JP2001127378A - 半導体集積素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異なる層構造をバットジョイント接合すると
きに、選択成長時にその膜厚を厚くしてもマスクへの這
い上がり成長が起こらない半導体集積素子、とりわけ、
低しきい値電流で動作する狭出射半導体レーザ素子を提
供する。 【解決手段】 活性層を含む層構造の活性層領域Ｉとそ
れにバットジョイント接合する導波路層領域IIとが半導
体基板の上に形成されており、バットジョイント接合面
Ｊは、活性層領域Ｉにおける少なくとも活性層を構成す
る半導体材料の結晶方位［０１１］に対して４５°の角
度で傾斜する垂直面である半導体レーザ素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積素子とそ
の製造方法に関し、更に詳しくは、狭出射半導体レーザ
素子として使用すると、活性層領域と導波路層構造との
接合界面における結合損失の増大を招くことがないの
で、しきい値電流の増加と発光効率の低下が抑制される
半導体集積素子とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光源である半導体レーザ素子と光経路で
ある光ファイバを接続して光モジュールを組み立てる場
合、光ファイバとの光結合が容易に行えるということか
らすれば、用いる半導体レーザ素子としては出力ビーム
径が小さい狭出射半導体レーザ素子が好適である。ま
た、光モジュールそれ自体やそれを組み込んだ光通信シ
ステム全体のコストの面からいえば、前記狭出射半導体
レーザ素子は低コストで製造できるものであることが好
ましい。

【０００３】ここで、従来から知られている狭出射半導
体レーザ素子の製造について、図面に則して説明する。
まず、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などのエピタキシャル結
晶成長法で、ｎ−ＩｎＰから成る基板１の上に、ｎ−Ｉ
ｎＰから成る下部クラッド層２，ＧａＩｎＡｓＰ／Ｇａ
ＩｎＡｓＰから成る量子井戸構造と光閉じ込め層を有す
る活性層３，そしてｐ−ＩｎＰから成る上部クラッド層
４を順次成膜して活性層領域であるスラブ状の第１の半
導体層構造Ｉを形成する（図７）。

【０００４】なお、この場合、層構造Ｉを構成する上記
各半導体材料は、結晶方位［０１１］が図７の矢印で示
した方向となるようにエピタキシャル成長しているもの
とする。ついで、層構造Ｉにおける上記クラッド層４の
上に例えばＳｉＯ₂やＳｉＮ_xを用いて複数個のマスク５
をパターニングする。１個のマスク近辺の状態を平面図
として図８に示す。

【０００５】この場合、マスク５の平面視パターンは長
方形形状であり、その縁辺５ａの形状が前記した結晶方
位［０１１］に対して直交する形状になっているのが通
例である。マスク５をパターニングしたのち、例えばリ
ン酸系のエッチセントを用いたウェットエッチング処理
を行い、図９で示したように、マスク５の直下に位置す
る層構造Ｉは残して他の部分は基板１までエッチング除
去し、マスク５の縁辺５ａから基板１にまで至るエッチ
ング面Ｉａを形成する。その場合、層構造ＩにおけるＩ
ｎＰとＧａＩｎＡｓＰとの間ではエッチングの選択性が
異なるため、形成されたエッチング面Ｉａには段差が生
じている。

【０００６】ついで、基板表面の全体に対して例えばＭ
ＯＣＶＤ法によりＧａＩｎＡｓＰとＩｎＰとを順次選択
成長させて、図１０と図１０のXI−XI線に沿う断面図で
ある図１１で示したように、導波路層６と保護層７を含
み、導波路層領域として機能する第２の半導体層構造II
を形成し、層構造Ｉのエッチング面Ｉａと層構造IIとの
間でバットジョイント接合面Ｊを形成する。したがっ
て、このバットジョイント接合面Ｊは、前記した結晶方
位［０１１］に対して平面的に直交する段差を有する形
状になっている。

【０００７】そして、層構造Ｉ（活性層領域）の活性層
３で発振したレーザ光は、バットジョイント接合面Ｊで
前記層構造Ｉと光結合する導波路層６に導波して図１１
の矢印で示したように出射していく。また、この層構造
IIは選択成長で形成されているので、その膜厚はマスク
５が形成されている層構造Ｉ側、すなわち、光の入射端
側で厚くなり、そこから遠ざかるほど順次膜厚は薄くな
り、最も離れた地点、すなわち光の出射端では最も薄く
なる。その場合、層構造IIにおける導波路層６の光の導
波方向における長短によっても異なるが、例えば導波路
層６の長さが１５０μｍ程度であるとすると、その入射
端側の膜厚と出射端の膜厚との比は、通常、１：１／３
〜１／２程度になる。

【０００８】ついで、マスク５を除去したのち、バット
ジョイント接合している層構造Ｉと層構造IIの上面から
エッチング処理を行って、２つの層構造部分を所定の幅
と所定の高さのリッジ形状にし、更にそのリッジの両側
部と表面に対する通常の埋め込み作業を行い、最後に電
極の形成工程を経て目的とする狭出射半導体レーザ素子
が製造される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した製
造工程における層構造IIの選択成長時に、図１２で示し
たように、導波路層６、したがって保護層７がマスク５
の上にまで這い上がり成長することがある。とくに、層
構造IIの厚みを厚くすると、上記した這い上がり成長は
顕著となり、全体の表面にはバットジョイント接合面Ｊ
を中心にして凸部８が形成される。

【００１０】このような事態が発生すると、層構造IIの
選択成長工程に続く埋め込み工程や電極形成工程を経て
製造した素子において、上記這い上がり成長に基づいて
形成されている凸部８により、例えばその素子をＪ／Ｄ
でボンディングし、パッシブアライメントにより光ファ
イバと接続する際に円滑な光軸合わせの作業が困難とな
り、その結果、光モジュールの製造コストを高めること
になる。

【００１１】したがって、狭出射半導体レーザ素子の製
造に際し、選択成長で形成する層構造IIに関しては、バ
ットジョイント接合面Ｊの上面に上記した這い上がり成
長に基づく凸部８が形成されないようにすることが必要
になる。また、この素子の場合、前記したウェットエッ
チング処理時に形成された層構造Ｉのエッチング面（接
合面）Ｉａには段差があるので、層構造IIの形成時に異
常成長が起こって、接合面に例えば空洞などが形成され
ることがある。

【００１２】一方、このレーザ素子の場合、活性層領域
Ｉ（層構造Ｉ）と導波路層領域II（層構造II）のバット
ジョイント接合面Ｊにおける光結合効率は大きければ大
きいほど好適である。具体的には、光結合効率が１００
％であることを最良とする。そして、上記光結合効率
は、選択成長で形成された層構造IIの膜厚で律速され
る。

【００１３】そこで、層構造Ｉにおける下部クラッド層
２の厚みを２μｍ、活性層３の厚みを３００nm、上部ク
ラッド層４の厚みを２μｍと仮定し、このときの層構造
IIにおける導波路層６の厚みと光結合効率との関係を計
算してみると図１３に示したような関係になる。図中、
実線は活性層３の厚み方向における光中心と導波路層６
の厚み方向における光中心の位置ずれ（Δｄ：単位はn
m）が０、すなわち両光中心は合致している場合であ
り、破線は上記Δｄ値が１００nmの場合である。

【００１４】なお、後者の場合は、層構造Ｉのエッチン
グ処理時に、エッチングの終止点が基板表面ではなく、
更にそれよりも深くエッチングしたときに起こるケース
である。図１３から明らかなように、活性層３と導波路
層６の光中心が合致している場合（Δｄ＝０）には、導
波路層６の膜厚を３００nm程度にするとバットジョイン
ト接合面Ｊでの光結合効率は１００％になる。

【００１５】すなわち、層構造IIにおける導波路層６の
膜厚が３００nm程度の厚みになるまで選択成長を行って
はじめて、バットジョイント接合面Ｊでは１００％の光
結合効率を実現することができる。仮に、後者のΔｄ＝
１００nmの場合のように、層構造Ｉのエッチング処理時
に過度にエッチングしたときには、層構造IIにおける導
波路層６が更に厚膜となるように選択成長を行うことが
必要になる。

【００１６】しかしながら、厚膜の層構造IIを選択成長
で形成すると、前記したようにバットジョイント接合面
近辺に這い上がり成長による凸部８が形成されるという
不都合が発生する。このような問題、すなわち上記凸部
の発生問題は、選択成長時の這い上がり成長が起こらな
い程度に、層構造IIにおける導波路層６の膜厚を薄くす
れば解消できるが、その場合には図１３から明らかなよ
うに光結合効率の低下、更にはしきい値電流の上昇が起
こってしまい、そもそもレーザ素子としての特性劣化を
招いてしまう。

【００１７】更には、前記したように、選択成長で形成
された層構造IIは、層構造Ｉ側（光の入射端側）で厚
く、出射端側で薄くなっているので、バットジョイント
接合面Ｊにおける膜厚を薄くすると、出射端面側の膜厚
はその１／３〜１／２程度になってしまい導波路として
の機能を喪失することも考えられる。このようなことか
ら、出射端側の膜厚もある厚みを確保することが必要に
なってくるが、その場合にはバットジョイント接合面Ｊ
においてはかなりの厚膜状態になるため、選択成長時の
這い上がり成長が発生しやすくなる。

【００１８】このように、上記した狭出射半導体レーザ
素子に代表されるバットジョイント接合面を有する半導
体集積素子には、厚膜の層構造IIを選択成長で形成した
ときに這い上がり成長によってバットジョイント接合面
の上部表面に凸部が生成するという問題がある。また、
層構造Ｉにウェットエッチング処理を行うと、前記した
ように、バットジョイント接合面に空洞が生ずるという
問題もある。

【００１９】本発明は、層構造IIを選択成長で形成する
半導体集積素子における上記した問題を解決し、バット
ジョイント接合面における層構造IIの膜厚が３００nm程
度にまで厚膜化してもマスクへの這い上がり成長に基づ
く凸部の生成は起こらず、低いしきい値電流と高い発光
効率で作動する狭出射半導体レーザ素子として有用な半
導体集積素子とその製造方法の提供を目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、第１の半導体層構造と第２
の半導体層構造とがバットジョイント接合して半導体基
板の上に形成されている半導体集積素子において、前記
バットジョイント接合面は、前記第１の半導体層構造に
対するドライエッチング処理で形成され、かつ前記第１
の半導体層構造を構成する半導体材料の結晶方位に対し
て傾斜した垂直面になっていることを特徴とする半導体
集積素子、好ましくは、前記バットジョイント接合面の
前記傾斜角は４５°±１０°である半導体集積素子が提
供される。

【００２１】具体的には、活性層を含む層構造の活性層
領域とそれにバットジョイント接合する導波路層領域と
が半導体基板の上に形成されており、前記バットジョイ
ント接合面は、前記活性層領域における少なくとも活性
層を構成する半導体材料の結晶方位に対して傾斜する垂
直面であることを特徴とする半導体レーザ素子が提供さ
れる。

【００２２】また、本発明においては、エピタキシャル
結晶成長法で半導体基板の上に第１の半導体層構造を形
成する工程；前記第１の半導体層構造の表面にマスクを
形成したのちドライエッチング処理を行って、前記第１
の半導体層構造の一部をドライエッチング除去する工
程；および前記ドライエッチング除去した部分に選択成
長法で第２の半導体層構造を形成して前記第１の半導体
層構造と第２の半導体層構造をバットジョイント接合す
る工程；を含む半導体集積素子の製造方法において、前
記マスクは、形成すべき前記バットジョイント接合面側
の縁辺が前記第１の半導体層構造を構成する半導体材料
の結晶方位に対して傾斜している平面視形状を有するこ
とを特徴とする半導体集積素子の製造方法が提供され
る。

【００２３】また、前記マスクは、中央に位置する中央
マスク部分と、前記中央マスク部分の両側に位置し、か
つ前記中央マスク部分よりも長尺な両側マスク部分とか
ら成る平面視形状を有する半導体集積素子の製造方法が
提供される。そして前記マスクの縁辺の傾斜角が４５°
±１０°であることを好適とする半導体集積素子の製造
方法が提供される。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面に則して本発明の半導
体集積素子の実施態様を説明するが、その説明は、図７
〜図１１で示した狭出射半導体レーザ素子を例にして行
う。まず、図７で示した場合と同じようにｎ−ＩｎＰか
ら成る基板１の（００１）面に活性層領域である第１の
半導体層構造Ｉが形成される。したがって、この層構造
Ｉを構成する各半導体材料の結晶方位［０１１］は図７
の矢印方向（レーザ光の導波方向）に向いている。

【００２５】ついで、この層構造Ｉの最上層を構成する
上部クラッド層４の上に、ＳｉＯ₂やＳｉＮ_xを用いてマ
スクを複数個形成したのちエッチング処理を行って、前
記層構造Ｉの一部が基板１の表面までエッチング除去さ
れる。本発明においては、上記マスクが次のような平面
視形状を有していることを最大の特徴とする。以下にそ
れを説明する。

【００２６】図１は、層構造Ｉの上部クラッド層４の上
に複数個形成されているマスク５のうち、１個のマスク
の近辺の状態を示す平面図である。図１から明らかなよ
うに、本発明で形成するマスク５は、層構造Ｉと後述す
る層構造IIとでバットジョイント接合面を形成すべき箇
所における縁辺５ａが層構造Ｉを構成する半導体材料の
結晶方位［０１１］に対して角度θで傾斜するような平
面視形状を有している。

【００２７】ここで、傾斜角θは、後述する選択成長時
に、層構造Ｉとの間で１００％の光結合効率を実現する
ために、バットジョイント接合面における層構造IIの膜
厚を３００nm程度にまで厚くしてもマスク５への這い上
がり成長が起こらないようにするためには、４５°±１
０°に設定することが好ましい。このようなマスク５を
形成したのち、例えばＣＨ₄／Ｈ₂を用いたＲＩＥによる
ドライエッチング処理が行われる。そのときのエッチン
グ終止点は、基板１の表面となるように目標を定める。

【００２８】このドライエッチング処理によりマスク５
の直下に位置する層構造Ｉの部分以外の部分はエッチン
グ除去され、図２で示したように、基板１の上には、結
晶方位［０１１］に対して角度θで傾斜する垂直なドラ
イエッチング面Ｉａを有する層構造Ｉが残置する。この
ドライエッチング面１ａには、ウェットエッチング処理
で形成されたエッチング面の場合のような段差を生じて
いない。そして、このドライエッチング面Ｉａが後述す
る層構造IIとのバットジョイント接合面になる。

【００２９】ついで、この基板１に対して、導波路層用
の半導体材料と保護層用の半導体材料の選択成長を順次
行って、層構造Ｉのエッチング面Ｉａに第２の半導体層
構造IIを光の導波方向にバットジョイント接合したの
ち、全体の上面からエッチング処理を行って、基板１の
上に所定の幅と高さを有するリッジ形状を形成する。し
たがって、この工程終了後にあっては、図３と図３のIV
−IV線に沿う断面図である図４で示したように、リッジ
形状をし、導波路層６と保護層７とから成り、光の入射
端側は、等幅のリッジ形状をした層構造Ｉにバットジョ
イント結合している層構造IIが基板１の上に形成され
る。

【００３０】そして、このバットジョイント接合面Ｊの
場合、その平面視形状が層構造Ｉを構成する半導体材料
の結晶方位［０１１］に対して角度θ、具体的には４５
°±１０°傾斜している垂直面になる（図３）。そし
て、理由は明確ではないが、マスク５の縁辺５ａを結晶
方位［０１１］に対して角度θで傾斜させたことによ
り、導波路層領域（層構造II）は、バットジョイント接
合面Ｊでその膜厚が３００nm程度になってもマスク５の
上に這い上がり成長することがなく、両層構造の境界上
部に図１２で示したような凸部は発生しない。

【００３１】次に、別の例を説明する。このマスク９
は、図５で示したように、中央に位置する中央マスク部
分９ａと、この中央マスク部分９ｂの両側に位置する一
対の両側マスク部分９ｃ，９ｃとから成る平面視形状を
有しており、かつ両側マスク部分９ｃ，９ｃは中央マス
ク部分９ｂよりも光の導波方向で長尺になっている。そ
して、両側マスク部分９ｃ，９ｃと中央マスク部分９ｂ
のそれぞれの縁辺９ａが層構造Ｉを構成する半導体材料
の結晶方位［０１１］に対して角度θ（４５°±１０
°）で傾斜していることは、図１で示したマスク５の場
合と変わらない。

【００３２】このマスク９を形成した層構造Ｉにドライ
エッチング処理を行うと、図６で示したように、基板１
の上には、平面視形状はマスク９と同じで、結晶方位
［０１１］に対して角度θ（４５°±１０°）で傾斜し
たドライエッチング面Ｉａを有する層構造Ｉが残置す
る。したがって、この層構造Ｉにおいては、中央マスク
部分９ｂのエッチング面と２個の両側マスク部分９ｃ，
９ｃの側部エッチング面との間に、平面視形状が菱形を
した空間部分１０が形成されることになる。

【００３３】そして、ここに選択成長を行うと、半導体
材料は、中央マスク部分９ｂから上記空間部分１０に矢
印のように流れ込んで結晶成長するとともに、両側マス
ク部分９ｃ，９ｃからも同じく上記空間部分１０に矢印
のように流れ込んで結晶成長して導波路層領域の形成が
進む。また、当然のこととして上記空間部分１０以外の
箇所でも選択成長が進んで導波路層領域が形成されてい
く。

【００３４】そして、基板上への導波路領域（層構造I
I）の形成後にあっては、エッチング処理を行うことに
より、中央マスク部分９ｂの幅を有する活性層領域と、
それにバットジョイント接合する導波路層領域とから成
るリッジ形状が形成される。したがって、このマスク９
を用いたレーザ素子の場合には、中央マスク部分９ｂ直
下に位置する層構造Ｉのエッチング面がバットジョイン
ト接合面として機能する。

【００３５】このマスク９を用いると、空間部分１０に
おける導波路層領域の成膜速度は他の箇所における成膜
速度より大きいので、例えば、形成した導波路層領域の
出射端側の膜厚を必要膜厚にする場合、その入射端側、
すなわち、空間部分１０における中央マスク部分９ｂの
直下の層構造Ｉのエッチング面近傍で必要とされる例え
ば３００nm程度の膜厚を迅速に実現することができる。

【００３６】ここで、次のような狭出射半導体レーザ素
子を製造した。ｎ−ＩｎＰから成る基板１の（００１）
面の上に、ｎ−ＩｎＰから成る厚み５０nmの下部クラッ
ド層２、ＧａＩｎＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓＰの歪量子井戸
構造とＧａＩｎＡｓＰの光閉じ込め層から成る厚み１０
０nmの活性層３、ｐ−ＩｎＰから成る厚み５０nmの上部
クラッド層４をＭＯＣＶＤ法で順次成膜して図５で示し
た結晶方位［０１１］を有する層構造Ｉを形成し、その
上に、中央マスク部分９ｂの長さが８００μｍ、基板１
の長手方向と直交する方向の幅が１０μｍであり、両側
マスク部分９ｃ，９ｃの長さが９００μｍであり、前記
結晶方位［０１１］に対して縁辺９ａの傾斜角θが４５
°であるマスク９を形成したのち、ＣＨ₄／Ｈ₂を用いる
ＲＩＥにより層構造Ｉに対するドライエッチング処理を
行って図６で示した層構造Ｉを基板１の上に形成した。

【００３７】ついで、ＧａＩｎＡｓＰの選択成長とＩｎ
Ｐの選択成長を順次行い、導波路層と厚み５０nmの保護
層から成り、全体の長さが１５０μｍの導波路層領域を
形成した。この導波路層領域では、その出射端側の膜厚
は１００nm程度、入射端側の膜厚は３００nm程度になっ
ている。ついで、マスク９を除去し、リッジを形成し、
更に埋め込み工程と電極形成工程を経てレーザ素子にし
た。

【００３８】この素子のしきい値電流は２mAであった。
また水平方向は９°、垂直方向は１０°の狭出射レーザ
ビームが得られた。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
半導体集積素子は、それを狭出射半導体レーザ素子とし
て用いた場合、活性層領域（層構造Ｉ）との間で１００
％の光結合効率を実現できる３００nm程度の膜厚にま
で、境界上部に凸部を生成することなく導波路層領域
（層構造II）を選択成長で形成することができる。

【００４０】したがって、しきい値電流は低くなるとと
もに、光ファイバとの接続作業も円滑に行うことができ
る。なお、以上の説明は狭出射半導体レーザ素子を例に
して行ったが、本発明の素子構造においては、活性層領
域（層構造Ｉ）をＤＦＢレーザ素子構造とし、導波路層
構造（層構造II）を電界吸収型変調器の構造とすること
により、ＥＡ−ＤＦＢレーザ素子にすることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】層構造Ｉの上に本発明で用いるマスクを形成し
た状態を示す平面図である。

【図２】層構造Ｉにエッチング処理を行ったのちの状態
を示す斜視図である。

【図３】層構造Ｉと層構造IIのバットジョイント接合を
示す平面図である。

【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。

【図５】本発明で用いる別のマスクを層構造Ｉに形成し
た状態を示す平面図である。

【図６】図５の層構造Ｉにエッチング処理を行ったのち
の状態を示す斜視図である。

【図７】層構造Ｉを示す断面図である。

【図８】層構造Ｉの上に従来のマスクを形成した状態を
示す平面図である。

【図９】図８の層構造Ｉにエッチング処理を行ったのち
の状態を示す断面図である。

【図１０】層構造Ｉと層構造IIが形成する従来のバット
ジョイント接合面を示す平面図である。

【図１１】図１０のXI−XI線に沿う断面図である。

【図１２】層構造IIのマスクへの這い上がり成長を示す
断面図である。

【図１３】光結合効率に対する導波路層の厚み影響に関
する計算結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 下部クラッド層 ３ 活性層 ４ 上部クラッド層 ５ マスク ５ａ マスク５の縁辺 ６ 導波路層 ７ 保護層 ８ 凸部 ９ マスク ９ａ マスク９の縁辺 ９ｂ 中央マスク部分 ９ｃ 両側マスク部分 １０ 空間部分 Ｉ 第１の半導体層構造（活性層領域） Ｉａ 第１の半導体層構造のエッチング面 II 第２の半導体層構造（導波路層領域） Ｊ バットジョイント接合面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粕川 秋彦 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA03 KA13 MA05 NA04 PA24 QA02 TA32 5F073 AA64 AB21 AB25 AB28 CA12 DA25 EA19

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の半導体層構造と第２の半導体層構
   造とがバットジョイント接合して半導体基板の上に形成
   されている半導体集積素子において、 前記バットジョイント接合面は、前記第１の半導体層構
   造を構成する半導体材料の結晶方位に対して傾斜した垂
   直面になっていることを特徴とする半導体集積素子。
2. 【請求項２】 前記バットジョイント接合面の前記傾斜
   角は４５°±１０°である請求項１の半導体集積素子。
3. 【請求項３】 活性層を含む層構造の活性層領域とそれ
   にバットジョイント接合する導波路層領域とが半導体基
   板の上に形成されており、前記バットジョイント接合面
   は、前記活性層領域における少なくとも活性層を構成す
   る半導体材料の結晶方位に対して傾斜する垂直面である
   ことを特徴とする半導体レーザ素子。
4. 【請求項４】 前記バットジョイント接合面の前記傾斜
   角は４５°±１０°である請求項３の半導体レーザ素
   子。
5. 【請求項５】 エピタキシャル結晶成長法で半導体基板
   の上に第１の半導体層構造を形成する工程；前記第１の
   半導体層構造の表面にマスクを形成したのちエッチング
   処理を行って、前記第１の半導体層構造の一部をエッチ
   ング除去する工程；および前記エッチング除去した部分
   に選択成長法で第２の半導体層構造を形成して前記第１
   の半導体層構造と第２の半導体層構造をバットジョイン
   ト接合する工程；を含む半導体集積素子の製造方法にお
   いて、 前記マスクは、形成すべき前記バットジョイント接合面
   側の縁辺が前記第１の半導体層構造を構成する半導体材
   料の結晶方位に対して傾斜している平面視形状を有する
   ことを特徴とする半導体集積素子の製造方法。
6. 【請求項６】 前記エッチング処理がドライエッチング
   処理である請求項５の半導体集積素子の製造方法。
7. 【請求項７】 前記マスクは、中央に位置する中央マス
   ク部分と、前記中央マスク部分の両側に位置し、かつ前
   記中央マスク部分よりも長尺な両側マスク部分とから成
   る平面視形状を有する請求項５の半導体集積素子の製造
   方法。
8. 【請求項８】 前記マスクの縁辺の傾斜角が４５°±１
   ０°である請求項５または６の半導体集積素子の製造方
   法。