JP5957855B2 - 半導体集積素子 - Google Patents
半導体集積素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5957855B2 JP5957855B2 JP2011254112A JP2011254112A JP5957855B2 JP 5957855 B2 JP5957855 B2 JP 5957855B2 JP 2011254112 A JP2011254112 A JP 2011254112A JP 2011254112 A JP2011254112 A JP 2011254112A JP 5957855 B2 JP5957855 B2 JP 5957855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- ridge
- semiconductor
- waveguide
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 326
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 177
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12097—Ridge, rib or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
Claims (2)
- 所定の方向に順に配列された第1の部分、第2の部分及び第3の部分を有する基板と、
前記第1の部分の上に設けられ、第1の導波路を有する発光素子部と、
前記第2の部分の上に設けられ、第2の導波路を有する導波部と、
前記第3の部分の上に設けられ、第3の導波路を有する光変調素子部と、
を備え、
前記第1の導波路は、III−V族化合物半導体からなり光を発生するための第1のコア層を含む第1の基部と、前記第1の基部の上に設けられ前記所定の方向に延びる第1のリッジ部とを有し、
前記第2の導波路は、III−V族化合物半導体からなる第2のコア層を含む第2の基部と、前記第2の基部の上に設けられ前記所定の方向に延びる第2のリッジ部とを有し、
前記第3の導波路は、III−V族化合物半導体からなり光を変調するための第3のコア層を含み前記所定の方向に延びるストライプメサを有し、
前記基板の前記第1の部分は、前記所定の方向に交差する方向に順に配列された第1の領域、第2の領域、及び第3の領域を含み、
前記基板の前記第2の部分は、前記所定の方向に交差する方向に順に配列された第4の領域、第5の領域、及び第6の領域を含み、
前記第1の基部及び前記第1のコア層は、前記第1の領域、前記第2の領域、及び前記第3の領域の上に設けられ、
前記第1のリッジ部は、前記第2の領域、及び前記第1の基部の上に設けられ、
前記第2の基部及び前記第2のコア層は、前記第4の領域、前記第5の領域、及び前記第6の領域の上に設けられ、
前記第2のリッジ部は、前記第5の領域、及び前記第2の基部の上に設けられ、
前記第2の基部の一端及び前記第2のリッジ部の一端は、それぞれ、前記第1の部分と前記第2の部分との境界上において前記第1の基部及び前記第1のリッジ部に接続され、
前記第2のリッジ部の他端は、前記第2の部分と前記第3の部分との境界上において前記ストライプメサに接続され、
前記第2のコア層は、バットジョイントされた状態で前記第1のコア層に接合されていると共に、第3のコア層と一体に形成されており、
前記第1のコア層と前記第2のコア層とのバットジョイント接合部は、前記第1の部分と前記第2の部分との境界上に位置しており、
前記第2のリッジ部の他端と前記ストライプメサとの接続部と、前記バットジョイント接合部とは、前記基板上の異なる位置に配置されており、
前記第1のリッジ部の幅は、前記所定の方向に沿って第1の幅で略一定であり、
前記ストライプメサの幅は、前記第1の幅よりも狭い第2の幅で前記所定の方向に沿って略一定であり、
前記第2のリッジ部は、前記一端を含む第1のリッジ領域と、前記他端を含む第2のリッジ領域とからなり、
前記第1のリッジ領域の幅は、前記所定の方向に沿って前記第1の幅から前記第2の幅まで狭まっており、
前記第2のリッジ領域の幅は、前記所定の方向に沿って前記第2の幅で略一定である、
ことを特徴とする半導体集積素子。 - 所定の方向に順に配列された第1の部分、第2の部分及び第3の部分を有する基板と、
前記第1の部分の上に設けられ、第1の導波路を有する発光素子部と、
前記第2の部分の上に設けられ、第2の導波路を有する導波部と、
前記第3の部分の上に設けられ、第3の導波路を有する光変調素子部と、
を備え、
前記第1の導波路は、III−V族化合物半導体からなり光を発生するための第1のコア層を含む第1の基部と、前記第1の基部の上に設けられ前記所定の方向に延びる第1のリッジ部とを有し、
前記第2の導波路は、III−V族化合物半導体からなる第2のコア層を含む第2の基部と、前記第2の基部の上に設けられ前記所定の方向に延びる第2のリッジ部とを有し、
前記第3の導波路は、III−V族化合物半導体からなり光を変調するための第3のコア層を含み前記所定の方向に延びるストライプメサを有し、
前記基板の前記第1の部分は、前記所定の方向に交差する方向に順に配列された第1の領域、第2の領域、及び第3の領域を含み、
前記基板の前記第2の部分は、前記所定の方向に交差する方向に順に配列された第4の領域、第5の領域、及び第6の領域を含み、
前記第1の基部及び前記第1のコア層は、前記第1の領域、前記第2の領域、及び前記第3の領域の上に設けられ、
前記第1のリッジ部は、前記第2の領域、及び前記第1の基部の上に設けられ、
前記第2の基部及び前記第2のコア層は、前記第4の領域、前記第5の領域、及び前記第6の領域の上に設けられ、
前記第2のリッジ部は、前記第5の領域、及び前記第2の基部の上に設けられ、
前記第2の基部の一端及び前記第2のリッジ部の一端は、それぞれ、前記第1の部分と前記第2の部分との境界上において前記第1の基部及び前記第1のリッジ部に接続され、
前記第2のリッジ部の他端は、前記第2の部分と前記第3の部分との境界上において前記ストライプメサに接続され、
前記第2のコア層は、バットジョイントされた状態で前記第1のコア層に接合されていると共に、第3のコア層と一体に形成されており、
前記第1のコア層と前記第2のコア層とのバットジョイント接合部は、前記第1の部分と前記第2の部分との境界上に位置しており、
前記第2のリッジ部の他端と前記ストライプメサとの接続部と、前記バットジョイント接合部とは、前記基板上の異なる位置に配置されており、
前記第1のリッジ部の幅は、前記所定の方向に沿って第1の幅で略一定であり、
前記第2のリッジ部は、前記一端を含む第1のリッジ領域と、前記他端を含む第2のリッジ領域とからなり、
前記第1のリッジ領域の幅は、前記所定の方向に沿って前記第1の幅で略一定であり、
前記第2のリッジ領域の幅は、前記第1の幅から第2の幅まで前記所定の方向に沿って狭まっており、
前記ストライプメサは、前記第2のリッジ部の前記他端に接続された第1のメサ領域と、前記第1のメサ領域から延びる第2のメサ領域とからなり、
前記第1のメサ領域の幅は、前記第2の幅から第3の幅まで前記所定の方向に沿って狭まっており、
前記第2のメサ領域の幅は、前記所定の方向に沿って前記第3の幅で略一定である、
ことを特徴とする半導体集積素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011254112A JP5957855B2 (ja) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 半導体集積素子 |
US13/680,525 US9341772B2 (en) | 2011-11-21 | 2012-11-19 | Integrated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011254112A JP5957855B2 (ja) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 半導体集積素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013110271A JP2013110271A (ja) | 2013-06-06 |
JP5957855B2 true JP5957855B2 (ja) | 2016-07-27 |
Family
ID=48427051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011254112A Active JP5957855B2 (ja) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 半導体集積素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9341772B2 (ja) |
JP (1) | JP5957855B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9383513B2 (en) * | 2013-07-10 | 2016-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Waveguide structure |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07263655A (ja) | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 光集積回路およびその製造方法 |
JP2842292B2 (ja) * | 1994-09-16 | 1998-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体光集積装置および製造方法 |
JPH09293927A (ja) | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積形半導体レーザ |
JP3716974B2 (ja) | 2000-06-08 | 2005-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
KR20020077567A (ko) * | 2001-04-02 | 2002-10-12 | 한국전자통신연구원 | 광모드 크기 변환기가 결합된 레이저 및 그 제조 방법 |
KR100804371B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2008-02-15 | 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 | 광반도체 소자 및 광반도체 집적회로 |
JP2005286192A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子 |
JP4080503B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2008-04-23 | 中部日本マルコ株式会社 | 非接触コネクタ |
JP4952376B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2012-06-13 | 三菱電機株式会社 | 光導波路と半導体光集積素子の製造方法 |
JP2008053501A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Opnext Japan Inc | 集積光デバイスおよびその製造方法 |
JP2008198944A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujitsu Ltd | 半導体光集積素子 |
JP5047704B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2012-10-10 | 日本オクラロ株式会社 | 光集積素子 |
JP2009194023A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
JP5268733B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2013-08-21 | 富士通株式会社 | 光導波素子とその製造方法、半導体素子、レーザモジュール及び光伝送システム |
JP2014063052A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器の製造方法および光変調器 |
-
2011
- 2011-11-21 JP JP2011254112A patent/JP5957855B2/ja active Active
-
2012
- 2012-11-19 US US13/680,525 patent/US9341772B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130129278A1 (en) | 2013-05-23 |
US9341772B2 (en) | 2016-05-17 |
JP2013110271A (ja) | 2013-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5387671B2 (ja) | 半導体レーザ及び集積素子 | |
JP5897414B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
US7340142B1 (en) | Integrated optoelectronic device and method of fabricating the same | |
JP7267370B2 (ja) | 光半導体素子、光モジュール及び光半導体素子の製造方法 | |
WO2005088791A1 (ja) | 単一モード光ファイバと高い結合効率で結合可能とする半導体レーザ | |
US20130330867A1 (en) | Semiconductor optical integrated device and method for fabricating the same | |
US8929692B2 (en) | Integrated optical device and manufacturing method of the same | |
US20130207140A1 (en) | Semiconductor Optical Element Semiconductor Optical Module and Manufacturing Method Thereof | |
JP5314435B2 (ja) | 集積光デバイス及びその製造方法 | |
JP5957856B2 (ja) | 半導体集積素子 | |
JP6084428B2 (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
KR20080014613A (ko) | 반도체 광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP7134350B2 (ja) | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 | |
JP5957855B2 (ja) | 半導体集積素子 | |
JP2006091880A (ja) | アクティブ構造体に接続する低寄生容量の突合せ接合型パッシブ導波路装置及び方法 | |
JP4151043B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
JP2009038120A (ja) | 半導体光集積素子およびその製造方法 | |
JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2011233828A (ja) | 半導体光素子 | |
US20220206226A1 (en) | Semiconductor optical device and method for manufacturing the same | |
JP2010109215A (ja) | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 | |
JP2010171098A (ja) | 導波路型光機能素子及びその製造方法 | |
JP2022101420A (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
JP2010087209A (ja) | 集積化半導体レーザ及びその製造方法並びに実装方法 | |
JP2021012990A (ja) | 量子カスケードレーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5957855 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |