JP5314435B2 - 集積光デバイス及びその製造方法 - Google Patents
集積光デバイス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5314435B2 JP5314435B2 JP2009005299A JP2009005299A JP5314435B2 JP 5314435 B2 JP5314435 B2 JP 5314435B2 JP 2009005299 A JP2009005299 A JP 2009005299A JP 2009005299 A JP2009005299 A JP 2009005299A JP 5314435 B2 JP5314435 B2 JP 5314435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- mask pattern
- optical
- integrated
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 251
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 110
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 232
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 16
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 abstract description 79
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 25
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
(1)半導体基板または半導体基板上に形成された第一のクラッド層上に、第一の半導体層を形成する工程と、第一の半導体層の一部を覆う第一のマスクパターンを形成する工程と、第一のマスクパターンに覆われていない第一の半導体層を第一のエッチングにより除去する工程と、第一のエッチングにより第一の半導体層を除去した領域に第二の半導体層を形成する工程と、第一の半導体層の全てと第二の半導体層の一部を覆う第二のマスクパターンを形成する工程と、第二のマスクパターンに覆われていない第二の半導体層を第二のエッチングにより除去する工程と、第二のエッチングにより第二の半導体層を除去した領域に第三の半導体層を形成する工程と、上記の工程により形成した第一の半導体層と第二の半導体層と第三の半導体層が集積された半導体構造の上部に第二のクラッド層を含む第四の半導体層を形成する工程と、第四の半導体層の上部に第三のマスクパターンを形成し、該第三のマスクパターンを用いて第一の半導体層と第二の半導体層と第三の半導体層に光を導波させる光導波路構造を形成する工程とを有し、第二のマスクパターンの寸法を、光導波路の光軸に対して垂直な方向に引いた直線に沿って測定したときの長さである第二のマスクパターンの幅が、光導波路の光軸上の位置によって異なっており、光導波路の光軸に垂直な方向に引いた直線が第一のマスクパターンと交差(重畳)していない場所における第二のマスクパターンの主たる部分の幅が、光導波路の光軸に垂直な方向に引いた直線が第一のマスクパターンと交差(重畳)している場所における第二のマスクパターンの幅と比較して短いことを特徴とする集積光デバイスの製造方法により達成される。
(2)(1)の集積光デバイスの製造方法において、第一のマスクパターンの、光導波路と交差する辺を、光導波路の光軸に垂直な方向から傾斜させ、その傾斜角度を5度から85度の範囲とする。
(3)(1)の集積光デバイスの製造方法において、第二のマスクパターンの、光導波路と交差する辺を、光導波路の光軸に垂直な方向から傾斜させ、その傾斜角度を5度から85度の範囲とする。
(4)(1)の集積デバイスの製造方法において、前記第一のマスクパターンの光導波路と交差する辺の傾斜角度と、前記第二のマスクパターンの光導波路と交差する辺の傾斜角度とを異ならせる。
(5)(1)の集積光デバイスの製造方法において、前記第一の半導体層と前記第三の半導体層に量子井戸構造を備えさせると共に、前期第二の半導体層のコア部分をバルク結晶を備えさせる。
(6)(5)の集積光デバイスの製造方法において、前記量子井戸構造を歪量子井戸構造とする。
(7)(1)の集積光デバイスの製造方法において、前記半導体基板をInPで構成する。
(8)(1)の集積光デバイスの製造方法において、前記第一の半導体層をInGaAlAs層を含む構造とし、前記第二の半導体層をInGaAsP層を含む層構造とし、前記第三の半導体層をInGaAsP層を含む層構造とする。
(9)(1)の集積光デバイスの製造方法において、前記第一の半導体層から構成される第一の光素子部で光変調器を構成し、前記第二の半導体層から構成される第二の光素子部で光導波路を構成し、前記第三の半導体層から構成される第三の光素子部で半導体レーザを構成する。
(10)(1)の集積光デバイスの製造方法において、前記第一の半導体層から構成される第一の光素子部で半導体レーザを構成し、前記第二の半導体層から構成される第二の光素子部で光導波路を構成し、前記第三の半導体層から構成される第三の光素子部で光変調器を構成する。
(11)半導体基板または半導体基板上に形成された第一のクラッド層上に、第一の半導体層を形成する工程と、第一の半導体層の一部を覆う第一のマスクパターンを形成する工程と、第一のマスクパターンに覆われていない第一の半導体層を第一のエッチングにより除去する工程と、第一のエッチングにより第一の半導体層を除去した領域に第二の半導体層を形成する工程と、第一の半導体層の全てと第二の半導体層の一部を覆う第二のマスクパターンを形成する工程と、第二のマスクパターンに覆われていない第二の半導体層を第二のエッチングにより除去する工程と、第二のエッチングにより第二の半導体層を除去した領域に第三の半導体層を形成する工程と、上記の工程により形成した第一の半導体層と第二の半導体層と第三の半導体層が集積された半導体構造の上部に第二のクラッド層を含む第四の半導体層を形成する工程と、第四の半導体層の上部に第三のマスクパターンを形成し、該第三のマスクパターンを用いて第一の半導体層と第二の半導体層と第三の半導体層に光を導波させる光導波路構造を形成する工程を有する集積光デバイスの製造方法において、前記第三のマスクパターンを用いて第一の半導体層と第二の半導体層と第三の半導体層に光を導波させる光導波路構造を形成する工程がエッチング工程であり、前記エッチング工程で形成した光導波路構造を、ルテニウムがドーピングされた半絶縁性InPで埋め込む。
Claims (8)
- 半導体基板または前記半導体基板上に形成された第一のクラッド層上に、InGaAlAsで形成された多重量子井戸構造を含む第一の半導体層を形成する工程と、
前記第一の半導体層の一部を覆う第一のマスクパターンを形成する工程と、
前記第一のマスクパターンに覆われていない前記第一の半導体層を第一のエッチングにより除去する工程と、
前記第一のエッチングにより前記第一の半導体層を除去した領域にInGaAsPで形成されたバルク層を含む第二の半導体層を形成する工程と、
前記第一の半導体層の全てと前記第二の半導体層の一部を覆う第二のマスクパターンを形成する工程と、
前記第二のマスクパターンに覆われていない前記第二の半導体層を第二のエッチングにより除去する工程と、
前記第二のエッチングにより前記第二の半導体層を除去した領域にInGaAsPで形成された多重量子井戸構造を含む第三の半導体層を形成する工程と、
上記の工程により形成した前記第一の半導体層と前記第二の半導体層と前記第三の半導体層が集積された半導体構造の上部に第二のクラッド層を含む第四の半導体層を形成する工程と、
前記第四の半導体層の上部に第三のマスクパターンを形成し、該第三のマスクパターンを用いて前記第一の半導体層と前記第二の半導体層と前記第三の半導体層に光を導波させる光導波路構造を形成する工程とを有する集積光デバイスの製造方法であって、
前記第二のマスクパターンの幅は、前記光導波路の光軸に対して垂直な方向に引いた直線に沿って測定した場合に、前記光導波路の前記光軸上の位置によって異なり、前記第一のマスクパターンと交差している部分の幅に対して、交差していない場所における主たる部分の幅が狭く、
前記第一のマスクパターンの、前記光導波路と交差する辺が、前記光導波路の前記光軸に垂直な方向から傾斜しており、その傾斜角度が5度から85度の範囲であり、
前記第二のマスクパターンの、前記光導波路と交差する辺が、前記光導波路の前記光軸に垂直な方向から傾斜しており、その傾斜角度が5度から15度の範囲にあることを特徴とする集積光デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の集積デバイスの製造方法であって、前記第一のマスクパターンの前記光導波路と交差する辺の傾斜角度と、前記第二のマスクパターンの光導波路と交差する辺の傾斜角度が異なることを特徴とする集積光デバイスの製造方法。
- 請求項1に記載の集積光デバイスの製造方法であって、前記第一の半導体層に含まれる多重量子井戸構造及び前記第三の半導体層に含まれる多重量子井戸構造が歪量子井戸構造であり、
前記半導体基板がInPであり、前記第一の半導体層から構成される第一の光素子部が光変調器であり、前記第二の半導体層から構成される第二の光素子部が光導波路であり、前記第三の半導体層から構成される第三の光素子部が半導体レーザであることを特徴とする集積光デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の集積光デバイスの製造方法であって、前記第一の半導体層に含まれる多重量子井戸構造及び前記第三の半導体層に含まれる多重量子井戸構造が歪量子井戸構造であり、
前記半導体基板がInPであり、前記第一の半導体層から構成される前記第一の光素子部が半導体レーザであり、前記第二の半導体層から構成される前記第二の光素子部が光導波路であり、前記第三の半導体層から構成される前記第三の光素子部が光変調器であることを特徴とする集積光デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の集積光デバイスの製造方法であって、
前記第三のマスクパターンを用いて前記第一の半導体層と前記第二の半導体層と前記第三の半導体層に光を導波させる前記光導波路構造を形成する工程が第三のエッチング工程であり、
前記第三のエッチング工程で形成した前記光導波路構造を、ルテニウムがドーピングされた半絶縁性InPで埋め込む工程を有することを特徴とする集積光デバイスの製造方法。 - 半導体基板または前記半導体基板上に形成された第一のクラッド層上に、InGaAlAsで形成された多重量子井戸構造を含む第一の半導体層を形成する工程と、
前記第一の半導体層の一部を覆う第一のマスクパターンを形成する工程と、
前記第一のマスクパターンに覆われていない前記第一の半導体層を第一のエッチングにより除去する工程と、
前記第一のエッチングにより前記第一の半導体層を除去した領域にInGaAsPで形成されたバルク層を含む第二の半導体層を形成する工程と、
前記第一の半導体層の全てと前記第二の半導体層の一部を覆う第二のマスクパターンを形成する工程と、
前記第二のマスクパターンに覆われていない前記第二の半導体層を第二のエッチングにより除去する工程と、
前記第二のエッチングにより前記第二の半導体層を除去した領域にInGaAsPで形成された多重量子井戸構造を含む第三の半導体層を形成する工程と、
上記の工程により形成した前記第一の半導体層と前記第二の半導体層と前記第三の半導体層が集積された半導体構造の上部に第二のクラッド層を含む第四の半導体層を形成する工程と、
第四の半導体層の上部に第三のマスクパターンを形成し、該第三のマスクパターンを用いて前記第一の半導体層と前記第二の半導体層と前記第三の半導体層に光を導波させる光導波路構造を形成する工程とを有する製造方法にて作製される集積光デバイスであって、
前記第二のマスクパターンの幅は、前記光導波路の光軸に対して垂直な方向に引いた直線に沿って測定した場合に、前記光導波路の前記光軸上の位置によって異なり、前記第一のマスクパターンと交差している部分の幅に対して、交差していない場所における主たる部分の幅が狭く、
前記第一のマスクパターンの、前記光導波路と交差する辺が、前記光導波路の前記光軸に垂直な方向から傾斜しており、その傾斜角度が5度から85度の範囲であり、
前記第二のマスクパターンの、前記光導波路と交差する辺が、前記光導波路の前記光軸に垂直な方向から傾斜しており、その傾斜角度が5度から15度の範囲にあることを特徴とする集積光デバイス。 - 請求項6に記載の集積デバイスであって、前記第一のマスクパターンの光導波路と交差する辺の傾斜角度と、前記第二のマスクパターンの光導波路と交差する辺の傾斜角度が異なることを特徴とする集積光デバイス。
- 請求項6に記載の集積光デバイスであって、前記第一の半導体層から構成される第一の光素子部が光変調器であり、前記第二の半導体層から構成される第二の光素子部が光導波路であり、前記第三の半導体層から構成される第三の光素子部が半導体レーザであることを特徴とする集積光デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009005299A JP5314435B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | 集積光デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009005299A JP5314435B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | 集積光デバイス及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010165759A JP2010165759A (ja) | 2010-07-29 |
JP2010165759A5 JP2010165759A5 (ja) | 2012-02-23 |
JP5314435B2 true JP5314435B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=42581732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009005299A Active JP5314435B2 (ja) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | 集積光デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5314435B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5786425B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-09-30 | 住友電気工業株式会社 | 光集積素子の製造方法 |
JP5880145B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2016-03-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光変調器 |
WO2018211689A1 (ja) | 2017-05-19 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP6499268B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-04-10 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子及び光通信モジュール |
JP2019192879A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法ならびに光集積半導体素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127378A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体集積素子とその製造方法 |
JP2002270946A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光集積素子の製造方法 |
JP4049562B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2008-02-20 | 日本電信電話株式会社 | 埋込型半導体光素子 |
JP4411938B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2010-02-10 | 住友電気工業株式会社 | 変調器集積半導体レーザ、光変調システムおよび光変調方法 |
WO2007108094A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Fujitsu Limited | 光半導体装置の製造方法 |
JP2008053649A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 埋め込み型半導体レーザ |
JP4885766B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2012-02-29 | 日本電信電話株式会社 | 半導体導波路素子及び半導体レーザ及びその作製方法 |
-
2009
- 2009-01-14 JP JP2009005299A patent/JP5314435B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010165759A (ja) | 2010-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5451332B2 (ja) | 光半導体装置 | |
US20070195847A1 (en) | Semiconductor laser diode and integrated semiconductor optical waveguide device | |
JP5170869B2 (ja) | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 | |
JP5314435B2 (ja) | 集積光デバイス及びその製造方法 | |
JP5821560B2 (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
JP2011210761A (ja) | 光半導体集積素子及びその製造方法 | |
JP2005333144A (ja) | 逆メサ構造を用いた光集積素子及びその製造方法 | |
JP4534985B2 (ja) | 導波路型光デバイスおよびその製造方法 | |
US20130207140A1 (en) | Semiconductor Optical Element Semiconductor Optical Module and Manufacturing Method Thereof | |
US6678302B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
WO2007072807A1 (ja) | 半導体素子、および半導体素子の製造方法 | |
US11462886B2 (en) | Buried-type semiconductor optical device | |
KR20080014613A (ko) | 반도체 광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2005286192A (ja) | 光集積素子 | |
JP2006091880A (ja) | アクティブ構造体に接続する低寄生容量の突合せ接合型パッシブ導波路装置及び方法 | |
JP2021028971A (ja) | 埋め込み型半導体光素子 | |
US6432735B1 (en) | High power single mode laser and method of fabrication | |
JP5957856B2 (ja) | 半導体集積素子 | |
JP4151043B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
JP2010010284A (ja) | 集積型光半導体装置の製造方法及び集積型光半導体装置 | |
JP5029239B2 (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
JPH09237940A (ja) | 半導体装置,及びその製造方法 | |
US10684414B1 (en) | Interconnect between different multi-quantum well waveguides in a semiconductor photonic integrated circuit | |
JP4534449B2 (ja) | Mmi型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP5957855B2 (ja) | 半導体集積素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120111 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120111 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130625 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130705 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5314435 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |