmを中心
としてほぼリニアな空間分布特性が得られており、結晶
長の半分に相当する500μmの分布幅が得られる。
ら得られる。
スネルの式から、次式(3)で与えられる。
れる。
は、屈折率nとの関係で、次式(4)によって与えられ
る。
点に近いほど高い透過率を示す。透過率(Transmisivi
ty)の計算結果は、図7に示すように、1.49μmか
ら1.51μmの全波長域で90%以上となる。
子を、図10に示す。図10を参照すると、出射端に、
125μmピッチでファイバを配列した場合で5波、導
波路に導入するとして25μmピッチを想定すると、2
5波のWDM(WavelengthDivision Multiplex)ス
プリッターを実現できることになる。
ため、実際の伝播方向でのバンド構造を反映させなくて
はならないが、三角格子ではバンド構造がほぼ等方的で
あり近似的に正しい解が得られる。
ニック結晶を2次元系として扱うことが出来るために
は、層方向に、平面波であるものとして近似できなくて
はならない。つまり、伝播角が面内からあまり逸れては
ならない。また、フォトニックバンドを形成するには屈
折率差の大きいことが重要であるから、スラブへの光閉
じ込めが弱いと、実効的に平均化され、顕著な効果が得
られない。これらを考慮して最適なスラブ厚を導出する
必要がある。厳密には3次元構造を正確に取り込む必要
があるが、本解析では、変数分離が可能であるとして、
近似的に以下のように仮定する。
グ:0.1以下。 ・スラブ内の電磁場分布は均一分布。
件を以下順に説明する。
フォトニック結晶の特異的な屈折率分散は、屈折率差の
大きい媒質を周期的に並べることにより得られる。従っ
て、このコントラストを落とすことのないよう、Siス
ラブへの光閉じ込め率を高く保つ必要がある。
規格化した規格化膜厚Dを以下の様に定義する。
クラッドの誘電率を、λ0は真空中の波長を示す。
数(confinement factor)Γは、図11に示すような
関係を示す。
じ込め率を、Γ(n=1)は第一高次モードの光閉じ込
め率を表す。規格化膜厚Dの増加にしたがって閉じ込め
は徐々に増加していくが、D=3.2で高次モードが出
現し、多モード状態となる。この関係より、シングルモ
ードを保ちながら閉じ込め率70%以上得るためには、
次式(8)が必要条件となる。
2次元結晶ではTEとTMはそれぞれ場の固有モードと
なっており、カップリングはなく近似は入らない。ただ
し、現実の系では面内から逸れたビーム(Out of Plan
e Propagation)も考慮する必要があり、厳密には確か
にこのカップリングがある程度生じる。これを抑制する
には伝播角をできるだけ面内に揃える必要がある。
屈折率分布で規格化した規格化伝播角Φ1/2を次式
(9)のように定義する。
存性は、図12のようになることが示される。
り、Dは2.0から3.2であることから、Φ1/2は、
次式(10)となる。
とるには、δεをできるだけ小さく設計する必要があ
る。sinθ1/2はTE波とTM波の結合係数を表すの
で、これを0.1以下に制限すると、上式(9)及び
(10)より、次式(11)が得られる。
1.46とすると、フォトニック結晶の屈折率は1.4
8以下でなければならないことになる。以下に説明する
ように、屈折率を1.48に設計できるとして、実際の
膜厚dは、次式(12)のようになる。
Si基板を三角格子配列で円筒状にくり貫いたフォトニ
ック結晶では、半導体中の空気の充填率(filing facto
r:ff)は、次式(13)で表せる。
0.83μmである。
実効屈折率neffは、この充填率ffを用いて、次式
(14)で与えられる。
の屈折率で3.24である。
の条件とすればよいことがわかる。
以上あれば十分であることが分かる。
記実施例では、Si中に空気貫通穴を設ける構成で説明
したが、その他にも、例えば穴中にSiO2を埋める、
あるいはSi基板に、酸化などの方式で、SiO2など
の屈折率の異なる媒質を形成するようにしてもよい。
ど、他の材料を用いても作製可能である。
や、クラッド材料をSiO2以外の他の材料としたり、
貼り付けではなくクラッド上に基板材料を直接、結晶成
長などの方法で形成することも可能である。
明したが、正方格子など他の格子配列でも可能であり、
またより偏向特性を向上するために、格子配列中に意図
的に不均一性を導入するようにしてもよい。
記記載の効果を奏する。
集積化を達成すると共に、高速化、伝送効率向上などの
特性・性能を向上することができる、ということであ
る。
大きく取れ、サイズが小さくなるため、伝送距離も短く
なり、分岐損失も小さいためであるである。
る、ということである。
ズが小さくなり、同一面積のウエハから得られる素子数
が多くなるからである。
略を示す図である。
板部の断面を模式的に示す図である。
基板の断面を模式的に示す図である。
波長分波回路で得られるフォトニックバンド構造であ
る。
解析で用いるΓ−X間の下から3番目の分枝の分散関係
詳細を示す図である。
結晶内伝播光の伝播角の波長依存性を示す図である。
入射光の結晶内への透過率の波長依存性を示す図であ
る。
反射率の波長依存性を示す図である。
結晶長を1mmとした時の伝播光出射位置の波長依存性
を示す図である。
り、空間伝播の様子を示す図である。
り、閉じ込め係数Γと規格化膜厚Dの関係を示す図であ
る。
り、規格化伝播角と規格化膜厚の関係を示す図である。
る。
Claims (12)
- 【請求項1】波長に応じて伝送経路を切り分ける波長分
波回路において、 導波領域をなす基板内に、該基板と屈折率の異なる媒質
を2次元周期的に配置することでフォトニック結晶が形
成され、 前記基板は、高次モードが出現せずにシングルモードを
保ちながら光信号が前記基板内に十分に閉じ込められる
所定の光閉じ込め率に対応した基板厚とされており、前記フォトニック結晶の示すフォトニックバンド構造に
おいて、ブリルアンゾーン内の波数に関する規格化周波
数の微係数が真空中における光の微係数よりも小さな
“重い光子状態”と呼ばれている分枝を用いることによ
り、波長分波が行われる 、ことを特徴とする波長分波回
路。 - 【請求項2】請求項1記載の波長分波回路において、2
次元周期配列を、三角格子状とすることにより、前記重
い光子状態を作り出す、ことを特徴とする波長分波回
路。 - 【請求項3】前記基板に2次元周期的な貫通穴を配設す
ることで屈折率の差が設けられている、ことを特徴とす
る請求項1又は2記載の波長分波回路。 - 【請求項4】前記貫通穴がエッチング加工によって形成
されていることを特徴とする請求項3記載の波長分波回
路。 - 【請求項5】前記基板の両面を低屈折率の材料で挟み、
機械強度を保ちつつ伝播モードを2次元面内に制御して
ある、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に
記載の波長分波回路。 - 【請求項6】層構成の導波領域をなす背景媒質中に、該
背景媒質と屈折率の異なる媒質を、二次元的に複数個所
定のピッチで配設することで屈折率の波長分散異方性を
有する導波領域層を構成し、前記導波領域層は、入射面
をなす前記導波領域層側面からの入射光が層内に十分に
閉じ込められるとともに、高次モードが出現せずにシン
グルモードを保ちながら所定の光閉じ込め率以上となる
ような層厚とされており、前記導波領域層の結晶構造で得られるフォトニックバン
ド構造において、ブリルアンゾーン内の波数に関する規
格化周波数の微係数が真空中における光の微係数よりも
小さな“重い光子状態”と呼ばれている分枝を用いるこ
とにより、波長分波が行われ 、 前記導波領域層への入射光が前記導波領域中で波長に応
じてその伝送経路を変える、ことを特徴とする波長分波
回路。 - 【請求項7】導波領域をなす基板に、該基板表面からみ
て、2次元格子状に、前記基板と屈折率の異なる媒質を
複数配設することで、前記基板自体に波長偏向特性を持
たせ、前記導波領域をなす基板は、前記基板への入射光
が前記基板内に十分に閉じ込められるとともに、高次モ
ードが出現せずにシングルモードを保ちながら所定の光
閉じ込め率以上となるような基板厚とされており、前記導波領域の結晶構造で得られるフォトニックバンド
構造において、ブリルアンゾーン内の波数に関する規格
化周波数の微係数が真空中における光の微係数よりも小
さな“重い光子状態”と呼ばれている分枝を用いること
により、波長分波が行われ 、 前記基板に入射した光が波長に応じて前記基板中でその
伝送経路を変える、ことを特徴とする波長分波回路。 - 【請求項8】前記基板中に設けられる前記屈折率の異な
る媒質が、所定間隔で二次元周期的に配設されている、
ことを特徴とする請求項7記載の波長分波回路。 - 【請求項9】前記基板の一の側面を入射面とし、前記入
射面が前記入射光と、所定の角度をなし、前記入射面と
対向する他側の側面を出射面とする、ことを特徴とする
請求項7記載の波長分波回路。 - 【請求項10】前記基板の厚さは、前記基板への入射光
がシングルモードを保ちながら前記基板内に十分閉じ込
められ、かつ、その進行方向が前記基板面から大きく逸
れないように設定されている、ことを特徴とする請求項
7記載の波長分波回路。 - 【請求項11】前記基板中に設けられる前記屈折率の異
なる媒質が、前記基板表面から裏面側へ貫通する孔中の
空気、もしくは前記孔に、前記基板と屈折率の異なる部
材を充填して構成されている、ことを特徴とする請求項
7記載の波長分波回路。 - 【請求項12】前記導波領域の表面と裏面のそれぞれに
当接するクラッド層を備えたことを特徴とする請求項6
乃至11のいずれか一に記載の波長分波回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09242698A JP3349950B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 波長分波回路 |
US09/271,824 US6188819B1 (en) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | Wavelength dividing circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09242698A JP3349950B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 波長分波回路 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002182995A Division JP2003043277A (ja) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | 波長分波回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11271541A JPH11271541A (ja) | 1999-10-08 |
JP3349950B2 true JP3349950B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=14054116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09242698A Expired - Fee Related JP3349950B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 波長分波回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6188819B1 (ja) |
JP (1) | JP3349950B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110174725A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-27 | 北京理工大学 | 一种基于平面矩形柱结构的片上波长路由器件 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002071982A (ja) | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光素子、光偏向素子、光合波素子及び走査装置 |
EP1231488B1 (en) | 2001-02-09 | 2010-03-31 | Panasonic Corporation | Optical device |
US6822784B2 (en) * | 2001-03-22 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Works, Ltd | Light-beam deflecting device with photonic crystal, optical switch using the same, and light-beam deflecting method |
US6735354B2 (en) * | 2001-04-04 | 2004-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device |
US20020197042A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-12-26 | Shigeo Kittaka | Optical device, and wavelength multiplexing optical recording head |
JP4557119B2 (ja) | 2001-08-06 | 2010-10-06 | 日本電気株式会社 | 波長分波器 |
US6611085B1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-08-26 | Sandia Corporation | Photonically engineered incandescent emitter |
JP4639558B2 (ja) * | 2001-09-07 | 2011-02-23 | 株式会社島津製作所 | マイクロウエルチップ |
US6707597B2 (en) | 2001-09-17 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method for producing photonic crystal |
JP2003215367A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光デバイス |
JP3860782B2 (ja) | 2002-03-18 | 2006-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 光デバイス |
JP4128382B2 (ja) | 2002-03-25 | 2008-07-30 | 富士フイルム株式会社 | 光偏向素子 |
JP4078527B2 (ja) | 2002-03-26 | 2008-04-23 | 日本電気株式会社 | 1次元フォトニック結晶への反射防止膜の構造およびその形成方法 |
US6825982B1 (en) | 2002-06-27 | 2004-11-30 | The United States Of Americas As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Strongly-refractive one-dimensional photonic crystal prisms |
AU2003264952A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical deflector based on photonic bandgap structure |
WO2004031821A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of controlling optical characteristic of optical element and optical device |
EP2233564A3 (en) * | 2002-10-30 | 2012-11-21 | Hitachi, Ltd. | Cell culture sheet comprising a functional substrate with a group of columnar micro-pillars and its manufacturing method |
US7349612B2 (en) * | 2003-01-28 | 2008-03-25 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Optical element, optical circuit provided with the optical element, and method for producing the optical element |
US20040240784A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-02 | General Electric Company | Apparatus for coupling electromagnetic energy and method of making |
JP4539050B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2010-09-08 | パナソニック電工株式会社 | フォトニック結晶に光線を入射させる際の入射角の決定方法 |
FR2861854B1 (fr) * | 2003-10-30 | 2006-01-13 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de couplage-decouplage de lumiere selectif en frequence |
US7440654B2 (en) * | 2003-11-28 | 2008-10-21 | Mcgill University | Wavelength multiplexer/demultiplexer comprising an optically dispersive stratified body |
JP3917164B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-23 | 松下電器産業株式会社 | 分波器および合波器 |
TWI237136B (en) * | 2003-12-26 | 2005-08-01 | Ind Tech Res Inst | Power polarization beam combiner and its application in fiber-communication |
DE102004024131B4 (de) * | 2004-05-14 | 2007-04-12 | Julius-Maximilians-Universität Würzburg | Wellenleiter auf der Basis photonischer Kristalle |
TWI263063B (en) * | 2004-12-31 | 2006-10-01 | Ind Tech Res Inst | A super-resolution optical component and a left-handed material thereof |
JP2007109689A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光素子の製造方法及び画像表示装置 |
US8319821B2 (en) * | 2007-06-05 | 2012-11-27 | Tandent Vision Science, Inc. | Polarization-based shadow detection |
US10718901B2 (en) | 2013-06-26 | 2020-07-21 | Micron Technology, Inc. | Photonic device having a photonic crystal lower cladding layer provided on a semiconductor substrate |
US10698291B2 (en) * | 2018-05-22 | 2020-06-30 | Quanergy Systems, Inc. | Integrated phased array for two dimensional beem steering through constructive interference by light emitting structures comprising select elements on a two-dimensional lattice |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07117612A (ja) | 1993-10-28 | 1995-05-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | ステアリングホイール |
US5940548A (en) * | 1996-07-10 | 1999-08-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Guided-wave circuit with optical characteristics adjusting plate, method for producing it, and apparatus for producing optical characteristics adjusting plate |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP09242698A patent/JP3349950B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-18 US US09/271,824 patent/US6188819B1/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Optics Lett.,21〔21〕,pp.177−1773(1996) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110174725A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-27 | 北京理工大学 | 一种基于平面矩形柱结构的片上波长路由器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6188819B1 (en) | 2001-02-13 |
JPH11271541A (ja) | 1999-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3349950B2 (ja) | 波長分波回路 | |
US6243516B1 (en) | Merging optical waveguides having branch angle within a specific range | |
US6618535B1 (en) | Photonic bandgap device using coupled defects | |
US8699836B2 (en) | Optical coupler | |
US8064741B2 (en) | Optical coupling device | |
US5841929A (en) | Light wavelength filtering circuit and manufacturing method thereof | |
US8682120B2 (en) | Polarization-independent grating optical coupler | |
US20110142396A1 (en) | Athermal silicon photonics array waveguide grating (awg) employing different core geometries in the array waveguides | |
JP3881666B2 (ja) | ヘテロ構造を有するフォトニック結晶及びそれを用いた光デバイス | |
JPWO2008084584A1 (ja) | 光導波路素子および偏光分離方法 | |
US20100172615A1 (en) | Coupling Device with Compensated Birefringence | |
WO2000011508A1 (en) | Array waveguide diffraction grating optical multiplexer/demultiplexer | |
JP3615069B2 (ja) | アレイ導波路回折格子型光合分波器 | |
JPH08304664A (ja) | 波長分波素子 | |
US20030206681A1 (en) | Integrating element for optical fiber communication systems based on photonic multi-bandgap quasi-crystals having optimized transfer functions | |
US20030206694A1 (en) | Photonic multi-bandgap lightwave device and methods for manufacturing thereof | |
US6892004B1 (en) | Optical coupling arrangement having low coupling loss and high production yield | |
JP2007148290A (ja) | 方向性光結合器 | |
JP4457296B2 (ja) | 光遅延回路、集積光素子および集積光素子の製造方法 | |
JP2003043277A (ja) | 波長分波回路 | |
Kawakami et al. | 3-D photonic-crystal heterostructures: fabrication and in-line resonator | |
JP2003207665A (ja) | 光導波路 | |
Ohmori et al. | Integrated-optic add/drop multiplexing of free-space waves for intra-board chip-to-chip optical interconnects | |
JP5290928B2 (ja) | 光半導体装置の作製方法 | |
US7224868B2 (en) | Radiation-free optical cavity |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010731 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120913 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130913 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |